證監會:同意中芯國(guó)際科創闆IPO注冊

證監會:同意中芯國(guó)際科創闆IPO注冊

6月29日,據證監會發(fā)布消息指出,證監會按法定程序同意中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司科創闆首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊,中芯國(guó)際及其承銷商將(jiāng)分别與上海證券交易所協商确定發(fā)行日程,并陸續刊登招股文件。

作爲國(guó)内晶圓代工龍頭企業,自6月1日科創闆IPO申請獲受理到到獲得注冊批文,中芯國(guó)際此次回歸科創闆創下了一系列審核記錄。據澎湃新聞報道(dào),中芯國(guó)際最快有望在7月中旬登陸科創闆。

招股書顯示,中芯國(guó)際本次拟向(xiàng)社會公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)16.86億股人民币普通股(行使超額配售選擇權之前),拟募集資金總額200億元,實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額計劃投入以下項目:12英寸芯片SN1項目、先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金、補充流動資金。

其中,12英寸芯片SN1項目拟投入募集資金投資額爲80.00億元。據介紹,該項目的載體爲中芯南方,工藝技術水平爲14納米及以下,是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生産線,也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量産的主要承載平台。該項目規劃月産能(néng)3.5萬片,目前已建設月産能(néng)6000片,募集資金主要用于滿足將(jiāng)該生産線的月産能(néng)擴充到3.5萬片的部分資金需求。

先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金拟投入募集資金金額爲40.00億元,計劃用于14納米及以下的先進(jìn)工藝與28納米及以上的成(chéng)熟工藝技術研發(fā)。

此外,中芯國(guó)際本次發(fā)行募集資金在滿足上述項目資金需求的同時拟使用80.00億元補充營運資金,以降低公司資産負債率、降低财務杠杆、優化資本結構,滿足公司經(jīng)營發(fā)展對(duì)營運資金的需求。

月産能(néng)提升至2.2萬片 晶合集成(chéng)産能(néng)利用率超100%

月産能(néng)提升至2.2萬片 晶合集成(chéng)産能(néng)利用率超100%

據安徽日報報道(dào),今年5月份,安徽省電子信息制造業規上工業增加值增長(cháng)22.2%,分别快于同期全省工業平均和全國(guó)同行業14.4個和11.4個百分點,帶動前5個月實現工業增加值累計增長(cháng)18%,分别快于同期全省工業平均和全國(guó)同行業17.5個和14.3個百分點。

其中新一代信息技術新興領域增勢良好(hǎo)。報道(dào)指出,前5個月,全省集成(chéng)電路制造業工業增加值增幅超過(guò)30%,全省首家12英寸晶圓制造企業——合肥晶合集成(chéng)電路有限公司産能(néng)利用率已經(jīng)超過(guò)100%,將(jiāng)月産能(néng)提升到2.2萬片。

官方資料顯示,晶合集成(chéng)成(chéng)立于2015年5月,由合肥市建設投資控 股(集團)有限公司與台灣力晶科技股份有限公司合資建設,專注于半導體晶圓生産代工,是安徽省第一家12吋晶圓代工企業,也是安徽省首個超百億級集成(chéng)電路項目。

項目計劃建置4座12吋晶圓廠。其中一期投入 資金超過(guò)百億元,目前已完成(chéng)N1、N2兩(liǎng)個廠房主體的建設,N1廠2019年底生産規模達每月2萬片。2015年10月,晶合項目動工,2017年10月正式量産,項目從破土動工到正式量産僅用 兩(liǎng)年時間,創造了安徽省集成(chéng)電路建設的新速度。

在晶合集成(chéng)日前公布的一季度報表顯示,晶合集成(chéng)Q1産能(néng)規模提升10%,每月從2萬片增至2.2萬片。據合肥在線此前報道(dào),晶合集成(chéng)表示,將(jiāng)積極擴産,計劃在2020年底具備月産能(néng)3萬片12英寸晶圓的産能(néng),2021年底將(jiāng)達4萬-4.5萬片每月的滿産規模。

中芯國(guó)際科創闆提交注冊

中芯國(guó)際科創闆提交注冊

6月22日,據上交所官網消息,中芯國(guó)際已提交科創闆注冊申請。據了解,中芯國(guó)際在進(jìn)軍科創闆的過(guò)程中,無論是時間還(hái)是募資金額上,都(dōu)在刷新科創闆記錄。

在時間上,中芯國(guó)際于5月5日發(fā)布公告,正式宣布正式進(jìn)軍科創闆;5月7日,北京證監局披露了中芯國(guó)際的輔導備案信息,中芯國(guó)際進(jìn)入上市輔導期;6月1日,上交所信息顯示,中芯國(guó)際科創闆上市獲得受理,正式闖關科創闆;6月4日,中芯國(guó)際科創闆完成(chéng)問詢;6月19日,中芯國(guó)際科創闆成(chéng)功過(guò)會。

在募資金額上,中芯國(guó)際此次拟在科創闆募集資金200億元,成(chéng)爲了科創闆迄今爲止最大的融資規模。

據悉,中芯國(guó)際此次實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額計劃投入12英寸芯片SN1項目、先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金、及補充流動資金。

