總投資10億元!晟碟半導體三期廠房擴建項目7月開(kāi)工

總投資10億元!晟碟半導體三期廠房擴建項目7月開(kāi)工

近日,上海闵行區經(jīng)委副主任曹春懿、産業科科長(cháng)衛政文一行赴紫竹高新區入駐企業晟碟半導體上海公司調研,了解企業投資擴建三期廠房的工作進(jìn)展情況。

晟碟半導體表示,晟碟半導體擴建工程是闵行區重大項目,目前已經(jīng)完成(chéng)了控規調整、發(fā)改委備案、方案審批、施工圖審批等工作,正在辦理土地補充協議和施工許可證,即將(jiāng)按原定計劃7月份開(kāi)工。

資料顯示,晟碟半導體上海公司是美國(guó)西部數據公司(Western DigitalCorporation)下屬全資子公司,于2006年8月在上海紫竹高新區注冊成(chéng)立,一期投資額9600萬美元,注冊資本3200萬美元。主要從事(shì)先進(jìn)閃存存儲産品的研發(fā)、封裝和測試,是全球規模較大的閃存存儲産品封裝測試工廠之一,公司生産的産品類型主要包括SD、MicroSD、iNAND閃存模塊等。

闵行經(jīng)委官微指出,公司擴建三期廠房項目主要進(jìn)行約11800平方米的生産和配套用房擴建,用于支持下一代基于BiCS4、BiCS5存儲技術的閃存存儲産品的研發(fā)、測試和生産,以滿足未來由人工智能(néng)、自動駕駛和5G實施而帶動的對(duì)閃存存儲産品的長(cháng)期市場需求,計劃基建加設備總投資約10億人民币。

陳玠玮:2020年閃存價格吹漲風

陳玠玮:2020年閃存價格吹漲風

集邦咨詢DRAMeXchange研究協理  陳玠玮

陳玠玮指出,因爲中美貿易摩擦等因素影響,2019年全球市場本是非常悲觀,但Kioxia第三季度發(fā)生了一些狀況,導緻閃存市場供需出現結構性轉變。原廠在未來投資方面(miàn)都(dōu)相對(duì)保守,所以他認爲明年可能(néng)整個市場會出現缺貨狀況,但2021年將(jiāng)有所緩解,因爲随着長(cháng)江存儲技術不斷地提升,預計未來閃存産業還(hái)會走向(xiàng)供過(guò)于求,直到有些企業退出市場。

2019年,閃存市場需求端約增長(cháng)35%,供給端約增長(cháng)31.5%,但明年供給和需求的增長(cháng)預計都(dōu)約爲三成(chéng)左右,這(zhè)意味着需求并沒(méi)有特别強勁的複蘇。不過(guò),供給端明年將(jiāng)更加控制産出,讓整個市場的決定權落在供給端,供給一直降、待需求超過(guò)供給,供給端將(jiāng)掌握主導權。今年閃存價格接近腰斬,明年雖然平均價格還(hái)是會跌,但比今年會好(hǎo)一點,甚至還(hái)會有上漲。

展望明年上半年,第一季度供需市況仍有所懸念,因爲實際需求并不太理想,但服務器、數據中心、PC等OEM廠商的需求不斷上升,預計第一季度的供給缺口將(jiāng)不斷收斂,第二季度將(jiāng)處于供需平衡狀況,下半年則開(kāi)始呈現缺貨現象,産業鏈相關人士現在就要開(kāi)始有所規劃。

價格走勢方面(miàn),最新數據預測顯示,OEM市場價格明年將(jiāng)出現一路走高的趨勢,目前看來第一季度SSD部分至少可持平或小漲,到了第二季度OEM市場價格肯定會漲。但通路市場將(jiāng)出現倒挂情況,如果一直沒(méi)有改善,預期明年第一季度合約價仍將(jiāng)走低,第二季度才會開(kāi)始慢慢往上,所以通路市場價格可能(néng)漲得稍晚一點。

供給端方面(miàn),原廠明年資本支出趨保守,數據顯示,明年各供應商位元産出量年成(chéng)長(cháng)率幾乎都(dōu)比今年低,三星、SK海力士、英特爾、美光等幾家原廠明年位元産出量年成(chéng)長(cháng)率都(dōu)不到三成(chéng),而過(guò)去每年至少三成(chéng)以上的水準。

對(duì)于明年的産出擴充計劃,原廠也都(dōu)相對(duì)保守。三星方面(miàn),現在隻有西安二廠有擴産,但在增加3D NAND産能(néng)的同時也降低了2D NAND産能(néng),所以三星明年的産量會比今年更低,他們并沒(méi)有積極擴張的意圖,至少現階段沒(méi)有。

SK海力士無論2D NAND或3D NAND預計都(dōu)將(jiāng)維持持平的水準,增長(cháng)主要來自于制程轉換;Kioxia的方向(xiàng)與三星類似,增加3D NAND産能(néng)、降低2D NAND産能(néng);美光和英特爾在财報有所虧損的情況下,對(duì)未來的投資也相對(duì)不是那麼(me)積極,不管是2D NAND或3D NAND也將(jiāng)都(dōu)維持今年的狀況。

