标簽：DRAM

時光如梭，魔幻的2020年已經(jīng)過(guò)去了一半。這(zhè)半年，疫情肆掠、蔓延全球，各國(guó)多項經(jīng)濟數據出現斷崖式下跌；美股10天内四次熔斷，IMF更是定義今年爲自1930年代經(jīng)濟大蕭條以來最嚴重的一次危機……這(zhè)樣的“活久見”系列在各行各業都(dōu)普遍經(jīng)曆了，存儲芯片市場更甚。

2019年存儲芯片市場整體低迷，直到最後(hòu)三個月，情況才開(kāi)始有所好(hǎo)轉。如今，在疫情的不明朗和全球經(jīng)濟前景暗淡的背景下，NAND FLASH價格整體大幅度下調，DRAM芯片現貨市場價格在4月達到峰值後(hòu)，目前也處于下跌趨勢。

然而，危機即轉機，NAND FLASH、DRAM價格下跌對(duì)于上遊原廠而言，或許不是一件好(hǎo)事(shì)，但對(duì)于國(guó)産存儲品牌來說，正是加速“回血”和搶占市場份額的好(hǎo)時機。今年開(kāi)春以來，“國(guó)産替代”就成(chéng)爲社會高度關注的話題，直播帶貨、線上教育、宅經(jīng)濟等網絡線上交易活動，更是促進(jìn)了國(guó)内存儲市場的爆發(fā)式增長(cháng)。

在行業環境愈趨明朗的當下，國(guó)産存儲品牌也開(kāi)始紛紛發(fā)聲。宏旺半導體ICMAX作爲專注存儲芯片行業十六年的優質國(guó)産品牌，無論是在加大研發(fā)投入，還(hái)是深耕市場布局上都(dōu)馬力十足，獲得了不斐的成(chéng)績。如今，宏旺半導體已形成(chéng)嵌入式存儲、移動存儲、SSD、内存條四大産品矩陣，并廣泛應用于移動終端、安防監控、車載電子、航天航空、北鬥導航、網通設備、工業控制等各個領域。

嵌入式存儲：簡而不減，小有乾坤

宏旺半導體推出的eMMC、eMCP、DDR、LPDDR等芯片，具備高性能(néng)、輕薄靈活、低功耗、高兼容等特點，并有專業團隊提供7*24h靈活存儲方案定制服務。

· 能(néng)應對(duì)5G時代更高的速度、更大的容量，可用于智能(néng)手機、AR/VR 設備、車載電子、掃地機器人、可穿戴設備等多場景的 ，能(néng)爲移動設備提供快速可靠的連接；

· 能(néng)适用于數字電視、機頂盒、OTT、平闆等多種(zhǒng)需求的DDR3、DDR4，極緻性能(néng)可以滿足各式各樣地工作環境；

· 將(jiāng)高傳輸速與低耗節能(néng)相結合的LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X，廣泛應用于智能(néng)手機、平闆等移動設備，LPDDR4X更是當前主流的低功耗移動内存解決方案；

固态硬盤：智能(néng)用“芯”，擡手可及

宏旺半導體推出了2.5寸、mSATA、M.2 NGFF 、M.2 NVME等不同的SSD，覆蓋SATA、PCIe兩(liǎng)種(zhǒng)主流接口，最高容量可達512GB，具有高速低耗、抗震穩定、FW更新、PCIe BGA等優點。

· 2.5”SSD

宏旺半導體推出的2.5”SSD,涵蓋32GB~1TB等多種(zhǒng)容量，身形較爲輕薄，提供6Gb/s的帶寬，連續讀取速度高達550MB/s，連續寫入速度高達500MB/s。目前廣泛用與電腦、車載監控、工控機、視頻監控等各個領域。在軟件上這(zhè)款SSD可支持微軟系統、蘋果系統、Linux系統、安卓系統等現有的操作系統，硬件上可應用于Intel、AMD、國(guó)産CPU 兆芯等不同的平台。

· mSATA SSD

mSATA SSD 具備體積小、靜音、讀寫速度快、功耗低、啓動速度快、抗振耐沖擊等特點，其連續讀取速度高達550MB/s，連續寫入速度高達500MB/s，并且重量小于10克，其小體積特别适用于一體機和工控機等空間受限的平台，可以在狹小的空間發(fā)揮着重要的存儲性能(néng)。 

· M.2 NGFF SSD

M.2 NGFF接口比mSATA接口更小巧，是移動和便攜設備的首選。M.2 NGFF SSD采用SATAIII 6Gb/s傳輸接口，連續讀取速度最高達 550MB/s，連續寫入速度最高達500MB/s，能(néng)适用于Windows、Mac、Linux等系統。

