标簽：碳化矽

4月8日，山東濟南槐蔭經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區重點招商引資項目簽約儀式舉行。此次簽約項目總投資額達到127.38億元，包括中鴻新晶第三代半導體産業集群等10個項目。

據山東發(fā)布指出，中鴻新晶第三代半導體産業集群項目總投資約111億元，總建設周期5年，分三期進(jìn)行。

其中項目一期産業投資8億元，計劃3年内完成(chéng)第三代半導體産業集群初步建設，完成(chéng)深紫外LED生産線20條，6-8英寸碳化矽單晶生産、加工、碳化矽外延生産線各2條，氮化镓中試線1條。一期完成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)實現年産值20億元，利稅24.2億元。

項目二期投資51億元，完成(chéng)第三代半導體産業基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領先的“國(guó)家級戰略新興半導體研究院”視一期進(jìn)展及市場需求情況适時啓動，計劃2年内完成(chéng)6-8英寸碳化矽單晶擴産、6-8英寸氮化镓外延、射頻器件、功率器件生産線各1條。二期完成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)實現年産值120億元，利稅將(jiāng)超過(guò)20億元。

項目三期投資52億元，將(jiāng)ASCATRON公司後(hòu)續芯片生産全部轉移至中國(guó)，項目建成(chéng)後(hòu)預期將(jiāng)帶動上下遊産業近千億元産值。

該項目依托中科院半導體所、微電子所等源頭創新力量，中電化合物公司及航天國(guó)際有限公司等産業龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本，由中鴻新晶公司提供先進(jìn)技術與團隊，整合韓國(guó)浦項半導體、LG半導體，瑞典Epiluvac(艾彼盧米肯)等國(guó)際知名半導體企業優勢資源，采用産業鏈垂直整合模式，打造覆蓋以碳化矽、氮化镓爲代表的第三代半導體研發(fā)、設計、制造、封裝、測試等全産業鏈，涵蓋單晶生長(cháng)、外延、器件、模塊等全産品線。

資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成(chéng)立于2017年，是爲第三代半導體産業鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業、專業從事(shì)第三代半導體高純碳化矽微粉生産、碳化矽單晶爐的研發(fā)制造，碳化矽和氮化镓芯片設計和制造的企業。中鴻新晶的願景是要做第三代半導體全産業鏈的領跑者，承擔起(qǐ)中國(guó)在電子信息産業換道(dào)超車、重塑世界半導體産業格局的時代使命。

近日，江北新區舉行“芯片之城”地标産業簽約儀式。

活動中，超芯星半導體項目和中安半導體項目與新區簽約，未來都(dōu)將(jiāng)落戶新區研創園。據了解，江蘇超芯星半導體有限公司主要從事(shì)6-8英寸SiC碳化矽芯片襯底研發(fā)及産業化，是國(guó)内領先的碳化矽材料供應商，碳化矽作爲三代半導體材料，將(jiāng)在軌道(dào)交通、5G、新能(néng)源汽車等領域有廣泛的應用前景。目前公司已推出大尺寸碳化矽擴徑晶體，實現厚度突破，屬于技術領先的三代半産品。總部遷入研創園後(hòu)將(jiāng)推動上市計劃，項目規劃三年實現6英寸碳化矽襯底年産3萬片，未來還(hái)將(jiāng)在SiC襯底産品的基礎上，將(jiāng)進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨抛工藝，打造國(guó)内SiC行業标杆企業。

另外，中安半導體作爲先進(jìn)的半導體材料檢測設備研發(fā)商，擁有國(guó)内領先的檢測設備研發(fā)能(néng)力。項目團隊擁有矽片檢測核心技術，并且具備工程應用、生産管理以及銷售服務等各方面(miàn)的管理經(jīng)驗以及多年所累積的市場資源。此次項目主要是開(kāi)發(fā)半導體矽片平整度和三維形貌檢測設備，從事(shì)開(kāi)發(fā)200mm和300mm矽片平整度和三維形貌檢測設備，目前已獲得金茂資本首期風險投資，未來將(jiāng)通過(guò)開(kāi)發(fā)擁有獨立知識産權和中國(guó)專利的矽片平整度及形狀測量設備填補國(guó)内半導體産業鏈的一項空白。