其中,12英寸芯片SN1項目拟投入募集資金投資額爲80.00億元。該項目的載體爲中芯南方,工藝技術水平爲14納米及以下,是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生産線,也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量産的主要承載平台。該項目規劃月産能(néng)3.5萬片,目前已建設月産能(néng)6000片,募集資金主要用于滿足將(jiāng)該生産線的月産能(néng)擴充到3.5萬片的部分資金需求。

中芯國(guó)際表示,本項目的實施將(jiāng)大幅提升中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工的工藝技術水平,提升 公司對(duì)全球客戶高端芯片制造的服務能(néng)力,并進(jìn)一步帶動中國(guó)大陸集成(chéng)電路産業的發(fā)展。

先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金拟投入募集資金金額爲40.00億元,計劃用于14納米及以下的先進(jìn)工藝與28納米及以上的成(chéng)熟工藝技術研發(fā)。

中芯國(guó)際表示,繼續完善14納米工藝并開(kāi)展14納米以下工藝技術研發(fā),對(duì)于進(jìn)一步保持并提升公司在中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工領域的技術領先優勢具有重要意義;28納米及以上的成(chéng)熟工藝研發(fā),有利于增強公司适應市場變化的能(néng)力,進(jìn)一步鞏固并提升公司在成(chéng)熟工藝集成(chéng)電路晶圓代工領域的市場競争力。

本次發(fā)行募集資金在滿足上述項目資金需求的同時拟使用80.00億元補充營運資金,以降低公司資産負債率、降低财務杠杆、優化資本結構,滿足公司經(jīng)營發(fā)展對(duì)營運資金的需求。

光速!中芯國(guó)際科創闆首發(fā)順利過(guò)會

光速!中芯國(guó)際科創闆首發(fā)順利過(guò)會

6月19日,上海證券交易所官網發(fā)布的《科創闆上市委2020年第47次審議會議結果公告》顯示,科創闆上市委員會同意中芯國(guó)際發(fā)行上市(首發(fā))。

中芯國(guó)際是國(guó)内芯片代工龍頭企業,集邦咨詢旗下拓墣産業研究院最新調查數據顯示,中芯國(guó)際在全球前十大晶圓代工廠商中排名第五。

今年5月5日,中芯國(guó)際發(fā)布公告宣布正式進(jìn)軍科創闆。5月7日,北京證監局披露了中芯國(guó)際的輔導備案信息,中芯國(guó)際進(jìn)入上市輔導期。6月1日,上交所信息顯示,中芯國(guó)際科創闆上市獲得受理。

從交易所受理到通過(guò)共用了19天,中芯國(guó)際創下了科創闆最快上會記錄。

招股書顯示,中芯國(guó)際本次拟向(xiàng)社會公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)16.86億股人民币普通股(行使超額配售選擇權之前),拟募集資金總額200億元,實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額計劃投入以下項目:12英寸芯片SN1項目、先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金、補充流動資金。

其中,12英寸芯片SN1項目拟投入募集資金投資額爲80.00億元。該項目的載體爲中芯南方,工藝技術水平爲14納米及以下,是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生産線,也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量産的主要承載平台。該項目規劃月産能(néng)3.5萬片,目前已建設月産能(néng)6000片,募集資金主要用于滿足將(jiāng)該生産線的月産能(néng)擴充到3.5萬片的部分資金需求。

半導體將(jiāng)擁抱2nm時代

半導體將(jiāng)擁抱2nm時代

目前,推動半導體行業發(fā)展的方式主要有兩(liǎng)種(zhǒng),一個是尺寸縮小,另一個是矽片直徑增大。由于矽片直徑增大涉及整條生産線設備的更換,因此目前主要發(fā)展路線是尺寸的縮小。除此之外,利用成(chéng)熟特色工藝及第三代半導體材料改進(jìn)半導體産品的性能(néng)也被企業大量采用,這(zhè)將(jiāng)開(kāi)辟摩爾定律的另一片新的天地。

台積電、三星角力先進(jìn)工藝

據悉,台積電3納米工廠已經(jīng)通過(guò)環境評測,依據原定時程,全球第一座3納米工廠,可望在2020年動工,最快2022年年底量産。

此外,由于三星在台積電之前搶先公布它的3納米將(jiāng)采用環栅FinFET的納米片結構,兩(liǎng)家3納米制程戰争一觸即發(fā)。另有消息報道(dào),台積電仍沿用升級版的FinFET架構,可能(néng)采用遷移率更高的材料,而非環栅納米片結構。

兩(liǎng)家在不同的工藝與架構問題方面(miàn)各自大作文章,其中的關鍵是要找出性能(néng)瓶頸之所在,然後(hòu)以最具成(chéng)本效益的方式使用最佳工具來分别解決這(zhè)些瓶頸。無論是I/O、内存接口還(hái)是過(guò)熱的邏輯塊,系統的運行速度都(dōu)隻能(néng)與該系統中最慢的組件一緻。

其實,先進(jìn)封裝也是解決方案之一。在某些情況下,前道(dào)工藝的每一節點的進(jìn)步都(dōu)可能(néng)需要一個完全不同的體系結構與之配合。它可能(néng)是更多的軟硬件協同設計,與整個設計優化爲一個系統。如果有一種(zhǒng)一緻的方法來描述這(zhè)些設備并將(jiāng)它們連接在一起(qǐ),那麼(me)釆用chiplet等方法可以更節省時間。

