三星歸檔 - 北京中代科技有限公司

三星12英寸閃存芯片二期一階段項目竣工投用

2020年7月3日由中代科技評論關閉

7月1日，西安高新區重點項目集中開(kāi)工、竣工儀式舉行，據西安高新區消息，此次集中竣工投用儀式的項目共有25個，總投資560億元，包括三星12英寸閃存芯片二期一階段項目，西安高新區發(fā)文指出，這(zhè)些項目的順利投産，將(jiāng)爲高新區半導體産業發(fā)展注入更強大的動能(néng)，進(jìn)一步鞏固高新區全球半導體産業基地的地位。

資料顯示，三星存儲芯片項目2012年落戶西安高新區，一期項目于2014年5月竣工投産，總投資108億美元，建成(chéng)了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩(liǎng)個階段進(jìn)行，其中第一階段項目總投資70億美元；第二階段投資80億美元，已于去年年底啓動建設，預計2021年上半年實現量産。

2020年3月10日，三星（中國(guó)）半導體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目産品正式下線上市。

據此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)新增産能(néng)每月13萬片，新增産值300億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成(chéng)爲全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。

陝西發(fā)布省重點項目三星、華天、奕斯偉等企業項目入列

2020年3月11日由中代科技評論關閉

3月10日，陝西省發(fā)改委正式發(fā)布2020年省級重點項目計劃，确定實施600個省級重點項目，其中續建項目312個、新開(kāi)工項目188個、前期項目100個，項目總投資3.4萬億元。

根據陝西省2020年省級重點項目計劃名單，三星12英寸閃存芯片一階段（二期）、西安奕斯偉矽産業基地（一期）、華天集成(chéng)電路封裝及測試技術改造等入列續建項目，三星（西安）12英寸閃存芯片（二期）二階段入列新開(kāi)工項目，鹹陽8-12吋晶圓生産線入列前期項目。

媒體報道(dào)稱，2012年三星落戶西安，一期項目已于2014年建成(chéng)投産，二期項目分爲兩(liǎng)個階段，其中第一階段于2018年新建，預計將(jiāng)在今年3月竣工投産，3月10日消息顯示第一階段項目産品下線上市；第二階段于2019年12月正式啓動，預計將(jiāng)于2021年下半年竣工。

三大存儲器Q2合約價喊漲

2020年3月9日由中代科技評論關閉

新冠肺炎疫情擴散帶動各大資料中心擴大建置規模，推升服務器存儲器需求轉強，加上5G手機推陳出新，以及三星、SK海力士和美光等主要供應商庫存下滑等因素催動，第2季DRAM、NAND Flash、NOR Flash等三大存儲器行情看漲，助攻南亞科、華邦電、旺宏、威剛、群聯等廠商營運。

目前主要大廠正密集與系統/模組廠進(jìn)行第2季合約價議價。渠道(dào)商透露，包括三星等主要供應商已通知調漲下季DRAM、儲存型快閃存儲器（NAND Flash）合約價，漲幅都(dōu)達雙位數。

編碼型快閃存儲器（NOR Flash）方面(miàn)，因中國(guó)大陸主要大廠複工、出貨不順，中國(guó)台灣指标廠旺宏已決定第2季調漲NOR Flash合約價，漲幅逾一成(chéng)。

盡管市調機構及法人擔心新冠肺炎疫情沖擊全球經(jīng)濟，導緻終端消費需求減弱，不過(guò)存儲器市場受惠于疫情帶動宅經(jīng)濟大好(hǎo)，網購、電商、線上遊戲、電競遊戲逆勢成(chéng)長(cháng)，首季三大存儲器需求仍強，其中，因資料中心擴大服務器建置，推升服務器用的DRAM和NAND Flash需求更爲強勁。

存儲器模組廠宇瞻總經(jīng)理張家鲲透露，很多系統廠受到返工率緩慢，以及供應斷鏈影響，工廠停工甚至整機出不了貨，但來自資料中心、電競和電商等宅經(jīng)濟的拉貨力道(dào)強勁，兩(liǎng)項因素相抵，主要存儲器芯片供應商仍不願降價，宇瞻等主要買家想補貨，也不易拿到低價。