值得一提的是長(cháng)江存儲,據了解其今年第四季度月産能(néng)約20K,主力爲64層NAND Flash産品,目前狀況非常好(hǎo),明年月産能(néng)預期至少50K以上。陳玠玮指出,未來随着長(cháng)江存儲産能(néng)不斷增加,預估2023年各廠商位元産出量市占率長(cháng)江存儲將(jiāng)占到10.8%,高于英特爾的6.6%及美光的10.3%。

NAND Flash供應商制程方面(miàn),相信三星的128層産品今年第四季度已進(jìn)入了量産階段,SK海力士明年第一季度也可量産128層TLC産品,Kioxia與美光大概在明年下半年會推出類似産品。長(cháng)江存儲64層産品今年量産後(hòu),128層産品在2021年是有機會的,至少他們内部的目标是這(zhè)樣。

從各制程節點産出比重看,3D NAND Flash 92/96層産出比重在明年會增加、但2021年又會馬上降低,因爲3D NAND Flash 92/96層可能(néng)是一個相對(duì)短命的制程,之後(hòu)會被128層産品快速取代。NAND Flash架構産出比重方面(miàn),陳玠玮認爲2023年之前PLC量産的可能(néng)性偏低,QLC亦還(hái)有待觀察,但QLC未來潛在的成(chéng)長(cháng)機會是有的,至少美系廠商如美光、英特爾等是比較支持QLC技術發(fā)展。

需求端方面(miàn),利基市場明年預計呈現正向(xiàng)發(fā)展,說不上太好(hǎo)、也不會太壞。5G手機和服務器方面(miàn)相對(duì)比較樂觀,手機整體出貨量不再成(chéng)長(cháng),其成(chéng)長(cháng)力道(dào)大多數來自于平均容量的增長(cháng),服務器市場在增長(cháng),平闆電腦市場相對(duì)比較平淡。

至于SSD部分,也許通路市場的獲利狀況不是很好(hǎo),但通路市場SSD今年的成(chéng)長(cháng)相比去年要高。消費級SSD與企業級SSD在架構上有所變化,介面(miàn)方面(miàn),消費級SSD PCle G4明年將(jiāng)不斷提高,到2021年其出貨量與滲透率都(dōu)將(jiāng)開(kāi)始出現明顯的成(chéng)長(cháng)動能(néng)。

最後(hòu),陳玠玮分析了NB與Desktop消費級SSD搭載率趨勢,今年前三季度SSD價格下跌、第四季度OEM需求爆發(fā),同樣狀況也會發(fā)生在桌機部分,其滲透會逐步增高,不過(guò)明年搭載率將(jiāng)不會有今年這(zhè)麼(me)高。

集邦咨詢已于2019年11月27日成(chéng)功舉辦2020存儲産業趨勢峰會(MTS 2020),在此特别感謝金邦科技、芝奇國(guó)際、宏旺半導體、時創意電子、金泰克半導體、紫光存儲、廈門銀行等企業對(duì)本次會議的大力支持。

PS:集邦咨詢MTS2020存儲産業趨勢峰會分析師演講講義現已對(duì)外分享,如有需要請關注“全球半導體觀察”微信公衆号并回複分析師名字即可領取,如“陳玠玮”、“劉家豪”、“郭祚榮”、“葉茂盛”。

同時,歡迎識别下方二維碼或在微信公衆号回複”峰會”觀看峰會完整視頻回放。

【MTS2020】DRAMeXchange陳玠玮:2020年閃存價格吹漲風

【MTS2020】DRAMeXchange陳玠玮:2020年閃存價格吹漲風

集邦咨詢DRAMeXchange研究協理  陳玠玮

陳玠玮指出,因爲中美貿易摩擦等因素影響,2019年全球市場本是非常悲觀,但Kioxia第三季度發(fā)生了一些狀況,導緻閃存市場供需出現結構性轉變。原廠在未來投資方面(miàn)都(dōu)相對(duì)保守,所以他認爲明年可能(néng)整個市場會出現缺貨狀況,但2021年將(jiāng)有所緩解,因爲随着長(cháng)江存儲技術不斷地提升,預計未來閃存産業還(hái)會走向(xiàng)供過(guò)于求,直到有些企業退出市場。

2019年,閃存市場需求端約增長(cháng)35%,供給端約增長(cháng)31.5%,但明年供給和需求的增長(cháng)預計都(dōu)約爲三成(chéng)左右,這(zhè)意味着需求并沒(méi)有特别強勁的複蘇。不過(guò),供給端明年將(jiāng)更加控制産出,讓整個市場的決定權落在供給端,供給一直降、待需求超過(guò)供給,供給端將(jiāng)掌握主導權。今年閃存價格接近腰斬,明年雖然平均價格還(hái)是會跌,但比今年會好(hǎo)一點,甚至還(hái)會有上漲。

