近年來，DRAM、NAND Flash、Nor Flash已發(fā)展成(chéng)爲全球主流存儲器，但随着這(zhè)些傳統存儲器微縮制程已逼近極限，加上存儲技術發(fā)展進(jìn)步以及終端需求的變化，新型存儲器亦越來越受到市場關注，有的新型存儲器正在迅速發(fā)展壯大，市場成(chéng)長(cháng)速度喜人。
今年5月，集邦咨詢旗下半導體研究中心（DRAMeXchange）報告指出，不論是DRAM或NAND Flash，現有的存儲器解決方案都(dōu)面(miàn)臨着制程持續微縮的物理極限，這(zhè)意味着要持續提升性能(néng)與降低成(chéng)本都(dōu)將(jiāng)更加困難。
DRAMeXchange認爲，次世代存儲器（新型存儲器）與現有解決方案各有優劣，最關鍵的機會點仍是在于價格。展望未來，需求陸續回溫與價格彈性所帶動的庫存回補動能(néng)，可望帶動2020年的現有存儲器價格止跌反彈，讓次世代存儲器解決方案有機會打入市場。
目前英特爾、三星電子、美光等廠商皆已投入發(fā)展新型存儲器。那麼(me)，目前市場上有哪些常見的新型存儲器呢？下面(miàn)將(jiāng)來盤點一下——
PRAM
PRAM（相變存儲器），也有人稱PCM（Phase Change Memory），據悉該存儲器技術是一種(zhǒng)三明治結構，中間是相變層（和光盤材料一樣，GST），這(zhè)種(zhǒng)材料的一個特性是會在晶化（低阻态）和非晶化（高阻态）之間轉變，即利用這(zhè)個高低阻态的變化來實現存儲。與傳統存儲技術相比，PRAM擁有讀寫速度快、耐用性強、非揮發(fā)性等，讀取速度和寫入次數均優于領先于NAND Flash。
據了解，英特爾和三星電子于2006年生産了第一款商用PRAM芯片。2015年，英特爾與美光聯合推出3D XPoint技術，業界認爲該技術基于PRAM并將(jiāng)其歸類于PRAM，該技術同時具備DRAM和NAND的特性，承諾提供類似RAM的動态速度，價格點在DRAM和NAND之間。
英特爾官方介紹稱，3D XPoint的讀寫速度是NAND Flash的1000倍，且使用壽命更長(cháng)。
MRAM
MRAM（磁性存儲器）是一種(zhǒng)非易失性存儲器。據悉，MRAM技術速度接近靜态随機存儲的高速讀取寫入能(néng)力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能(néng)耗遠低于DRAM，且基本上可無限次地重複寫入。
MRAM曾獲得多家産業巨頭的青睐，摩托羅拉的半導體部門、IBM、英飛淩、賽普拉斯、瑞薩、三星電子、SK海力士、美光等均曾陸續投入研發(fā)MRAM的行列。
目前，國(guó)際上有多個國(guó)家和地區的政府及公司巨資投入開(kāi)發(fā)MRAM産品，包括IBM、WD、東芝、三星電子、TDK、Seagate、Headway等。其中，IBM、Eversipin、三星電子爲主要代表企業，從飛思卡爾獨立出來的Everspin據稱爲全球第一家大批量提供商用MRAM産品的企業，GlobalFoundries、台積電、聯電等晶圓代工廠商亦逐步投入嵌入式MRAM生産。
目前，MRAM技術已在向(xiàng)第二代發(fā)展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，STT-MRAM被視爲是可以挑戰DRAM和SRAM的高性能(néng)存儲器，Everspin、三星電子、IBM、Grandis等企業均已涉足。
FRAM
FRAM（鐵電存儲器）學(xué)術名爲FeRAM，業界一般稱其爲FRAM，是一種(zhǒng)非易失性存儲器。采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進(jìn)行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM（隻讀存儲器）和RAM（随機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面(miàn)具有優勢。
據了解，FRAM技術早于1921年被提出，1993年美國(guó)Ramtron公司成(chéng)功開(kāi)發(fā)出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM産品，FRAM存儲器逐漸開(kāi)始商業化，主要供應商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾爲Ramtrom進(jìn)行單體存儲器的量産晶圓代工，2020年雙方終止合作，富士通開(kāi)始獨自開(kāi)發(fā)FRAM并竭力推廣。
ReRAM
ReRAM（阻變存儲器）是一種(zhǒng)非易失性存儲器，通過(guò)向(xiàng)金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，産生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。?其結構非常簡單，兩(liǎng)側電極將(jiāng)金屬氧化物包夾于中間，簡化了制造工藝，同時可實現低功耗和高速重寫等性能(néng)，比較适合可穿戴設備和小型醫療設備市場。
目前富士通、松下、Crossbar、東芝、Elpida、索尼、美光、SK海力士等廠商均在開(kāi)展ReRAM的研究和生産工作。
NRAM
NRAM（碳納米管存儲器）是基于碳納米管的非易失性存儲器，該技術由美國(guó)公司Nantero開(kāi)發(fā)，并授權于富士通爲NRAM的首個商業合作夥伴，富士通從Nantero購買了IP，取得了NRAM的設計、生産和銷售許可。
據介紹，NRAM規格類似或接近于FRAM，存儲密度遠高于FRAM，讀寫速度接近于DRAM，比NAND Flash快100倍，擁有多于Flash 1000倍以上的讀寫次數，存儲信息能(néng)保持更長(cháng)久，待機模式的功耗接近于零，未來生産工藝技術將(jiāng)低于5nm。
小結：
目前，從市場份額上看，傳統存儲器仍占據着絕大部分市場，但随着5G時代到來，帶動物聯網、人工智能(néng)、智慧城市等應用市場發(fā)展并向(xiàng)存儲器提出多樣化需求，加上傳統存儲器市場價格變化等因素，新型存儲器將(jiāng)在市場發(fā)揮越來越重要的作用。
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