DRAM存儲器歸檔 - 北京中代科技有限公司

打造國(guó)内最大高端DRAM測試裝備研發(fā)中心深圳再添芯動力

2020年1月19日由中代科技評論關閉

1月18日，深圳航天科創公司與DRAM測試服務企業深圳皇虎、智能(néng)制造高新技術企業光彩凱宜在深圳航天大廈舉行了共建航天DRAM測試裝備研發(fā)中心及測試服務中心項目簽約儀式。

爲把握國(guó)内DRAM測試産業發(fā)展契機，航天科創發(fā)揮國(guó)家級航天科技創新服務平台産業資源集聚優勢，皇虎測試發(fā)揮高端DRAM測試技術儲備優勢，光彩凱宜發(fā)揮智能(néng)制造高端技術優勢，三方攜手共建航天DRAM測試裝備研發(fā)中心及測試服務中心。該項目合作内容涉及設備研發(fā)、測試服務、測試标準、質量标準、股權合作、知識産權、品牌建設等領域。

據介紹，DRAM芯片制造及測試技術在國(guó)家信息産業規劃具有重要地位，該項目合作及實施，有利于填補國(guó)内高端半導體測試裝備研發(fā)空白，可加快半導體産業的國(guó)産化及自主可控進(jìn)程，對(duì)國(guó)家半導體産業戰略升級具有一定意義。

深圳航天科創公司總經(jīng)理李宏表示，未來將(jiāng)投入優勢産業資源，通過(guò)協同創新，力争3–5年内將(jiāng)項目打造成(chéng)國(guó)内最大的高端DRAM測試裝備研發(fā)中心和測試服務中心。

莫大康：不要低估中國(guó)半導體業發(fā)展的決心與韌性

2019年11月28日由中代科技評論關閉

近期中國(guó)半導體業要發(fā)展自己的存儲器，包括DRAM及3D NAND閃存。不過(guò)，對(duì)于中國(guó)存儲器業技術的來源問題，國(guó)外一直存在着質疑。在國(guó)外的邏輯之中，“技術必須向(xiàng)他人購買”。例如1983年三星電子在京畿道(dào)器興地區建成(chéng)首個芯片廠時曾向(xiàng)當時遇到資金問題的美光公司購買64K DRAM技術，然後(hòu)依賴自身的研發(fā)與迅速擴大投資，最終超過(guò)日本而奪得存儲器霸主地位。

但是外國(guó)卻并不希望中國(guó)獲得存儲器技術，如之前紫光試圖花230億美元兼并美光等，但并未達成(chéng)，萬般無奈之下中國(guó)隻能(néng)依靠自己的力量進(jìn)行突破，也隻是讓中國(guó)恢複應有的尊嚴和地位。

中國(guó)發(fā)展存儲器的必要性

首先是必要性，存儲芯片是電子系統的糧倉，數據的載體，關乎數據的安全，其市場規模足夠大，約占半導體總體市場的三分之一。其次是緊迫性，據統計，中國(guó)市場消耗了全球DRAM産值的48%，消耗了全球NAND Flash産值的35%，年進(jìn)口總額高達880億美元，對(duì)外依賴度超過(guò)90%。最後(hòu)是安全性，存儲芯片非常重要，但目前中國(guó)存儲芯片中DRAM、NAND的自給率幾乎爲零。

對(duì)于國(guó)産廠商來說，首先中小容量存儲芯片是其中的一個市場機會。據業内預計，中小容量存儲芯片市場規模將(jiāng)保持在120億-200億美元，其中低容量NAND有60億-100億美元，NOR約30億美元，低容量DRAM約70億美元。

随着物聯網和智能(néng)終端的快速發(fā)展，將(jiāng)不斷擴大對(duì)中小容量存儲芯片的需求，行業格局的演變，因此中國(guó)存儲器業的首要目标可以從中小容量的存儲芯片開(kāi)始，待站穩腳跟之後(hòu)再向(xiàng)高容量存儲芯片邁進(jìn)。

爲什麼(me)外國(guó)不能(néng)理解中國(guó)

外國(guó)站在完全市場化角度來觀察中國(guó)半導體業發(fā)展，可能(néng)是無法理解的，加上其中确有極少數人并不希望中國(guó)半導體業有任何的進(jìn)步。

1)，DRAM及3D NAND閃存是中國(guó)市場需求量最大類芯片，而外國(guó)釆用封鎖，打壓等手段欺壓中國(guó)，如將(jiāng)晉華、華爲等列入實體清單之中，阻止中國(guó)發(fā)展及獲得芯片，所以是被逼無奈的必然結果。

2)，現階段産業發(fā)展必須依靠國(guó)家資金等投入爲主，所以重點在于要加強研發(fā)，積累IP，首先做出産品，然後(hòu)逐漸國(guó)産替代。

3)，存儲器業的特點，它的設計并不難，如NAND閃存基本上有兩(liǎng)種(zhǒng)結構類型，一種(zhǒng)是Floating Gate浮栅式結構，美光，英特爾采用，另一種(zhǒng)是Charge Trap電荷捕獲型結構，在3D NAND閃存中成(chéng)爲主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在内的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結構。

DRAM量産關鍵在于生産線的質量控制以及持續的投資，擴大産能(néng)，最終以數量與價格取勝。而中國(guó)在巨大市場以及國(guó)家資金爲主的支持下發(fā)展，相信一定有能(néng)力自主做出産品，但是困難的是産能(néng)爬坡速度，及在存儲器的下降周期中能(néng)堅持下去。中國(guó)做存儲器在很大程度上試圖滿足部分國(guó)内的需求。