· M.2 NVME SSD

M.2 NVME SSD是新一代的高性能(néng)存儲産品，擁有更小巧的身形、更強悍的讀寫速度、更大的容量、更高效的數據處理能(néng)力，是高端主本、遊戲本、超低本等設備性能(néng)的提升利器。

内存條：内“芯”強大，永不休假

以宏旺半導體推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列爲例，由專業研發(fā)團隊自主開(kāi)發(fā)設計，工作電壓爲1.2V，工作溫度0℃至70℃，260 – pin SODIMM封裝，2666 Mbps速率，擁有高容量、高性能(néng)等優勢，以及可靠性保障，滿足了當前PC、電腦、電視等主流市場的需求。

移動存儲：極智“芯”能(néng)，高速存儲

宏旺半導體推出TF/ SD卡，具備大容量、耐高低溫、高速讀寫性能(néng)以及穩定的讀寫性能(néng)，其高耐久度可以延長(cháng)産品的使用壽命，爲客戶減少更換頻率，節約總擁有成(chéng)本。

2020年是一個危機之年，但危機同時意味着機遇。因爲無論是物聯網、車聯網、數據中心、5G、人工智能(néng)等技術，都(dōu)離不開(kāi)存儲。基于此，宏旺半導體ICMAX將(jiāng)打造“全球存儲芯片産業基地”，建立芯片設計、芯片封裝測試、成(chéng)品制造的完整存儲芯片産業鏈，自主研發(fā)并量産純國(guó)産血統的存儲芯片，滿足車載電子、安全手機、智能(néng)穿戴、智能(néng)硬件等細分市場，提供更優質的存儲産品和服務。

近日，安徽省經(jīng)信廳引發(fā)《重點領域補短闆産品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》（以下簡稱“方案”）。

根據《方案》，安徽省將(jiāng)聚焦新一代電子信息、智能(néng)裝備、新材料等重點領域，組織具備較強創新能(néng)力的企業揭榜攻關，通過(guò)2-3年時間，重點突破一批制約産業發(fā)展的關鍵技術，培育一批優勢産品，做強一批優勢企業，不斷提高制造業自主可控水平，促進(jìn)制造業高質量發(fā)展。

目前，安徽省已經(jīng)以制造業重大發(fā)展需求爲目标，以突破産業關鍵技術短闆爲導向(xiàng)，着眼有基礎可産業化、突出産業帶動性，在10個重點領域、50個重點方向(xiàng)中确定了104項揭榜任務，其中包括多項集成(chéng)電路産業的揭榜任務。

以下爲部分集成(chéng)電路産業揭榜任務：

射頻氮化镓單晶襯底的主要任務爲面(miàn)向(xiàng)高端射頻領域，如軍用相控雷達、5G通信基站、衛星通訊等，開(kāi)展基于自支撐技術的高質量、大尺寸、半絕緣型的氮化镓襯底生長(cháng)及物性調控的研發(fā)與量産。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM産品開(kāi)發(fā)的主要任務爲面(miàn)向(xiàng)中高端移動、平闆及消費類産品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 産品并實現産業化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源（電壓）技術、片内糾錯編碼（On-Die ECC）技術，完成(chéng)低功耗高速率LPDDR5 DRAM産品開(kāi)發(fā)。

15/14nm DRAM存儲芯片先進(jìn)工藝開(kāi)發(fā)及産品研發(fā)的主要任務爲圍繞未來雲計算、人工智能(néng)等對(duì)DRAM存儲芯片小尺寸、大容量、高速度的需求，進(jìn)行15/14nm DRAM存儲芯片制造工藝開(kāi)發(fā)，并實現産業化。

DRAM存儲芯片專用封裝工藝鋁重新布線層(Al RDL)工藝開(kāi)發(fā)的主要任務爲圍繞先進(jìn)DRAM産品工藝開(kāi)發(fā)需求，開(kāi)展鋁重新布線層工藝開(kāi)發(fā)并實現産業化應用，采用氣相沉積氧化矽厚膜作爲保護層降低材料應力，攻關濺鍍厚鋁技術替代電鍍銅(鎳钯金)技術，通過(guò)鋁替代銅作爲重新布線層，解決先進(jìn)DRAM産品封裝良率低、成(chéng)本高、周期長(cháng)等問題。