展望明年上半年,第一季度供需市況仍有所懸念,因爲實際需求并不太理想,但服務器、數據中心、PC等OEM廠商的需求不斷上升,預計第一季度的供給缺口將(jiāng)不斷收斂,第二季度將(jiāng)處于供需平衡狀況,下半年則開(kāi)始呈現缺貨現象,産業鏈相關人士現在就要開(kāi)始有所規劃。

價格走勢方面(miàn),最新數據預測顯示,OEM市場價格明年將(jiāng)出現一路走高的趨勢,目前看來第一季度SSD部分至少可持平或小漲,到了第二季度OEM市場價格肯定會漲。但通路市場將(jiāng)出現倒挂情況,如果一直沒(méi)有改善,預期明年第一季度合約價仍將(jiāng)走低,第二季度才會開(kāi)始慢慢往上,所以通路市場價格可能(néng)漲得稍晚一點。

供給端方面(miàn),原廠明年資本支出趨保守,數據顯示,明年各供應商位元産出量年成(chéng)長(cháng)率幾乎都(dōu)比今年低,三星、SK海力士、英特爾、美光等幾家原廠明年位元産出量年成(chéng)長(cháng)率都(dōu)不到三成(chéng),而過(guò)去每年至少三成(chéng)以上的水準。

對(duì)于明年的産出擴充計劃,原廠也都(dōu)相對(duì)保守。三星方面(miàn),現在隻有西安二廠有擴産,但在增加3D NAND産能(néng)的同時也降低了2D NAND産能(néng),所以三星明年的産量會比今年更低,他們并沒(méi)有積極擴張的意圖,至少現階段沒(méi)有。

SK海力士無論2D NAND或3D NAND預計都(dōu)將(jiāng)維持持平的水準,增長(cháng)主要來自于制程轉換;Kioxia的方向(xiàng)與三星類似,增加3D NAND産能(néng)、降低2D NAND産能(néng);美光和英特爾在财報有所虧損的情況下,對(duì)未來的投資也相對(duì)不是那麼(me)積極,不管是2D NAND或3D NAND也將(jiāng)都(dōu)維持今年的狀況。

值得一提的是長(cháng)江存儲,據了解其今年第四季度月産能(néng)約20K,主力爲64層NAND Flash産品,目前狀況非常好(hǎo),明年月産能(néng)預期至少50K以上。陳玠玮指出,未來随着長(cháng)江存儲産能(néng)不斷增加,預估2023年各廠商位元産出量市占率長(cháng)江存儲將(jiāng)占到10.8%,高于英特爾的6.6%及美光的10.3%。

NAND Flash供應商制程方面(miàn),相信三星的128層産品今年第四季度已進(jìn)入了量産階段,SK海力士明年第一季度也可量産128層TLC産品,Kioxia與美光大概在明年下半年會推出類似産品。長(cháng)江存儲64層産品今年量産後(hòu),128層産品在2021年是有機會的,至少他們内部的目标是這(zhè)樣。

從各制程節點産出比重看,3D NAND Flash 92/96層産出比重在明年會增加、但2021年又會馬上降低,因爲3D NAND Flash 92/96層可能(néng)是一個相對(duì)短命的制程,之後(hòu)會被128層産品快速取代。NAND Flash架構産出比重方面(miàn),陳玠玮認爲2023年之前PLC量産的可能(néng)性偏低,QLC亦還(hái)有待觀察,但QLC未來潛在的成(chéng)長(cháng)機會是有的,至少美系廠商如美光、英特爾等是比較支持QLC技術發(fā)展。

需求端方面(miàn),利基市場明年預計呈現正向(xiàng)發(fā)展,說不上太好(hǎo)、也不會太壞。5G手機和服務器方面(miàn)相對(duì)比較樂觀,手機整體出貨量不再成(chéng)長(cháng),其成(chéng)長(cháng)力道(dào)大多數來自于平均容量的增長(cháng),服務器市場在增長(cháng),平闆電腦市場相對(duì)比較平淡。

至于SSD部分,也許通路市場的獲利狀況不是很好(hǎo),但通路市場SSD今年的成(chéng)長(cháng)相比去年要高。消費級SSD與企業級SSD在架構上有所變化,介面(miàn)方面(miàn),消費級SSD PCle G4明年將(jiāng)不斷提高,到2021年其出貨量與滲透率都(dōu)將(jiāng)開(kāi)始出現明顯的成(chéng)長(cháng)動能(néng)。

最後(hòu),陳玠玮分析了NB與Desktop消費級SSD搭載率趨勢,今年前三季度SSD價格下跌、第四季度OEM需求爆發(fā),同樣狀況也會發(fā)生在桌機部分,其滲透會逐步增高,不過(guò)明年搭載率將(jiāng)不會有今年這(zhè)麼(me)高。

集邦咨詢已于2019年11月27日成(chéng)功舉辦2020存儲産業趨勢峰會(MTS 2020),在此特别感謝金邦科技、芝奇國(guó)際、宏旺半導體、時創意電子、金泰克半導體、紫光存儲、廈門銀行等企業對(duì)本次會議的大力支持。