另外，本季因服務器市場拉貨，包括三星、SK海力士和美光等三大DRAM廠庫存水位降到四至六周，加上5G新手機搭載DRAM位元數量大增，預估下半年DRAM市場供給將(jiāng)短缺，推升價格上漲；NAND Flash下半年供應會更緊張。

存儲器業者表示，首季DRAM、NAND Flash現貨價因備貨需求增加，漲幅遠大于合約價，預期第2季在中國(guó)大陸系統廠複工率逐步提升下，合約價也將(jiāng)跟上漲幅，與現貨市場價差將(jiāng)縮小。

系統廠也證實，旺宏下季將(jiāng)調漲NOR Flash和SLC NAND Flash合約價，漲幅逾一成(chéng)。主因大陸相關芯片生産重鎮武漢封城，以及多個省市進(jìn)行封閉式管理，導緻産品出貨延誤，在考量風險下，備貨采購訂單已大幅提高台廠備貨比重。

新軟件簡化了三星晶圓廠2.5D 7nm多芯SoC設計開(kāi)發(fā)

2019年10月23日由中代科技評論關閉

先進(jìn)的封裝技術簡化了高複雜度多芯SoC生産，提高了其性能(néng)，因此，半導體行業正將(jiāng)芯片組SoC視爲大型芯片的替代方法，從而避免開(kāi)發(fā)時間較長(cháng)，制造成(chéng)本昂貴等缺點。但設計2.5D多芯片有其自身的特點，這(zhè)就是爲什麼(me)三星晶圓廠及其競争對(duì)手爲其客戶提供了一個特殊的2.5D-IC多芯集成(chéng)（MDI）設計流程，該流程結合了對(duì)早期系統級尋路的分析和實現，以幫助克服潛在問題。本月，Synopsys的芯片開(kāi)發(fā)軟件支持了三星2.5D-IC MDI流程，以簡化工程師開(kāi)發(fā)過(guò)程。

三星晶圓廠目前使用7LPP（7nm帶有多個EUV層）制造工藝和SUB20LPIN矽中介層生産芯片，并且爲這(zhè)些芯片提供2.5D-IC MDI流程。該公司表示，其2.5D-IC MDI流程可幫助客戶在設計的早期階段解決多芯片與封裝之間的耦合噪聲等問題，從而減少解決問題所花費的時間，最終意味着降低開(kāi)發(fā)成(chéng)本，克服性能(néng)問題，并加快産品上市時間。現在，用于開(kāi)發(fā)SoC的Synopsys Fusion Design Platform和Custom Design Platform軟件包都(dōu)支持三星2.5D-IC MDI流程。?

這(zhè)些程序特點是矽中介層的自動創建和布線；微泵、TSV和C4緩沖器之間的布線；電源網絡設計；多芯片和中介層的EM/IR分析；HBM和高速接口的信号完整性分析等等。 Synopsys的設計解決方案使多芯片集成(chéng)設計環境更容易，更高效，并幫助三星晶圓廠客戶提供更快，性能(néng)更高的2.5D-IC産品。

台積電先進(jìn)制程持續不斷韓媒擔憂三星

2019年9月26日由中代科技評論關閉

全球最大的晶圓代工廠台積電在7納米産能(néng)熱銷之後(hòu)，現在又專心在5納米及3納米開(kāi)發(fā)，并且還(hái)將(jiāng)眼光放在更先進(jìn)的2納米研發(fā)，這(zhè)些進(jìn)展看在韓國(guó)媒體眼裡(lǐ)也不得不承認，相較于三星正苦于不确定性增加，兩(liǎng)家公司的差距未來將(jiāng)會越來越大。

根據韓國(guó)媒體《Business Korea》報導，台積電計劃在2019年或2020年第1季時啓動5納米制程，并且在2021或2022年啓動3納米制程。一旦順利量産，藉由3納米制程生産的芯片，性能(néng)有望較5納米制程産品提升35%，效率提高50%，與最先進(jìn)的7納米制程芯片相較，7納米制程産品將(jiāng)被遠遠抛在後(hòu)面(miàn)。