韓國(guó)獨霸存儲器業

以2019 Q2計，在DRAM方面(miàn)，三星市占45%，Hynix市占29%，及在NAND閃存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可見韓國(guó)壟斷全球存儲器業。這(zhè)種(zhǒng)局面(miàn)長(cháng)久下去并不利于産業進(jìn)步。

因此站在美光、東芝等立場它們具有兩(liǎng)重性，一方面(miàn)害怕中國(guó)存儲器業的崛起(qǐ)，動了它們的“奶酪”，然而在另一方面(miàn)，它們也願意希望利用中國(guó)的崛起(qǐ)能(néng)削弱韓國(guó)壟斷的局面(miàn)。所以中國(guó)存儲器業發(fā)展中要充分認識目前的格局，找到适合生存與發(fā)展的支點。

千萬不要低估中國(guó)半導體業的決心與韌性

中國(guó)是全球僅次于美國(guó)的GDP大國(guó)，但絕不是全球第二大半導體強國(guó)，與世界先進(jìn)水平尚有很大差距。據統計，2018年國(guó)産半導體自給率爲15.3%，2019年將(jiāng)可望提升至17%左右，但預計到2023年才可望拉升至20%自給率。

在貿易摩擦的格局下，美國(guó)把中興，華爲，晉華等列入“實體清單”之中，竭力阻礙中國(guó)半導體業的發(fā)展，而存儲器是中國(guó)半導體進(jìn)口金額最大類之一。如與發(fā)展CPU相比較，現階段存儲器作爲中國(guó)半導體業的突破口是合乎理性的。中國(guó)不會謀求存儲器的霸權地位，也不可能(néng)，僅是希望能(néng)部分替代進(jìn)口之用，而且這(zhè)樣的過(guò)程用時不會太短。

另外，中國(guó)發(fā)展半導體業現階段以國(guó)家資金投入爲主，它不是補貼，而是以股權加入，這(zhè)也是唯一可能(néng)的選擇，相比全球其它半導體業者在初始時的路徑是相似的，僅是中國(guó)半導體業已經(jīng)落後(hòu)了近20年。

中國(guó)要發(fā)展自已的半導體業是正确的選擇，也是生存的需要，所以決心是不會動搖的，加上它是集中國(guó)家的力量。觀察上世紀80年代，韓國(guó)半導體能(néng)在存儲器業中的成(chéng)功，後(hòu)來居上，一條非常成(chéng)功的經(jīng)驗，就是持續投資，用虧損和時間最終打敗了競争對(duì)手。因此在國(guó)家資金等支持下，懷疑中國(guó)半導體業發(fā)展的決心與信心是注定要失敗。

顯然中國(guó)半導體業發(fā)展中一定會尊重與保護知識産權，并準備好(hǎo)迎接有關專利糾紛的訴訟，它也是中國(guó)半導體業發(fā)展的必修課之一。

中國(guó)半導體業發(fā)展一定能(néng)取得成(chéng)功，不是空穴來風，而是有充分理由的，一個是中國(guó)擁有全球最大的終端電子市場，而且在不斷增長(cháng)之中，而另一個理由是現階段以國(guó)家資金等投入爲主，有足夠能(néng)力與實力迎接來自各方面(miàn)的挑戰。

中國(guó)半導體業發(fā)展的韌性可以體現在：1)，外國(guó)一直在壓制與打擊中國(guó)半導體業進(jìn)步的同時，與在中國(guó)市場中繼續謀求利益之間調節平衡，不太可能(néng)讓中國(guó)半導體業“徹底停擺”；2)，打擊華爲時，與打擊中興，晉華等大不相同，華爲任正非，它是嘴不硬，事(shì)紮實，讓美過(guò)感覺有些進(jìn)退兩(liǎng)難。所以對(duì)于此次貿易摩擦的複雜性與長(cháng)期性一定要有充分的認識；3)，中國(guó)半導體業發(fā)展不但可能(néng)打亂既有的“平衡格局”，同時對(duì)于全球半導體的增長(cháng)有實質性的推動作用，如中國(guó)可能(néng)成(chéng)爲全球半導體最大的投資地區之一。

結語

中國(guó)半導體業發(fā)展有自身的特點，有優勢方面(miàn)，也有不足之處。在貿易摩擦下需要付出更多的努力與代價。在存儲器業中，對(duì)手已經(jīng)積累20年以上的經(jīng)驗，因此要進(jìn)行突破是不易的，可能(néng)最關鍵是信心不可動搖及要堅持到底。

美國(guó)可以繼續阻擋與壓制我們，但是在全球化的浪潮下是不可能(néng)成(chéng)功的，因爲中國(guó)始終堅持改革開(kāi)放，走全球化合作道(dào)路，任何面(miàn)對(duì)中國(guó)的大市場而不顧，隻可能(néng)是暫時的。同時在貿易摩擦下一定會加速國(guó)産化的推進(jìn)步伐，這(zhè)樣的好(hǎo)時機是千載難逢。盡管中國(guó)半導體業發(fā)展不可能(néng)一帆風順，未來還(hái)可能(néng)會經(jīng)曆一些曲折，要尊重“學(xué)習曲線”的規律，但是相信中國(guó)半導體業最終一定能(néng)夠取得成(chéng)功。

洞見趨勢，把握未來集邦咨詢成(chéng)功舉辦2020存儲産業趨勢峰會

2019年11月27日由中代科技評論關閉

圖：會議現場

本次峰會的議題分别從存儲器的市場供需、技術方向(xiàng)、應用領域等方面(miàn)，對(duì)半導體及存儲産業未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了全方位解讀與剖析，助力存儲産業鏈上下遊企業把握商機，爲行業人士獻上了一場精彩紛呈的産業交流盛宴。