5nm計算光刻國(guó)産化，該任務的研究内容包括：計算光刻EDA軟件，提供高度智能(néng)化、自動化的EDA仿真軟件，含OPC和SMO兩(liǎng)大核心技術，同時將(jiāng)版圖到掩膜版數據轉換的全流程囊括其中，增加工藝探索、建模、圖形驗證、圖形校正、數據準備5大模塊，各個模塊可以獨立操作又能(néng)有效串連，對(duì)光刻工藝步驟構建适合的軟件模型，以純軟件模型取代工程實驗，達到降低研發(fā)成(chéng)本的效果。通過(guò)内建人工智能(néng)算法引擎，從而提高收斂準确性，支持5nm光刻工藝和多重圖形化（Multiple-Patterning）技術，實現Patterning圖形全流程自動化，最大程度減少對(duì)人的依賴，還(hái)起(qǐ)到了提高開(kāi)發(fā)效率、減少人力成(chéng)本、縮短開(kāi)發(fā)時間的作用。

定位下一代EDA的5nm工藝研發(fā)DTCO平台，主要内容包括：將(jiāng)光刻工藝研發(fā)和器件工藝研發(fā)流程整合的工藝研發(fā)流程。包括七大模塊：1.性能(néng)評價模塊 2.功耗評價模塊 3.面(miàn)積評估模塊 4.制程成(chéng)本評估模塊 5.制程可行性評估模塊 6.智能(néng)設計規則管理系統 7.DTCO協作請求與控制系統。通過(guò)此DTCO平台， 工藝研發(fā)人員將(jiāng)從研發(fā)早期确定技術路線，對(duì)性能(néng)功耗面(miàn)積的持續優化，評估工藝條件的可行性與成(chéng)本，決定設計規則窗口，引入研發(fā)組織協作流程，將(jiāng)龐大的工藝研發(fā)信息納入統一管理，降低工藝研發(fā)成(chéng)本，提高效率。 

5G高抑制n77頻帶帶通濾波器的主要内容爲實現高抑制Hybrid 5G n77濾波器産品研發(fā)并産業化，解決射頻前端芯片“卡脖子”難題。

基于5G通訊的LTCC射頻器件研發(fā)與産業化的主要内容爲突破LTCC三維布局、傳輸零點的引入方法、LTCC濾波器的計算機輔助診斷與調試等關鍵技術。

國(guó)産化智能(néng)語音芯片研發(fā)的主要任務爲：1.完全自研、自定義的DSP和AI加速器的指令和IP的研究設計；2.專用IP設計以及驗證：完成(chéng)AI加速器微架構設計，指令集設計，用RTL實現并驗證，主要包括：1）AI加速器微架構設計，它可以較好(hǎo)的平衡各種(zhǒng)算力需求和設計複雜度；2）針對(duì)人工智能(néng)算子，設計出AI加速指令。

存儲器芯片生産自動測試設備研發(fā)的主要任務包括1.ATE行業最高集成(chéng)度的核心儀表闆；2.行業最高的系統配置能(néng)力；3.行業内最高生産并行測試能(néng)力。

近日，美光科技發(fā)布了該公司的2020财年第三财季财報。報告顯示，美光科技第三财季營收爲54.38億美元，相比之下去年同期的營收爲47.88億美元；淨利潤爲8.03億美元，與去年同期的8.40億美元相比下降4%。美光科技第三财季營收和調整後(hòu)每股收益均超出華爾街分析師預期，第四财季業績展望也超出預期，從而推動其盤後(hòu)股價大幅上漲逾6%。

主要業績：

在截至5月28日的這(zhè)一财季，美光科技的淨利潤爲8.03億美元，每股攤薄收益爲0.71美元，這(zhè)一業績不及去年同期。2019财年第三财季，美光科技的淨利潤爲8.40億美元，每股攤薄收益爲0.74美元。

不計入某些一次性項目（不按照美國(guó)通用會計準則），美光科技第三季度調整後(hòu)淨利潤爲9.41億美元，調整後(hòu)每股收益爲0.82美元，這(zhè)一業績超出分析師預期，相比之下去年同期的調整後(hòu)淨利潤爲11.98億美元，調整後(hòu)每股收益爲1.05美元。據雅虎财經(jīng)頻道(dào)提供的數據顯示，23名分析師此前平均預期美光科技第三财季每股收益將(jiāng)達0.77美元。

美光科技第三财季營收爲54.38億美元，相比之下去年同期的營收爲47.88億美元，也超出分析師預期。據雅虎财經(jīng)頻道(dào)提供的數據顯示，24名分析師此前平均預期美光科技第三财季營收將(jiāng)達53.1億美元。