PS:集邦咨詢MTS2020存儲産業趨勢峰會分析師演講講義現已對(duì)外分享,如有需要請關注“全球半導體觀察”微信公衆号并回複分析師名字即可領取,如“陳玠玮”、“劉家豪”、“郭祚榮”、“葉茂盛”。

同時,歡迎識别下方二維碼或在微信公衆号回複”峰會”觀看峰會完整視頻回放。

NAND漲勢看到年底 群聯業績升溫

NAND漲勢看到年底 群聯業績升溫

在傳統拉貨旺季加持下,NAND Flash合約報價自7月起(qǐ)正式止跌回升,8月3D NAND Flash合約報價上漲個位數,最高漲幅甚至達到雙位數水準,顯示市場信心正逐步回籠,且業界幾乎看好(hǎo),這(zhè)波漲勢有機會一路延續到年底。法人看好(hǎo),掌握日系存儲器原廠貨源的群聯將(jiāng)可望搭上這(zhè)波漲價列車,業績逐步升溫。

先前受到美中貿易摩擦幹擾,使消費信心縮減,存儲器市場連帶受到沖擊,使上半年NAND Flash報價呈現跌幅擴大趨勢,原先市調機構都(dōu)不看好(hǎo)下半年NAND Flash價格走勢,不過(guò)随着PC、智能(néng)手機等拉貨旺季加持下,NAND Flash合約價格終于在8月開(kāi)始止跌回升。

業界人士指出,8月份3D NAND Flash TLC合約報價皆有上漲趨勢,其中128Gb價格介于1.6~1.9美元,漲幅達8~14%左右,至于256Gb合約價格則落在2.3~2.6美元,漲幅達4~7%之間,并沒(méi)有受到現貨價由漲轉跌的弱勢狀況影響。

法人表示,NAND Flash報價回溫,主要原因在PC、智能(néng)手機搭載NAND Flash容量開(kāi)始出現明顯成(chéng)長(cháng),其中智能(néng)手機容量下半年可望從原先主流的128GB、256GB提升至512GB,新款筆電同樣也出現提升至512GB,搭載容量呈現翻倍成(chéng)長(cháng),使得NAND拉貨力道(dào)加強,逐步消化OEM/ODM廠商庫存。

由于NAND Flash市場價格開(kāi)始逐步回溫,且價格有機會一路旺到年底,法人看好(hǎo),與日系存儲器廠商合作關系良好(hǎo)的群聯可望藉此搭上這(zhè)波漲價列車,帶動業績開(kāi)始出現明顯升溫,甚至有機會推動全年營收繳出優于2018年水準。群聯不評論法人預估财務數字。

東芝開(kāi)始研究5bit PLC閃存顆粒

東芝開(kāi)始研究5bit PLC閃存顆粒

根據Tom‘s Hardwared的報道(dào),東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開(kāi)發(fā)。

東芝已經(jīng)開(kāi)始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發(fā)。每一代新産品都(dōu)將(jiāng)與新一代的PCIe标準相一緻,BiCS 5將(jiāng)很快與PCIe 4.0同步上市,但該公司沒(méi)有提供具體的時間表。BiCS5將(jiāng)具有更高的帶寬1200 MT/s,而BiCS6將(jiāng)達到1600 MT/s, BiCS7將(jiāng)達到2000 MT/s。

該公司還(hái)開(kāi)始研究5bit PLC的NAND閃存,新的閃存提供了更高的密度,每個單元可以存儲5位,而目前的QLC隻能(néng)存儲4位。PLC將(jiāng)有更少的PE和更慢的性能(néng),但新的NVMe協議特性以及Dram閃存和控制芯片會帶來一些性能(néng)提升。

集邦咨詢:價格下跌抵消位元出貨增長(cháng),2Q19閃存品牌商營收環比持平

集邦咨詢:價格下跌抵消位元出貨增長(cháng),2Q19閃存品牌商營收環比持平

集邦咨詢:價格下跌抵消位元出貨增長(cháng),2Q19閃存品牌商營收環比持平

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,綜觀2019年第二季NAND Flash(閃存)産業營收表現,以需求面(miàn)來看,智能(néng)手機、筆記本電腦以及服務器需求皆自第一季的傳統淡季有所複蘇,整體産業位元消耗量成(chéng)長(cháng)約15%,但由于供應商仍握有相當高的庫存,緻使第二季合約價跌幅仍相當顯著,整體産業營收仍維持在約108億美元的水平,較第一季基本持平。

展望2019年第三季,雖然預期旺季需求有助于出貨表現,但受地緣經(jīng)濟沖突影響,恐導緻需求表現較往年疲弱,但NAND Flash供給面(miàn)受到東芝六月跳電事(shì)件沖擊影響甚巨,使得第三季合約價跌幅明顯收斂,而Wafer市場則呈現漲勢,預估整體營收較第二季增長(cháng)的可能(néng)性較高。

三星電子(Samsung)

