山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

6月30日公布的《山西省電子信息制造業2020年行動計劃》顯示,推動中國(guó)電科(山西)電子信息科技創新産業園等重大項目建設,打造太原—忻州半導體産業集群。

以太原、忻州爲核心,山西省將(jiāng)依托中國(guó)電科(山西)電子信息創新産業園、忻州半導體産業園等重點企業重大項目,圍繞5G等關鍵領域,提升核心關鍵技術和工藝水平,形成(chéng)芯片設計、芯片制造等産品體系,打造太原—忻州半導體産業集群。同時,實施産業鏈配套集聚工程,打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全産業鏈條。

陝西省將(jiāng)依托聯盟企業、重點院校,推動建立“山西省半導體産業研究院”,提供産業發(fā)展的技術支撐與創業環境,吸引相關領域高端人才集聚,帶動上下遊産業加速發(fā)展。

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

6月30日公布的《山西省電子信息制造業2020年行動計劃》顯示,推動中國(guó)電科(山西)電子信息科技創新産業園等重大項目建設,打造太原—忻州半導體産業集群。

以太原、忻州爲核心,山西省將(jiāng)依托中國(guó)電科(山西)電子信息創新産業園、忻州半導體産業園等重點企業重大項目,圍繞5G等關鍵領域,提升核心關鍵技術和工藝水平,形成(chéng)芯片設計、芯片制造等産品體系,打造太原—忻州半導體産業集群。同時,實施産業鏈配套集聚工程,打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全産業鏈條。

陝西省將(jiāng)依托聯盟企業、重點院校,推動建立“山西省半導體産業研究院”,提供産業發(fā)展的技術支撐與創業環境,吸引相關領域高端人才集聚,帶動上下遊産業加速發(fā)展。

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

6月30日公布的《山西省電子信息制造業2020年行動計劃》顯示,推動中國(guó)電科(山西)電子信息科技創新産業園等重大項目建設,打造太原—忻州半導體産業集群。

以太原、忻州爲核心,山西省將(jiāng)依托中國(guó)電科(山西)電子信息創新産業園、忻州半導體産業園等重點企業重大項目,圍繞5G等關鍵領域,提升核心關鍵技術和工藝水平,形成(chéng)芯片設計、芯片制造等産品體系,打造太原—忻州半導體産業集群。同時,實施産業鏈配套集聚工程,打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全産業鏈條。

陝西省將(jiāng)依托聯盟企業、重點院校,推動建立“山西省半導體産業研究院”,提供産業發(fā)展的技術支撐與創業環境,吸引相關領域高端人才集聚,帶動上下遊産業加速發(fā)展。

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

山西將(jiāng)打造太原—忻州半導體産業集群

6月30日公布的《山西省電子信息制造業2020年行動計劃》顯示,推動中國(guó)電科(山西)電子信息科技創新産業園等重大項目建設,打造太原—忻州半導體産業集群。

以太原、忻州爲核心,山西省將(jiāng)依托中國(guó)電科(山西)電子信息創新産業園、忻州半導體産業園等重點企業重大項目,圍繞5G等關鍵領域,提升核心關鍵技術和工藝水平,形成(chéng)芯片設計、芯片制造等産品體系,打造太原—忻州半導體産業集群。同時,實施産業鏈配套集聚工程,打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全産業鏈條。

陝西省將(jiāng)依托聯盟企業、重點院校,推動建立“山西省半導體産業研究院”,提供産業發(fā)展的技術支撐與創業環境,吸引相關領域高端人才集聚,帶動上下遊産業加速發(fā)展。

半導體將(jiāng)擁抱2nm時代

半導體將(jiāng)擁抱2nm時代

目前,推動半導體行業發(fā)展的方式主要有兩(liǎng)種(zhǒng),一個是尺寸縮小,另一個是矽片直徑增大。由于矽片直徑增大涉及整條生産線設備的更換,因此目前主要發(fā)展路線是尺寸的縮小。除此之外,利用成(chéng)熟特色工藝及第三代半導體材料改進(jìn)半導體産品的性能(néng)也被企業大量采用,這(zhè)將(jiāng)開(kāi)辟摩爾定律的另一片新的天地。