南京江北新區黨工委專職副書記羅群表示，集成(chéng)電路是新區主導産業之一，圍繞“芯片之城”産業構想，新區營造多元化集成(chéng)電路生态圈，構建以IC設計爲引領的集成(chéng)電路完整産業鏈。此次，中安、超芯星落戶新區，將(jiāng)對(duì)新區在新基建領域加快突破，爲經(jīng)濟增長(cháng)和高質量發(fā)展注入新的強勁動能(néng)。新區將(jiāng)提供最優惠的政策、最貼心的服務，開(kāi)展全方位、多層次、高水平的技術交流與産業合作，使得企業能(néng)夠在快速、優質地發(fā)展壯大，成(chéng)長(cháng)爲各自領域真正的龍頭企業。

“兩(liǎng)家公司加盟是對(duì)新區集成(chéng)電路完整産業鏈的再完善，再提升。”南京集成(chéng)電路産業服務中心主任時龍興說。目前，新區的集成(chéng)電路産業以台積電等龍頭項目爲支撐，以紫光展銳、ARM、Synopsys等頂尖芯片設計企業爲引領，以現有集成(chéng)電路企業爲基礎，構建IC設計爲引領的集成(chéng)電路完整産業鏈。此次合作是對(duì)新區集成(chéng)電路産業鏈的一種(zhǒng)豐富和補充，是加強集聚的過(guò)程。未來，新區將(jiāng)重點在高端芯片設計領域持續發(fā)力，打造全球智能(néng)設計中心，同時，推動芯片設計與網絡通信、物聯網、人工智能(néng)協同發(fā)展，力争在今年形成(chéng)以芯片設計爲核心的集成(chéng)電路千億級産業集群。

近日，産投資本管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司（簡稱“世紀金光”）簽署投資協議并完成(chéng)首期出資，标志着合肥首個第三代半導體産業項目正式落地。

随着碳化矽産業化日趨成(chéng)熟，産投資本緊抓第三代半導體發(fā)展機會，搶先布局。本次，産投資本作爲領投方參與世紀金光C輪融資，對(duì)合肥市半導體産業升級和技術創新有重要意義。

世紀金光是國(guó)内第三代半導體領軍企業，成(chéng)立于2010年，總部位于北京經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區，是國(guó)家大基金在第三代半導體領域投資的重點企業之一。

近幾年來，世紀金光創新性地解決了高純碳化矽粉料提純技術、6英寸碳化矽單晶制備技術、碳化矽SBD、MOSFET材料、結構及工藝設計技術等，已完成(chéng)從碳化矽材料生産、功率元器件和模塊制備到行業應用開(kāi)發(fā)與解決方案提供等關鍵領域的全面(miàn)布局，是國(guó)内第一家擁有SiC全産業鏈技術的半導體公司。

投資50億元，建設用地約1000畝的中國(guó)電科（山西）電子信息科技創新産業園即將(jiāng)在山西轉型綜改示範區投産。

據人民網報道(dào)，該項目計劃用5年時間，建成(chéng)“一中心三基地”，即：中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地、中國(guó)電科(山西)電子裝備智能(néng)制造産業基地、中國(guó)電科（山西）三代半導體技術創新中心、中國(guó)電科（山西）光伏新能(néng)源産業基地。項目達産後(hòu)，預計形成(chéng)産值100億元。

通過(guò)吸引上遊企業，形成(chéng)産業聚集效應，打造電子裝備制造、三代半導體産業生态鏈，建成(chéng)國(guó)内最大的碳化矽材料供應基地，積極推動山西經(jīng)濟的轉型升級。 

大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，是第三代半導體碳化矽單晶材料最響亮的“名片”，不過(guò)，碳化矽單晶的制備一直是全球性難題，而高穩定性的長(cháng)晶工藝技術是其核心。而在中國(guó)，碳化矽單晶襯底材料長(cháng)期依賴進(jìn)口，其高昂的售價和不穩定的供貨情況大大限制了國(guó)内相關行業的發(fā)展。

據了解，自2007年，中國(guó)電科2所開(kāi)始着手布局碳化矽單晶襯底材料的研制規劃，依靠自身在電子專用設備研發(fā)領域的技術優勢，潛心鑽研着碳化矽單晶生長(cháng)爐的研制。經(jīng)過(guò)多年的不懈努力，全面(miàn)掌握了高純碳化矽粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化矽單晶襯底的制備工藝，形成(chéng)了從碳化矽粉料制備、晶體生長(cháng)、晶片加工、外延驗證等整套碳化矽材料研制線，在國(guó)内最早實現了高純碳化矽材料、高純半絕緣晶片量産。