目前至少有六種(zhǒng)主流的芯片/小芯片組合方式,還(hái)有更多的正在進(jìn)行中,不難想象每個芯片供應商會根據價格、功耗、性能(néng)甚至地區标準快速地提供定制解決方案。因此,雖然應用于高性能(néng)計算(HPC)及5G開(kāi)發(fā)的芯片可能(néng)需要最新的2nm制程,但是與它配套的可能(néng)是16nm的SerDes、28nm電源模塊和40nm安全芯片等,同時它們將(jiāng)集成(chéng)在一體。

成(chéng)本是關鍵因素

在半導體行業中,成(chéng)本因素是非常關鍵的。有數據顯示,7nm工藝的研發(fā)費用需要至少3億美元,5nm工藝平均要5.42億美元,3nm、2nm的工藝起(qǐ)步價大約在10億美元左右。

據最新的消息,台積電原定于2020年6月試産的3nm工藝芯片,由于疫情原因可能(néng)將(jiāng)推遲到10月。台積電3nm工藝的總投資高達1.5萬億元新台币,約合500億美元。目前在建廠方面(miàn)至少已經(jīng)花費200億美元,可見投入之龐大。

近日台積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,它的晶體管密度達到了前所未有的2.5億個/mm2。與5納米相比,功耗下降了25%~30%,并且功能(néng)提升了10%~15%。

台積電重申,從7nm到5nm,再到未來的3nm,每一個節點都(dōu)是全節點的提升。這(zhè)不同于競争對(duì)手的每一個節點都(dōu)僅是部分性能(néng)的優化,并非全節點的性能(néng)提升。因此對(duì)于未來3nm制程方面(miàn)的競争,台積電是信心滿滿。

台積電還(hái)談到2nm工藝技術進(jìn)展,公司采用FinFet第六代技術平台開(kāi)發(fā)3nm技術的同時,也已開(kāi)始進(jìn)行2nm制程技術研發(fā),并針對(duì)2nm以下技術進(jìn)行探索性研究。

對(duì)于極紫外光(EUV)技術,要減少光刻機的掩膜缺陷及制程堆疊誤差,并降低整體成(chéng)本。台積電表示,今年在2nm及更先進(jìn)制程上,將(jiāng)着重于改善極紫外光技術的品質與成(chéng)本。

半導體尺寸縮小遠非有EUV光刻機就能(néng)實現的。嚴格地說,到3nm時,可能(néng)釆用現有的FinFET架構也無法達到,需要從器件的架構、工藝變異、熱效應、設備與材料等方面(miàn)綜合解決。

由于HPC及5G等市場的需求,半導體業向(xiàng)3nm過(guò)渡已成(chéng)定局,台積電及三星兩(liǎng)家已經(jīng)承諾,至多時間上有可能(néng)推遲。2nm的現實可能(néng)性也極大。由于費用過(guò)高及許多技術上的難點無法解決,外加必須有高端設備及材料的支持,所以1nm能(néng)否實現目前尚無法預言。但是半導體尺寸縮小的終點遲早會來臨。

“大考”在即 中芯國(guó)際進(jìn)一步披露14nm産線情況

“大考”在即 中芯國(guó)際進(jìn)一步披露14nm産線情況

中芯國(guó)際的科創闆上市進(jìn)程速度再次刷新紀錄。6月10日晚間,上海證券交易所披露將(jiāng)于6月19日召開(kāi)上市委員會審議會議,審議中芯國(guó)際的首發(fā)上市申請,這(zhè)距離其科創闆上市申請獲受理不到20天,刷新科創闆最快上會紀錄。

回顧中芯國(guó)際的科創闆上市之路,整個過(guò)程堪稱火箭速度。5月5日,中芯國(guó)際宣布拟進(jìn)行人民币股份發(fā)行并申請科創闆上市;5月6日,中芯國(guó)際啓動上市輔導,并于上海證監局進(jìn)行輔導備案登記;6月1日,中芯國(guó)際科創闆上市申請正式獲受理;6月4日,中芯國(guó)際迎來首輪問詢;6月7日,中芯國(guó)際對(duì)問詢函作出長(cháng)達207頁回複;6月10日,科創闆上市委宣布中芯國(guó)際將(jiāng)于6月19日上會。

據了解,在此之前企業從科創闆上市申請獲受理到上會最快曆時66天。業界認爲,中芯國(guó)際科創闆上市進(jìn)程之所以如此迅速,一方面(miàn)由于其已在港股上市多年,公司治理與運營已較爲規範、相關材料及信息披露也已經(jīng)過(guò)市場檢驗;另一方面(miàn),中芯國(guó)際自身具備濃厚的科創闆屬性及産業戰略地位,且其強大的保薦陣營也爲其保駕護航。

有媒體引述相關證券人士的猜測,按照目前的進(jìn)度和銷量,若中芯國(guó)際上會通過(guò),最快十天左右可發(fā)現上市,即意味着其最快會在本月底挂牌上市。

在中芯國(guó)際首輪問詢函中,共涉及六大類問題、合計29個小問題,涵蓋股權結構、業務、核心技術、财務信息等事(shì)項,對(duì)此中芯國(guó)際提交了長(cháng)達208頁回複。6月10日,上海證券交易所披露中芯國(guó)際關于審核中心意見落實函的回複,中芯國(guó)際的招股書(上會稿)按要求做了全面(miàn)梳理以及補充完善,包括14nm及28nm制程産品收入占比較低、與行業龍頭相比技術差距較大等。