供需關系上，集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮、研究協理陳玠玮等分析認爲，2020年全球存儲市場傳統存儲芯片制造商將(jiāng)繼續維持寡頭壟斷格局，并穩定資本支出試圖使明年市場從現在的供過(guò)于求往供需平衡邁進(jìn)。雖有長(cháng)江存儲、長(cháng)鑫存儲等中國(guó)新的存儲力量開(kāi)始量産3D NAND和DRAM相關存儲芯片參與市場競争，但還(hái)不足以打破目前全球競争格局。晉華集成(chéng)副總經(jīng)理徐征則認爲，三大供應商正在加速利基型DRAM的規格叠代，而随着5G、AI的發(fā)展消費型電子領域有望産生殺手級應用，中國(guó)DRAM業者若能(néng)适時補足需求缺口，將(jiāng)是中國(guó)DRAM業者成(chéng)長(cháng)的好(hǎo)機會。需求上，集邦咨詢DRAMeXchange資深分析劉家豪和分析師葉茂盛表示，計算機和智能(néng)手機將(jiāng)繼續成(chéng)爲存儲器的主要應用市場。此外，AI、IoT和大數據等技術的快速發(fā)展使更多應用帶至雲端，進(jìn)一步催生服務器對(duì)存儲芯片的需求。

技術方向(xiàng)上，郭祚榮認爲明年1X/1Y納米依然是内存市場的主要工藝，1Z納米工藝呈現緩步成(chéng)長(cháng)。芝奇國(guó)際技術行銷總監餘大年則表示，即將(jiāng)問世的DDR5，勢必大幅提升内存速度及容量。閃存方面(miàn)，陳玠玮表示，明年三星、SK海力士等廠商將(jiāng)會量産128層3D NAND Flash，不過(guò)制程轉換過(guò)程中良率提升速度將(jiāng)比之前來得緩慢。在嵌入式産品界面(miàn)方面(miàn)，葉茂盛則認爲，eMMC 5.1已難以負荷5G時代的基本傳輸要求，加上價格的誘因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速滲透。

應用領域上，除了傳統的計算機、服務器等應用之外，明年随着5G商用的快速推進(jìn)，5G智能(néng)手機將(jiāng)逐漸成(chéng)爲市場主流。紫光展銳消費電子産品規劃部部長(cháng)鍾寶星表示，5G大帶寬、海量連接、超低時延的豐富應用場景對(duì)存儲提出了更大容量、更加穩定、更快響應的新要求，而中國(guó)作爲全球最大的智能(néng)手機市場，將(jiāng)成(chéng)爲存儲的先鋒市場。另外，電子競技以及AI+安防等應用領域也將(jiāng)對(duì)存儲器産生極大需求。餘大年就認爲，近年來電競産業在世界各地快速成(chéng)長(cháng)，加上現代電競電腦需要更強大的多任務同步處理能(néng)力及執行高畫質遊戲的性能(néng)，帶動了高速度、高容量存儲産品的需求。宇視科技雲存儲開(kāi)發(fā)部部長(cháng)梁紅偉則表示，AI+安防是人工智能(néng)技術商業落地發(fā)展最快、市場容量最大的主賽道(dào)之一。

最後(hòu)，慧榮科技SSD産品協理黃士德、群聯電子營銷暨項目企劃室項目經(jīng)理呂國(guó)鼎以及集邦拓墣産業研究院分析師徐韶甫分别對(duì)閃存主控芯片行業以及2020年全球晶圓代工産業發(fā)表了看法。在演講嘉賓的精彩分享及參會人士的積極支持下，本次峰會圓滿落幕！集邦咨詢未來仍將(jiāng)提供最新的産業數據與動态，繼續爲推動半導體及存儲産業健康發(fā)展作貢獻！

【關于集邦咨詢】

歡迎掃描下方二維碼或點擊視頻鏈接觀看視頻直播：https://v.zmengzhu.com/play/10050672?i=5357436

DRAM明年市況樂觀南亞科華邦電看俏

2019年11月26日由中代科技評論關閉

DRAM價格經(jīng)過(guò)長(cháng)達一年的下跌後(hòu)，已經(jīng)帶動個人電腦、服務器、智能(néng)手機的單機搭載容量大幅提升，與去年同期相較增加超過(guò)五成(chéng)。美光執行長(cháng)Sanjay Mehrotra已釋出對(duì)明年第一季後(hòu)DRAM市況趨于健康的樂觀看法。法人則看好(hǎo)DRAM明年上半年合約價格止跌回升，有利于南亞科及華邦電獲利明顯好(hǎo)轉。

雖然英特爾中央處理器（CPU）供不應求影響第四季桌機及筆電出貨動能(néng)，所幸超微（AMD）第三代Ryzen處理器推出填充了部份市場缺口。英特爾下半年將(jiāng)主要14納米産能(néng)調撥全力支援資料中心服務器CPU供貨，超微亦推出第二代EPYC處理器搶攻市占。整體而言，第四季個人電腦及服務器市場需求強勁，明年上半年微軟Windows 7停止支援後(hòu)，將(jiāng)再帶動新一波商用電腦換機潮。