近日，2019中國(guó)·濟甯新材料（半導體産業）發(fā)展國(guó)際論壇暨山東新材料産業化生産基地項目啓動儀式在濟甯高新區舉行。

在活動上，12個項目進(jìn)行了集中簽約，總投資額約58億元。包括中俄科技創新産業園項目；山東新材料産業化生産基地項目；中國(guó)高新技術産業發(fā)展歐亞市場戰略合作聯盟-遠山新材料聯合研究院項目；遠山新材料二期項目。緯世特新材料産業基地項目；中國(guó)科技大學(xué)消防新材料設備項目等。

據濟甯高新指出，山東新材料産業化生産基地項目，總投資30億元，由高新控股集團投資建設，以園區化布局、集群化發(fā)展、鏈條化招引爲規劃設計理念，圍繞第三代半導體、碳基新材料、消防安全材料、紡織新材料等區内已基本成(chéng)型的産業鏈條建設新材料産業标準化及定制性園區，吸引産業鏈上下遊企業發(fā)展。基地建成(chéng)投産後(hòu)2-3年可實現總産值200億元。

近年來，濟甯高新區高度重視新材料産業，以全球視野謀劃和推動創新，從土地、人才、資金創新載體建設等多方面(miàn)保障和促進(jìn)新材料産業發(fā)展，着力打造研發(fā)國(guó)際化、産業高端化、發(fā)展集群化的新材料創新體系和産業體系。

濟甯高新區把新材料産業作爲主導産業進(jìn)行謀劃定位，山大新材料、天嶽碳化矽、元鴻光電、中建院氣凝膠等新一代半導體領域新生力量集中進(jìn)駐，新材料産業實現規模化集聚化，爲濟甯市新材料産業發(fā)展做出了突出貢獻。

未來，濟甯高新區新材料産業重點突破第三代半導體及碳基新材料、消防安全材料、紡織新材料領域，形成(chéng)三大聚集區。

其中，半導體及碳基新材料集聚區將(jiāng)圍繞碳化矽、氮化镓、砷化镓等寬禁帶半導體及碳纖維、石墨烯等碳基新材料，吸引上下遊半導體原材料、晶圓生産、芯片設計與封裝、元器件應用、柔性晶體管、光子晶體、手機密封材料、碳纖維材料等企業入區發(fā)展，1-2年規模總産值實現突破200億。

科銳（Cree, Inc.，美國(guó)納斯達克上市代碼：CREE）與德爾福科技（Delphi Technologies PLC，美國(guó)紐約證券交易所上市代碼：DLPH）宣布開(kāi)展汽車碳化矽（SiC）器件合作。科銳是碳化矽（SiC）半導體全球領先企業，德爾福科技是汽車動力推進(jìn)技術全球供應商，雙方的此次合作將(jiāng)通過(guò)采用碳化矽（SiC）半導體器件技術，爲未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統。

科銳碳化矽（SiC）基金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術與德爾福科技的牽引驅動逆變器、DC/DC轉換器和充電器技術的結合，將(jiāng)助力電動汽車（EV）提高行駛裡(lǐ)程和實現更快充電時間，同時還(hái)將(jiāng)減輕重量、節約空間、降低成(chéng)本。科銳碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）最初將(jiāng)用于德爾福科技爲某一全球頂級汽車制造商設計的800V電控逆變器。計劃量産時間爲2022年。

德爾福科技首席執行官Richard F. (Rick) Dauch表示：“德爾福科技緻力于爲汽車制造商提供開(kāi)拓性的解決方案。汽車制造商們正在努力滿足日趨嚴格的全球排放法規要求和消費者對(duì)于電動汽車（EV）的期待。我們與科銳的合作，將(jiāng)爲汽車制造商們創造顯著的效益。消除駕駛員對(duì)于電動汽車（EV）行駛裡(lǐ)程、充電時間和成(chéng)本等方面(miàn)的憂慮，爲整個行業帶來好(hǎo)處。”

由于汽車産業正在尋求加速從内燃機向(xiàng)電動汽車（EV）的轉變，從而碳化矽（SiC）基功率解決方案的采用正在整個汽車市場實現快速地增長(cháng)。IHS預計，到2030年高電壓電動輕型汽車的銷量將(jiāng)達到3000萬台（占全球全部汽車銷售的27%）。電控逆變器是最具價值的電氣化部件之一，電控逆變器效率對(duì)于汽車性能(néng)衆多方面(miàn)都(dōu)可以帶來産業變革性的影響。