台積電、三星角力先進(jìn)工藝

據悉,台積電3納米工廠已經(jīng)通過(guò)環境評測,依據原定時程,全球第一座3納米工廠,可望在2020年動工,最快2022年年底量産。

此外,由于三星在台積電之前搶先公布它的3納米將(jiāng)采用環栅FinFET的納米片結構,兩(liǎng)家3納米制程戰争一觸即發(fā)。另有消息報道(dào),台積電仍沿用升級版的FinFET架構,可能(néng)采用遷移率更高的材料,而非環栅納米片結構。

兩(liǎng)家在不同的工藝與架構問題方面(miàn)各自大作文章,其中的關鍵是要找出性能(néng)瓶頸之所在,然後(hòu)以最具成(chéng)本效益的方式使用最佳工具來分别解決這(zhè)些瓶頸。無論是I/O、内存接口還(hái)是過(guò)熱的邏輯塊,系統的運行速度都(dōu)隻能(néng)與該系統中最慢的組件一緻。

其實,先進(jìn)封裝也是解決方案之一。在某些情況下,前道(dào)工藝的每一節點的進(jìn)步都(dōu)可能(néng)需要一個完全不同的體系結構與之配合。它可能(néng)是更多的軟硬件協同設計,與整個設計優化爲一個系統。如果有一種(zhǒng)一緻的方法來描述這(zhè)些設備并將(jiāng)它們連接在一起(qǐ),那麼(me)釆用chiplet等方法可以更節省時間。

目前至少有六種(zhǒng)主流的芯片/小芯片組合方式,還(hái)有更多的正在進(jìn)行中,不難想象每個芯片供應商會根據價格、功耗、性能(néng)甚至地區标準快速地提供定制解決方案。因此,雖然應用于高性能(néng)計算(HPC)及5G開(kāi)發(fā)的芯片可能(néng)需要最新的2nm制程,但是與它配套的可能(néng)是16nm的SerDes、28nm電源模塊和40nm安全芯片等,同時它們將(jiāng)集成(chéng)在一體。

成(chéng)本是關鍵因素

在半導體行業中,成(chéng)本因素是非常關鍵的。有數據顯示,7nm工藝的研發(fā)費用需要至少3億美元,5nm工藝平均要5.42億美元,3nm、2nm的工藝起(qǐ)步價大約在10億美元左右。

據最新的消息,台積電原定于2020年6月試産的3nm工藝芯片,由于疫情原因可能(néng)將(jiāng)推遲到10月。台積電3nm工藝的總投資高達1.5萬億元新台币,約合500億美元。目前在建廠方面(miàn)至少已經(jīng)花費200億美元,可見投入之龐大。

近日台積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,它的晶體管密度達到了前所未有的2.5億個/mm2。與5納米相比,功耗下降了25%~30%,并且功能(néng)提升了10%~15%。

台積電重申,從7nm到5nm,再到未來的3nm,每一個節點都(dōu)是全節點的提升。這(zhè)不同于競争對(duì)手的每一個節點都(dōu)僅是部分性能(néng)的優化,并非全節點的性能(néng)提升。因此對(duì)于未來3nm制程方面(miàn)的競争,台積電是信心滿滿。

台積電還(hái)談到2nm工藝技術進(jìn)展,公司采用FinFet第六代技術平台開(kāi)發(fā)3nm技術的同時,也已開(kāi)始進(jìn)行2nm制程技術研發(fā),并針對(duì)2nm以下技術進(jìn)行探索性研究。

對(duì)于極紫外光(EUV)技術,要減少光刻機的掩膜缺陷及制程堆疊誤差,并降低整體成(chéng)本。台積電表示,今年在2nm及更先進(jìn)制程上,將(jiāng)着重于改善極紫外光技術的品質與成(chéng)本。

半導體尺寸縮小遠非有EUV光刻機就能(néng)實現的。嚴格地說,到3nm時,可能(néng)釆用現有的FinFET架構也無法達到,需要從器件的架構、工藝變異、熱效應、設備與材料等方面(miàn)綜合解決。

由于HPC及5G等市場的需求,半導體業向(xiàng)3nm過(guò)渡已成(chéng)定局,台積電及三星兩(liǎng)家已經(jīng)承諾,至多時間上有可能(néng)推遲。2nm的現實可能(néng)性也極大。由于費用過(guò)高及許多技術上的難點無法解決,外加必須有高端設備及材料的支持,所以1nm能(néng)否實現目前尚無法預言。但是半導體尺寸縮小的終點遲早會來臨。

