在先進(jìn)制程的發(fā)展上，台積電與三星一直有着激烈的競争。雖然，台積電已經(jīng)宣布將(jiāng)在 2020 年正式量産 5 納米制程。不過(guò)，三星也不甘示弱，預計透過(guò)新技術的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的産品。根據三星表示，其將(jiāng)推出的 3 納米制程産品將(jiāng)比當前的 7 納米制程産品效能(néng)提升 35%，能(néng)耗也再降低 50%，而且芯片的面(miàn)積也再減少 45%。
根據外媒報導，三星 14 日于美國(guó)加州所舉辦的晶圓制造論壇 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，目前三星正在開(kāi)發(fā)一項名爲 ｢環繞栅極 (gate all around，GAA) ｣ 的技術，這(zhè)個被稱爲當前 FinFET 技術進(jìn)化版的生産技術，能(néng)夠對(duì)芯片核心的晶體管進(jìn)行重新設計和改造，使其更小更快。三星指出，預計 2021 年透過(guò)這(zhè)項技術所推出的 3 納米制程技術，將(jiāng)能(néng)使得三星在先進(jìn)制程方面(miàn)與台積電及英特爾進(jìn)行抗衡，甚至超越。而且，能(néng)夠解決芯片制造縮小過(guò)程中所帶來的工程難題，以延續摩爾定律的持續發(fā)展。
而根據國(guó)際商業戰略咨詢公司 (International Business Strategies) 執行長(cháng) Handel Jones 表示，目前三星正透過(guò)強大的材料研究讓晶圓制造技術獲得發(fā)展。而在 GAA 的技術發(fā)展上，三星大約領先台積電 1 年的時間，而英特爾封面(miàn)則是落後(hòu)三星 2 到 3 年。三星也強調，GAA 技術的發(fā)展能(néng)夠期待未來有更好(hǎo)的圖形技術，人工智能(néng)及其他運算的進(jìn)步，以确保未來包括智能(néng)型手機、手表、汽車、以及智慧家庭産品都(dōu)能(néng)夠有更好(hǎo)的效能(néng)。
事(shì)實上，之前三星就宣布將(jiāng)在未來 10 年内投資1,160 億美元來發(fā)展非存儲器項目的半導體産業，以成(chéng)爲未來全球的半導體産業霸主。其中，透過(guò) GAA 技術發(fā)展的 3 納米制程技術就是其中重要的關鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台積電客戶的青睐，以獲取更多晶圓生産上的商機。