投資50億元，建設用地約1000畝的中國(guó)電科（山西）電子信息科技創新産業園即將(jiāng)在山西轉型綜改示範區投産。
據人民網報道(dào)，該項目計劃用5年時間，建成(chéng)“一中心三基地”，即：中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地、中國(guó)電科(山西)電子裝備智能(néng)制造産業基地、中國(guó)電科（山西）三代半導體技術創新中心、中國(guó)電科（山西）光伏新能(néng)源産業基地。項目達産後(hòu)，預計形成(chéng)産值100億元。
通過(guò)吸引上遊企業，形成(chéng)産業聚集效應，打造電子裝備制造、三代半導體産業生态鏈，建成(chéng)國(guó)内最大的碳化矽材料供應基地，積極推動山西經(jīng)濟的轉型升級。
大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，是第三代半導體碳化矽單晶材料最響亮的“名片”，不過(guò)，碳化矽單晶的制備一直是全球性難題，而高穩定性的長(cháng)晶工藝技術是其核心。而在中國(guó)，碳化矽單晶襯底材料長(cháng)期依賴進(jìn)口，其高昂的售價和不穩定的供貨情況大大限制了國(guó)内相關行業的發(fā)展。
據了解，自2007年，中國(guó)電科2所開(kāi)始着手布局碳化矽單晶襯底材料的研制規劃，依靠自身在電子專用設備研發(fā)領域的技術優勢，潛心鑽研着碳化矽單晶生長(cháng)爐的研制。經(jīng)過(guò)多年的不懈努力，全面(miàn)掌握了高純碳化矽粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化矽單晶襯底的制備工藝，形成(chéng)了從碳化矽粉料制備、晶體生長(cháng)、晶片加工、外延驗證等整套碳化矽材料研制線，在國(guó)内最早實現了高純碳化矽材料、高純半絕緣晶片量産。