3月10日，陝西省發(fā)改委正式發(fā)布2020年省級重點項目計劃，确定實施600個省級重點項目，其中續建項目312個、新開(kāi)工項目188個、前期項目100個，項目總投資3.4萬億元。
根據陝西省2020年省級重點項目計劃名單，三星12英寸閃存芯片一階段（二期）、西安奕斯偉矽産業基地（一期）、華天集成(chéng)電路封裝及測試技術改造等入列續建項目，三星（西安）12英寸閃存芯片（二期）二階段入列新開(kāi)工項目，鹹陽8-12吋晶圓生産線入列前期項目。
媒體報道(dào)稱，2012年三星落戶西安，一期項目已于2014年建成(chéng)投産，二期項目分爲兩(liǎng)個階段，其中第一階段于2018年新建，預計將(jiāng)在今年3月竣工投産，3月10日消息顯示第一階段項目産品下線上市；第二階段于2019年12月正式啓動，預計將(jiāng)于2021年下半年竣工。
12月18日，2019西安集成(chéng)電路産業峰會舉行。會上，國(guó)微集團(深圳)有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、陝西半導體先導技術中心、西安莫貝克半導體科技有限公司等進(jìn)行簽約，同時紫光展銳絲路研究所和國(guó)微西安研發(fā)中心揭牌。
衆所周知，集成(chéng)電路産業是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展的戰略性、基礎性和先導性産業，是現代信息技術産業的核心和基礎。而西安市作爲我國(guó)集成(chéng)電路教育科研重鎮，以及重要的半導體人才培養基地和人才輸出基地。已經(jīng)成(chéng)功引進(jìn)了三星、應用材料、美光、中興、華爲等一大批知名的企業入駐西安，産業鏈進(jìn)一步完善，工藝水平不斷提升，形成(chéng)了輻射帶動效應，帶動了集成(chéng)電路産業的發(fā)展。
值得注意的是，就在12月10日，西安三星電子閃存芯片項目再次取得重要突破，二期第二階段80億美元投資正式啓動。二期項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)新增産能(néng)每月13萬片，新增産值300億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成(chéng)爲全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。
西安市副市長(cháng)強曉安指出，近年來，西安大力發(fā)展集成(chéng)電路及其關聯産業，從2012年至今，西安集成(chéng)電路産業複合增長(cháng)率超過(guò)30%，産業規模排名位居全國(guó)第5，已成(chéng)爲我國(guó)集成(chéng)電路産業發(fā)展的重要增長(cháng)極。
強曉安還(hái)表示，目前西安市擁有集成(chéng)電路企業及相關科研機構200餘家，産品涵蓋通信、物聯網、衛星導航、消費類電子等衆多領域，已形成(chéng)制造業快速發(fā)展、設計業與封裝測試業協調聯動的産業發(fā)展格局。
第三季度全球NAND閃存市場明顯複蘇，三星、铠俠（原東芝存儲）、美光等主要存儲廠商的出貨量均有較大幅度增長(cháng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競争卡位，以期在新一輪市場競争中占據有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將(jiāng)NAND閃存的堆疊之争推進(jìn)到了新的層級。
市場回暖，閃存業現10.2%正增長(cháng)
受益于年底購物季到來，消費電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫存被逐漸消化，NAND閃存持續一年有餘的市場寒冬終于在第三季度開(kāi)始轉暖。根據集邦咨詢的調查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長(cháng)，增長(cháng)率接近15%，營業收入平均增長(cháng)10.2%，達到約119億美元。