由于服務器需求回溫以及不同應用端采用高容量産品呈明顯成(chéng)長(cháng),加上移動設備客戶轉單效應,三星第二季位元銷售成(chéng)長(cháng)約30%。随着需求表現轉趨正面(miàn),平均銷售單價跌幅收斂至15%的水平,第二季營收達37.66億美元,較第一季成(chéng)長(cháng)16.6%。

從産能(néng)分析,今年以來三星的産能(néng)規劃無太大改變,在産能(néng)縮減部分皆以Line12的平面(miàn)制程爲主,以反映客戶需求持續轉進(jìn)V-NAND,縮減後(hòu)的空間則用于R&D,至于3D NAND的部分,在無刻意或人爲減産情況下,整體投片規模與第一季相當。

SK海力士(SK Hynix)

SK海力士的營運表現依然與移動設備市場銷售狀況高度連動,受惠于價格彈性引領平均搭載容量迅速成(chéng)長(cháng),以及部分中國(guó)客戶轉單,第二季位元出貨成(chéng)長(cháng)達到40%,但由于平均售價仍有25%的顯著跌幅,本季SK海力士NAND Flash營收爲11.06億美元,季成(chéng)長(cháng)8.1%。

以産能(néng)規劃而言,SK海力士宣布整體NAND Wafer投片量將(jiāng)較前一年減少15%,主要在于平面(miàn)制程的縮減,因應需求轉向(xiàng)較低成(chéng)本的3D NAND。新廠M15的産能(néng)擴增仍按先前規劃,整體3D NAND的投片量會緩慢增長(cháng),并以TLC架構爲主,今年内SK海力士仍無量産QLC産品的打算。

東芝記憶體(Toshiba)

第二季在移動設備市場備貨較爲積極下,東芝的出貨表現有所複蘇,其位元出貨成(chéng)長(cháng)率爲0-5%,但受到第二季合約價進(jìn)一步走跌的影響,平均銷售單價跌幅近15%,營收較上季衰退10.6%,爲19.48億美元。

從産能(néng)方面(miàn)觀察,四日市廠區受到停電事(shì)件沖擊影響顯著,盡管産線已大緻于七月中旬以前恢複,對(duì)整體市場供給影響仍大,約占全體年産出的3%。

西數(Western Digital)

由于西數決定在上半年進(jìn)行減産,其第二季位元出貨量的預期成(chéng)長(cháng)率本就較其他供應商低,加上五月中受華爲事(shì)件影響,中止出貨期間達一個月,以至于華爲已將(jiāng)訂單配給予其他供應商,導緻位元出貨量季衰退1%,但産出減少也有效地抑制平均銷售價格衰退幅度僅有6%,整體營收爲15.06億美元,較上季衰退6.5%。

從産能(néng)規劃來看,受到四日市廠區跳電事(shì)故的影響,西數産能(néng)損失幅度約爲6 ExaBytes,截至七月底前産線已大緻恢複。此外,西數已經(jīng)與東芝取得參與岩手縣K1 Fab的投資共識,也使得未來的産能(néng)擴張獲得保證。

美光(Micron)

受到第二季價格進(jìn)一步下跌以及華爲事(shì)件的沖擊,美光位元出貨衰退約5%,平均銷售單價跌幅則約落在季跌幅15%,其NAND Flash營收來到14.61億美元,較第一季下跌17.7%。

在産能(néng)方面(miàn),美光第一季以宣布較先前生産計劃減少5%,第二季更進(jìn)一步擴大至10%,3D NAND的産出比重仍將(jiāng)維持90%以上。

英特爾(Intel)

英特爾今年第一季因财務表現不佳影響,暫停後(hòu)續在大連廠的擴産規劃,目前在出貨比重上仍以64層産品爲主力,除逐步推進(jìn)客戶使用96層産品外,亦積極導向(xiàng)采用高容量産品,SSD産品位元銷售有效地反映價格彈性,第二季位元銷售成(chéng)長(cháng)超過(guò)20%,而平均銷售單價則有近15%的跌幅,營收來到9.4億美元,較第一季成(chéng)長(cháng)2.7%。

在産能(néng)與制程方面(miàn),英特爾大連廠將(jiāng)維持第一季底停止擴産的計劃直至年底,并依客戶導入進(jìn)程逐步轉往96層産品。

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成(chéng)擴建

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成(chéng)擴建

存儲器大廠美光科技(Micron)14日宣布完成(chéng)新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建!美光執行長(cháng)Sanjay Mehrotra表示,新廠區將(jiāng)視市場需求調整資本支出及産能(néng)規劃,并應用先進(jìn)3D NAND制程技術,進(jìn)一步推動5G、人工智能(néng)(AI)、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外,美光亦將(jiāng)加碼在中國(guó)台灣DRAM廠投資,台中廠擴建生産線可望在年底前落成(chéng)。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成(chéng)啓用典禮,共有超過(guò)500名客戶及供應商、經(jīng)銷商、美光團隊成(chéng)員、當地政府官員等共襄盛舉,而包括系統廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基闆廠景碩、存儲器封測廠力成(chéng)、IC渠道(dào)商文晔等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成(chéng)立NAND卓越中心,包括新加坡Fab 10晶圓廠區,以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠,此次擴建的Fab 10A廠區將(jiāng)根據市場需求的趨勢調整資本支出,預計下半年可開(kāi)始生産,但在技術及産能(néng)轉換調整情況下,Fab 10廠區總産能(néng)不變。