南京經(jīng)開(kāi)區近期或將(jiāng)簽約一個半導體IDM項目

南京經(jīng)開(kāi)區近期或將(jiāng)簽約一個半導體IDM項目

近期,南京經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區或將(jiāng)簽約一個半導體IDM項目。

據上海梧升電子科技(集團)有限公司(以下簡稱“梧升電子”)官微消息指出,該公司董事(shì)長(cháng)張嘉梁于近日率代表團前往南京經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區進(jìn)行考察交流,期間,雙方就“半導體IDM項目”進(jìn)行了深入交流和探讨。

消息指出,南京市栖霞區委書記、開(kāi)發(fā)區黨工委書記黎輝對(duì)半導體項目給予了高度肯定,要求項目加快落戶,盡早開(kāi)工。下一步,開(kāi)發(fā)區將(jiāng)成(chéng)立項目建設推進(jìn)小組爲項目進(jìn)行服務,及時解決項目落地建設過(guò)程中的問題及難點。

盡管梧升電子并未透露該項目的投資金額等信息,但雙方工作小組已經(jīng)就落地協議的具體細節進(jìn)行了充分溝通,項目拟于近期簽約。

資料顯示,梧升電子成(chéng)立于2019年11月14日,注冊資本約3.84億元,主要從事(shì)電子科技領域内的技術咨詢、技術開(kāi)發(fā)、技術轉讓、技術服務,電子産品、電子顯示屏制造、加工(以上限分支機構經(jīng)營)、批發(fā)、零售,展覽展示服務,文化藝術交流策劃,企業管理咨詢,商務信息咨詢等業務。

爲擴産做準備 粵芯半導體更先進(jìn)光刻機已進(jìn)廠

爲擴産做準備 粵芯半導體更先進(jìn)光刻機已進(jìn)廠

近日有消息稱,廣州粵芯半導體更先進(jìn)光刻機已進(jìn)廠,爲擴産做好(hǎo)最重要準備,南方網記者從投資方智光電氣确認了該消息。

資料顯示,粵芯半導體成(chéng)立于2017年12月,粵芯半導體的注冊資本爲10億元,其中科學(xué)城(廣州)投資集團有限公司認繳出資2億元,占股20%,廣州華盈企業管理有限公司,出資認繳3億元,占股30%,而廣州譽芯衆誠股權投資合夥企業(有限合夥)認繳出資5億元,占股50%,而智光電氣通過(guò)持有譽芯衆誠30%股權間接持有粵芯半導體股權。

據悉,粵芯半導體是國(guó)内第一座以虛拟IDM爲營運策略的12英寸芯片制造公司,擁有廣州第一條12英寸芯片生産線,也是廣東省及粵港澳大灣區目前唯一進(jìn)入量産的12英寸芯片生産平台。

2017年12月,粵芯半導體項目一期奠基,2018年3月,樁施工,2018年10月主體結構封頂,2019年3月首批設備搬入,2019年6月生産設備調試完畢開(kāi)始投片,2019年9月20日正式宣告投産。

今年2月28日,粵芯半導體二期擴産項目成(chéng)功簽約,二期建設將(jiāng)新增投資65億元,專注于65-90nm模拟工藝平台,生産高精度數模轉換芯片、高端電源管理芯片、光學(xué)傳感器、車載及生物傳感芯片等産品。預計到2022年,粵芯半導體一期、二期將(jiāng)共達到月産4萬片12寸的産能(néng),將(jiāng)進(jìn)一步滿足粵港澳大灣區芯片市場的需求。

募資200億元 國(guó)産芯片“航母”叩響科創闆大門

募資200億元 國(guó)産芯片“航母”叩響科創闆大門

距進(jìn)入上市輔導期不到一個月時間,國(guó)内晶圓代工龍頭中芯國(guó)際叩響科創闆大門。

6月1日,上海證券交易所信息顯示,中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司(以下簡稱在“中芯國(guó)際”)科創闆上市申請獲受理,主承銷商爲海通證券和中金公司,另有4家聯合承銷商。

根據招股書,中芯國(guó)際本次拟初始發(fā)行的股票數量不超過(guò)16.86億股,不涉及股東公開(kāi)發(fā)售股份,不超過(guò)初始發(fā)行後(hòu)股份總數的25.00%。本次發(fā)行可以采用超額配售選擇權,采用超額配售選擇權發(fā)行股票數量不超過(guò)初始發(fā)行股票數量的15.00%。