幾家存儲大廠營業狀況也表現良好(hǎo)。三星第三季度出貨量比第二季度增長(cháng)10%，由于庫存水位表現平穩，因此産品銷售單價跌幅也收斂到5%，營收達到39.87億美元，比第二季度增長(cháng)5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長(cháng)40%，第三季度出貨量略有放緩，環比減少了1%，但是因爲銷售價格穩定，因此整體營收也比較穩定，達11.46億美元，環比增長(cháng)3.5%。至于铠俠雖然此前的四日市工廠斷電事(shì)故餘波仍在，但在整個大市轉暖的影響下，營收達到22.27億美元，季增長(cháng)14.3%。西部數據第三季度出貨量環比增長(cháng)9%，營收達16.32億美元，環比增長(cháng)8.4%。美光第三季度收入增長(cháng)4.7%，達15.3億美元。
總之，在年底銷售旺季的推動下，加上對(duì)庫存的消化，NAND市場已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向(xiàng)好(hǎo)的方向(xiàng)發(fā)展。集邦咨詢在對(duì)第四季度展望中表示，旺季市場需求回溫將(jiāng)有助于各供應商獲利表現的改善。
技術之争升級，3D NAND上看128層
技術升級一向(xiàng)是存儲芯片公司間競争的主要策略。随着存儲市場由弱轉強，處于新舊轉換的節點，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術工藝的推進(jìn)力度，以圖通過(guò)新舊世代的産品交替克服危機，并在新一輪市場競争中占據有利地位。目前來看，NAND閃存的技術工藝之争已經(jīng)推進(jìn)到了128層。
10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構，采用128層工藝，預計2020年開(kāi)始商用。在“Mircon Insight2019”技術大會上，美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將(jiāng)大大降低産品每比特成(chéng)本。
SK海力士也在11月宣布開(kāi)始出樣128層3D NAND閃存産品，該産品不久將(jiāng)開(kāi)始出現在最終用戶設備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND産品。
相比而言，三星的動作更快。今年8月，三星即宣布推出首個100+層的新一代3D NAND閃存。 據三星介紹，該産品采用“通道(dào)孔蝕刻”技術，使前代96層的堆疊架構增加了約40%的存儲單元。同時，三星還(hái)優化了電路設計，使其可實現最快的數據傳輸速度，寫入操作的數據傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。
從進(jìn)度表來看，128層3D NAND需要到明年才能(néng)大量進(jìn)入企業存儲市場，逐漸成(chéng)爲主流。但是從此亦可看出，存儲廠商間的新一輪技術升級之争亦將(jiāng)變得更加激烈。半導體專家莫大康指出，存儲芯片具有高度标準化的特性，且品種(zhǒng)單一，較難實現産品的差異化。這(zhè)導緻各廠商需要在工藝技術和生産規模上比拼競争力。因此，每當市場格局出現新舊轉換時，廠商往往打出技術牌，以期通過(guò)新舊世代産品的改變，提高産品密度，降低制造成(chéng)本，取得競争優勢。
追趕國(guó)際水平，量産能(néng)力是關鍵
相比國(guó)際先進(jìn)水平，中國(guó)存儲業有多大差距呢？今年9月，長(cháng)江存儲宣布量産64層3D NAND。長(cháng)江存儲表示，未來將(jiāng)擴大産量，但并沒(méi)有發(fā)布具體擴産計劃。有業内人士預估，到明年年底晶圓産量將(jiāng)達到每月6萬片的規模，約可占全球産量的5%。
在市場方面(miàn)，紫光旗下的新華三集團表示將(jiāng)引入紫光存儲SSD的産品，應用于其企業級服務器産品中。另有消息人士稱，長(cháng)江存儲的NAND閃存已接到其他部分知名企業的訂單，如聯想計劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。
