6月7日晚，中芯國(guó)際對(duì)科創版首輪問詢做出回複，根據上交所公布的《關于中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司首次公開(kāi)發(fā)行人民币普通股（A股）股票并在科創闆上市申請文件的審核問詢函的回複》顯示，中芯國(guó)際此輪問詢回複共涉及六大類問題，涵蓋發(fā)行人股權結構、業務、核心技術等事(shì)項，合計29個小問。
作爲中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業，中芯國(guó)際核心技術發(fā)展進(jìn)程受到高度關注。
招股說明書披露，中芯國(guó)際主要爲客戶提供0.35微米至14納米多種(zhǒng)技術節點、不同工藝平台的集成(chéng)電路晶圓代工及配套服務，目前28nm、14nm産品收入占比不高。
上交所在問詢函中提出，請發(fā)行人說明28nm、14nm及下一代制程産品的應用領域及發(fā)展趨勢，預計何時將(jiāng)成(chéng)爲主流技術。
對(duì)此，中芯國(guó)際回複，目前14納米及下一代更先進(jìn)制程在手機應用處理器、基帶芯片、加密貨币和高性能(néng)計算等追求高性能(néng)、低能(néng)耗、高集成(chéng)度的領域内已逐漸成(chéng)爲主流技術。受益于高壓驅動、圖像傳感器、射頻等應用的需求增加，14納米及以下更先進(jìn)制程的集成(chéng)電路晶圓代工市場將(jiāng)保持快速增長(cháng)，預計2024年全球市場規模將(jiāng)達386億美元，2018年至2024年的複合增長(cháng)率將(jiāng)達19%。
作爲中國(guó)大陸技術最先進(jìn)、規模最大、配套服務最完善、跨國(guó)經(jīng)營的專業晶圓代工企業，中芯國(guó)際2019年第一代14nmFinFET技術已進(jìn)入量産階段，但是晚于台積電、格羅方德、聯華電子等競争對(duì)手的量産時間。
上交所在問詢函中提出，結合發(fā)行人14nm線寬技術晚于競争對(duì)手的量産時間、發(fā)行人14nm制程産品的市場份額、盈利水平及性價比等情況，補充披露發(fā)行人14nm制程産品的競争優劣勢，以及發(fā)行人是否存在提高14nm制程産品競争水平的有效措施.
對(duì)此，中芯國(guó)際表示，在集成(chéng)電路晶圓代工領域内，全球範圍内有技術能(néng)力提供14納米技術節點的純晶圓代工廠有4家，而目前有實際營收的純晶圓代工廠僅剩3家。
根據各公司的公開(kāi)信息整理，台積電于2015年實現16納米制程晶圓代工的量産，格羅方德于2015年實現14納米制程晶圓代工的量産，聯華電子于2017年實現14納米制程晶圓代工的量産。公司14納米制程的集成(chéng)電路晶圓代工業務于2019年開(kāi)始量産。
由于公司14納米晶圓代工産能(néng)初步開(kāi)始布建，因此占全球市場的份額相對(duì)較低。公司將(jiāng)穩健、有計劃地加大對(duì)先進(jìn)工藝的研發(fā)投入，并通過(guò)“12英寸芯片SN1項目”的建設，不斷提高公司先進(jìn)工藝集成(chéng)電路晶圓代工的服務能(néng)力與競争水平，擴大公司在國(guó)際先進(jìn)技術節點領域的市場占有率，進(jìn)一步保持并提升公司在中國(guó)大陸集成(chéng)電路晶圓代工領域内的技術優勢與市場優勢。
公司14納米FinFET工藝將(jiāng)主要服務于應用處理器、媒體處理器等産品的集成(chéng)電路晶圓代工，應用于高性能(néng)低功耗邊緣計算及消費電子産品領域，例如智能(néng)手機、平闆電腦、電視、機頂盒和互聯網等。目前，公司第一代14納米FinFET技術已進(jìn)入量産階段，14納米FinFET技術處于國(guó)際領先水平，且具備一定性價比，目前已同衆多客戶開(kāi)展合作。
中芯國(guó)際指出，在下一代技術節點的開(kāi)發(fā)上，全球純晶圓代工廠僅剩台積電和中芯國(guó)際。随着公司不斷加大研發(fā)投入、豐富研發(fā)團隊、加強研發(fā)實力、增強客戶合作，公司正不斷縮短與台積電之間的技術差距。公司第二代FinFET技術目前已進(jìn)入客戶導入階段。利用公司先進(jìn)FinFET技術在晶圓上所制成(chéng)的芯片已應用于智能(néng)手機領域。