盡管日本嚴格管制半導體材料多少都(dōu)會影響三星的芯片、面(miàn)闆研發(fā)、生産，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成(chéng)開(kāi)發(fā)了。
三星在10nm、7nm及5nm節點的進(jìn)度都(dōu)會比台積電要晚一些，導緻台積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星隻搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目标放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量産。
在3nm節點，三星將(jiāng)從FinFET晶體管轉向(xiàng)GAA環繞栅極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之爲3GAE工藝。
根據官方所說，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道(dào)場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能(néng)，主要取代FinFET晶體管技術。
此外，MBCFET技術還(hái)能(néng)兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生産。
在這(zhè)次的日本SFF會議上，三星還(hái)公布了3nm工藝的具體指标，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將(jiāng)核心面(miàn)積減少45%，功耗降低50%，性能(néng)提升35%。
在工藝進(jìn)度上，三星今年4月份已經(jīng)在韓國(guó)華城的S3 Line工廠生産7nm芯片，今年内完成(chéng)4nm工藝開(kāi)發(fā)，2020年完成(chéng)3nm工藝開(kāi)發(fā)。