申請科創闆上市進(jìn)程火速

2000年4月,中芯國(guó)際在開(kāi)曼群島注冊成(chéng)立,至今已走過(guò)了20年,公司自設立以來一直以晶圓代工模式從事(shì)集成(chéng)電路制造業務。招股書中將(jiāng)其發(fā)展曆程分爲三個階段:奠基時期(2000年~2004年)、積累時期(2004年~2015年)、高速發(fā)展時期(2015年至今)。

2000年,中芯國(guó)際在上海浦東開(kāi)工建設,是中國(guó)大陸第一家提供0.18微米技術節點的集成(chéng)電路晶圓代工企業,現已發(fā)展成(chéng)爲全球領先的集成(chéng)電路晶圓代工企業之一,也是中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業,主要爲客戶提供0.35微米至14納米多種(zhǒng)技術節點、不同工藝平台的集成(chéng)電路晶圓代工及配套服務。

2004年3月,中芯國(guó)際公司普通股在香港聯交所上市,同時美國(guó)預托證券股份于紐交所上市,本次拟全球發(fā)售51.52億股普通股,包括公司股東公開(kāi)發(fā)售和新增發(fā)售。2019年6月14日,中芯國(guó)際的預托證券股份從紐交所退市并進(jìn)入美國(guó)場外交易市場交易。

今年5月5日,中芯國(guó)際發(fā)布公告宣布了一個重磅消息——拟首次公開(kāi)發(fā)行人民币普通股(A 股)股票并在科創闆上市。随後(hòu),其科創闆上市事(shì)宜便開(kāi)始緊鑼密鼓地進(jìn)行,5月6日中芯國(guó)際與海通證券、中金公司簽署了上市輔導協議,并于上海證監局進(jìn)行了輔導備案登記。

如今,距離其輔導備案不到一個月,中芯國(guó)際科創闆上市申請便獲受理,可謂火速推進(jìn)。至此,中芯國(guó)際科創闆上市之路已邁出實質性的重要一步。

總資産超千億、專利附表超500頁

對(duì)于去年6月才開(kāi)闆的科創闆而言,中芯國(guó)際的到來無疑使其迎來一個“巨無霸”。

作爲已在境外上市的紅籌企業,中芯國(guó)際選擇的具體上市标準爲:“市值200億元人民币以上,且擁有自主研發(fā)、國(guó)際領先技術,科技創新能(néng)力較強,同行業競争中處于相對(duì)優勢地位。”根據招股書,按2020年5月29日的港元對(duì)人民币彙率中間價折算,中芯國(guó)際申報前120個交易日内平均市值爲679億元人民币。

招股書顯示,2017年、2018年、2019年,中芯國(guó)際的資産總額分别爲779.26億元、988.45億元、1148.17億元;各期營業收入分别爲213.90億元元、230.17億元及220.18億元,扣除2019年轉讓LFoundry的影響後(hòu),各期收入分别爲198.49億元、215.45億元及213.29億元;各期歸屬于母公司股東的淨利潤分别爲12.45億元、7.47億元及17.94億元,淨利潤相對(duì)較低主要因爲研發(fā)投入及新産線投産後(hòu)的折舊費用較高。

截至2019年12月31日,中芯國(guó)際共有子公司37 家,其中境内子公司17家,境外子公司20家。中芯國(guó)際在中國(guó)上海、北京、天津和深圳擁有多個8英寸和12英寸生産基地。截至2019年末,上述生産基地的産能(néng)合計達每月45萬片晶圓(約當8英寸),與近半數的2018年世界前50名知名集成(chéng)電路設計公司和系統廠商開(kāi)展了深度合作。

此外,中芯國(guó)際的專利數量非常可觀,其本次招股書長(cháng)達931頁,其中在最後(hòu)附表部分用了500多頁羅列其主要境内外專利。招股書顯示,截至2019年12月31日,登記在中芯國(guó)際及其控股子公司名下的與生産經(jīng)營相關的主要專利共8122件,其中境内專利6527件,包括發(fā)明專利5965件;境外專利1595件,此外還(hái)擁有集成(chéng)電路布圖設計94件。

2017年、2018年、2019年,中芯國(guó)際的研發(fā)投入分别爲35.76億元、44.71億元及47.44億元,占營業收入的比例分别爲 16.72%、19.42%及21.55%。

