受到終端市場需求疲弱，存儲器産業供過(guò)于求影響，存儲器産業兩(liǎng)大産品DRAM與NAND Flash價格皆在2018年開(kāi)始走跌。
其中，DRAM價格已于2018年第四季正式反轉向(xiàng)下，終結價格連續九季上漲的超級周期(super cycle)，預計2019年合約價將(jiāng)持續走跌。而NAND Flash同樣因産出高于預期，加上庫存水位仍高，預估全年價格將(jiāng)出現25-30%的跌幅。
先從DRAM價格走勢來看，集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，DRAM合約價一般都(dōu)是以季度合約的方式議定，所以價格通常隻會一季調整一次。
但受到近期需求疲弱和庫存過(guò)高的影響，原先議定的第四季合約價已經(jīng)不具有市場競争力，DRAM原廠必須透過(guò)降價刺激需求，因此在11月罕見出現合約價二次下修的情況。以目前成(chéng)交方式來看，已有部分比重的DRAM合約價改以月(monthly deal)方式進(jìn)行議價，顯示買方對(duì)于DRAM價格後(hòu)勢看法悲觀。
展望明年第一季，DRAMeXchange指出，雖然各家對(duì)後(hòu)續新增産能(néng)的計劃較爲保守，但由于1Ynm制程良率持續改善、投入比重持續增加，以及三星平澤廠在今年第四季持續增産，整體供給面(miàn)將(jiāng)較2018年第四季持續增加。
至于需求面(miàn)，由于每年首季都(dōu)是傳統需求淡季，加上2019年第一季智能(néng)手機的出貨力道(dào)恐怕較往年更爲疲弱，可能(néng)將(jiāng)造成(chéng)行動式存儲器價格跌幅擴大。從整體DRAM價格來看，明年第一季跌幅較今年第四季更爲顯著恐怕是不可避免的狀況。
我們對(duì)明年整體DRAM價格走勢的預估爲，第一季下跌幅度將(jiāng)超過(guò)10%( QoQ decline in low teens)，第二季將(jiāng)較第一季有高個位數(QoQ decline in high single digits)的下跌幅度，第三季與第四季價格也將(jiāng)持續下跌，幅度預估爲中個位數(QoQ decline in mid-single digits)。
3D NAND Flash産能(néng)續增，2019年NAND Flash價格下跌25-30%
觀察NAND Flash價格走勢，2018年NAND Flash市場全年處于供過(guò)于求。其原因在于NAND Flash供應商3D 64層産品良率穩定，産出高于預期；而年底旺季時又受到中美貿易沖突升溫、英特爾CPU缺貨以及蘋果新機出貨量不如預期等因素，導緻旺季不旺。
展望2019年上半年，盡管原廠對(duì)擴充産能(néng)态度保守，甚至開(kāi)始抑制擴産，但由于淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過(guò)于求的情況隻會更加顯著，預估第一季NAND Flash合約價將(jiāng)再進(jìn)一步走跌，跌幅約10%。
從2019年各項産品的需求評估來看，智能(néng)手機、筆記本電腦以及平闆電腦等主要消費性産品的出貨量預估都(dōu)不樂觀。
而服務器/資料中心對(duì)于Enterprise SSD需求雖然穩定成(chéng)長(cháng)，但由于産品毛利較高，導緻Enterprise SSD市場成(chéng)爲各供應商兵家必争之地，使得價格競争更加激烈，加上第一季服務器需求同樣受淡季影響，預期第一季的跌幅將(jiāng)高于10%。
DRAMeXchange認爲，2019年下半年NAND Flash原廠是否放緩各自96層轉進(jìn)速度與新産能(néng)擴充的腳步，將(jiāng)是影響屆時供需缺口的關鍵。以目前各廠商初步規劃來看，2019年第四季NAND Flash整體産能(néng)會比2018年第四季增加5%，其中，3D産能(néng)將(jiāng)會較2018年第四季大幅增加20%。
因此我們認爲，NAND Flash業者未來很可能(néng)下修原先對(duì)于2019年資本支出的規劃。預估2019年全年NAND Flash價格將(jiāng)下跌25-30%。