科銳首席執行官Gregg Lowe表示：“科銳技術在這(zhè)場向(xiàng)電動汽車（EV）的重大轉變中處于核心位置。我們緻力于支持汽車産業從矽（Si）基設計向(xiàng)更高效率、更高性能(néng)碳化矽（SiC）基解決方案的轉型。這(zhè)次與德爾福科技的合作，將(jiāng)幫助推進(jìn)碳化矽（SiC）在汽車領域的采用。科銳作爲碳化矽（SiC）全球領先企業，正在持續擴大産能(néng)以滿足市場需求，通過(guò)我們業界領先的功率型金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），助力實現一個嶄新的、更高效率的未來。”

科銳緻力于引領從矽（Si）向(xiàng)碳化矽（SiC）的全球轉型，并于近期宣布擴大碳化矽（SiC）産能(néng)，以實現30倍的産能(néng)提升。科銳通過(guò)旗下Wolfspeed事(shì)業部，提供全面(miàn)的碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）功率與射頻（RF）解決方案。

德爾福科技新型碳化矽（SiC）逆變器在800V電壓條件下工作，爲汽車工程師提供更多的靈活度，以優化動力總成(chéng)系統。選項包括更多行駛裡(lǐ)程或一個更小型的電池；超快充電或更小、更輕、更實惠的線纜；在刹車時實現更多的汽車能(néng)量回收，進(jìn)一步提高行駛裡(lǐ)程。

日前，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）發(fā)布公告稱，根據公司經(jīng)營發(fā)展需要及長(cháng)期戰略發(fā)展規劃，經(jīng)慎重研究決定，拟申請公司股票在全國(guó)中小企業股份轉讓系統終止挂牌。

公告顯示，天科合達董事(shì)會已于7月12日審議通過(guò)《關于申請公司股票在全國(guó)中小企業股份轉讓系統終止挂牌的議案》等相關議案，但尚需提交公司臨時股東大會審議。天科合達表示，公司及公司控股股東已就公司申請終止股票挂牌事(shì)宜與公司其他股東進(jìn)行充分溝通與協商，已就該事(shì)項初步達成(chéng)一緻意見。

天科合達將(jiāng)于7月29日召開(kāi)臨時股東大會，并拟于股東大會審議通過(guò)後(hòu)10個轉讓日内向(xiàng)全國(guó)中小企業股份轉讓系統提交終止挂牌申請，具體終止挂牌時間以全國(guó)中小企業股份轉讓系統批準時間爲準。公告提示，由于有關事(shì)宜尚需臨時股東大會審議并報全國(guó)中小企業份轉讓系統審批，故終止挂牌事(shì)宜尚存在不确定性。

資料顯示，天科合達成(chéng)立于2006年，由新疆天富集團、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設立，是一家專業從事(shì)第三代半導體碳化矽（SiC）晶片研發(fā)、生産和銷售的高新技術企業，擁有自主知識産權的碳化矽晶體生長(cháng)爐和碳化矽晶體生長(cháng)、加工技術和專業設備，建立了完整的碳化矽晶片生産線。

2017年5月，天科合達在全國(guó)中小企業股份轉讓系統舉行“新三闆”挂牌儀式，正式登陸新三闆。如今時隔約兩(liǎng)年，天科合達宣布拟將(jiāng)從新三闆退市。

媒體報道(dào)稱，3月26日，家電企業美的集團與三安光電全資子公司廈門市三安集成(chéng)電路有限公司（以下簡稱“三安集成(chéng)”）在廈門舉行了“第三代半導體聯合實驗室”揭牌儀式。

據介紹，美的集團與三安集成(chéng)雙方將(jiāng)展開(kāi)戰略合作，共同推動第三代半導體功率器件的創新發(fā)展，以加快國(guó)産芯片導入白色家電行業。具體而言，未來雙方合作方向(xiàng)將(jiāng)聚焦在GaN（氮化镓）、SiC（碳化矽）半導體功率器件芯片與IPM（智能(néng)功率模塊）的應用電路相關研發(fā)，并逐步導入白色家電領域。

官方資料顯示，三安集成(chéng)成(chéng)立于2014年，項目總投資額30億元，是涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域的化合物半導體制造平台，具備襯底材料、外延生長(cháng)、以及芯片制造的産業整合能(néng)力，擁有大規模、先進(jìn)制程能(néng)力的MOCVD 外延生長(cháng)制造線。