盡管有所進(jìn)展，但中國(guó)存儲産業仍然弱小。莫大康認爲，表面(miàn)來看，國(guó)内企業64層3D NAND與國(guó)際大廠128層僅相差兩(liǎng)代。實際的差距卻并不止此。考量因素不僅包括技術的開(kāi)發(fā)、量産工藝的精進(jìn)、成(chéng)品率的提升，也包括市場占有率的擴大等。2020年年底産能(néng)能(néng)否達到量産6萬片/月十分關鍵，是否能(néng)在産能(néng)提升的同時提高成(chéng)品率，産能(néng)爬坡速度對(duì)企業來說是一個痛點。
技術上從2D到3D的改變，對(duì)中國(guó)存儲業來說是一個難得的發(fā)展機遇，但是如何抓住這(zhè)個機遇仍具挑戰。國(guó)外資深半導體分析師Mark Li表示：“未來12個月將(jiāng)是關鍵時期。”
第三季度全球NAND閃存市場明顯複蘇，三星、铠俠（原東芝存儲）、美光等主要存儲廠商的出貨量均有較大幅度增長(cháng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競争卡位，以期在新一輪市場競争中占據有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將(jiāng)NAND閃存的堆疊之争推進(jìn)到了新的層級。
市場回暖，閃存業現10.2%正增長(cháng)
受益于年底購物季到來，消費電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫存被逐漸消化，NAND閃存持續一年有餘的市場寒冬終于在第三季度開(kāi)始轉暖。根據集邦咨詢的調查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長(cháng)，增長(cháng)率接近15%，營業收入平均增長(cháng)10.2%，達到約119億美元。
幾家存儲大廠營業狀況也表現良好(hǎo)。三星第三季度出貨量比第二季度增長(cháng)10%，由于庫存水位表現平穩，因此産品銷售單價跌幅也收斂到5%，營收達到39.87億美元，比第二季度增長(cháng)5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長(cháng)40%，第三季度出貨量略有放緩，環比減少了1%，但是因爲銷售價格穩定，因此整體營收也比較穩定，達11.46億美元，環比增長(cháng)3.5%。至于铠俠雖然此前的四日市工廠斷電事(shì)故餘波仍在，但在整個大市轉暖的影響下，營收達到22.27億美元，季增長(cháng)14.3%。西部數據第三季度出貨量環比增長(cháng)9%，營收達16.32億美元，環比增長(cháng)8.4%。美光第三季度收入增長(cháng)4.7%，達15.3億美元。
總之，在年底銷售旺季的推動下，加上對(duì)庫存的消化，NAND市場已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向(xiàng)好(hǎo)的方向(xiàng)發(fā)展。集邦咨詢在對(duì)第四季度展望中表示，旺季市場需求回溫將(jiāng)有助于各供應商獲利表現的改善。
技術之争升級，3D NAND上看128層
技術升級一向(xiàng)是存儲芯片公司間競争的主要策略。随着存儲市場由弱轉強，處于新舊轉換的節點，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術工藝的推進(jìn)力度，以圖通過(guò)新舊世代的産品交替克服危機，并在新一輪市場競争中占據有利地位。目前來看，NAND閃存的技術工藝之争已經(jīng)推進(jìn)到了128層。
10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構，采用128層工藝，預計2020年開(kāi)始商用。在“Mircon Insight2019”技術大會上，美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將(jiāng)大大降低産品每比特成(chéng)本。