在智能(néng)手機市場部份，蘋果iPhone 11系列銷售暢旺，非蘋陣營則全力沖刺明年第一季5G新機量産出貨。由于5G通訊速度快且支援多頻段切換，需要搭載更大的行動式DRAM來協助運算。随着智能(néng)手機第四季開(kāi)始進(jìn)入5G新機世代交替階段，加上5G通訊將(jiāng)刺激物聯網及人工智能(néng)等用戶終端裝置（CPE）應用遍地開(kāi)花，等于增加許多需要搭載高容量DRAM的終端需求。

然而對(duì)DRAM市場來說，價格經(jīng)曆長(cháng)達一年的跌勢，10月底DRAM顆粒合約價隻有去年同期的30～40%左右，但也因爲價格大幅下跌，對(duì)個人電腦或智能(néng)手機的成(chéng)本占比已降至一成(chéng)以下，所以ODM/OEM廠及手機廠反而大幅提升單機搭載容量。

例如筆電去年DRAM模組搭載容量爲4GB，今年普遍來看已增加一倍至8GB；服務器DRAM模組搭載容量亦年增一倍達64GB以上；非蘋陣營中高端智能(néng)手機的行動式DRAM搭載容量則提升五成(chéng)至6～8GB，部份高端機種(zhǒng)搭載容量上看12GB。至于液晶電視及機上盒等消費性電子産品搭載容量亦上看2～4GB。

Sanjay Mehrotra表示，目前DRAM需求增加的速度，比供給增加的速度還(hái)快，供需間已開(kāi)始更加平衡。雖然 DRAM 市場仍有一些超額庫存，但庫存去化速度很快，明年第一季後(hòu)市場對(duì) DRAM 需求將(jiāng)趨于健康，樂觀看待2020年DRAM市況。

法人表示，今年DRAM價格大跌導緻南亞科及華邦電營收表現不如預期，其中南亞科前10月合并營收431.34億元，較去年同期減少42.1%，華邦電前10月合并營收406.40億元，較去年同期減少6.5%。随着DRAM價格在明年上半年止跌回升，看好(hǎo)南亞科及華邦電獲利表現會明顯優于今年。

【更新】2020存儲産業趨勢峰會參會公司名單節選

2019年11月22日由中代科技評論關閉

11月27日，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲産業趨勢峰會（MTS2020）”即將(jiāng)在深圳金茂萬豪酒店隆重召開(kāi)。截止11月21日，本屆峰會參與報名已超千人。

以下爲本屆峰會最新參會企業名單節選（排名不分先後(hòu)）：

【MTS2020溫馨提示】

爲保證峰會質量和各合作夥伴的參會體驗，集邦咨詢不得不抱歉地通知您，本屆峰會報名通道(dào)已經(jīng)關閉，感謝您的關注與支持！

不過(guò)本屆會議的相關信息及演講嘉賓的演講内容將(jiāng)會在TrendFoce集邦、全球半導體觀察等官方微信号上發(fā)布，請您及時關注我們的微信公衆号，非常感謝您的理解，期待您下屆峰會的莅臨！

市場機遇將(jiāng)至這(zhè)幾種(zhǒng)新型存儲器有何優勢？

2019年11月19日由中代科技評論關閉

近年來，DRAM、NAND Flash、Nor Flash已發(fā)展成(chéng)爲全球主流存儲器，但随着這(zhè)些傳統存儲器微縮制程已逼近極限，加上存儲技術發(fā)展進(jìn)步以及終端需求的變化，新型存儲器亦越來越受到市場關注，有的新型存儲器正在迅速發(fā)展壯大，市場成(chéng)長(cháng)速度喜人。

今年5月，集邦咨詢旗下半導體研究中心（DRAMeXchange）報告指出，不論是DRAM或NAND Flash，現有的存儲器解決方案都(dōu)面(miàn)臨着制程持續微縮的物理極限，這(zhè)意味着要持續提升性能(néng)與降低成(chéng)本都(dōu)將(jiāng)更加困難。

DRAMeXchange認爲，次世代存儲器（新型存儲器）與現有解決方案各有優劣，最關鍵的機會點仍是在于價格。展望未來，需求陸續回溫與價格彈性所帶動的庫存回補動能(néng)，可望帶動2020年的現有存儲器價格止跌反彈，讓次世代存儲器解決方案有機會打入市場。

目前英特爾、三星電子、美光等廠商皆已投入發(fā)展新型存儲器。那麼(me)，目前市場上有哪些常見的新型存儲器呢？下面(miàn)將(jiāng)來盤點一下——

PRAM

PRAM（相變存儲器），也有人稱PCM（Phase Change Memory），據悉該存儲器技術是一種(zhǒng)三明治結構，中間是相變層（和光盤材料一樣，GST），這(zhè)種(zhǒng)材料的一個特性是會在晶化（低阻态）和非晶化（高阻态）之間轉變，即利用這(zhè)個高低阻态的變化來實現存儲。與傳統存儲技術相比，PRAM擁有讀寫速度快、耐用性強、非揮發(fā)性等，讀取速度和寫入次數均優于領先于NAND Flash。

據了解，英特爾和三星電子于2006年生産了第一款商用PRAM芯片。2015年，英特爾與美光聯合推出3D XPoint技術，業界認爲該技術基于PRAM并將(jiāng)其歸類于PRAM，該技術同時具備DRAM和NAND的特性，承諾提供類似RAM的動态速度，價格點在DRAM和NAND之間。

英特爾官方介紹稱，3D XPoint的讀寫速度是NAND Flash的1000倍，且使用壽命更長(cháng)。

MRAM

MRAM（磁性存儲器）是一種(zhǒng)非易失性存儲器。據悉，MRAM技術速度接近靜态随機存儲的高速讀取寫入能(néng)力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能(néng)耗遠低于DRAM，且基本上可無限次地重複寫入。