第三代半導體在白電市場潛力巨大，美的集團作爲國(guó)内前列的家電企業，據稱一直在積極尋找第三代半導體在白家電領域替代方案的國(guó)内供應商，以及導入第三代半導體的新型應用場景。媒體報道(dào)顯示，2017年9月，美的家用空調研發(fā)中心與華南理工大學(xué)、镓能(néng)半導體（佛山）有限公司、廈門芯光潤澤科技有限公司四方共建第三代半導體器件研發(fā)應用聯合實驗室。

随着這(zhè)次美的集團與三安集成(chéng)戰略合作，將(jiāng)于有望進(jìn)一步加速第三代半導體在家電終端市場的應用進(jìn)程。

媒體報道(dào)，近日位于山東青島萊西經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區的中科鋼研碳化矽項目正在加緊建設，今年將(jiāng)實現投産。

據悉，該項目總投資10億元，占地約80畝，建築面(miàn)積5萬平方米，主要生産高品質、大規格碳化矽晶體襯底片。項目達産後(hòu)，將(jiāng)實現年産5萬片4英寸碳化矽晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化矽晶體襯底片。

中科鋼研表示，未來將(jiāng)把國(guó)家級現金警惕研究院設在萊西，專注碳化矽研發(fā)生産，力争在三年内接近歐美最高水平。

碳化矽是第三代半導體材料，在高溫、高壓與高頻條件下有優異的性能(néng)表現，适用于汽車、鐵路、工業設備、家用消費電子設備、航空航天等領域，是目前最受關注的新型半導體材料之一。

從産業鏈角度看，碳化矽包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，目前全球碳化矽市場基本被國(guó)外企業所壟斷。

國(guó)内市場，目前已初步形成(chéng)了涵蓋各環節的碳化矽産業鏈，在政策利好(hǎo)以及市場驅動下，國(guó)内企業在這(zhè)一環節正努力跟跑與趕超。

SiC功率器件大勢所趨，國(guó)際巨頭競相布局，如今意法半導體拟通過(guò)并購整合進(jìn)一步擴大SiC産業規模。

日前，意法半導體宣布，公司已簽署協議，收購瑞典碳化矽（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“Norstel”）的多數股權。交易完成(chéng)後(hòu)，意法半導體將(jiāng)在全球産能(néng)受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈。

根據協議，意法半導體此次將(jiāng)收購Norstel 55%股權，并可根據某些條件選擇收購剩餘的45%股權，如果行使這(zhè)些條件，收購總額將(jiāng)達1.375億美元，并以現金支付。

意法半導體總裁兼CEO Jean-Marc Chery表示，意法半導體是目前唯一一家大規模生産汽車級SiC的半導體公司，公司希望在工業和汽車應用的數量和廣度上建立在SiC方面(miàn)的強勁勢頭，以繼續保持在市場上的領先地位，收購Norstel的多數股權是加強公司SiC生态系統的又一步，將(jiāng)增強公司的靈活性、提高産量和質量，并支持公司的長(cháng)期碳化矽路線圖和業務。

資料顯示，Norstel總部位于瑞典諾爾雪平，成(chéng)立于2005年，是全球SiC襯底及外延片的主要供應商之一。而意法半導體原已是全球少數SiC IDM企業之一，如今通過(guò)收購Norstel進(jìn)一步布局SiC産業。2019年1月，意法半導體與科銳簽署多年供貨協議，Cree將(jiāng)向(xiàng)意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。

SiC作爲新一代材料備受矚目，國(guó)際企業多年前就已開(kāi)始提前布局，英飛淩、科銳等巨頭已逐步完成(chéng)了從材料、器件、模組到系統解決方案的全産業鏈貫通，SiC産業的并購整合動作并不算十分明顯，但近年來亦時有發(fā)生，最近似乎更爲活躍。

2016年，英飛淩曾試圖收購科銳旗下主營SiC、GaN業務的Wolfspeed，但由于SiC、GaN均爲制造有源相控陣雷達等軍事(shì)裝備的關鍵器件，該收購案被美國(guó)政府以危害國(guó)家安全爲由予以否決而宣告失敗。爲此，英飛淩向(xiàng)Cree付了1250萬美元分手費。

前不久，英飛淩再度針對(duì)SiC展開(kāi)收購，宣布以1.39億美元收購初創企業Siltectra，獲得後(hòu)者創新技術ColdSpilt以用于碳化矽晶圓的切割上，從而讓單片晶圓可出産的芯片數量翻番，進(jìn)一步加碼碳化矽市場。

如今，意法半導體也動手收購Norstel，SiC産業鏈企業相繼着手擴産，中國(guó)企業對(duì)SiC的投資熱度持續升溫，SiC器件的大規模商用可期。