DRAM第一季度價格回暖，“存儲三雄”三星、美光、海力士圍繞DRAM的新一輪競争已經(jīng)開(kāi)始。三星將(jiāng)EUV導入DRAM，DDR5及LPDDR5等新産品的崛起(qǐ)，透露哪些叠代趨勢?在寒意猶存的第二季度，三大内存企業的産能(néng)布局有什麼(me)側重點，聚焦哪些市場方向(xiàng)?
DRAM邁向(xiàng)EUV時代
三星于近期宣布，已經(jīng)成(chéng)功出貨了一百萬個基于EUV技術的10nm級(D1x)DDR4模塊，成(chéng)爲首個在DRAM生産中使用EUV的企業。目前三星的EUV DDR4模塊已經(jīng)完成(chéng)了全球範圍的客戶評估，將(jiāng)爲高端PC、手機、企業服務器、大數據等應用使用更先進(jìn)的EUV技術開(kāi)啓大門。
EUV光刻是邏輯IC 7nm及以下制程的關鍵技術，能(néng)夠提升産能(néng)，降低單片生産成(chéng)本。EUV波長(cháng)僅爲13.5nm，遠遠小于DUV光刻機的193nm，能(néng)實現更高的分辨率，打造更小更快的芯片。台積電的7nm加強版N7+以及後(hòu)續的6nm、5nm、3nm工藝都(dōu)將(jiāng)使用EUV設備，三星也從7nm節點開(kāi)始使用EUV設備并將(jiāng)一直沿用到3nm工藝的開(kāi)發(fā)。
三星首度在DRAM生産引入EUV，既有利于降低生産成(chéng)本，也有利于提升差異化競争能(néng)力。集邦咨詢在文字答複記者采訪時表示，DRAM進(jìn)入10nm級時代，制程所需的光罩數越來越高，EUV可有效減少光罩數量來壓低成(chéng)本。随着DRAM向(xiàng)更先進(jìn)的節點發(fā)展，EUV會變成(chéng)不可或缺的工具，不過(guò)現階段供應商仍處于試産階段，達到較高的經(jīng)濟效益才會將(jiāng)EUV導入量産。
行業分析師黃陽棋向(xiàng)記者指出，從技術必要性來看，當前DRAM先進(jìn)節點爲1Znm(第三代10nm等級制造工藝)，即使再進(jìn)步兩(liǎng)代依舊沒(méi)有必須使用EUV的要求。但是三星宣稱EUV能(néng)夠使生産效率翻倍，從而大幅降低成(chéng)本，使得其他廠商必須跟進(jìn)，否則將(jiāng)在競争中處于劣勢。在未來DRAM競争中，EUV是一個必須的選項，這(zhè)是市場競争的結果。
海力士也注意到EUV對(duì)DRAM的重要性。2019年10月，海力士在聲明中稱，爲滿足微型化電子設備及存儲單元對(duì)大容量、高密度數據存儲的需求，導入EUV勢在必行，海力士在韓國(guó)利川的M16工廠有望爲EUV設備設立單獨區域。海力士預計，EUV將(jiāng)在2020年部分用于1Ynm(第二代10nm等級制造工藝)及以下DRAM的生産。
美光則在第一季度财報中指出，其在中國(guó)台灣生産基地的淨室已經(jīng)具備EUV能(néng)力。
除了制程技術，海力士、美光還(hái)聚焦封裝方案創新。海力士與科技公司Xperi旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術授權協議，獲得DBI Ultra 2.5D/3D互連技術授權，該技術通過(guò)化學(xué)鍵而非銅柱實現芯片互聯，能(néng)實現16層堆疊，顯著提升帶寬和存儲密度。美光的uMCP封裝方案將(jiāng)低功耗DRAM芯片與NAND芯片以及其主控相結合，與雙芯片解決方案相比節省40%空間，目前已經(jīng)送樣。
LPDDR5引領新一輪産品競争
今年2月，美光宣布交付全球首款LPDDR5(低功耗DDR5)DRAM芯片。小米創始人兼董事(shì)長(cháng)雷軍表示，小米10全線采用LPDDR5内存，供應商爲美光和三星。根據美光提供的參數，LPDDR5相較LPDDR4整機省電5%～10%，續航延長(cháng)5%～10%。在小米采用LPDDR5的實測結果中，LPDDR5綜合場景下較LPDDR4續航提升約10%，遊戲場景(王者榮耀)省電約20%，微信語音和視頻場景省電約10%。