此外,審核中心意見中關注中芯國(guó)際14nm産線的相關情況,包括中芯南方和中芯上海14nm産線在建工程于2019年末的餘額情況、轉固金額與中芯上海14nm産線定位的合理性及月産能(néng)情況、相關設備折舊是計入研發(fā)費用還(hái)是産品成(chéng)本等。

根據回複,中芯國(guó)際的産線中具備14nm制程生産能(néng)力的爲中芯南方的12英寸産線(在建)以及中芯上海的12英寸産線。其中,中芯南方的14nm産線未來主要承擔14nm産品的生産功能(néng),截至2019年末,中芯南方14nm産線尚處于試生産階段,其在建工程均未轉固。

中芯上海的14nm産線主要負責14nm工藝技術的研發(fā)工作并承擔部分前期小規模生産功能(néng),中芯上海于2019年下半年開(kāi)始向(xiàng)客戶小規模出貨14nm産品,中芯國(guó)際于2019年第四季度形成(chéng)量産的14nm産品主要由中芯上海12英寸産線生産。截至2019年末,中芯上海 14nm産線已全部轉固,金額累計爲24.75億元。

至于中芯上海14nm産線定位的合理性及月産能(néng)情況,中芯國(guó)際表示,中芯上海擁有一條小規模研發(fā)和生産産線,主要定位爲支持公司14nm及下一代先進(jìn)工藝研發(fā)流片,同時提供 14nm産品的小量生産。中芯上海14nm産線定位具有合理性,月産能(néng)約3000片。

中芯國(guó)際指出,中芯上海14nm産線機器設備包括兩(liǎng)類:對(duì)于專門用于研發(fā)的機器設備,實際管理中由研發(fā)部門負責管理和使用,其相關的折舊費用全部歸屬于研發(fā)費用;對(duì)于既用于研發(fā)又用于生産的機器設備,其折舊費用在研發(fā)和生産環節通過(guò)流片結轉的方式進(jìn)行分攤并分别計入研發(fā)費用和生産成(chéng)本,分攤的基礎爲生産和研發(fā)流片分别占用的機台使用時間。

從定位上看,中芯南方是中芯國(guó)際的14nm産品的主要承擔者。根據招股書,中芯國(guó)際此次募集資金淨額中的80.00億元人民币將(jiāng)用于由中芯南方承擔實施的12英寸芯片SN1項目。該項目規劃月産能(néng)3.5萬片,工藝技術水平爲14納米及以下,目前已建成(chéng)月産能(néng)6000 片,募集資金主要用于滿足將(jiāng)該生産線的月産能(néng)擴充到3.5萬片的部分資金需求。

據中芯國(guó)際招股書披露,其際第二代FinFET技術——N+1工藝已進(jìn)入客戶導入階段,與第一代FinFET技術中的14nm相比較,預計第二代FinFET技術有望在性能(néng)上提高約20%,功耗降低約60%。

最新排名| 第二季度全球前十大晶圓代工廠商營收表現如何?

最新排名| 第二季度全球前十大晶圓代工廠商營收表現如何?

根據集邦咨詢旗下拓墣産業研究院最新調查,2020年第一季晶圓代工訂單未出現大幅度縮減,以及客戶擴大既有産品需求并導入疫情衍生的新興應用,加上2019年同期基期低,全球前十大晶圓代工業者2020年第二季營收年成(chéng)長(cháng)逾2成(chéng)。

台積電受惠5G手機AP、HPC和遠程辦公教學(xué)的CPU/GPU需求推升先進(jìn)制程營收表現,加上成(chéng)熟制程産品需求穩定,預估第二季營收年成(chéng)長(cháng)超過(guò)30%。針對(duì)華爲禁令的影響,考量其他客戶包括超威(AMD)、聯發(fā)科(MediaTek)、英偉達(NVIDIA)、高通(Qualcomm)等訂單已有規劃,應能(néng)減少稼動率下滑幅度。

三星受惠高通7系列中高端5G芯片客戶采用率良好(hǎo),7納米的需求狀況保持穩定,CIS、DDIC等則預期5G手機滲透率增加而擴大供給。另外擴充EUV生産線,拓展移動業務以外的應用,預估第二季營收年成(chéng)長(cháng)達15.7%。

格芯(GlobalFoundries)受到車用與運算芯片需求衰退影響,第二季營收年成(chéng)長(cháng)幅度可能(néng)收窄,預估爲6.9%。

聯電受惠驅動IC與疫情帶動相關産品需求上升,助攻第二季營收維持雙位數成(chéng)長(cháng),達23.9%。

中芯國(guó)際的NOR Flash、eNVM等12寸晶圓,以及PMIC、指紋識别芯片與部分通用MCU等8寸晶圓需求支撐營收表現,預估第二季年成(chéng)長(cháng)達19%,然而華爲禁令可能(néng)帶來不确定性,恐影響稼動率表現。

在第三梯隊業者部分,高塔半導體的RF與矽光收發(fā)器産品受惠5G基礎建設與數據中心建置的持續需求,然總量不比消費性産品,對(duì)維持高稼動率貢獻有限,另外,雖然CIS需求強勁,但車用産品需求能(néng)見度不高,故對(duì)第二季整體營收看法保守,年成(chéng)長(cháng)1.3%。