台積電曾表示，相信摩爾定律依然有效。依據摩爾定律，半導體的電晶體數目每隔18個月會增加1倍，性能(néng)也提升1倍，盡管有人仍會提及物理限制，台積電仍強調，摩爾定律的基礎將(jiāng)會延伸到1納米制程之後(hòu)。

台積電補充，有能(néng)力達到1納米制程，目前預計將(jiāng)在2納米制程技術投資65億美元，并在2024年開(kāi)始制造基于該技術的産品。

報導進(jìn)一步指出，對(duì)台積電循序漸進(jìn)、且越來越精密的制程發(fā)展計劃，對(duì)三星來說是沉重的負擔。三星原本目标是在2030年前在全球晶圓代工市場占最大市占率，但許多因素讓這(zhè)目标不再樂觀，包括之前日本對(duì)光阻等半導體生産原料出口限制，導緻三星的不确定性不斷增加等。

一位韓國(guó)業内人士指出，目前三星已完成(chéng)3納米技術研發(fā)，現正招聘許多具極紫外線（EUV）制程的相關設備技術人員，加速采用EUV技術的制程研發(fā)。該人士也表示，在外部不确定因素增加情況下，投資和相關規劃仍必須在不确定性問題解決後(hòu)，才可能(néng)有進(jìn)展。

三星狂追Sony！再推首個0.7μm圖像傳感器

2019年9月25日由中代科技評論關閉

不讓Sony專美于前，近年三星在圖像傳感器市場動作同樣頻頻，繼先前推出全球首個超過(guò)1億像素的圖像傳感器ISOCELL Bright HMX，24日再發(fā)表全球單位像素最小的圖像傳感器ISOCELL Slim GH1，單位像素縮小到0.7μm(微米)，主攻強調輕薄的無邊框手機市場。

24日三星發(fā)表0.7μm圖像傳感器ISOCELL Slim GH1，解析度達4370萬像素（43.7Mp），這(zhè)是三星繼2015年推出首個1μm圖像傳感器、在64MP和108MP像素發(fā)展到使用0.8μm後(hòu)的再一新突破，也刷新了業界最小單位像素尺寸圖像傳感器紀錄。

三星指出，透過(guò)自家的最新像素隔離技術ISOCELL Plus，可最大程度減少色彩串擾（cross-talk）與光學(xué)損失（optical loss），讓0.7μm像素傳感器也能(néng)吸收足夠的光源，保持成(chéng)像色彩鮮明和鮮豔，而在低光源環境下支援Tetracell技術，會將(jiāng)像素進(jìn)行合成(chéng)，可表現相當于1.4μm圖像傳感器甚至更高的光敏感度，GH1也支持4K影像錄影。

GH1爲三星圖像傳感器品牌ISOCELL中的ISOCELL Slim産品線，主要主打輕薄、面(miàn)向(xiàng)智能(néng)手機市場，GH1的推出，主要鎖定目前無邊框、全面(miàn)屏的手機市場。ISOCELL Slim GH1預計將(jiāng)于今年底進(jìn)行量産。

目前圖像傳感器市場仍由Sony獨大，三星在2017年爲自家圖像傳感器ISOCELL分設了四個産品線，除了Slim還(hái)包含Bright、Fast、Dual，分别主打色彩還(hái)原、快速自動對(duì)焦、雙鏡頭系統不同功能(néng)與應用市場，并增加了新的Auto産品線搶攻車用圖像傳感器，企圖用明确的應用市場搶食Sony的這(zhè)塊市場大餅。

三星明年完成(chéng)3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能(néng)大漲35%

2019年9月12日由中代科技評論關閉

盡管日本嚴格管制半導體材料多少都(dōu)會影響三星的芯片、面(miàn)闆研發(fā)、生産，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成(chéng)開(kāi)發(fā)了。