美光科技第三财季毛利潤爲17.63億美元，在營收中所占比例爲32.4%，相比之下去年同期的毛利潤爲18.28億美元，在營收中所占比例爲38.2%。不按照美國(guó)通用會計準則，美光科技第三财季毛利潤爲18.04億美元，在營收中所占比例爲33.2%，相比之下去年同期的毛利潤爲18.84億美元，在營收中所占比例爲39.3%。

美光科技第三财季運營利潤爲8.88億美元，在營收中所占比例爲16.3%，相比之下去年同期的運營利潤爲10.10億美元，在營收中所占比例爲21.1%。不按照美國(guó)通用會計準則，美光科技第三财季運營利潤爲9.81億美元，在營收中所占比例爲18.0%，相比之下去年同期的運營利潤爲11.10億美元，在營收中所占比例爲23.2%。

美光科技第三财季用于資本支出的投資（其中不包含由合作夥伴提供融資的金額）爲19.2億美元，調整後(hòu)自由現金流爲1.01億美元。根據已經(jīng)獲批的股票回購計劃，美光科技在2020财年第三季度中總共回購了約92.9萬股普通股，回購總對(duì)價爲4000萬美元。截至第三财季末，美光科技持有的現金、有價證券投資和限制性現金總額爲92.9億美元，現金淨額爲26億美元。

業績展望：

美光科技預計，2020财年第四财季的營收將(jiāng)達57.5億美元到62.5億美元，超出分析師預期。據雅虎财經(jīng)頻道(dào)提供的數據顯示，29名分析師此前平均預期美光科技第四财季營收將(jiāng)達54.7億美元。

美光科技還(hái)預計，第四财季毛利率將(jiāng)達34.5%，上下浮動1.5%；不按照美國(guó)通用會計準則，毛利率將(jiāng)達35.5%，上下浮動1.5%；運營支出將(jiāng)達9億美元，上下浮動2500萬美元；不按照美國(guó)通用會計準則，運營支出將(jiāng)達8.5億美元，上下浮動2500萬美元；淨利息支出將(jiāng)達3300萬美元；不按照美國(guó)通用會計準則，淨利息支出將(jiāng)達3000萬美元；每股攤薄收益將(jiāng)達0.88美元，上下浮動0.10美元；不按照美國(guó)通用會計準則的每股攤薄收益將(jiāng)達1.05美元，上下浮動0.10美元，超出分析師預期。據雅虎财經(jīng)頻道(dào)提供的數據顯示，28名分析師此前平均預期美光科技第四财季每股收益將(jiāng)達0.81美元。

6月6日，在長(cháng)三角一體化發(fā)展重大合作事(shì)項簽約儀式上，長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業務合作協議簽約。

Source：視頻截圖

據新民晚報報道(dào)，長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業務合作協議由長(cháng)鑫存儲技術有限公司、蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、甯波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約。

據官網介紹，長(cháng)鑫存儲于2016年5月在安徽合肥成(chéng)立，是一家一體化存儲器制造商，專業從事(shì)動态随機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生産和銷售，目前已建成(chéng)第一座12英寸晶圓廠并投産。DRAM産品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、人工智能(néng)、虛拟現實和物聯網等領域，市場需求巨大并持續增長(cháng)。

此次與長(cháng)鑫存儲簽約的公司，各自在集成(chéng)電路領域均有着舉足輕重的地位。

其中，蘇州瑞紅是國(guó)内知名的電子化學(xué)品公司，成(chéng)立于1993年，是國(guó)内著名的專業生産微電子化學(xué)品的工廠，公司主要生産光刻膠、配套試劑、高純化學(xué)試劑等黃光區濕化學(xué)品，應用于FPD(LCD、TP、OLED、CF)、LED、IC等相關電子行業，與國(guó)内大部分相關廠商保持業務聯系。

蘇州瑞紅先後(hòu)承擔過(guò)國(guó)家“85公關”項目、科技部創新基金項目、“863”重大專項，國(guó)家級重大專項02項目等，擁有數項國(guó)家發(fā)明專利和高新技術産品，是江蘇省高新技術企業。

甯波江豐電子是國(guó)内知名的電子靶材公司，成(chéng)立于2008年，主營業務爲高純濺射靶材的研發(fā)、生産和銷售，主要産品爲各種(zhǒng)高純濺射靶材，包括鋁靶、钛靶、钽靶、鎢钛靶等，公司産品主要應用于半導體(主要爲超大規模集成(chéng)電路領域)、平闆顯示器及太陽能(néng)電池等領域。