力積電主要由CIS需求挹注,包括IP CAM、中低端像素的手機CIS芯片與安防監控相關低端CIS等在中國(guó)市場的需求穩健成(chéng)長(cháng),加上2019年同期基期低,預估第二季營收年成(chéng)長(cháng)高達7成(chéng)。

世界先進(jìn)在大尺寸面(miàn)闆DDIC受惠中國(guó)客戶需求增加,PMIC部分則由服務器、數據中心等建置帶動,第二季營收年成(chéng)長(cháng)預估爲18.9%。

華虹半導體重點放在12寸産能(néng)的建置與90納米産品推廣,包括CIS、eFlash、RF與功率半導體等,産能(néng)處于爬升階段。但由于2019年同期基期較高,導緻2020年第二季營收預估小幅衰退4.4%。

東部高科的DDIC與CIS有來自韓系客戶的大量需求,推升第二季營收年成(chéng)長(cháng)4.6%,但判斷此現象屬于預防斷料的庫存準備,後(hòu)續表現仍須持續追蹤。

拓墣産業研究院指出,在疫情衍生終端應用變化與相關芯片庫存建置等加持下,客戶的投片意願積極,大緻上确保主要晶圓代工業者第二季的生産規劃。不過(guò)此波拉貨動能(néng)仍受限客戶庫存水位調節策略而有放緩可能(néng),加上中美角力影響,加單效應得利的業者不在多數,并不代表整體晶圓代工市場恢複至具長(cháng)期需求力道(dào)支撐的情況,下半年市場變化仍有不小的變量。

特色工藝市場獲優勢,聯電差異化轉型取得新進(jìn)展

特色工藝市場獲優勢,聯電差異化轉型取得新進(jìn)展

在摩爾定律邁向(xiàng)5納米之際,人們的目光多被幾家半導體公司間的先進(jìn)工藝之争所吸引。然而,邏輯芯片的制造工藝極其複雜多樣,5納米、7納米等标準工藝隻是一部分,晶圓代工廠可以發(fā)展的制造工藝平台還(hái)有很多,如混合信号、高電壓、射頻、微機電系統(MEMS)等。聯電作爲第三大晶圓代工廠,盡管于2018年宣布不再投資12納米以下的先進(jìn)工藝,轉向(xiàng)多元化發(fā)展,追求投資回報率,但是競争力依然強勁,在諸多成(chéng)熟、特色工藝平台上均具備領先優勢。今年正是聯電成(chéng)立40周年。聯電的發(fā)展經(jīng)驗,值得業内借鑒。

持續加碼成(chéng)熟工藝平台

目前,聯電在成(chéng)熟、特色工藝代工市場占據領先優勢。在面(miàn)闆驅動IC領域,聯電的市占率居于全球首位,在有機發(fā)光二極管(OLED)驅動IC領域也居領先地位。随着5G的部署加快,驅動了智能(néng)手機市場的增長(cháng),加上大尺寸電視面(miàn)闆需求逐步回溫,市場對(duì)面(miàn)闆驅動IC的需求持續提升。日前有消息稱,聯電12英寸廠在驅動IC龍頭聯詠大量投片下,今年1月45/40納米工藝段的出貨量較去年第四季度平均出貨量多出近10%。此外,5G高端機型已普遍開(kāi)始采用OLED面(miàn)闆。受此影響,OLED面(miàn)闆驅動IC也成(chéng)爲市場重點。聯詠等廠商的OLED面(miàn)闆驅動IC多采用聯電40納米及28納米工藝量産投片。聯電在面(miàn)闆驅動IC領域的領先優勢不斷提升。

22nm超低功耗(ULP)工藝也是聯電推進(jìn)的重點。2019年年底,聯電宣布推出基于22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)工藝的基礎元件IP解決方案。該方案是聯電與智原科技共同研發(fā)的。針對(duì)低功耗SoC需求,22ULP/ULL基礎元件IP具備進(jìn)階繞線架構,以及優化的功率、性能(néng)和面(miàn)積設計。相比28納米技術,22納米元件庫可以在相同性能(néng)下減少10%的芯片面(miàn)積,或降低超過(guò)30%功耗,可滿足連接、移動、物聯網、可穿戴設備、網絡和汽車等對(duì)低功耗有着很高需求的應用領域産品。

聯電的制造工藝平台當然不僅這(zhè)兩(liǎng)個方面(miàn)。随着5G、物聯網等市場的發(fā)展,與之相關的電源管理IC、指紋識别芯片、CIS傳感器、物聯網MCU、功率半導體等需求不斷湧現。聯電在務實發(fā)展策略指導下,持續加強對(duì)成(chéng)熟工藝平台的開(kāi)發(fā),取得快速發(fā)展,目前55/65納米、40納米和28納米成(chéng)爲聯電業績貢獻的主力。在聯電日前發(fā)布的2019年财報中,淨利潤達81.55億元新台币,同比增長(cháng)6.22%。在2019年全球半導體市場進(jìn)入下行周期的背景下,聯電依然能(néng)夠取得這(zhè)樣不俗的業績,顯示出轉型策略的成(chéng)功。