在美光宣布小米將(jiāng)搭載其首款量産的LPDDR5後(hòu)僅4個小時，努比亞創始人兼總裁倪飛在社交賬号宣布紅魔5G全系列标配LPDDR5，配圖爲三星LPDDR5産品圖。兩(liǎng)天後(hòu)，Realme副總裁徐起(qǐ)宣布realme真我X50 Pro全系标配三星LPDDR5。
小米10系列和realme真我X50 Pro的LPDDR5内存最高爲12GB，不過(guò)消費者有望在下半年見到搭載16GB LPDDR5的手機。今年2月，三星宣布面(miàn)向(xiàng)下一代高端手機的16 GB LPDDR5開(kāi)始量産，數據傳輸速率達到5500Mb/s，是LPDDR4X版本的1.3倍。相比8GB LPDDR4， 16GB LPDDR5能(néng)降低20%的功耗并提供兩(liǎng)倍的性能(néng)。三星計劃在平澤工廠繼續擴産LPDDR5，并在第二季度規模量産基于第三代10nm工藝的16GB LPDDR5。美光科技移動産品事(shì)業部市場副總裁Christopher Moore也表示，預計2020年下半年就會出現16GB内存的手機，美光已經(jīng)接到很多16GB内存需求。
相比LPDDR5，DDR5的規模量産和應用步伐稍緩，但領軍内存企業都(dōu)在加緊布局。海力士計劃今年量産DDR5，三星計劃2021年基于D1a工藝大規模量産DDR5，美光1Znm制程的 DDR5 寄存型 DIMM (RDIMM) 已開(kāi)始出樣。據悉，海力士DDR5内存頻率最高達8400MHz，單顆最大内存容量爲64GB，相比DDR4帶寬翻倍。集邦咨詢向(xiàng)記者表示，DDR5的進(jìn)程比LPDDR5更晚，主要應用場景以計算機、服務器産品爲主，但需要配合主流CPU的規格，預計到2021年的下半年才能(néng)在市場上看到一定數量的産品。
産能(néng)向(xiàng)先進(jìn)制程和新産品傾斜
2019年，内存價格經(jīng)曆至暗時刻。三星2019年盈利較2018年下降52.8%，海力士2019年盈利同比下降87%，美光同比下降23%。集邦咨詢向(xiàng)記者表示，在産能(néng)擴增放緩的情況下，三大DRAM供應商今年的發(fā)展方向(xiàng)爲持續朝向(xiàng)1Y、1Znm制程做轉換。在比拼技術的同時，也要比拼産品質量、良率和轉換進(jìn)度。
海力士計劃2020年重點提升1Ynm DRAM産量。海力士首席技術官Jin-seok Cha表示，海力士今年的投資會聚焦在向(xiàng)1Ynm的技術遷移以及96層和128層NAND，采用1Ynm的DRAM占比將(jiāng)提升40%。1Znm也將(jiāng)于年内正式投入批量生産。
三星也將(jiāng)爲新産品建立産線。爲了更好(hǎo)地滿足市場對(duì)下一代DDR5及LPDDR5 DRAM不斷增長(cháng)的需求，三星除導入EUV技術，還(hái)將(jiāng)于今年下半年在韓國(guó)平澤市建立第二條半導體産線。
美光則跟據市場需求調整産能(néng)結構。美光在第二季度财報指出，受新冠肺炎疫情影響，遠程辦公、遊戲、宅經(jīng)濟導緻數據中心DRAM需求走高，随之上升的需求還(hái)有筆記本電腦，手機和個人電子設備的DRAM需求則低于預期。美光表示，對(duì)DRAM和SSD的供應將(jiāng)更多從智能(néng)手機轉移到數據中心市場。黃陽棋表示，今年手機内存原本預計會有随着5G換機所帶來的高速增長(cháng)，但由于受到疫情影響，手機出貨量不及預期，也會影響到内存行業全年的增長(cháng)不及預期。服務器將(jiāng)會是今年内存增長(cháng)的主要動力。