MRAM曾獲得多家産業巨頭的青睐，摩托羅拉的半導體部門、IBM、英飛淩、賽普拉斯、瑞薩、三星電子、SK海力士、美光等均曾陸續投入研發(fā)MRAM的行列。

目前，國(guó)際上有多個國(guó)家和地區的政府及公司巨資投入開(kāi)發(fā)MRAM産品，包括IBM、WD、東芝、三星電子、TDK、Seagate、Headway等。其中，IBM、Eversipin、三星電子爲主要代表企業，從飛思卡爾獨立出來的Everspin據稱爲全球第一家大批量提供商用MRAM産品的企業，GlobalFoundries、台積電、聯電等晶圓代工廠商亦逐步投入嵌入式MRAM生産。

目前，MRAM技術已在向(xiàng)第二代發(fā)展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，STT-MRAM被視爲是可以挑戰DRAM和SRAM的高性能(néng)存儲器，Everspin、三星電子、IBM、Grandis等企業均已涉足。

FRAM

FRAM（鐵電存儲器）學(xué)術名爲FeRAM，業界一般稱其爲FRAM，是一種(zhǒng)非易失性存儲器。采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進(jìn)行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM（隻讀存儲器）和RAM（随機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面(miàn)具有優勢。

據了解，FRAM技術早于1921年被提出，1993年美國(guó)Ramtron公司成(chéng)功開(kāi)發(fā)出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM産品，FRAM存儲器逐漸開(kāi)始商業化，主要供應商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾爲Ramtrom進(jìn)行單體存儲器的量産晶圓代工，2020年雙方終止合作，富士通開(kāi)始獨自開(kāi)發(fā)FRAM并竭力推廣。

ReRAM

ReRAM（阻變存儲器）是一種(zhǒng)非易失性存儲器，通過(guò)向(xiàng)金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，産生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。?其結構非常簡單，兩(liǎng)側電極將(jiāng)金屬氧化物包夾于中間，簡化了制造工藝，同時可實現低功耗和高速重寫等性能(néng)，比較适合可穿戴設備和小型醫療設備市場。

目前富士通、松下、Crossbar、東芝、Elpida、索尼、美光、SK海力士等廠商均在開(kāi)展ReRAM的研究和生産工作。

NRAM

NRAM（碳納米管存儲器）是基于碳納米管的非易失性存儲器，該技術由美國(guó)公司Nantero開(kāi)發(fā)，并授權于富士通爲NRAM的首個商業合作夥伴，富士通從Nantero購買了IP，取得了NRAM的設計、生産和銷售許可。

據介紹，NRAM規格類似或接近于FRAM，存儲密度遠高于FRAM，讀寫速度接近于DRAM，比NAND Flash快100倍，擁有多于Flash 1000倍以上的讀寫次數，存儲信息能(néng)保持更長(cháng)久，待機模式的功耗接近于零，未來生産工藝技術將(jiāng)低于5nm。

小結：

目前，從市場份額上看，傳統存儲器仍占據着絕大部分市場，但随着5G時代到來，帶動物聯網、人工智能(néng)、智慧城市等應用市場發(fā)展并向(xiàng)存儲器提出多樣化需求，加上傳統存儲器市場價格變化等因素，新型存儲器將(jiāng)在市場發(fā)揮越來越重要的作用。

11月27日，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲産業趨勢峰會”即將(jiāng)在深圳舉辦。提前了解2020年存儲市場産能(néng)、價格以及趨勢變化，歡迎識别下圖二維碼或點擊左下角“閱讀原文”報名參會。

紫光集團任命坂本幸雄爲高級副總裁兼日本分公司CEO

2019年11月18日由中代科技評論關閉

2019年11月15日，紫光集團宣布：任命坂本幸雄（Yukio Sakamoto）爲紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO。紫光集團目前是中國(guó)大型集成(chéng)電路領軍企業，坂本幸雄將(jiāng)借助紫光集團的整體優勢，負責拓展紫光在日本市場的業務。

紫光集團董事(shì)長(cháng)兼CEO趙偉國(guó)表示：“對(duì)于以創新驅動快速發(fā)展的紫光集團來說，人才建設尤爲重要。坂本幸雄這(zhè)樣世界級人才的加入無疑將(jiāng)增強紫光集團的創新實力。希望有更多優秀的人才能(néng)夠參與到紫光的發(fā)展大業中來。”趙偉國(guó)同時強調，“坂本幸雄的到來也是紫光全球發(fā)展本地化戰略的體現，我們希望紫光在全球各地的分公司，充分利用本地的人才，更好(hǎo)地服務本地的客戶，并爲本地市場的發(fā)展做出貢獻。”

坂本幸雄表示：“我非常榮幸加入紫光集團，紫光集團近年來的迅猛發(fā)展，以及形成(chéng)的産業優勢是可以一展身手的大舞台。我將(jiāng)利用自己過(guò)往在專業領域的經(jīng)驗，結合紫光的發(fā)展戰略，全力拓展日本市場，并助力紫光的全球化發(fā)展。”

坂本幸雄先生在DRAM領域具有30餘年的從業經(jīng)驗，在技術以及戰略發(fā)展上擁有優秀的領導力。坂本幸雄先生曾任日本德州儀器副社長(cháng)、神戶制鋼電子信息科半導體部門總監理、聯日半導體社長(cháng)兼代表董事(shì)，及爾必達存儲社長(cháng)、代表董事(shì)兼CEO。

