12月11日消息，據外媒報道(dào)，在今年的IEEE國(guó)際電子設備會議（IEDM）上，芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴展路線圖，包括2029年推出1.4納米制造工藝。
2029年1.4納米工藝
英特爾預計其制造工藝節點技術將(jiāng)保持2年一飛躍的節奏，從2019年的10納米工藝開(kāi)始，到2021年轉向(xiàng)7納米EUV（極紫外光刻），然後(hòu)在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。這(zhè)是英特爾首次提到1.4納米工藝，相當于12個矽原子所占的位置，因此也證實了英特爾的發(fā)展方向(xiàng)。
或許值得注意的是，在今年的IEDM大會上，有些演講涉及的工藝尺寸爲0.3納米的技術，使用的是所謂的“2D自組裝”材料。盡管不是第一次聽說這(zhè)樣的工藝，但在矽芯片制造領域，卻是首次有人如此提及。顯然，英特爾(及其合作夥伴)需要克服的問題很多。
技術叠代和反向(xiàng)移植
在兩(liǎng)代工藝節點之間，英特爾將(jiāng)會引入+和++工藝叠代版本，以便從每個節點中提取盡可能(néng)多的優化性能(néng)。唯一的例外是10納米工藝，它已經(jīng)處于10+版本階段，所以我們將(jiāng)在2020年和2021年分别看到10++和10+++版本。英特爾相信，他們可以每年都(dōu)做到這(zhè)一點，但也要有重疊的團隊，以确保一個完整的工藝節點可以與另一個重疊。
英特爾路線圖的有趣之處還(hái)在于，它提到了“反向(xiàng)移植”（back porting）。這(zhè)是在芯片設計時就要考慮到的一種(zhǒng)工藝節點能(néng)力。盡管英特爾表示，他們正在將(jiāng)芯片設計從工藝節點技術中分離出來，但在某些時候，爲了開(kāi)始在矽中布局，工藝節點過(guò)程是鎖定的，特别是當它進(jìn)入掩碼創建時，因此在具體實施上并不容易。
不過(guò)，路線圖中顯示，英特爾將(jiāng)允許存在這(zhè)樣一種(zhǒng)工作流程，即任何第一代7納米設計可以反向(xiàng)移植到10++版本上，任何第一代5納米設計可以反向(xiàng)移植到7++版本上，然後(hòu)是3納米反向(xiàng)移植到5++，2納米反向(xiàng)移植到3++上，依此類推。有人可能(néng)會說，這(zhè)個路線圖對(duì)日期的限定可能(néng)不是那麼(me)嚴格，我們已經(jīng)看到英特爾的10納米技術需要很長(cháng)時間才成(chéng)熟起(qǐ)來，因此，期望公司在兩(liǎng)年的時間裡(lǐ)，在主要的工藝技術節點上以一年速度進(jìn)行更新的節奏前進(jìn)，似乎顯得過(guò)于樂觀。
請注意，當涉及到英特爾時，這(zhè)并不是第一次提到“反向(xiàng)移植”硬件設計。由于英特爾10納米工藝技術目前處于延遲階段，有廣泛的傳聞稱，英特爾未來的某些CPU微體系結構設計，最終可能(néng)會使用非常成(chéng)功的14納米工藝。
研發(fā)努力
通常情況下，随着工藝節點的開(kāi)發(fā)，需要有不同的團隊負責每個節點的工作。這(zhè)副路線圖說明，英特爾目前正在開(kāi)發(fā)其10++優化以及7納米系列工藝。其想法是，從設計角度來看，+版每一代更新都(dōu)可以輕松實現，因爲這(zhè)個數字代表了完整的節點優勢。
有趣的是，我們看到英特爾的7納米工藝基于10++版本開(kāi)發(fā)，而英特爾認爲未來的5納米工藝也會基于7納米工藝的設計，3納米基于5納米設計。毫無疑問，每次+/++叠代的某些優化將(jiāng)在需要時被移植到未來的設計中。
在這(zhè)副路線圖中，我們看到英特爾的5納米工藝目前還(hái)處于定義階段。在這(zhè)次IEDM會議上，有很多關于5納米工藝的讨論，所以其中有些改進(jìn)(如制造、材料、一緻性等)最終將(jiāng)被應用于英特爾的5納米工藝中，這(zhè)取決于他們與哪些設計公司合作(曆史上是應用材料公司)。
除了5納米工藝開(kāi)發(fā)，我們還(hái)可以看看英特爾的3納米、2納米以及1.4納米工藝藍圖，該公司目前正處于“尋路”模式中。展望未來，英特爾正在考慮新材料、新晶體管設計等。同樣值得指出的是，基于新的路線圖，英特爾顯然仍然相信摩爾定律。