SK海力士也在11月宣布開(kāi)始出樣128層3D NAND閃存産品，該産品不久將(jiāng)開(kāi)始出現在最終用戶設備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND産品。
相比而言，三星的動作更快。今年8月，三星即宣布推出首個100+層的新一代3D NAND閃存。 據三星介紹，該産品采用“通道(dào)孔蝕刻”技術，使前代96層的堆疊架構增加了約40%的存儲單元。同時，三星還(hái)優化了電路設計，使其可實現最快的數據傳輸速度，寫入操作的數據傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。
從進(jìn)度表來看，128層3D NAND需要到明年才能(néng)大量進(jìn)入企業存儲市場，逐漸成(chéng)爲主流。但是從此亦可看出，存儲廠商間的新一輪技術升級之争亦將(jiāng)變得更加激烈。半導體專家莫大康指出，存儲芯片具有高度标準化的特性，且品種(zhǒng)單一，較難實現産品的差異化。這(zhè)導緻各廠商需要在工藝技術和生産規模上比拼競争力。因此，每當市場格局出現新舊轉換時，廠商往往打出技術牌，以期通過(guò)新舊世代産品的改變，提高産品密度，降低制造成(chéng)本，取得競争優勢。
追趕國(guó)際水平，量産能(néng)力是關鍵
相比國(guó)際先進(jìn)水平，中國(guó)存儲業有多大差距呢？今年9月，長(cháng)江存儲宣布量産64層3D NAND。長(cháng)江存儲表示，未來將(jiāng)擴大産量，但并沒(méi)有發(fā)布具體擴産計劃。有業内人士預估，到明年年底晶圓産量將(jiāng)達到每月6萬片的規模，約可占全球産量的5%。
在市場方面(miàn)，紫光旗下的新華三集團表示將(jiāng)引入紫光存儲SSD的産品，應用于其企業級服務器産品中。另有消息人士稱，長(cháng)江存儲的NAND閃存已接到其他部分知名企業的訂單，如聯想計劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。
盡管有所進(jìn)展，但中國(guó)存儲産業仍然弱小。莫大康認爲，表面(miàn)來看，國(guó)内企業64層3D NAND與國(guó)際大廠128層僅相差兩(liǎng)代。實際的差距卻并不止此。考量因素不僅包括技術的開(kāi)發(fā)、量産工藝的精進(jìn)、成(chéng)品率的提升，也包括市場占有率的擴大等。2020年年底産能(néng)能(néng)否達到量産6萬片/月十分關鍵，是否能(néng)在産能(néng)提升的同時提高成(chéng)品率，産能(néng)爬坡速度對(duì)企業來說是一個痛點。
技術上從2D到3D的改變，對(duì)中國(guó)存儲業來說是一個難得的發(fā)展機遇，但是如何抓住這(zhè)個機遇仍具挑戰。國(guó)外資深半導體分析師Mark Li表示：“未來12個月將(jiāng)是關鍵時期。”
8月27日，兆易創新發(fā)布其2019年上半年業績報告。
公告表示，盡管受到中美貿易摩擦、宏觀經(jīng)濟增速放緩等因素影響，公司經(jīng)營業績自第二季度顯著回暖，第二季度單季實現收入7.45 億元，同比增長(cháng)31.98%；第二季度實現歸屬于上市公司股東的淨利潤1.47億元，同比增長(cháng)1.19%。
綜合2019 年上半年，兆易創新實現營業收入12.02億元，同比增長(cháng)8.63%。淨利潤方面(miàn)，兆易創新表示，由于研發(fā)費用大幅增長(cháng)等原因，2019年上半年歸屬于上市公司股東的淨利潤1.87億元，同比下降20.24%。
兆易創新的主要産品分爲閃存芯片産品、微控制器産品（MCU）以及2019年新增加的指紋傳感器産品。閃存芯片産品主要爲NOR Flash和NAND Flash 兩(liǎng)類，MCU産品主要爲基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU産品，傳感器芯片主要爲智能(néng)移動終端傳感器SoC芯片和解決方案。