三星在10nm、7nm及5nm節點的進(jìn)度都(dōu)會比台積電要晚一些，導緻台積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星隻搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目标放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量産。

在3nm節點，三星將(jiāng)從FinFET晶體管轉向(xiàng)GAA環繞栅極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之爲3GAE工藝。

根據官方所說，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道(dào)場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能(néng)，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還(hái)能(néng)兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生産。

在這(zhè)次的日本SFF會議上，三星還(hái)公布了3nm工藝的具體指标，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將(jiāng)核心面(miàn)積減少45%，功耗降低50%，性能(néng)提升35%。

在工藝進(jìn)度上，三星今年4月份已經(jīng)在韓國(guó)華城的S3 Line工廠生産7nm芯片，今年内完成(chéng)4nm工藝開(kāi)發(fā)，2020年完成(chéng)3nm工藝開(kāi)發(fā)。

爲保持營收正成(chéng)長(cháng) 晶圓代工第一梯隊廠侵入二、三梯隊市場

2019年8月13日由中代科技評論關閉

各大晶圓代工廠商密集召開(kāi)2019年第二季法人說明會，相較于第一季的慘淡，各廠商第二季營收已有稍稍回神迹象，尤其是台積電、Samsung兩(liǎng)大廠商，預計2019下半年除可依賴先進(jìn)制程需求外，其他成(chéng)熟節點市場也會成(chéng)爲兩(liǎng)大廠商在不景氣的2019年中另一重要成(chéng)長(cháng)動能(néng)。

第一梯隊廠商侵入二、三梯隊市場

由于2019年全球政治局勢極度不穩定，半導體産業自2018年底便已亮出紅燈警訊，業界傳出台積電、Samsung皆于2019上半年積極在部分較成(chéng)熟産品線中，争取客戶訂單的市場訊息。

事(shì)實上，若細看在晶圓代工領域擁有絕對(duì)市占的台積電，其過(guò)往毛利表現從2016年第二季51.5%，逐步下滑至2019年第二季40%出頭。

然其7nm營收占比卻也與過(guò)往最先進(jìn)制程節點營收，同樣保持在20～30%間的比重，推估拉低台積電毛利表現的主要原因并不是先進(jìn)制程推廣不佳所緻，而是在2019年不景氣的市況氛圍下，台積電爲保持其營收持續正成(chéng)長(cháng)，朝向(xiàng)較成(chéng)熟卻低毛利的市場入侵，進(jìn)而擠壓其他二、三線晶圓代工廠商空間。

台系廠商市場占比將(jiāng)再次攀升

2019年晶圓代工産業中，大者恒大的趨勢更加明顯，台積電、Samsung兩(liǎng)大廠商有望帶動台灣地區、韓國(guó)兩(liǎng)區域占比再次成(chéng)長(cháng)。其中，台灣地區因受到Samsung在2017年5月拆分晶圓代工事(shì)業部之影響，導緻其區域占比自2016年67%快速下滑至2018年60%，此一現象將(jiāng)在2019年重新反轉，在台積電引領下，2019年台灣地區占比將(jiāng)成(chéng)長(cháng)至62%。

日韓貿易戰牽動7納米競争台積電狠甩三星

2019年8月5日由中代科技評論關閉

日韓貿易戰加劇，日本管制關鍵高純度氟化氫等應用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接打亂三星沖刺7納米以下先進(jìn)制程布局，預料受原料管制趨嚴下，三星要藉沖刺先制程搶食台積電晶圓代工大餅的難度大增，并加速台積電拉大和三星差距。

日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關鍵半導體原料輸韓，雖然南韓半導體廠仍可透過(guò)專案審查程序申請，但進(jìn)口時程將(jiāng)由過(guò)去簡化程序拉長(cháng)至90天（專案審查期），包括三星和SK海力士除均對(duì)外收購既有三項原料存貨外，也透過(guò)專案申請、加速他廠認證雙管齊下，希望將(jiāng)沖擊降至最低。