據悉，該公司産品已經(jīng)成(chéng)功地在中芯國(guó)際、台積電、英特爾、格芯、京東方、華星光電等世界主流的半導體、平闆顯示等電子信息産業中批量銷售，并在國(guó)際領先的半導體FinFET（FF+）7nm技術得到量産應用，打破了國(guó)外企業對(duì)靶材産業的長(cháng)期壟斷，結束了我國(guó)依賴進(jìn)口的曆史。

而上海新昇半導體則是重要的矽片供應商，成(chéng)立于2014年，注冊資本7.8億元，新昇半導體的成(chéng)立翻開(kāi)了中國(guó)大陸300mm半導體矽片産業化的新篇章，將(jiāng)徹底打破我國(guó)大尺寸矽材料基本依賴進(jìn)口的局面(miàn)，使我國(guó)基本形成(chéng)完整的半導體産業鏈。帶動全行業整體提升産品能(néng)級，同時也將(jiāng)帶動國(guó)内矽材料配套産業的發(fā)展。

根據官方介紹，新昇半導體第一期目标緻力于在我國(guó)研究、開(kāi)發(fā)适用于40-28nm節點的300mm矽單晶生長(cháng)、矽片加工、外延片制備、矽片分析檢測等矽片産業化成(chéng)套量産工藝；建設300毫米半導體矽片的生産基地，實現300毫米半導體矽片的國(guó)産化，充分滿足我國(guó)極大規模集成(chéng)電路産業對(duì)矽襯底基礎材料的迫切要求。

此次集成(chéng)電路産業4家企業簽約，支持長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設，可謂是強強聯手，無疑將(jiāng)進(jìn)一步提升長(cháng)三角地區集成(chéng)電路産業競争力。

6月4日，北京兆易創新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創新”）披露非公開(kāi)發(fā)行股票發(fā)行結果顯示，公司本次發(fā)行的新增股份已于2020年6月3日在中國(guó)證券登記結算有限責任公司上海分公司辦理完畢登記托管及限售手續。

公告稱，兆易創新本次向(xiàng)新加坡政府投資有限公司 （GIC Private Limited）、葛衛東、畢永生、博時基金管理有限公司、以及青島城投科技發(fā)展有限公司5家發(fā)行對(duì)象共發(fā)行實際發(fā)行數量爲21,219,077股，發(fā)行價格爲203.78元/股，募集資金總額爲4,324,023,511.06元，扣除與發(fā)行有關的費用人民币41,586,055.74元（不含增值稅），實際募集資金淨額爲人民币4,282,437,455.32元。

實際發(fā)行數量爲21,219,077股，發(fā)行價格爲203.78元/股，募集資金總額爲4,324,023,511.06元，扣除與發(fā)行有關的費用人民币41,586,055.74元（不含增值稅），實際募集資金淨額爲人民币4,282,437,455.32元。

本次非公開(kāi)發(fā)行完成(chéng)股份登記後(hòu)，兆易創新前十名股東持股情況如下：

本次發(fā)行完成(chéng)後(hòu)，兆易創新前十名股東情況將(jiāng)發(fā)生改變，其中葛衛東本次獲配736.09萬股，獲配金額15億元，持股比例將(jiāng)從3.06%提升至4.48%，成(chéng)爲兆易創新第五大股東，新加坡政府投資有限公司獲配978.52萬股，獲配金額19.94億元，登記完成(chéng)後(hòu)將(jiāng)成(chéng)爲兆易創新第九大股東，持股比例2.17%。

根據2020年3月3日兆易創新發(fā)布的《兆易創新非公開(kāi)發(fā)行A股股票預案（修訂稿）》等公告，兆易創新此次募集資金淨額42.82億元，將(jiāng)用于DRAM芯片研發(fā)及産業化項目，以及補充流動資金。

其中DRAM芯片研發(fā)及産業化項目方面(miàn)，兆易創新通過(guò)本項目，研發(fā) 1Xnm 級（19nm、17nm）工藝制程下的 DRAM 技術，設計和開(kāi)發(fā) DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。本項目的成(chéng)功實施，有助于公司豐富自身産品線，有效整合産業資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競争力。

兆易創新表示，本次非公開(kāi)發(fā)行完成(chéng)及募集資金投資項目實施完畢後(hòu)，公司將(jiāng)新增對(duì)DRAM産品的銷售，擴大存儲器産品的種(zhǒng)類與規模，存儲器業務闆塊的收入占比將(jiāng)提升，收入構成(chéng)將(jiāng)更加豐富，并能(néng)大幅提高公司的可持續發(fā)展能(néng)力及後(hòu)續發(fā)展空間，爲公司經(jīng)營業績的進(jìn)一步提升提供保證。