北京君正72億元收購案進(jìn)展：通過(guò)CFIUS審查

2019年11月1日由中代科技評論關閉

北京君正作價72億元收購北京矽成(chéng)100%股權交易案日前有了新進(jìn)展。

10月31日，北京君正發(fā)布關于《中國(guó)證監會行政許可項目審查一次反饋意見通知書》回複的公告。公告顯示，北京君正對(duì)中國(guó)證監會的反饋意見提出的共23個問題一一作出了回複，其中包括本次重組的審批事(shì)宜。

北京君正回複稱，美國(guó)CFIUS及中國(guó)台灣投審會審查不屬于本次交易的生效條件，但爲降低本次交易的不确定性，經(jīng)交易各方協商，北京君正和北京矽成(chéng)已就本次交易向(xiàng)CFIUS、台灣投審會提交自願性申報及審查。

根據CFIUS出具的案件審結函、台灣投審會出具的收文印章以及境外律師出具的備忘錄，CFIUS已于10月23日完成(chéng)對(duì)本次交易的安全審查，确認不存在尚未解決的國(guó)家安全擔憂；台灣投審會已于10月18日正式受理ISSI及ISSI Cayman提交的有關ICSI TW及ISSI Cayman台灣分公司上層陸資股東架構變動申請，截至本回複出具日，台灣投審會審查正在進(jìn)展過(guò)程中；台灣投審會陸資案件審查視個案複雜度通常需時3至6個月。

北京君正表示，本次交易的生效除需取得中國(guó)證監會的核準外，不涉及其他境内外有權機構的審批、許可或同意。截至本回複出具日，CFIUS審查已經(jīng)完成(chéng)，台灣投審會審查正在進(jìn)展過(guò)程中，結合境外律師出具的備忘錄，該等審查應不存在可合理預見的實質性障礙；北京君正及北京矽成(chéng)已承諾盡最大努力配合，盡力促使本次交易通過(guò)台灣投審會審查。

根據最新重組報告草案，北京君正及其全資子公司合肥君正拟以發(fā)行股份及支付現金的方式購買屹唐投資、華創芯原、上海瑾矽、民和志威、閃勝創芯、WM、AM、廈門芯華持有的北京矽成(chéng)59.99%股權，以及武嶽峰集電、上海集岑、北京青禾、萬豐投資、承裕投資持有的上海承裕100%财産份額，合計交易作價72億元。

本次收購完成(chéng)後(hòu)，北京君正將(jiāng)直接持有北京矽成(chéng)59.99%股權，并通過(guò)上海承裕間接持有北京矽成(chéng)40.01%股權，即直接及間接合計持有北京矽成(chéng)100%股權。

北京矽成(chéng)于2015年以7.8億美元（按照2018年12月31日人民币彙率中間價6.8632折算約53.7億元人民币）對(duì)美國(guó)納斯達克上市公司ISSI實施私有化收購。ISSI主營各類型高性能(néng) DRAM、SRAM、FLASH存儲芯片及ANALOG模拟芯片的研發(fā)和銷售。

據介紹，ISSI存儲芯片産品在DRAM、SRAM領域保持全球領先地位。第三方機構統計顯示，2014年ISSI的SRAM産品收入在全球SRAM市場中位居第二位，僅次于賽普拉斯；DRAM産品收入在全球DRAM市場中位居第九位。

北京君正指出，ISSI被北京矽成(chéng)私有化後(hòu)，基本維持原模式正常運營，中國(guó)資本股東基本維持原ISSI的核心經(jīng)營管理團隊，在行業排名、産品領域、業績水平方面(miàn)均有所提升。

2019年上半年，北京矽成(chéng)（ISSI）的DRAM 産品收入在全球市場中升至第七位，SRAM産品收入保持在全球SRAM市場中位居第二位；截至2018年12月31日，北京矽成(chéng)收入增長(cháng)48.64%，淨利潤增長(cháng)314.68%，較私有化收購時大幅提高。

在産品領域方面(miàn)，除了原有的主要産品DRAM、SRAM，ISSI同時也在加強FLASH和ANALOG産品的研發(fā)和推廣，近年來上述新産品份額持續增加。此外，北京矽成(chéng)還(hái)在加強LED、Connectivity、 LIN、CAN、MCU及光纖通訊業務領域的拓展。

北京君正表示，本次交易系對(duì)集成(chéng)電路産業同行業公司的産業并購，公司將(jiāng)把自身在處理器芯片領域的優勢與北京矽成(chéng)在存儲器芯片領域的強大競争力相結合，形成(chéng)“處理器+存儲器”的技術和産品格局，積極布局及拓展公司産品在車載電子、工業控制和物聯網領域的應用，使公司在綜合實力、行業地位和核心競争力等方面(miàn)得到有效強化，進(jìn)一步提升公司持續盈利能(néng)力。

SK海力士開(kāi)發(fā)第三代10納米DDR4 DRAM

2019年10月21日由中代科技評論關閉

10月21日，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)适用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

這(zhè)款實現了單一芯片标準内業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能(néng)生産的存儲量也是現存的DRAM内最大。于第二代1Y産品相比，該産品的生産效率提高了27%，并且可以在不适用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生産，結果具有成(chéng)本競争力。

該款1Z納米 DRAM還(hái)穩定支持最高3200Mbps的數據傳輸速率，這(zhè)是DDR4規格内最高速度。功耗也顯着提高，與基于第二代8Gb産品的相同容量模組相比，將(jiāng)功耗降低了約40％。

