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10月21日，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)适用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

這(zhè)款實現了單一芯片标準内業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能(néng)生産的存儲量也是現存的DRAM内最大。于第二代1Y産品相比，該産品的生産效率提高了27%，并且可以在不适用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生産，結果具有成(chéng)本競争力。

該款1Z納米 DRAM還(hái)穩定支持最高3200Mbps的數據傳輸速率，這(zhè)是DDR4規格内最高速度。 功耗也顯着提高，與基于第二代8Gb産品的相同容量模組相比，將(jiāng)功耗降低了約40％。

特别是，第三代産品适用前一代生産工藝中從來沒(méi)使用過(guò)的新材料，將(jiāng)DRAM操作的關鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還(hái)引進(jìn)了新的設計技術，提高了動作穩定性。

DRAM 1Z 開(kāi)發(fā)事(shì)業TF長(cháng) 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于購買高性能(néng)/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年内完成(chéng)批量生産，從明年開(kāi)始正式供應， 積極應對(duì)市場需求。”

另一方面(miàn)，SK海力士計劃對(duì)于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種(zhǒng)應用領域擴大适用第三代10納米級微細工程技術。