增資并購布局5G、物聯網

在投資收購方面(miàn),近段時間聯電的動作也是不斷。4月份,聯電在廈門市舉行的重大招商項目中,簽約對(duì)聯芯實現35億元增資。新增資金主要用于采購生産設備及開(kāi)展22納米、28納米高壓工藝研發(fā)等。這(zhè)一舉措將(jiāng)進(jìn)一步加速聯芯公司的産能(néng)擴充,提升市場份額,預計增資資金采購的設備全部投入生産後(hòu),將(jiāng)可新增年産值20億元。

去年10月,聯電還(hái)完成(chéng)了對(duì)三重富士通半導體股份有限公司(MIFS)全部股權的收購,收購金額544億日元。2014年聯電與富士通半導體達成(chéng)合作協議,分階段收購MIFS 15.9%的股權,2019年聯電再次收購剩餘的84.1%股份。通過(guò)該次并購,聯電不僅增加3萬片12英寸晶圓的月産能(néng),還(hái)進(jìn)一步擴大了在日本半導體市場的版圖。

通過(guò)這(zhè)兩(liǎng)場增資并購行動可以看出,聯電在5G、物聯網、無線通信及電腦周邊等應用領域有着良好(hǎo)發(fā)展态勢,特别是在中國(guó)大陸,這(zhè)些領域的市場需求空間廣闊。并購增資行動將(jiāng)進(jìn)一步加強聯電在這(zhè)些領域的布局。随着5G商用進(jìn)程的加速、物聯網等創新技術的快速發(fā)展,包括日前啓動的“新基建”風口都(dōu)會帶來巨大的市場機遇,也將(jiāng)給聯電晶圓代工業務帶來更多市場商機。

聯電總經(jīng)理王石指出,來自無線通信和電腦周邊市場對(duì)芯片的需求穩定,整體業務前景維持穩健。随着客戶未來新産品設計定案即將(jiāng)進(jìn)入量産,預期聯電有望從5G、物聯網、無線設備以及電源管理應用增加的半導體需求中獲益。

聯電差異化路線值得借鑒

近年來,中國(guó)大陸半導體産業加快發(fā)展,晶圓代工企業同樣面(miàn)臨一個重要問題,就是先進(jìn)工藝研發(fā)投資越來越多,成(chéng)本也越來越高,但是未來能(néng)夠用得起(qǐ)、用得上先進(jìn)工藝的客戶群在減少,大量營收依然來自成(chéng)熟工藝。

這(zhè)種(zhǒng)情況下,聯電的經(jīng)驗便非常值得借鑒。首先是不要急于追求先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā),對(duì)于眼下已掌握的技術要做到穩紮穩打,精益求精。其次是擁抱成(chéng)熟、特色工藝市場,在需求更廣闊的成(chéng)熟、特色工藝市場取得突破。第三是結合自身狀況,借鑒先進(jìn)的管理經(jīng)驗。畢竟,隻有少數企業才有可能(néng)參與先進(jìn)工藝的競逐,更多的晶圓制造工企業還(hái)是要面(miàn)向(xiàng)更加廣闊的成(chéng)熟與特色工藝市場。

相較于先進(jìn)工藝本質上是标準CMOS工藝的線寬之争,成(chéng)熟工藝市場可說是百花齊放,混合信号、高電壓、射頻、MEMS等,都(dōu)可以歸類在成(chéng)熟工藝的範疇之中,應用産品則涉及各種(zhǒng)傳感器、微控制器、電源管理IC、信号收發(fā)器等,市場廣闊、需求多樣,利潤同樣不菲。新進(jìn)入這(zhè)一領域的晶圓制造企業也應結合自身的特點,發(fā)展出自己的核心技術,逐步站穩腳跟,并在此基礎上取得更大的發(fā)展。

中芯國(guó)際交出科創闆首輪問詢答卷

中芯國(guó)際交出科創闆首輪問詢答卷

6月7日晚,中芯國(guó)際對(duì)科創版首輪問詢做出回複,根據上交所公布的《關于中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司首次公開(kāi)發(fā)行人民币普通股(A股)股票并在科創闆上市申請文件的審核問詢函的回複》顯示,中芯國(guó)際此輪問詢回複共涉及六大類問題,涵蓋發(fā)行人股權結構、業務、核心技術等事(shì)項,合計29個小問。

作爲中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業,中芯國(guó)際核心技術發(fā)展進(jìn)程受到高度關注。

招股說明書披露,中芯國(guó)際主要爲客戶提供0.35微米至14納米多種(zhǒng)技術節點、不同工藝平台的集成(chéng)電路晶圓代工及配套服務,目前28nm、14nm産品收入占比不高。

上交所在問詢函中提出,請發(fā)行人說明28nm、14nm及下一代制程産品的應用領域及發(fā)展趨勢,預計何時將(jiāng)成(chéng)爲主流技術。

對(duì)此,中芯國(guó)際回複,目前14納米及下一代更先進(jìn)制程在手機應用處理器、基帶芯片、加密貨币和高性能(néng)計算等追求高性能(néng)、低能(néng)耗、高集成(chéng)度的領域内已逐漸成(chéng)爲主流技術。受益于高壓驅動、圖像傳感器、射頻等應用的需求增加,14納米及以下更先進(jìn)制程的集成(chéng)電路晶圓代工市場將(jiāng)保持快速增長(cháng),預計2024年全球市場規模將(jiāng)達386億美元,2018年至2024年的複合增長(cháng)率將(jiāng)達19%。

作爲中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業,中芯國(guó)際2019年第一代14nmFinFET技術已進(jìn)入量産階段,但是晚于台積電、格羅方德、聯華電子等競争對(duì)手的量産時間。

上交所在問詢函中提出,結合發(fā)行人14nm線寬技術晚于競争對(duì)手的量産時間、發(fā)行人14nm制程産品的市場份額、盈利水平及性價比等情況,補充披露發(fā)行人14nm制程産品的競争優劣勢,以及發(fā)行人是否存在提高14nm制程産品競争水平的有效措施.