美光表示,NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長(cháng)上的長(cháng)期投資,擴建的Fab 10A爲晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性,可促進(jìn)3D NAND技術先進(jìn)制程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進(jìn)入量産,第四代128層3D NAND將(jiāng)由浮動閘極(floating gate)轉向(xiàng)替換閘極(replacement gate)過(guò)渡,Sanjay Mehrotra強調,美光3D NAND技術和儲存方案是支援長(cháng)期成(chéng)長(cháng)的關鍵,同時進(jìn)一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。

美光的DRAM布局上,以日本廣島廠爲先進(jìn)制程研發(fā)重心,2017年在台灣成(chéng)立DRAM卓越中心,台灣成(chéng)爲美光最大DRAM生産重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大,台中廠區除了現有12英寸廠,也將(jiāng)加快投資進(jìn)行新廠區擴建,計劃在年底前完成(chéng),而台中廠區後(hòu)段封測廠亦持續擴大産能(néng)。

随着韓國(guó)存儲器廠三星及SK海力士開(kāi)始評估在先進(jìn)DRAM制程上采用極紫外光(EUV)微影技術,美光也開(kāi)始評估將(jiāng)EUV技術應用在DRAM生産的成(chéng)本效益,随着DRAM制程由1z納米向(xiàng)1α、1β、1γ納米技術推進(jìn)過(guò)程,會選擇在合适制程節點采用EUV技術方案。

佰維FMS 2019全球頂級閃存峰會首秀圓滿結束

佰維FMS 2019全球頂級閃存峰會首秀圓滿結束

北京時間8月9日晨6時許,全球頂級閃存峰會2019 Flash Memory Summit(簡稱“FMS”)圓滿落幕,三星、東芝、海力士等存儲巨頭悉數登場,以BIWIN佰維爲代表的國(guó)産存儲企業的展示成(chéng)爲會場中一道(dào)亮眼的風景。佰維以“齊話存儲未來,共賞封景無限”爲主題,向(xiàng)與會專家及全球客戶全面(miàn)展示了佰維的全方位存儲解決方案及以SiP爲核心的先進(jìn)封測服務。

BIWIN佰維存儲展台大咖客戶不斷,吸引了衆多國(guó)際一線廠商前來交流溝通,探索更多深入合作;展會上佰維的全案存儲産品系列和SiP封測服務獨樹一幟,展示了佰維領先的存儲算法與固件開(kāi)發(fā)能(néng)力、優異的硬件設計能(néng)力和領先的封測工藝等,不斷刷新了國(guó)際客戶對(duì)國(guó)産存儲企業的認知。

存儲芯片全案提供商,再添強勁新品

此次FMS峰會上佰維首發(fā)旗艦新品PH001 AIC SSD,定位高端消費類用戶和數據中心客戶,專爲需要更高随機寫入性能(néng)和耐用性的讀取密集型工作負載提供支持。

BIWIN PH001容量高達32TB,采用PCIe Gen 4×4接口、NVMe 1.4協議,擁有16個NAND通道(dào),針對(duì)低延遲存儲類内存(SCM)進(jìn)行了優化,達到最高7GB/s的順序讀取速度和6.1GB/s的順序寫入速度,随機讀取性能(néng)高達150萬IOPS,同時加入了AES 256加密引擎、TCG Opal support、SRAM ECC等多項技術。BIWIN PH001支持端到端的數據保護,在寫入數據時生成(chéng)校驗碼與用戶數據一并寫入閃存,讀取時則通過(guò)校驗碼檢驗用戶數據是否完整,在SSD内各部件之間傳輸與存儲過(guò)程中是否有錯誤發(fā)生,從而提高數據可靠性。

不止于存儲,SiP亦獨領風騷

佰維自2009年建立自己首座完整的12寸晶圓封測廠以來,積累了數十項核心專利,封測産品良品率持續高居99.7%以上,達到世界最先進(jìn)水準。以存儲芯片爲例,10年來累計封測出貨量10億顆以上,赢得了行業的廣泛信任和認可。

佰維突破了多器件、多維度封測的技術難題,在業内多個領域率先提出SiP解決方案并協助客戶産品最終量産。佰維SiP技術的集成(chéng)方式具有更大的設計自由度,可以有效縮短芯片開(kāi)發(fā)周期,同時開(kāi)發(fā)費用相較SOC大大降低,特别是針對(duì)有智能(néng)化、小型化需求的市場,例如智能(néng)穿戴模組,物聯網芯片等,佰維SiP將(jiāng)發(fā)揮更多優勢。

做物聯時代的基石,更要做賦能(néng)者

數據需要存儲,存儲需要芯片。縱觀未來5G加持下的物聯網世界,必然需要更龐大的基礎設施來存儲和管理數據,智能(néng)終端對(duì)存儲數據的高性能(néng)、低延遲、多樣化需求也對(duì)傳統存儲企業提出更苛刻的要求。