募資200億元發(fā)力先進(jìn)制程

招股書顯示,中芯國(guó)際本次拟向(xiàng)社會公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)16.86億股人民币普通股(行使超額配售選擇權之前),拟募集資金總額200億元,實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額計劃投入以下項目:12英寸芯片SN1項目、先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金、補充流動資金。

中芯國(guó)際表示,本次募集資金投資項目符合國(guó)家有關産業政策和公司發(fā)展戰略,有助于進(jìn)一 步拓寬公司主營業務,擴大先進(jìn)工藝産能(néng)規模,提升公司在晶圓代工行業的市場地位和核心競争力;同時,募投項目的順利實施將(jiāng)進(jìn)一步增強公司的研發(fā)實力,推動工藝技術水平升級換代與新産品推廣,豐富成(chéng)熟工藝技術平台,更好(hǎo)地滿足未來市場需求。

其中,12英寸芯片SN1項目拟投入募集資金投資額爲80.00億元。據介紹,該項目的載體爲中芯南方,工藝技術水平爲14納米及以下,是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生産線,也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量産的主要承載平台。該項目規劃月産能(néng)3.5萬片,目前已建設月産能(néng)6000片,募集資金主要用于滿足將(jiāng)該生産線的月産能(néng)擴充到3.5萬片的部分資金需求。

中芯國(guó)際表示,本項目的實施將(jiāng)大幅提升中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工的工藝技術水平,提升 公司對(duì)全球客戶高端芯片制造的服務能(néng)力,并進(jìn)一步帶動中國(guó)大陸集成(chéng)電路産業的發(fā)展。

先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金拟投入募集資金金額爲40.00億元,計劃用于14納米及以下的先進(jìn)工藝與28納米及以上的成(chéng)熟工藝技術研發(fā)。

中芯國(guó)際表示,繼續完善14納米工藝并開(kāi)展14納米以下工藝技術研發(fā),對(duì)于進(jìn)一步保持并提升公司在中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工領域的技術領先優勢具有重要意義;28納米及以上的成(chéng)熟工藝研發(fā),有利于增強公司适應市場變化的能(néng)力,進(jìn)一步鞏固并提升公司在成(chéng)熟工藝集成(chéng)電路晶圓代工領域的市場競争力。

本次發(fā)行募集資金在滿足上述項目資金需求的同時拟使用80.00億元補充營運資金,以降低公司資産負債率、降低财務杠杆、優化資本結構,滿足公司經(jīng)營發(fā)展對(duì)營運資金的需求。

國(guó)産芯片“航母”任重道(dào)遠

作爲中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠商,中芯國(guó)際獲得了國(guó)家級産業基金的大力支持。

招股書顯示,報告期内中芯國(guó)際任何單一股東持股比例均低于30.00%。截至2019年12月31日,公司第一大股東大唐香港持股比例爲17.00%,第二大股東鑫芯香港持股比例爲15.76%,公司無控股股東和實際控制人。其中,第二大股東鑫芯香港的間接控股股東爲國(guó)家大基金一期。

2020年5月15日,中芯南方與中芯控股、國(guó)家大基金一期、國(guó)家大基金二期、上海集成(chéng)電路基金一期、上海集成(chéng)電路基金二期簽訂《增資擴股協議》,國(guó)家大基金二期、上海集成(chéng)電路産業投資基金二期承諾分别向(xiàng)中芯南方注資注冊資本15億美元、7.5億美。

值得一提的是,5月31日中芯國(guó)際發(fā)布公告稱,針對(duì)此次人民币股票發(fā)行,大唐電信以及國(guó)家大基金均表示將(jiāng)放棄人民币股份發(fā)行的優先認購權,并表示大唐電信及國(guó)家大基金的聯屬公司正考慮以戰略投資者身份參與其人民币股份發(fā)行。

中芯國(guó)際與國(guó)内集成(chéng)電路産業鏈上下遊衆多企業密切合作,被媒體譽爲國(guó)産芯片“航母”,對(duì)于其此番赴科創闆上市,業界大多報以看好(hǎo),期待着中芯國(guó)際回歸A股後(hòu)進(jìn)一步發(fā)展壯大并帶動上下遊企業共同成(chéng)長(cháng)。

對(duì)于中芯國(guó)際而言,肩負推動國(guó)家集成(chéng)電路産業發(fā)展重任,其與國(guó)際水平仍存在差異,不僅要奮力追趕先進(jìn)水平,還(hái)可能(néng)要面(miàn)對(duì)美國(guó)出口管制政策調整以及貿易摩擦等種(zhǒng)種(zhǒng)風險,其未來發(fā)展任重而道(dào)遠。