特别是，第三代産品适用前一代生産工藝中從來沒(méi)使用過(guò)的新材料，將(jiāng)DRAM操作的關鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還(hái)引進(jìn)了新的設計技術，提高了動作穩定性。

DRAM 1Z 開(kāi)發(fā)事(shì)業TF長(cháng) 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于購買高性能(néng)/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年内完成(chéng)批量生産，從明年開(kāi)始正式供應，積極應對(duì)市場需求。”

另一方面(miàn)，SK海力士計劃對(duì)于下一代移動DRAM LPDDR5 和最高端DRAM HBM3等多種(zhǒng)應用領域擴大适用第三代10納米級微細工程技術。

2020年科技産業大預測：半導體産業和存儲器市場將(jiāng)如何發(fā)展？

2019年10月18日由中代科技評論關閉

全球市場研究機構集邦咨詢今日（18日）于台大醫院國(guó)際會議中心，舉辦「2020年集邦拓墣科技産業大預測」。本次研讨會精彩内容節錄如下：

2020年半導體産業發(fā)展契機與挑戰

2019年半導體産業出現10年來最大衰退，産值估計年減約13%。從IC設計、晶圓代工與OSAT三大面(miàn)向(xiàng)觀察，晶圓代工受惠于7納米制程技術發(fā)展與相關産品加速導入市場，較能(néng)抵抗産業逆風帶來的負面(miàn)沖擊。

展望2020年，在5G、AI、車用等需求持續增加與新興終端應用的幫助下，半導體産業將(jiāng)逐漸走出谷底。

而中國(guó)台灣地區晶圓代工與OSAT産業之全球占比超過(guò)5成(chéng)，IC設計産業則位居全球第二，預期在産業複蘇與終端應用日漸多元的趨勢下，台灣地區廠商有望掌握先機，進(jìn)一步鞏固在全球半導體産業的地位。

以AI而言，各大手機芯片供貨商皆聚焦AI算力表現，因此2020年的決勝關鍵，取決于各大芯片廠的AI加速單元，如聯發(fā)科的APU、高通的DSP與華爲的達芬奇等在AI算力的表現以及執行效率高低等。

5G手機應用則是因爲全球手機市場已經(jīng)進(jìn)入成(chéng)熟期，導緻芯片業者的競争加劇，所以收購、投資成(chéng)爲提升芯片方案競争力的必要手段。

車用方面(miàn)，由于2019年未有大廠發(fā)布新一代産品線，加上7納米的良率逐漸提升，2020年7納米是否有機會進(jìn)入車用芯片市場，將(jiāng)是極爲重要的觀察指标。

整體來看，爲了延續摩爾定律，相關業者正努力加快先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)速度，時程規劃也逐漸清晰，預期將(jiāng)持續帶動産業發(fā)展并刺激需求。

IT基礎架構轉型驅動内存市場新紀元

近年因AI技術逐漸成(chéng)熟與智能(néng)終端裝置普及，多數應用服務皆藉由服務器來統合，尤其是需仰賴龐大數據進(jìn)行運算與訓練的應用服務，再加上虛拟化平台及雲儲存技術發(fā)展，服務器需求與日俱增。

此外，在産業結構改變與服務器運算單元大幅進(jìn)步之下，亦將(jiāng)帶動與傳統應用服務截然不同的服務器架構發(fā)展，進(jìn)一步推升服務器的需求。

在雲端架構提供服務的基礎上，終端被賦予的運算能(néng)力相對(duì)薄弱，多是藉由雲端來獲取運算與存儲資源，預期5G商轉後(hòu)數據中心的應用將(jiāng)更多元，帶動微型服務器(Micro Server Node)與邊際運算(Edge Computing)成(chéng)長(cháng)，并將(jiāng)成(chéng)爲2020年後(hòu)的發(fā)展主軸，以實現物聯網與車聯網等應用場景。

受到數據中心的落實驅動，2019年服務器DRAM全年使用量占整體DRAM的三成(chéng)以上，預估2025年在5G相關部署驅動下，更將(jiāng)上升至接近四成(chéng)。

内存市場趨勢及智能(néng)手機發(fā)展解析

2019年全球内存市場呈現供過(guò)于求，供應端在高庫存的壓力下，季度價格不斷探底，全年平均跌幅將(jiāng)近50%，展望2020年，内存市場是否延續此跌勢，備受市場關注。

在整機方面(miàn)，2020年智能(néng)手機的設計主軸除了極緻全屏幕外，屏下指紋辨識及屏下鏡頭的搭載比例提高、内存容量加大，以及後(hòu)攝多鏡頭與提高像素等優化照相表現等，同列明年智能(néng)手機功能(néng)配置的重點。

不過(guò)，最受市場期盼的仍屬5G手機的應用，随着品牌廠的積極研發(fā)，以及中國(guó)大陸政府積極推動5G商轉，預計明年5G手機的滲透率有望從今年的1%，大幅躍升至15%。

終局之戰，談2020年顯示産業競争态勢與曙光

受到需求不振以及面(miàn)闆産能(néng)過(guò)剩的沖擊，大尺寸面(miàn)闆市場正在經(jīng)曆一波不小的低潮。

韓系面(miàn)闆廠陸續棄守TFT-LCD TV面(miàn)闆市場，轉往更高端的OLED TV與QD-OLED TV發(fā)展；台系面(miàn)闆廠則持續往更高端的産品市場移動，兩(liǎng)個區域的廠商都(dōu)試圖減緩中國(guó)面(miàn)闆廠在規模與價格上的競争壓力。