存儲方面(miàn)，2019年上半年兆易創新NOR Flash産品累計出貨量已經(jīng)超過(guò)100億顆，NAND Flash産品上，高可靠性的38nm SLC制程産品已穩定量産，并將(jiāng)進(jìn)一步推進(jìn)24nm制程産品進(jìn)程，完善中小容量NAND Flash産品系列及相應eMMC解決方案。
MCU産品，兆易創新累計出貨數量已超過(guò)3億顆，客戶數量超過(guò)2萬家，目前已擁有330餘個産品型号、23個産品系列及11種(zhǒng)不同封裝類型。報告期内，兆易創新高性能(néng)M4 E103系列産品實現量産，并成(chéng)功研發(fā)出全球首顆通用RISC-V MCU GD32V産品系列。
傳感器方面(miàn)，公告稱報告期内，公司積極推進(jìn)與上海思立微電子科技有限公司的整合，實現優勢互補。在光學(xué)指紋傳感器方面(miàn)，積極優化第一代産品并推出超薄産品，并在大面(miàn)積TFT産品上取得階段性進(jìn)展。在MEMS超聲指紋傳感器研發(fā)方面(miàn)也取得了階段性進(jìn)展。
兆易創新還(hái)提及，公司繼續推進(jìn)與合肥産投合作的12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目。2019年4月26日，兆易創新與合肥産投、合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路有限責任公司簽署《可轉股債權投資協議》，約定以可轉股債權方式投資3億元，并繼續研究商讨後(hòu)續出資方案。
8月26日，紫光集團在第二屆中國(guó)國(guó)際智能(néng)産業博覽會上展出了最新的技術和産品，涵蓋存儲芯片、移動芯片、安全芯片等集成(chéng)電路新産品。
其中在芯片領域，紫光集團展示了紫光展銳排名全球AI芯片榜單AI Benchmark榜首的虎贲T710。
在5G技術和物聯網領域，紫光集團展出了紫光展銳首款5G基帶芯片春藤510、以及春藤8908A和春藤5882S等物聯網明星芯片。
而在存儲芯片領域，紫光旗下長(cháng)江存儲的64層3D NAND閃存芯片也首次公開(kāi)展出。
紫光旗下長(cháng)江存儲64層三維閃存晶圓（Source：紫光集團）
此前有消息顯示，長(cháng)江存儲今年年底預計正式量産64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升産能(néng)，預計2020年底可望將(jiāng)産能(néng)提升到月産6萬片晶圓的規模。此外，長(cháng)江存儲也將(jiāng)在2020年生産128層堆棧3D閃存。
按照國(guó)家存儲器基地項目規劃，長(cháng)江存儲預計到2020年形成(chéng)月産能(néng)30萬片的生産規模，到2030年建成(chéng)每月100萬片的産能(néng)。
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日前，深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡稱“江波龍”）與閃存控制芯片廠商深圳市得一微電子有限責任公司（以下簡稱“得一微”）正式達成(chéng)全面(miàn)戰略合作。雙方將(jiāng)以全産品線主控合作爲契機強化協作，通過(guò)資源共享和優勢互補，深入控制芯片定制、提升産品品質，積極參與推動中國(guó)存儲生态發(fā)展。
資源共享、優勢互補，打造行業标杆産品
自2007年起(qǐ)，江波龍就與得一微（前身爲矽格半導體）在U盤、存儲卡領域展開(kāi)合作，并陸續擴展到嵌入式存儲、SATA接口的SSD固态存儲等，不斷深入到各個細分領域。雙方合作十二年，DM主控已在江波龍的客戶群享有一定的品牌美譽度，在此期間，江波龍生産出了第一顆國(guó)産嵌入式模組，得一微也研發(fā)出第一顆可量産的國(guó)産eMMC主控。
多年的合作讓雙方建立起(qǐ)堅實的信任，也對(duì)彼此有了深厚的了解。本次全面(miàn)戰略合作達成(chéng)，將(jiāng)進(jìn)一步發(fā)揮雙方優勢，激發(fā)更大的合作潛力。
開(kāi)放合作、聯合共赢，發(fā)展中國(guó)存儲生态
