近期中國(guó)半導體業要發(fā)展自己的存儲器，包括DRAM及3D NAND閃存。不過(guò)，對(duì)于中國(guó)存儲器業技術的來源問題，國(guó)外一直存在着質疑。在國(guó)外的邏輯之中，“技術必須向(xiàng)他人購買”。例如1983年三星電子在京畿道(dào)器興地區建成(chéng)首個芯片廠時曾向(xiàng)當時遇到資金問題的美光公司購買64K DRAM技術，然後(hòu)依賴自身的研發(fā)與迅速擴大投資，最終超過(guò)日本而奪得存儲器霸主地位。
但是外國(guó)卻并不希望中國(guó)獲得存儲器技術，如之前紫光試圖花230億美元兼并美光等，但并未達成(chéng)，萬般無奈之下中國(guó)隻能(néng)依靠自己的力量進(jìn)行突破，也隻是讓中國(guó)恢複應有的尊嚴和地位。
中國(guó)發(fā)展存儲器的必要性
首先是必要性，存儲芯片是電子系統的糧倉，數據的載體，關乎數據的安全，其市場規模足夠大，約占半導體總體市場的三分之一。其次是緊迫性，據統計，中國(guó)市場消耗了全球DRAM産值的48%，消耗了全球NAND Flash産值的35%，年進(jìn)口總額高達880億美元，對(duì)外依賴度超過(guò)90%。最後(hòu)是安全性，存儲芯片非常重要，但目前中國(guó)存儲芯片中DRAM、NAND的自給率幾乎爲零。
對(duì)于國(guó)産廠商來說，首先中小容量存儲芯片是其中的一個市場機會。據業内預計，中小容量存儲芯片市場規模將(jiāng)保持在120億-200億美元，其中低容量NAND有60億-100億美元，NOR約30億美元，低容量DRAM約70億美元。
随着物聯網和智能(néng)終端的快速發(fā)展，將(jiāng)不斷擴大對(duì)中小容量存儲芯片的需求，行業格局的演變，因此中國(guó)存儲器業的首要目标可以從中小容量的存儲芯片開(kāi)始，待站穩腳跟之後(hòu)再向(xiàng)高容量存儲芯片邁進(jìn)。
爲什麼(me)外國(guó)不能(néng)理解中國(guó)
外國(guó)站在完全市場化角度來觀察中國(guó)半導體業發(fā)展，可能(néng)是無法理解的，加上其中确有極少數人并不希望中國(guó)半導體業有任何的進(jìn)步。
1)，DRAM及3D NAND閃存是中國(guó)市場需求量最大類芯片，而外國(guó)釆用封鎖，打壓等手段欺壓中國(guó)，如將(jiāng)晉華、華爲等列入實體清單之中，阻止中國(guó)發(fā)展及獲得芯片，所以是被逼無奈的必然結果。
2)，現階段産業發(fā)展必須依靠國(guó)家資金等投入爲主，所以重點在于要加強研發(fā)，積累IP，首先做出産品，然後(hòu)逐漸國(guó)産替代。
3)，存儲器業的特點，它的設計并不難，如NAND閃存基本上有兩(liǎng)種(zhǒng)結構類型，一種(zhǒng)是Floating Gate浮栅式結構，美光，英特爾采用，另一種(zhǒng)是Charge Trap電荷捕獲型結構，在3D NAND閃存中成(chéng)爲主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在内的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結構。
DRAM量産關鍵在于生産線的質量控制以及持續的投資，擴大産能(néng)，最終以數量與價格取勝。而中國(guó)在巨大市場以及國(guó)家資金爲主的支持下發(fā)展，相信一定有能(néng)力自主做出産品，但是困難的是産能(néng)爬坡速度，及在存儲器的下降周期中能(néng)堅持下去。中國(guó)做存儲器在很大程度上試圖滿足部分國(guó)内的需求。
韓國(guó)獨霸存儲器業
以2019 Q2計，在DRAM方面(miàn)，三星市占45%，Hynix市占29%，及在NAND閃存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可見韓國(guó)壟斷全球存儲器業。這(zhè)種(zhǒng)局面(miàn)長(cháng)久下去并不利于産業進(jìn)步。