而中國(guó)大陸面(miàn)闆廠在持續擴大産能(néng)下，預期將(jiāng)會逐漸取得TFT-LCD市場的主導權。小尺寸市場中，AMOLED機種(zhǒng)透過(guò)屏下指紋辨識方案的搭載提升産品價值，确立在高端旗艦市場的地位，擠壓了部分的LTPS機種(zhǒng)往中端市場移動。

預期LCD機種(zhǒng)未來隻能(néng)透過(guò)價格策略與成(chéng)本控制，盡可能(néng)确立自身的競争力。展望2020年，在5G、電競等議題的帶動下，預計高刷新率面(miàn)闆將(jiāng)會是手機市場規格的一大新亮點。

Mini LED將(jiāng)成(chéng)爲顯示産業升級的推手

由于Mini LED具備高亮度，加上LED排列間距的微縮，應用在背光顯示器與自發(fā)光顯示器上，將(jiāng)可大幅提升顯示器的細緻度與高對(duì)比度效果。

而Mini LED顯示器與傳統LED的技術落差并不大，差别僅在于使用更多顆Mini LED芯片，因此對(duì)于供應鏈中的LED封裝廠與模組廠來說，隻需要重新投資部分設備，如LED打件轉移及檢測設備等，以及重新設計驅動IC和挑選基闆即可快速與Mini LED接軌，可謂是無痛升級。

Mini LED的導入，將(jiāng)可改善現有背光顯示器（如電視、筆電、monitor、平闆、車用、VR等），以及自發(fā)光的室内商業顯示器等應用的顯示性能(néng)，并提升既有顯示産品的價值。預計2020年將(jiāng)會是Mini LED應用爆發(fā)的年代，預估電視及monitor等中大型的背光顯示器將(jiāng)率先量産，其餘仍須視品牌廠産品策略而定。

展望2020-5G實現商用

随着2020年上半年R16标準完成(chéng)，各國(guó)電信營運商規劃5G網絡除在人口密集的大城市布建之外，亦會擴大服務範圍商用，并有更多5G終端或無線基站等産品問世。

全球通訊産業發(fā)展重點仍爲5G，不論芯片大廠高通、海思、三星與聯發(fā)科等，亦或設備商華爲、Ericsson與Nokia等都(dōu)將(jiāng)推出各種(zhǒng)5G解決方案搶攻市場。

另一方面(miàn)，随着5G SoC制程走向(xiàng)成(chéng)熟，加上5G終端技術與運營商網絡投資，將(jiāng)帶動芯片和終端成(chéng)本下降。初期5G SoC定位在高端手機使用與測試，以期能(néng)快速提升5G手機滲透率。

在企業專網發(fā)展上，各國(guó)由于制度及産業特性不同，因而有不同考慮。但若是以市場利益而言，在各方瞄準5G垂直應用商機之際，垂直産業若能(néng)擁有頻譜又能(néng)自建專網，將(jiāng)更能(néng)符合其産業領域的需求，但亦可能(néng)影響電信運營商的既有布局。電信運營商能(néng)否滿足企業需求，爲應解決的議題。

汽車市場衰退幅度有望縮小，電動化與自動化加速發(fā)展

2020年全球汽車市場總量仍將(jiāng)下滑，但衰退幅度有機會縮小至1.5%，原因在于雖然目前尚未見到主要市場有強大成(chéng)長(cháng)驅動力，但持續兩(liǎng)年的中美貿易戰在企業逐漸适應并拟出對(duì)策後(hòu)，沖擊力道(dào)逐步減輕。即便車市短期内仍處逆風，但電動化和自動化的腳步卻不會停止。

多國(guó)在2020年後(hòu)將(jiāng)加嚴汽車的二氧化碳排放标準，促使車廠更積極推出電動車款，預期各類電動車皆呈現成(chéng)長(cháng)。

然而，能(néng)純電行駛的各類電動車發(fā)展仍受到價格高昂等因素限制，因此，同樣能(néng)降低碳排放的Mild HEV（輕混合動力車）受到各界注目，預計2020年將(jiāng)有大幅成(chéng)長(cháng)。

而自動化的發(fā)展上，將(jiāng)有更多的ADAS次系統成(chéng)爲新車标配并帶動傳感器市場成(chéng)長(cháng)。此外，雖預期Level3的量産車款有限，但2020年有機會看到更多Level4等級的商用車市場化案例。

終端産品發(fā)展更多元，帶動2020年市場擴展

當許多消費電子市場步入停滞或衰退之際，廠商開(kāi)始加強新産品的開(kāi)發(fā)，以更細分的市場和功能(néng)來推動産品的成(chéng)長(cháng)動能(néng)。例如遊戲機經(jīng)曆數年終于將(jiāng)迎來次代産品的推出，但雲端服務廠商也會趁機推出雲端串流遊戲以及相對(duì)應的硬件來搶食這(zhè)塊市場，至于Oculus、Valve等VR廠商將(jiāng)透過(guò)遊戲和内容服務來競争。

智能(néng)手表受惠于入門款産品售價降低，以及更多品牌和産品加入，市場將(jiāng)加速成(chéng)長(cháng)，預計2020年出貨量將(jiāng)達到8,055萬支。而語音功能(néng)成(chéng)爲藍牙無線耳機、智能(néng)音箱等産品的成(chéng)長(cháng)關鍵，在低價與機海策略下市場將(jiāng)快速擴張。

此外，增加智能(néng)音箱的搭載功能(néng)也成(chéng)爲廠商吸引消費者的手段，包含顯示屏幕、相機模組等，預估2020年智能(néng)音箱的出貨量將(jiāng)竄升到1.7億台。