面(miàn)對(duì)萬物互聯時代存儲的多樣化需求,佰維保持最全面(miàn)的存儲産品線以滿足終端客戶對(duì)标準化、規模化存儲産品的需求;并且針對(duì)各細分行業市場深度定制存儲方案,爲不同行業的“端”客戶提供“千人千面(miàn)”的定制化存儲方案,做萬物互聯時代的基石。

在存儲算法與自研固件方面(miàn),佰維量産經(jīng)驗豐富,已支持上千萬顆級别的存儲芯片産品,廣泛應用于智能(néng)終端、OTT、工控市場等,在業内處領先地位,同時,KK級的出貨驗證充分确保産品品質的穩定。依靠領先的算法與固件開(kāi)發(fā)經(jīng)驗,佰維可更好(hǎo)地滿足萬物互聯時代客戶對(duì)存儲産品性能(néng)與可靠性等多元化存儲需求。

在芯片層面(miàn)上,摩爾定律促進(jìn)了性能(néng)的不斷往前推進(jìn),SoC(System On a Chip系統級芯片)是摩爾定律繼續往下推進(jìn)的産物,而SiP(System In a Package系統級封裝)則是實現超越摩爾定律的重要路徑,兩(liǎng)者都(dōu)是實現在芯片層面(miàn)上實現小型化和微型化系統的産物。特别是在摩爾定律放緩後(hòu),進(jìn)入後(hòu)摩爾時代,相關多元化技術加入推動市場規模持續增長(cháng),已經(jīng)從“一枝獨秀”來到“百花齊放”,而百花齊放的核心密鑰之一就是SiP,特别是在萬物互聯時代,SiP可以實現“更合時宜”的高集成(chéng)度水平的單芯片矽集成(chéng),這(zhè)也是佰維緻力于以SiP封測爲物聯時代賦能(néng)的意義。

關于佰維

佰維專注爲客戶提供優質的存儲産品,緻力于成(chéng)爲行業一流的存儲解決方案提供商。佰維專注存儲領域24載,造就了佰維穩健的上遊資源整合能(néng)力、業内領先的存儲算法及固件開(kāi)發(fā)能(néng)力、優異的硬件設計能(néng)力、強大的測試能(néng)力和以SiP爲核心的先進(jìn)封裝制造能(néng)力這(zhè)5大優勢。可爲客戶提供eMMC、eMCP、UFS、LPDDR、ePOP、SPI NAND、uMCP、BGA SSD以及2.5”、U.2、M.2、DOM、AIC PCIe、特種(zhǒng)SSD、移動SSD、内存模組等全系列存儲産品,并針對(duì)客戶多元化的存儲需求,提供具備高可靠性、高性能(néng)、小尺寸、斷電保護、加密支持、寫入保護、寬溫運行、安全删除等特點的産品。

佰維緻力于爲廣大整機廠商,品牌商,工控級和消費級市場提供優質的存儲産品和服務,爲客戶提供涵蓋遊戲娛樂、軌道(dào)交通、網絡安全、工業自動化、手機平闆、網通産品在内的全系列存儲應用解決方案。

佰維官網:http://www.biwin.com.cn

集邦咨詢:第三季閃存合約價跌幅縮小,Wafer價格則逆勢上揚

集邦咨詢:第三季閃存合約價跌幅縮小,Wafer價格則逆勢上揚

集邦咨詢:第三季閃存合約價跌幅縮小,Wafer價格則逆勢上揚

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出,7月各類NAND Flash(閃存)産品合約價已出爐,整體而言合約價仍趨向(xiàng)走跌,但受到東芝跳電對(duì)産出直接沖擊,導緻主流産品價格跌幅收斂。

此外,近來日本對(duì)韓國(guó)調整輸出規範一事(shì)也被認爲會沖擊韓系廠商NAND Flash供給。集邦咨詢認爲,日本政府此次的規範調整僅是將(jiāng)韓國(guó)移出白名單(White List),而白名單國(guó)家僅代表擁有出口優惠待遇,過(guò)去亞洲國(guó)家中僅韓國(guó)在名單内,未來韓國(guó)隻是從特别待遇國(guó)家變回普通國(guó)家,韓國(guó)半導體廠商所需經(jīng)曆的手續將(jiāng)與其他亞洲國(guó)家的半導體廠商相同,加上日本政府也已增派人力加速審查,對(duì)廠商産出應不緻于造成(chéng)影響。