半導體業者表示，由于目前三星和SK海力士存儲器庫存仍高，日本管制光阻劑等三項半導體原料輸韓，韓廠可將(jiāng)生産快閃存儲器（Flash）的原料轉去支援利潤較高的DRAM，并趁機擡高價格、消化庫存，對(duì)三星和全球DRAM供給，短期還(hái)不會構成(chéng)太大影響。

不過(guò)，日本廠商生産用于先進(jìn)制程的高純度氟化氫，目前替代廠商占比極低，將(jiāng)直接沖擊三星在半導體先進(jìn)制程布局。

據了解，三星稍早也曾透過(guò)中國(guó)台灣廠商轉手賣給三星，不過(guò)台廠擔心台韓出口高純度氟化氫，將(jiāng)遭日本原廠發(fā)現異常，拒絕這(zhè)項交易，讓三星吃到閉門羹。

高純度氟化氫是在采用極紫外光（EUV）進(jìn)行光罩制程時，要讓積體電路精準對(duì)位的蝕刻材料，而三星也靠着7納米制程導入EUV微影設備并成(chéng)功搶下高通和輝達等前往下單的重要利器。

如今日本管制這(zhè)項原料輸韓，雖然三星正自行生産這(zhè)項關鍵化學(xué)品，但這(zhè)又等于讓制程良率增添變數，而且三星也是領先全球把EUV設備導入生産更先進(jìn)的DRAM産品的大廠。

半導體業者分析，三星發(fā)展7納米以下制程受阻，未來要追趕台積電，得花費更大的财力和物力，日韓貿易戰其實反而助攻台積電拉大和三星差距。

三星計劃2021年推GAA技術3納米制程

2019年5月15日由中代科技評論關閉

在先進(jìn)制程的發(fā)展上，台積電與三星一直有着激烈的競争。雖然，台積電已經(jīng)宣布將(jiāng)在 2020 年正式量産 5 納米制程。不過(guò)，三星也不甘示弱，預計透過(guò)新技術的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的産品。根據三星表示，其將(jiāng)推出的 3 納米制程産品將(jiāng)比當前的 7 納米制程産品效能(néng)提升 35%，能(néng)耗也再降低 50%，而且芯片的面(miàn)積也再減少 45%。

根據外媒報導，三星 14 日于美國(guó)加州所舉辦的晶圓制造論壇 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，目前三星正在開(kāi)發(fā)一項名爲｢環繞栅極 (gate all around，GAA) ｣的技術，這(zhè)個被稱爲當前 FinFET 技術進(jìn)化版的生産技術，能(néng)夠對(duì)芯片核心的晶體管進(jìn)行重新設計和改造，使其更小更快。三星指出，預計 2021 年透過(guò)這(zhè)項技術所推出的 3 納米制程技術，將(jiāng)能(néng)使得三星在先進(jìn)制程方面(miàn)與台積電及英特爾進(jìn)行抗衡，甚至超越。而且，能(néng)夠解決芯片制造縮小過(guò)程中所帶來的工程難題，以延續摩爾定律的持續發(fā)展。

而根據國(guó)際商業戰略咨詢公司 (International Business Strategies) 執行長(cháng) Handel Jones 表示，目前三星正透過(guò)強大的材料研究讓晶圓制造技術獲得發(fā)展。而在 GAA 的技術發(fā)展上，三星大約領先台積電 1 年的時間，而英特爾封面(miàn)則是落後(hòu)三星 2 到 3 年。三星也強調，GAA 技術的發(fā)展能(néng)夠期待未來有更好(hǎo)的圖形技術，人工智能(néng)及其他運算的進(jìn)步，以确保未來包括智能(néng)型手機、手表、汽車、以及智慧家庭産品都(dōu)能(néng)夠有更好(hǎo)的效能(néng)。

事(shì)實上，之前三星就宣布將(jiāng)在未來 10 年内投資1,160 億美元來發(fā)展非存儲器項目的半導體産業，以成(chéng)爲未來全球的半導體産業霸主。其中，透過(guò) GAA 技術發(fā)展的 3 納米制程技術就是其中重要的關鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台積電客戶的青睐，以獲取更多晶圓生産上的商機。