因此站在美光、東芝等立場它們具有兩(liǎng)重性，一方面(miàn)害怕中國(guó)存儲器業的崛起(qǐ)，動了它們的“奶酪”，然而在另一方面(miàn)，它們也願意希望利用中國(guó)的崛起(qǐ)能(néng)削弱韓國(guó)壟斷的局面(miàn)。所以中國(guó)存儲器業發(fā)展中要充分認識目前的格局，找到适合生存與發(fā)展的支點。
千萬不要低估中國(guó)半導體業的決心與韌性
中國(guó)是全球僅次于美國(guó)的GDP大國(guó)，但絕不是全球第二大半導體強國(guó)，與世界先進(jìn)水平尚有很大差距。據統計，2018年國(guó)産半導體自給率爲15.3%，2019年將(jiāng)可望提升至17%左右，但預計到2023年才可望拉升至20%自給率。
在貿易摩擦的格局下，美國(guó)把中興，華爲，晉華等列入“實體清單”之中，竭力阻礙中國(guó)半導體業的發(fā)展，而存儲器是中國(guó)半導體進(jìn)口金額最大類之一。如與發(fā)展CPU相比較，現階段存儲器作爲中國(guó)半導體業的突破口是合乎理性的。中國(guó)不會謀求存儲器的霸權地位，也不可能(néng)，僅是希望能(néng)部分替代進(jìn)口之用，而且這(zhè)樣的過(guò)程用時不會太短。
另外，中國(guó)發(fā)展半導體業現階段以國(guó)家資金投入爲主，它不是補貼，而是以股權加入，這(zhè)也是唯一可能(néng)的選擇，相比全球其它半導體業者在初始時的路徑是相似的，僅是中國(guó)半導體業已經(jīng)落後(hòu)了近20年。
中國(guó)要發(fā)展自已的半導體業是正确的選擇，也是生存的需要，所以決心是不會動搖的，加上它是集中國(guó)家的力量。觀察上世紀80年代，韓國(guó)半導體能(néng)在存儲器業中的成(chéng)功，後(hòu)來居上，一條非常成(chéng)功的經(jīng)驗，就是持續投資，用虧損和時間最終打敗了競争對(duì)手。因此在國(guó)家資金等支持下，懷疑中國(guó)半導體業發(fā)展的決心與信心是注定要失敗。
顯然中國(guó)半導體業發(fā)展中一定會尊重與保護知識産權，并準備好(hǎo)迎接有關專利糾紛的訴訟，它也是中國(guó)半導體業發(fā)展的必修課之一。
中國(guó)半導體業發(fā)展一定能(néng)取得成(chéng)功，不是空穴來風，而是有充分理由的，一個是中國(guó)擁有全球最大的終端電子市場，而且在不斷增長(cháng)之中，而另一個理由是現階段以國(guó)家資金等投入爲主，有足夠能(néng)力與實力迎接來自各方面(miàn)的挑戰。
中國(guó)半導體業發(fā)展的韌性可以體現在：1)，外國(guó)一直在壓制與打擊中國(guó)半導體業進(jìn)步的同時，與在中國(guó)市場中繼續謀求利益之間調節平衡，不太可能(néng)讓中國(guó)半導體業“徹底停擺”；2)，打擊華爲時，與打擊中興，晉華等大不相同，華爲任正非，它是嘴不硬，事(shì)紮實，讓美過(guò)感覺有些進(jìn)退兩(liǎng)難。所以對(duì)于此次貿易摩擦的複雜性與長(cháng)期性一定要有充分的認識；3)，中國(guó)半導體業發(fā)展不但可能(néng)打亂既有的“平衡格局”，同時對(duì)于全球半導體的增長(cháng)有實質性的推動作用，如中國(guó)可能(néng)成(chéng)爲全球半導體最大的投資地區之一。
結語
中國(guó)半導體業發(fā)展有自身的特點，有優勢方面(miàn)，也有不足之處。在貿易摩擦下需要付出更多的努力與代價。在存儲器業中，對(duì)手已經(jīng)積累20年以上的經(jīng)驗，因此要進(jìn)行突破是不易的，可能(néng)最關鍵是信心不可動搖及要堅持到底。
美國(guó)可以繼續阻擋與壓制我們，但是在全球化的浪潮下是不可能(néng)成(chéng)功的，因爲中國(guó)始終堅持改革開(kāi)放，走全球化合作道(dào)路，任何面(miàn)對(duì)中國(guó)的大市場而不顧，隻可能(néng)是暫時的。同時在貿易摩擦下一定會加速國(guó)産化的推進(jìn)步伐，這(zhè)樣的好(hǎo)時機是千載難逢。盡管中國(guó)半導體業發(fā)展不可能(néng)一帆風順，未來還(hái)可能(néng)會經(jīng)曆一些曲折，要尊重“學(xué)習曲線”的規律，但是相信中國(guó)半導體業最終一定能(néng)夠取得成(chéng)功。