中芯國(guó)際科創闆IPO申請獲受理

中芯國(guó)際科創闆IPO申請獲受理

6月1日,上交所已受理中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司科創闆上市申請,保薦機構爲海通證券和中金公司。

招股書顯示,中芯國(guó)際本次初始發(fā)行的股票數量不超過(guò)168,562.00萬股,不涉及股東公開(kāi)發(fā)售股份,不超過(guò)初始發(fā)行後(hòu)股份總數的25.00%,每股面(miàn)值0.004美元,募集資金總額高達200億元。實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額計劃投入3個項目:12英寸芯片SN1項目、先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金、以及補充流動資金。

Source:公告截圖

其中,“12英寸芯片SN1項目”的募集資金投資額爲800,000.00萬元,該項目載體爲中芯國(guó)際的重要子公司中芯南方。中芯南方成(chéng)立于2016年12月,該項目規劃月産能(néng)3.5萬片,已建設月産能(néng)6000片,是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生産線,也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量産的主要承載平台。

募集資金將(jiāng)用于將(jiāng)該生産線的月産能(néng)從6000片擴充到3.5萬片。中芯國(guó)際表示,14納米是中國(guó)大陸已量産、最先進(jìn)的集成(chéng)電路晶圓代工工藝,14納米以下工藝目前在中國(guó)大陸尚處于研發(fā)階段,繼續完善14納米工藝并開(kāi)展14納米以下工藝技術研發(fā),對(duì)于進(jìn)一步保持并提升公司在中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工領域的技術領先優勢具有重要意義。

而先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目儲備資金項目的募集資金投資額爲 400,000.00萬元,用于工藝研發(fā)以提升公司的市場競争力。

莫大康:要早作準備

莫大康:要早作準備

美國(guó)對(duì)于華爲新一輪的打擊。它是經(jīng)過(guò)一年時間的精心準備,此次實施了無邊際的精準打擊,初步估計未來華爲、海思要自研芯片實現它的先進(jìn)性及差異化,可能(néng)越來越困難。

對(duì)于中國(guó)半導體業的發(fā)展一定要有強烈的危機感,由于中國(guó)半導體業的日益強大,動了美方的奶酪。要警惕美方會錯誤地估計形勢,低估中國(guó)半導體業的韌性及剛性,所以未來對(duì)于中國(guó)半導體業的打擊會更加的嚴重,如可能(néng)實施“實體清單”的擴大化,或者進(jìn)一步控制半導體設備與材料的出口等。

在危機感的思路下,中國(guó)半導體業要加速“備胎”的計劃實施,主要包括以下兩(liǎng)個方面(miàn):

1), EDA工具

中國(guó)的fabless業離不開(kāi)EDA工具,盡管180nm/350nm以上的部分老工藝線是可以用破解版或國(guó)産替代版繼續做下去,但是深亞微米級130nm/90nm開(kāi)始就很難離得開(kāi)正版授權了,越往下越難,到了22nm以下,就幾乎完全不可能(néng)了。

國(guó)際上EDA的三巨頭均是美系,而且成(chéng)立時間久,如Synopsys 1986,Cadence 1988及Mentor1981。其中Synopsys在全球有13,200人,國(guó)内員工超過(guò)1,200人,年銷售額超過(guò)30億美元,Cadence有7,600人,國(guó)内400人及年銷售額21.48億美元,Mentor 有6,000人,國(guó)内員工 100人,年銷售額爲12.8億美元。

除了EDA工具之外Synopsys, Cadence的另一個殺手锏級的壟斷産品:接口類IP,這(zhè)是每一顆SoC必不可少的東西,比如:高速SerDes, ethernet以太網,PCIE, CPRI, SATA,USB,Type-C,MIPI, HDMI,DP……還(hái)有DDR等目前Synopsys 的IP業務在總營收裡(lǐ)占第二。

到了7nm,5nm下,能(néng)做到所有類型的接口IP都(dōu)提供的,還(hái)是隻有Synopsys或Cadence。

扶持本土EDA的發(fā)展,需要很長(cháng)的路要走,技術壁壘、專利壁壘此類東西并不是砸錢就可以破掉的,華人工程師在美國(guó)本土被防得很死,尤其是在核心技術上;而且EDA這(zhè)個行業很燒錢,未來回報遠遠比不上互聯網行業,其總的市場規模也就100億美元,這(zhè)個隻能(néng)靠國(guó)家政策的大力扶持及企業的堅持不懈努力。

