日媒:華爲、意法半導體將(jiāng)聯合設計芯片

日媒:華爲、意法半導體將(jiāng)聯合設計芯片

北京時間4月28日,《日經(jīng)亞洲評論》(Nikkei Asian Review)援引兩(liǎng)位知情人士的消息稱,華爲正與芯片制造商意法半導體(STMicroonics)合作,共同設計移動和汽車相關芯片。

報道(dào)稱,此舉有助于華爲更好(hǎo)地利用其自動駕駛汽車技術。在此之前,意法半導體隻是華爲的一家芯片供應商。此外,這(zhè)一合作還(hái)有助于華爲擺脫對(duì)特定芯片供應商的依賴。

報道(dào)還(hái)稱,與意法半導體的合作將(jiāng)使華爲能(néng)夠獲得Synopsys和Cadence Design Systems等美國(guó)公司的軟件産品。

加速布局氮化镓 意法半導體收購Exagan多數股權

加速布局氮化镓 意法半導體收購Exagan多數股權

以碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)爲代表第三代半導體材料越來越受到市場重視,半導體企業正在競相加速布局。日前,意法半導體宣布已簽署收購法國(guó)氮化镓創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。

據意法半導體介紹,Exagan成(chéng)立于2014年,總部位于法國(guó)格勒諾布爾。該公司緻力于推進(jìn)電力電子行業從矽基技術向(xiàng)GaN-on-silicon技術轉變,研發(fā)體積更小、能(néng)效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開(kāi)關是爲标準200毫米晶圓設計。

雙方的交易條款沒(méi)有對(duì)外公布,等法國(guó)政府按照慣例成(chéng)交法規批準後(hòu)即可完成(chéng)交易。據披露,現已簽署的并購協議還(hái)規定,在多數股權收購交易完成(chéng)24個月後(hòu),意法半導體有權收購剩餘的Exagan少數股權。本交易將(jiāng)采用可用現金支付。

意法半導體表示,Exagan的外延工藝、産品開(kāi)發(fā)和應用經(jīng)驗將(jiāng)拓寬并推進(jìn)意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開(kāi)發(fā)規劃和業務。Exagan將(jiāng)繼續執行現有産品開(kāi)發(fā)規劃,意法半導體將(jiāng)爲其部署産品提供支持。

意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery稱,收購Exagan的多數股權是對(duì)意法半導體目前與CEA-Leti在法國(guó)圖爾的開(kāi)發(fā)項目以及最近宣布的與台積電的合作項目的補充。

據了解,2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)矽基氮化镓功率切換元件制造技術。前不久,意法半導體宣布與台積電攜手合作加速氮化镓(GaN)制程技術的開(kāi)發(fā),并將(jiāng)分離式與整合式氮化镓元件導入市場。

意法半導體汽車産品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出,意法半導體在氮化镓制程技術的加速開(kāi)發(fā)與交付看到了龐大的商機,將(jiāng)功率氮化镓及氮化镓集成(chéng)電路産品導入市場。

三大IDM廠商2018年全年營收出爐,誰的表現更亮眼?

三大IDM廠商2018年全年營收出爐,誰的表現更亮眼?

随着NXP(恩智浦)公布2018年第四季營收,ST(意法半導體)與英飛淩等歐系三大IDM廠商在2018年的全年度财報表現也已确定,三大IDM廠商在2018年皆繳出不錯的成(chéng)績單。

NXP在2018年全年度營收爲94.07億美元,ST爲96.65億美元,英飛淩則爲92億美元;相較于2017年,年度成(chéng)長(cháng)率(YoY)分别爲:1.6%、15.8%與13.3%,不論是營收或成(chéng)長(cháng)率,ST皆居于三大IDM廠商之首。

ST三大事(shì)業群皆爲成(chéng)長(cháng)主力

ST等三大IDM廠商皆是全球主要車用半導體供應商,車用市場是支撐這(zhè)3家廠商營收在2018年能(néng)有出色表現的重要主力。

但若進(jìn)一步來看,ST能(néng)在營收與成(chéng)長(cháng)率皆居于首位的關鍵,在于ST其他兩(liǎng)大産品事(shì)業群AMS (Analog, MEMS and Sensors Group)與MDG (Microcontrollers and Digital ICs Group)有着相當優異的成(chéng)長(cháng)表現,而且占整體營收也有相當程度的比重。

相較于NXP與英飛淩以車用市場爲成(chéng)長(cháng)主力的特色,ST成(chéng)長(cháng)動能(néng)來源顯然較爲平均,不會特别依附在單一應用市場。

 毛利率表現則由NXP居冠

盡管ST在2018年全年度營收與營收成(chéng)長(cháng)率表現居首,不過(guò)在毛利率方面(miàn),仍然是NXP獨領風騷,2018年毛利率爲52.9%、ST爲39.9%、英飛淩則爲38.7%。最主要原因在于NXP有不少以28nm爲主的嵌入式處理器,涵蓋車用、消費性電子與網通基礎建設等應用場景。

然ST與英飛淩毛利率表現相較于2017年也略有提升,究其原因,是高毛利的車用領域成(chéng)長(cháng)帶動所緻。

SiC熱!意法半導體收購Norstel 55%股權

SiC熱!意法半導體收購Norstel 55%股權

SiC功率器件大勢所趨,國(guó)際巨頭競相布局,如今意法半導體拟通過(guò)并購整合進(jìn)一步擴大SiC産業規模。

日前,意法半導體宣布,公司已簽署協議,收購瑞典碳化矽(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“Norstel”)的多數股權。交易完成(chéng)後(hòu),意法半導體將(jiāng)在全球産能(néng)受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈。