對(duì)于此次全面(miàn)戰略合作的達成(chéng)和未來的期許，江波龍電子發(fā)言人表示，江波龍電子有幸經(jīng)曆了NAND flash存儲高速發(fā)展的二十年，“死磕”存儲，堅持發(fā)展存儲技術，順應市場變化，爲品牌化運營及國(guó)際化競争打下了堅實的基礎。
得一微電子在閃存控制芯片的研發(fā)實力及一站式服務模式很好(hǎo)地配合了江波龍存儲産品的設計需求，雙方已有十二年合作關系。現江波龍與得一微正式達成(chéng)全面(miàn)戰略合作，不僅將(jiāng)雙方協作深入拓展到各個細分領域，還(hái)將(jiāng)把得一微的底層能(néng)力開(kāi)放給合作夥伴，同企業級客戶共同構建開(kāi)放的生态系統，促進(jìn)産業鏈間密切協作，推動存儲系統升級和存儲生态發(fā)展。
4月12日，爲期三天的Japan IT Week 2019春季第1期在東京Big Sight落下帷幕。Japan IT Week是日本最大的IT技術綜合展，本期展會彙集了全球620家參展企業。作爲參展企業之一，佰維攜全系列工控存儲産品及解決方案隆重亮相該盛會，展示産品涉及工控級SSD，嵌入式芯片，存儲卡、内存以及客制化存儲服務，吸引了衆多觀展人士的關注。
此次展會上，佰維重點針對(duì)工控存儲高性能(néng)、穩定性、安全性、強固型和耐用性五個維度的需求，分别展示了與之相應的技術實現方案。佰維可根據工控客戶需求，“菜單式”搭配産品組合及技術，爲遊戲娛樂、交通運輸、視頻監控、自動化系統、手機平闆、網通産品等不同領域的應用定制理想存儲解決方案。
采用存儲新技術升級性能(néng)
佰維嚴選3D NAND閃存芯片、第四代DDR4-2666高頻内存，采用NVMe高速接口标準。在最初的技術選型階段，便做到優中選優，确保存儲方案的高性能(néng)。
高密度讀寫下保證運行穩定
佰維通過(guò)V-REC調校固件确保高密度讀寫不掉速，端到端的數據保護技術實現數據的完整性，斷電保護避免固件故障，動态溫度調節在支持性能(néng)的同時降低SSD的發(fā)熱……實時監控、調整存儲産品的運行狀态，确保數據讀寫的穩定性。
優化存儲機制提高耐用性
佰維通過(guò)Wear Levelling實現區塊均衡抹寫，垃圾數據回收與TRIM避免無用數據的重複讀寫，pSLC模拟工業級SLC閃存性能(néng)……基于閃存的數據存儲機制，進(jìn)行針對(duì)性的優化，以提升産品的耐用性。
爲工控存儲設立安全“防線”
佰維通過(guò)AES硬件加密保護硬盤數據，寫保護技術防止未經(jīng)授權數據寫入，固件備份以防數據丢失，物理銷毀清除機密數據……同樣基于閃存的數據存儲機制，爲存儲産品預設保護、幹預手段，以保證存儲數據的安全性。
由内而外練就“金鍾罩”
佰維采用底部填充使PCB和芯片之間牢固粘連，采用高強度金屬外殼保護内部元件，定制耐插拔接口穩固物理連接，并通過(guò)三防塗漆、抗硫化、寬溫設計等技術保證産品不受外部環境化學(xué)或物理形式的損害，以滿足方案的強固型需求。
5G通信、無人駕駛和工業物聯網(IIoT)的發(fā)展，引發(fā)傳統應用的革新以及大量新興應用的崛起(qǐ)，龐大的雲計算、邊緣計算對(duì)存儲設備提出了更高的标準和需求。佰維從存儲設備的五個維度切入，可以迅速爲客戶匹配最适合的工控存儲方案。此外，佰維借助先進(jìn)的封裝工藝，以及貫穿生産各個環節的嚴苛測試，充分确保産品的品質。佰維以技術爲動力，以品質爲核心，持續擴大工控存儲市場布局。
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根據韓聯社消息，3月27日，SK海力士在首爾都(dōu)市圈建設半導體集群的計劃獲得批準，這(zhè)得益于政府決定取消該地區的發(fā)展法規。
該項目價值120萬億韓元 (約合1360億美元)。上個月，韓國(guó)貿易、工業和能(néng)源部請求國(guó)土交通運輸部，放松對(duì)該地區工業區總規模的限制。
該規劃將(jiāng)在首爾以南的龍仁市建造4座半導體制造廠，預計將(jiāng)創造約17萬個就業崗位。此外，超過(guò)50家分包商也計劃進(jìn)入集群，爲整個地區的經(jīng)濟注入活力。