對(duì)此,中芯國(guó)際表示,在集成(chéng)電路晶圓代工領域内,全球範圍内有技術能(néng)力提供14納米技術節點的純晶圓代工廠有4家,而目前有實際營收的純晶圓代工廠僅剩3家。

根據各公司的公開(kāi)信息整理,台積電于2015年實現16納米制程晶圓代工的量産,格羅方德于2015年實現14納米制程晶圓代工的量産,聯華電子于2017年實現14納米制程晶圓代工的量産。公司14納米制程的集成(chéng)電路晶圓代工業務于2019年開(kāi)始量産。

由于公司14納米晶圓代工産能(néng)初步開(kāi)始布建,因此占全球市場的份額相對(duì)較低。公司將(jiāng)穩健、有計劃地加大對(duì)先進(jìn)工藝的研發(fā)投入,并通過(guò)“12英寸芯片SN1項目”的建設,不斷提高公司先進(jìn)工藝集成(chéng)電路晶圓代工的服務能(néng)力與競争水平,擴大公司在國(guó)際先進(jìn)技術節點領域的市場占有率,進(jìn)一步保持并提升公司在中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工領域内的技術優勢與市場優勢。

公司14納米FinFET工藝將(jiāng)主要服務于應用處理器、媒體處理器等産品的集成(chéng)電路晶圓代工,應用于高性能(néng)低功耗邊緣計算及消費電子産品領域,例如智能(néng)手機、平闆電腦、電視、機頂盒和互聯網等。目前,公司第一代14納米FinFET技術已進(jìn)入量産階段,14納米FinFET技術處于國(guó)際領先水平,且具備一定性價比,目前已同衆多客戶開(kāi)展合作。

中芯國(guó)際指出,在下一代技術節點的開(kāi)發(fā)上,全球純晶圓代工廠僅剩台積電和中芯國(guó)際。随着公司不斷加大研發(fā)投入、豐富研發(fā)團隊、加強研發(fā)實力、增強客戶合作,公司正不斷縮短與台積電之間的技術差距。公司第二代FinFET技術目前已進(jìn)入客戶導入階段。利用公司先進(jìn)FinFET技術在晶圓上所制成(chéng)的芯片已應用于智能(néng)手機領域。

不止募資200億,3分鍾看懂中芯國(guó)際近千頁招股說明書

不止募資200億,3分鍾看懂中芯國(guó)際近千頁招股說明書

6月1日晚間,上交所披露中芯國(guó)際科創闆上市的招股說明書(申報稿),招股說明書近一千頁,由6家證券公司擔任主承銷商,計劃募資200億元,如果成(chéng)功上市,中芯國(guó)際將(jiāng)有可能(néng)成(chéng)爲科創闆的“募資王”。中芯國(guó)際科創闆上市開(kāi)啓第一步,科創闆上市將(jiāng)爲中芯國(guó)際帶來哪些變化?又將(jiāng)給中國(guó)的IC産業帶來哪些利好(hǎo)?

科創闆募資幹什麼(me)?

這(zhè)次中芯國(guó)際發(fā)行股份的主承銷商爲海通證券、中金公司,另有4家聯合承銷商。保薦機構子公司海通創新證券投資有限公司、中國(guó)中金财富證券有限公司將(jiāng)參與本次發(fā)行的戰略配售。

從其股東情況看,大唐香港是中芯國(guó)際最大的股東,持股比例爲16.23%,其後(hòu)的是鑫芯香港占股有15.05%,紫光集團附屬公司作爲中芯國(guó)際的第三大股東占股7.39%,其他股東占比爲61.33%。

昨晚公布的招股書近千頁,根據招股公告信息,這(zhè)次中芯國(guó)際計劃面(miàn)向(xiàng)社會發(fā)行不超過(guò)168,562.00 萬股人民币普通股(行使超額配售選擇權之前),計劃募資200億元人民币。

募資主要用于12英寸芯片SNI項目、先進(jìn)集成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金和補充流動資金三個用途。其中募資40%(80億元)用于SNI項目,20%(40億元)用于先進(jìn)集成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備,40%(80億元)補充流動資金。

中芯國(guó)際實力如何?

上市必須要給股民交出家底,中芯國(guó)際實力如何?