根據協議,意法半導體此次將(jiāng)收購Norstel 55%股權,并可根據某些條件選擇收購剩餘的45%股權,如果行使這(zhè)些條件,收購總額將(jiāng)達1.375億美元,并以現金支付。

意法半導體總裁兼CEO Jean-Marc Chery表示,意法半導體是目前唯一一家大規模生産汽車級SiC的半導體公司,公司希望在工業和汽車應用的數量和廣度上建立在SiC方面(miàn)的強勁勢頭,以繼續保持在市場上的領先地位,收購Norstel的多數股權是加強公司SiC生态系統的又一步,將(jiāng)增強公司的靈活性、提高産量和質量,并支持公司的長(cháng)期碳化矽路線圖和業務。

資料顯示,Norstel總部位于瑞典諾爾雪平,成(chéng)立于2005年,是全球SiC襯底及外延片的主要供應商之一。而意法半導體原已是全球少數SiC IDM企業之一,如今通過(guò)收購Norstel進(jìn)一步布局SiC産業。2019年1月,意法半導體與科銳簽署多年供貨協議,Cree將(jiāng)向(xiàng)意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。

SiC作爲新一代材料備受矚目,國(guó)際企業多年前就已開(kāi)始提前布局,英飛淩、科銳等巨頭已逐步完成(chéng)了從材料、器件、模組到系統解決方案的全産業鏈貫通,SiC産業的并購整合動作并不算十分明顯,但近年來亦時有發(fā)生,最近似乎更爲活躍。

2016年,英飛淩曾試圖收購科銳旗下主營SiC、GaN業務的Wolfspeed,但由于SiC、GaN均爲制造有源相控陣雷達等軍事(shì)裝備的關鍵器件,該收購案被美國(guó)政府以危害國(guó)家安全爲由予以否決而宣告失敗。爲此,英飛淩向(xiàng)Cree付了1250萬美元分手費。

前不久,英飛淩再度針對(duì)SiC展開(kāi)收購,宣布以1.39億美元收購初創企業Siltectra,獲得後(hòu)者創新技術ColdSpilt以用于碳化矽晶圓的切割上,從而讓單片晶圓可出産的芯片數量翻番,進(jìn)一步加碼碳化矽市場。

如今,意法半導體也動手收購Norstel,SiC産業鏈企業相繼着手擴産,中國(guó)企業對(duì)SiC的投資熱度持續升溫,SiC器件的大規模商用可期。

SiC商用提速!科銳與意法半導體簽署2.5億美元供貨協議

SiC商用提速!科銳與意法半導體簽署2.5億美元供貨協議

近日Cree科銳宣布,其與意法半導體簽署了一份多年供貨協議,爲意法半導體生産和供應其Wolfspeed碳化矽(SiC)晶圓。

按照協議規定,在當前碳化矽功率器件市場需求顯著增長(cháng)期間,Cree將(jiāng)向(xiàng)意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化矽裸晶圓和外延晶圓。協議將(jiāng)加速SiC在汽車和工業兩(liǎng)大市場的商用。

Cree首席執行官Gregg Lowe表示,這(zhè)是去年以來Cree爲支持半導體工業從矽向(xiàng)碳化矽轉型而簽署的第三份多年供貨協議,Cree將(jiāng)不斷擴大産能(néng),以滿足持續增長(cháng)的市場需求,特别是在工業和汽車應用領域。

Cree旗下Wolfspeed是全球領先的碳化矽晶圓和外延晶圓制造商,其整合了從SiC襯底到模組的全産業鏈生産環節,在市場占據主導地位。據悉,Cree的SiC襯底占據了全球市場近40%份額,在SiC器件領域的市場份額亦僅次于英飛淩。

2016年,英飛淩曾試圖收購Wolfspeed,但由于Wolfspeed的主營業務SiC、GaN均爲制造有源相控陣雷達等軍事(shì)裝備的關鍵器件,該收購案被美國(guó)政府以危害國(guó)家安全爲由予以否決而宣告失敗。爲此,英飛淩還(hái)向(xiàng)Cree付了1250萬美元分手費。

SiC材料及器件可使電力電子系統的功率、溫度、頻率、抗輻射能(néng)力、效率和可靠性倍增,體積、重量以及成(chéng)本的大幅減低,适用于汽車、鐵路、工業設備、家用消費電子設備等領域。英飛淩CEO雷哈德·普洛斯曾表示,Wolfspeed生産的SiC芯片在未來數年將(jiāng)逐漸取代傳統芯片,尤其是在電動和混合動力汽車市場。

盡管性能(néng)優越,但由于産能(néng)不足、價格較高等各方面(miàn)原因,SiC器件目前尚未得到大規模商用,近兩(liǎng)年來随着新能(néng)源汽車等蓬勃發(fā)展,市場對(duì)SiC的需求亦顯著提升,越來越多的汽車制造商紛紛考慮使用SiC器件,這(zhè)次Cree與意法半導體簽訂供貨協議,將(jiāng)有望加速SiC在汽車和業應用領域的商用。

意法半導體是全球著名的半導體供應商,在工業和汽車電子領域均占有較高的市場份額,其産品涵蓋了工控、汽車電子、智能(néng)家居等各大領域的方方面(miàn)面(miàn),如今斥巨資與Cree簽下SiC晶圓及外延片供貨長(cháng)約,即意味着其將(jiāng)持續支持SiC器件的商用。

在2018年2月,Cree亦與英飛淩達成(chéng)了SiC晶圓長(cháng)期供應協議,將(jiāng)向(xiàng)英飛淩長(cháng)期供應150mm SiC晶圓,以滿足當前高增長(cháng)的光伏逆變器、工業和汽車等市場。

随着意法半導體、英飛淩等國(guó)際大廠的持續推進(jìn),SiC器件的大規模商用將(jiāng)越來越近。