日韓貿易戰加劇，日本管制關鍵高純度氟化氫等應用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接打亂三星沖刺7納米以下先進(jìn)制程布局，預料受原料管制趨嚴下，三星要藉沖刺先制程搶食台積電晶圓代工大餅的難度大增，并加速台積電拉大和三星差距。
日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關鍵半導體原料輸韓，雖然南韓半導體廠仍可透過(guò)專案審查程序申請，但進(jìn)口時程將(jiāng)由過(guò)去簡化程序拉長(cháng)至90天（專案審查期），包括三星和SK海力士除均對(duì)外收購既有三項原料存貨外，也透過(guò)專案申請、加速他廠認證雙管齊下，希望將(jiāng)沖擊降至最低。
半導體業者表示，由于目前三星和SK海力士存儲器庫存仍高，日本管制光阻劑等三項半導體原料輸韓，韓廠可將(jiāng)生産快閃存儲器（Flash）的原料轉去支援利潤較高的DRAM，并趁機擡高價格、消化庫存，對(duì)三星和全球DRAM供給，短期還(hái)不會構成(chéng)太大影響。
不過(guò)，日本廠商生産用于先進(jìn)制程的高純度氟化氫，目前替代廠商占比極低，將(jiāng)直接沖擊三星在半導體先進(jìn)制程布局。
據了解，三星稍早也曾透過(guò)中國(guó)台灣廠商轉手賣給三星，不過(guò)台廠擔心台韓出口高純度氟化氫，將(jiāng)遭日本原廠發(fā)現異常，拒絕這(zhè)項交易，讓三星吃到閉門羹。
高純度氟化氫是在采用極紫外光（EUV）進(jìn)行光罩制程時，要讓積體電路精準對(duì)位的蝕刻材料，而三星也靠着7納米制程導入EUV微影設備并成(chéng)功搶下高通和輝達等前往下單的重要利器。
如今日本管制這(zhè)項原料輸韓，雖然三星正自行生産這(zhè)項關鍵化學(xué)品，但這(zhè)又等于讓制程良率增添變數，而且三星也是領先全球把EUV設備導入生産更先進(jìn)的DRAM産品的大廠。
半導體業者分析，三星發(fā)展7納米以下制程受阻，未來要追趕台積電，得花費更大的财力和物力 ，日韓貿易戰其實反而助攻台積電拉大和三星差距。