從策略上沒(méi)必要一開(kāi)始就以徹底取代爲目的,建立一個獨有的體系,可以從局部突破,把某一類工具做到極緻,比如現在華大九天的模拟産品仿真工具就是一個很好(hǎo)的突破口,像Ansys那樣,成(chéng)爲工藝廠的金标準,人家想踢你都(dōu)踢不掉,客戶不答應啊。

EDA及IP是兩(liǎng)件事(shì),都(dōu)需要與芯片制造廠協同發(fā)展,各司其職,讓專業的人做自己最擅長(cháng)的事(shì),避免惡性競争,才是效率最高的策略。在EDA還(hái)沒(méi)起(qǐ)步的時候,就先爲現有的能(néng)在世界上排上号的IP公司和代工廠,促成(chéng)IP聯盟,然後(hòu)再帶動國(guó)内EDA業的發(fā)展。

2),半導體設備與材料

半導體設備與材料是十分困難的事(shì),要全盤國(guó)産化從理論上幾乎是不可能(néng)的。

業内有人建議建條非美系設備的生産線,相信集日本、中國(guó)台灣地區加韓國(guó)的設備能(néng)連通線,由于工藝與設備緊密相連,成(chéng)本很高,花費時間,而且其中如果日系設備占比太多恐怕也不是長(cháng)久之計。

從現狀觀察中國(guó)的芯片制造業可分兩(liǎng)大類,一類爲12英寸芯片生産線,以進(jìn)口設備爲主,國(guó)産化率在15%左右。此類設備現階段的困難尚離不開(kāi)原廠的技術支持,包括軟件升級等,所以如同福建“晉華”那樣,一旦受阻,幾乎無還(hái)手之力。另一類是8英寸及以下生産線,設備主體以翻新的二手設備爲主,國(guó)内支持能(néng)力強,采用翻新加國(guó)産設備配套是理想方案,它表示即便在美國(guó)重圧下,國(guó)内至少在130納米的8英寸生産線仍能(néng)生存支持下去。

國(guó)内如青島芯恩,它的策略更爲奏效。芯恩采用自行翻新二手設備的方法,聘請日本、中國(guó)台灣地區,韓國(guó)等多位有經(jīng)驗的設備維護工程師,自已采購二手設備,自已進(jìn)行翻新。同時大力培養國(guó)内年青的設備維護工程師。如果堅持此法數年,可以實現芯片生産線運行的自主可控,而且待條件成(chéng)熟,依靠這(zhè)批維護工程師爲主力可以自行生産制造設備,顯然要注意知識産權保護等。

培養優秀人材是重中之重的大事(shì)。

半導體設備中最爲困難是光刻機,而光刻機攻關中最困難的可能(néng)是鏡頭,它由德國(guó)、日本壟斷,所以鏡頭部分必須集國(guó)内力量攻關早日解決。

要早作準備

貿易戰下把中國(guó)半導體業逼到絕路上來,顯然在任何情況下不能(néng)放棄全球化,但是别無選擇必須馬上執行“備胎”計劃,以上EDA工具及半導體設備與材料等是首當其沖。盡管實際上的困難是前所未有,但是要相信自已,世上無難事(shì),隻怕有心人。

美國(guó)打圧中國(guó)半導體業此次是鐵了心,幾乎想要斬草除根,因此千萬不能(néng)存僥幸心理,要早作準備,從可能(néng)“最壞”的地方着手,予以足夠的重視。

對(duì)于中國(guó)半導體業必須從産業層面(miàn),以及若幹骨幹企業方面(miàn),要從兩(liǎng)個角度同時作出相應的對(duì)策。

要看到現時美國(guó)的強大是暫時的,從另一方面(miàn)反映它可能(néng)是走向(xiàng)衰落時的掙紮,對(duì)于中國(guó)半導體業,它的最壞結果已經(jīng)清楚,因此也沒(méi)有什麼(me)可以擔憂與害怕,相信隻有奮力去一搏,實際上命運是掌握在自己手中,及早動手才有打勝此仗的希望。

注:文中引用蜀山熊貓 真視界的 部分内容,表示感謝!