若逐一觀察報價走勢,首先沖擊最大、價格反彈最激烈的爲面(miàn)向(xiàng)渠道(dào)市場的Wafer價格,這(zhè)類産品的均價于2017年11月起(qǐ)迄今已曆經(jīng)相當長(cháng)時間的跌勢,價格已貼近廠商現金成(chéng)本,加上在Wafer市場供給具相當影響力的西數直接受到東芝跳電的影響,因此本月各供應商均提高價格,截至七月底Wafer合約價漲幅已經(jīng)超過(guò)15%。展望八月,跳電事(shì)件影響仍可能(néng)延續,并可望帶動價格繼續上揚,但預計漲價幅度不會如七月的第一波反彈劇烈。

eMMC/UFS、Client SSD第三季合約價續跌,第四季價格可望回穩

集邦咨詢指出,在消費性領域及智能(néng)手機客戶的eMMC/UFS方面(miàn),由于提供給主要客戶的合約價大多于六月議定,第三季盡管有旺季需求支撐,但受到國(guó)際情勢不确定性等影響仍屬疲弱,因此合約價仍呈現5%上下的跌幅。展望第四季,集邦咨詢預期,部分低容量産品領域有可能(néng)會曆經(jīng)價格調整而小幅上漲,其他部分則趨向(xiàng)持平;在Client SSD方面(miàn),則同樣受合約價先行議定影響,加上市場庫存仍高,第三季仍下跌近10%的幅度,但預計各供應商的庫存在第四季將(jiāng)回到較健康的水位,有助于市場價格回穩止跌。

Enterprise SSD方面(miàn),由于東芝與西數在此市場占有率不高,因此供給方面(miàn)受影響不大,而需求表現方面(miàn)同樣受到中美貿易情勢影響,備貨力道(dào)并不如市場原先預期樂觀,第三季Enterprise合約價至少下跌15%。同樣東芝跳電事(shì)件的影響將(jiāng)反映在第四季,随着各供應商庫存水位回到較溫和區間,價格跌幅得以收斂,不過(guò)基于服務器價格競争激烈,預計Enterprise SSD合約價仍將(jiāng)維持小跌的走勢。

集邦咨詢指出,從整體産品比重來看,Wafer價格雖漲幅最高,但占整體交易市場比重較低,相較之下,SSD與eMMC/UFS占整體NAND Flash交易市場比重達八成(chéng),在其價格跌幅仍有5~15%的情況下,第三季NAND Flash整體市場價格依然呈現下跌格局。

不止于小!佰維全球最小尺寸eMMC通過(guò)Airoha等穿戴式方案平台驗證

不止于小!佰維全球最小尺寸eMMC通過(guò)Airoha等穿戴式方案平台驗證

近日,佰維推出了厚度逼近封裝極限的超小eMMC,尺寸爲7.5mmx8.8mmx0.6mm,以響應可穿戴設備制造商的定制需求。佰維常規尺寸的eMMC系列采用高性能(néng)主控芯片和穩定的NAND Flash晶圓,在提高數據傳輸效率的同時,具有尺寸小、功耗低的優勢,被以手機、車載電子爲代表的終端設備廣泛采用。新推出的超小尺寸eMMC,尤其适用于對(duì)尺寸、功耗敏感,可靠性和耐用性要求高的可穿戴設備。

佰維超薄、超小尺寸eMMC具有以下特點:

• 高密度集成(chéng)閃存、主控與MMC接口;
• 尺寸小巧,僅爲7.5mmx8.8mmx0.6mm;
• 最大順序讀取速度308MB/s;
• 支持動态電源管理,節能(néng)、省電,功耗更低;
• 設計、認證時間短,加快客戶新品上市。

尺寸是限制eMMC應用場景的關鍵因素之一。佰維8mmx8mmx0.9mm 尺寸eMMC曾經(jīng)獨領風騷,現在推出的7.5mmx8.8mmx0.6mm尺寸eMMC再次刷新記錄。通過(guò)不斷突破尺寸的限制,佰維持續拓展eMMC的應用邊界。

“從手腕穿戴設備到耳戴式設備,從健身到醫療,手表電話,智能(néng)手表、智能(néng)腕帶等可穿戴設備逐漸普及。制造商爲了節省可穿戴産品的空間、重量、功耗,將(jiāng)尋求最小、最輕、最省電的eMMC方案。我們有足夠的技術儲備和工藝創新能(néng)力,來滿足可穿戴式設備制造商苛刻的定制化、差異化需求。”BIWIN佰維研發(fā)總監李振華先生說。

佰維eMMC超小尺寸系列最新産品已通過(guò)Airoha等穿戴式方案平台驗證,正協助客戶進(jìn)行小批量試産。歡迎更多對(duì)小尺寸eMMC有需求的穿戴式客戶來電咨詢!

關于Airoha

絡達科技(Airoha),聯發(fā)科技集團旗下子公司,業界領先的IC 設計領導廠商,緻力于向(xiàng)客戶提供具備各類型無線通信技術的低功耗微型處理器系統芯片,連接未來物聯網世界中億萬個智能(néng)裝置。

産品涉及手機功率放大器(PA)、藍牙低功耗單芯片、藍牙無線音頻系統解決方案、WiFi物聯網單芯片、及智能(néng)裝置與可穿戴系統解決方案。目前絡達的産品已廣泛使用在各式手機、數字電視與機頂盒、車載追蹤系統、藍牙音頻設備、可穿戴式産品及各類智能(néng)家居設備中。

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