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸最大的晶圓代工企業。根據集邦咨詢旗下拓墣産業研究院分析,在2020年第一季度全球前十大晶圓代工廠營收排名中,中芯國(guó)際位列第五,營收實現26.8%的增長(cháng)。

招股說明書顯示,中芯國(guó)際成(chéng)立于2000年,是全球領先的集成(chéng)電路晶圓代工企業之一,也是中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業,主要爲客戶提供 0.35 微米至 14 納米多種(zhǒng)技術節點、不同工藝平台的集成(chéng)電路晶圓代工及配套服務。而這(zhè)一切主要依賴于公司旗下的六條産線完成(chéng)。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家實現 14 納米 FinFET 量産的晶圓代工企業,代表中國(guó)大陸自主研發(fā)集成(chéng)電路制造技術的最先進(jìn)水平;在特色工藝領域,中芯國(guó)際陸續推出中國(guó)大陸最先進(jìn)的 24 納米 NAND、40 納米高性能(néng)圖像傳感器等特色工藝,與各領域的龍頭公司合作,實現在特殊存儲器、高性能(néng)圖像傳感器等細分市場的持續增長(cháng)。

除集成(chéng)電路晶圓代工業務外,中芯國(guó)際還(hái)打造了平台式的生态服務模式,提供設計服務與 IP 支持、光掩模制造、凸塊加工及測試等一站式配套服務,并促進(jìn)集成(chéng)電路産業鏈的上下遊合作,與産業鏈各環節的合作夥伴一同爲客戶提供全方位的集成(chéng)電路解決方案。

作爲高科技公司,中芯國(guó)際長(cháng)期堅持搞研發(fā)投入,公司2017年至2019年的研發(fā)投入占營收比分别爲16.72%、19.42%、21.55%。在專利方面(miàn),招股說明書顯示,截至 2019 年 12 月 31 日,登記在中芯國(guó)際及其控股子公司名下的與生産經(jīng)營相關的主要專利共 8,122 件,其中境内專利 6,527 件,包括發(fā)明專利 5,965 件;境外專利 1,595 件,此外公司還(hái)擁有集成(chéng)電路布圖設計94 件。

在财務方面(miàn)數據顯示,在截止到2019年12月31日的2019年年度,中芯國(guó)際營收220億元人民币, 2018年度的營收爲230億元人民币;2019年的利潤爲12.68億元,2018年的利潤爲3.6億元。營收略微下滑,而利潤大幅提升。研發(fā)投入高達21.55%。集成(chéng)電路晶圓代工是公司主營業務收入的主要來源。

給中國(guó)IC産業帶來哪些影響?

中芯國(guó)際在科創版上市,就像芯謀研究首席分析師顧文軍對(duì)記者所言,一定會給公司的發(fā)展帶來積極利好(hǎo),因爲科創版對(duì)半導體股很認可,比港股對(duì)半導體公司要認可得多,能(néng)夠募集到更多的資金進(jìn)行産業升級、提升工藝,加大對(duì)員工和研發(fā)投入,毫無疑問能(néng)夠加快其發(fā)展進(jìn)程,幫助突破工藝瓶頸。

對(duì)于中國(guó)的科創版而言,需要中芯國(guó)際這(zhè)樣的優質科技企業提振影響力和号召力。中芯國(guó)際是全球領先的集成(chéng)電路晶圓代工企業之一,也是中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業,被稱爲中國(guó)IC産業的“航母”。中芯國(guó)際家族龐大,子公司有37家,持有股份或權益的公司有26家。招股書顯示,中芯國(guó)際通過(guò)芯電上海持有長(cháng)電科技股份14.28%,位列第二大股東。長(cháng)電科技是A股最大的集成(chéng)電路封裝企業。中芯國(guó)際是鑫芯租賃的第三大股東,持股7.44%。此外,公司全資子公司中芯控股持有中芯紹興23.47%股權、持有中芯甯波38.57%股權等。它的上市,募資突破新高,一定會給科創版帶來積極效應。

對(duì)于國(guó)内半導體産業而言,中芯國(guó)際的上市必將(jiāng)帶動整個上下遊供應鏈的整體升級。作爲晶圓代工龍頭,近年來與國(guó)内設備、材料、設計廠商有大量合作。在這(zhè)次招股書顯示的三項主要資金用途中,兩(liǎng)項都(dōu)與其技術進(jìn)步和工藝提升有關。中芯國(guó)際的技術升級,將(jiāng)會充分激發(fā)上遊設備及材料端快速升級和發(fā)展,而下遊終端應用客戶將(jiāng)擁有芯片制造端有力支持,同樣中遊封裝端將(jiāng)獲得來自上下遊雙方的需求升級。就在中芯國(guó)際公布招股書之後(hòu),已經(jīng)有一些分析機構開(kāi)始分析上下遊哪些相關的IC供應鏈有可能(néng)訂單增加。無論從哪方面(miàn)來看,中芯國(guó)際科創闆上市都(dōu)將(jiāng)對(duì)中國(guó)IC産業發(fā)展帶來積極利好(hǎo)。

不過(guò)招股書也談到公司可能(néng)面(miàn)臨的風險。中芯國(guó)際表示,需要重點關注技術分享、技術人才短缺或流失的風險、技術洩露和經(jīng)營風險等因素。招股書還(hái)談及了國(guó)際市場變化的風險。按照中芯國(guó)際給出的說法,目前,經(jīng)濟全球化遭遇波折,多邊主義受到沖擊,國(guó)際金融市場震蕩,特别是中美經(jīng)貿摩擦給一些企業的生産經(jīng)營、市場預期帶來不利影響。