韓國(guó)經(jīng)濟部表示，將(jiāng)計劃向(xiàng)SK海力士提供一切必要的支持，以确保投資能(néng)夠及時推進(jìn)。另外還(hái)表示，政府將(jiāng)繼續努力推動來自私人部門的大規模投資項目，尤其是芯片行業這(zhè)類韓國(guó)經(jīng)濟的主要支柱産業。
該集群項目預計將(jiāng)在2021年第三季度進(jìn)行破土動工，預計將(jiāng)于2024年第四季度完成(chéng)。
在芯片集群項目完工之後(hòu)，龍仁市將(jiāng)作爲SK海力士的DRAM和下一代存儲芯片的基地。而位于首爾以南80公裡(lǐ)的利川市將(jiāng)作爲研發(fā)和DRAM中心，距離首都(dōu)137公裡(lǐ)的清州市區將(jiāng)成(chéng)爲其NAND閃存芯片中心。
三星電子兩(liǎng)年來首次季度盈利下滑某種(zhǒng)程度上正式宣告了爲期兩(liǎng)年的芯片超級周期的結束。
全球最大的芯片和智能(néng)型手機制造商三星電子周二稱，公司 2018 年最後(hòu)三個月的營業利潤爲 10.8 兆韓元 (合 96.5 億美元)，年增率下降 28.7%，較第第三季 17.5 兆韓元的創紀錄高點下降 38.5%。第第四季銷售額估計爲 59 兆韓元，年增率下降 10.6%。這(zhè)是公司 2 年來首次季度盈利下滑。
三星不是唯一一家因芯片超級周期結束而盈利受損的公司。此前，儲存芯片巨頭鎂光季度銷售及利潤皆大幅低于市場預期，公司稱整個儲存芯片行業産出（包括三星 SK 海力士）大大超出市場需求，其將(jiāng)采取果斷行動，減産穩價格。 而三星更是發(fā)出警告，稱持續兩(liǎng)年的行業景氣周期已經(jīng)到頭。
儲存芯片此前經(jīng)曆了 2 年的景氣行業。從 2016 年下半年開(kāi)始，全球儲存芯片進(jìn)入了新一輪的旺季，DRAM、NAND 價格從那時候起(qǐ)大幅上漲，一直持續到 2018 年。
這(zhè)其中，智能(néng)型手機儲存容量增大（内存軍備競賽）、AI 人工智能(néng)、無人車、機器學(xué)習、深度學(xué)習等新興技術對(duì)于儲存芯片的額外需求預期（AI 訓練對(duì)内存、閃存的需求量都(dōu)會大幅增加）是本輪上行周期背後(hòu)的重要推手。
從芯片周期角度而言，上次行業經(jīng)曆如此程度的暴跌還(hái)要追溯到 2015 年。但本輪下跌與 2015 年又有所不同。
在 2015 年，對(duì)于需求端疲弱的擔憂主導了上輪儲存芯片的大幅回調。2015 年是智能(néng)型手機高增長(cháng)期的分水嶺——自 2010 年開(kāi)啓的智能(néng)型手機高增長(cháng)期基本結束。而當年蘋果 iPhone 也處于周期的低點，銷量放緩加劇市場的恐慌情緒。
而本輪下跌則是需求不振疊加産量過(guò)剩。貿易沖突則加劇了市場的恐慌情緒。
在需求端方面(miàn)，新的智能(néng)型手機硬件規格難以吸引換機需求（以蘋果爲代表）、消費級的 PC 市場由于 Intel CPU 的供貨不足出貨不振。而諸如 AI、無人車等新興技術則由于技術限制，大規模場景應用還(hái)需時日，市場期望需求放緩。
而在供應端方面(miàn)，新技術的良品率提高及産能(néng)的擴充使得市場供大于求：64/72 層 3D NAND 的良品率和産能(néng)增長(cháng)使得供應大幅攀升，野村證券預測閃存芯片供應將(jiāng)增長(cháng) 40% 到 50%；DRAM 1X/1Y 制程的比重持續增加和良品率的穩定提升使得 DRAM 整體供應有望增長(cháng) 22%。
摩根士丹利研究認爲，從半導體周期曆史角度，市場通常經(jīng)曆 4-8 個季度下行周期，然後(hòu)再經(jīng)曆 4-9 個的上行周期。
鑒于 DRAM 合約價格已經(jīng)在 2017 年 9 月見頂，摩根士丹利認爲本輪下行周期已經(jīng)進(jìn)行了一半。整體下行趨勢在未來的 2-3 個季度裡(lǐ)還(hái)將(jiāng)繼續持續。這(zhè)將(jiāng)導緻相關公司的營收繼續下滑。
這(zhè)意味着至少要到 2019 年年中才能(néng)有望看到複甦的迹象。而随着未來經(jīng)濟增長(cháng)的放緩，去兩(liǎng)年推動該行業發(fā)展的超常增長(cháng)因素在下一個上升周期可能(néng)不會那麼(me)強勁。
