SiC商用提速!科銳與意法半導體簽署2.5億美元供貨協議

SiC商用提速!科銳與意法半導體簽署2.5億美元供貨協議

近日Cree科銳宣布,其與意法半導體簽署了一份多年供貨協議,爲意法半導體生産和供應其Wolfspeed碳化矽(SiC)晶圓。

按照協議規定,在當前碳化矽功率器件市場需求顯著增長(cháng)期間,Cree將(jiāng)向(xiàng)意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化矽裸晶圓和外延晶圓。協議將(jiāng)加速SiC在汽車和工業兩(liǎng)大市場的商用。

Cree首席執行官Gregg Lowe表示,這(zhè)是去年以來Cree爲支持半導體工業從矽向(xiàng)碳化矽轉型而簽署的第三份多年供貨協議,Cree將(jiāng)不斷擴大産能(néng),以滿足持續增長(cháng)的市場需求,特别是在工業和汽車應用領域。

Cree旗下Wolfspeed是全球領先的碳化矽晶圓和外延晶圓制造商,其整合了從SiC襯底到模組的全産業鏈生産環節,在市場占據主導地位。據悉,Cree的SiC襯底占據了全球市場近40%份額,在SiC器件領域的市場份額亦僅次于英飛淩。

2016年,英飛淩曾試圖收購Wolfspeed,但由于Wolfspeed的主營業務SiC、GaN均爲制造有源相控陣雷達等軍事(shì)裝備的關鍵器件,該收購案被美國(guó)政府以危害國(guó)家安全爲由予以否決而宣告失敗。爲此,英飛淩還(hái)向(xiàng)Cree付了1250萬美元分手費。

SiC材料及器件可使電力電子系統的功率、溫度、頻率、抗輻射能(néng)力、效率和可靠性倍增,體積、重量以及成(chéng)本的大幅減低,适用于汽車、鐵路、工業設備、家用消費電子設備等領域。英飛淩CEO雷哈德·普洛斯曾表示,Wolfspeed生産的SiC芯片在未來數年將(jiāng)逐漸取代傳統芯片,尤其是在電動和混合動力汽車市場。

盡管性能(néng)優越,但由于産能(néng)不足、價格較高等各方面(miàn)原因,SiC器件目前尚未得到大規模商用,近兩(liǎng)年來随着新能(néng)源汽車等蓬勃發(fā)展,市場對(duì)SiC的需求亦顯著提升,越來越多的汽車制造商紛紛考慮使用SiC器件,這(zhè)次Cree與意法半導體簽訂供貨協議,將(jiāng)有望加速SiC在汽車和業應用領域的商用。

意法半導體是全球著名的半導體供應商,在工業和汽車電子領域均占有較高的市場份額,其産品涵蓋了工控、汽車電子、智能(néng)家居等各大領域的方方面(miàn)面(miàn),如今斥巨資與Cree簽下SiC晶圓及外延片供貨長(cháng)約,即意味着其將(jiāng)持續支持SiC器件的商用。

在2018年2月,Cree亦與英飛淩達成(chéng)了SiC晶圓長(cháng)期供應協議,將(jiāng)向(xiàng)英飛淩長(cháng)期供應150mm SiC晶圓,以滿足當前高增長(cháng)的光伏逆變器、工業和汽車等市場。

随着意法半導體、英飛淩等國(guó)際大廠的持續推進(jìn),SiC器件的大規模商用將(jiāng)越來越近。

濟南專項政策出台 國(guó)内第三代半導體産業版圖初現

濟南專項政策出台 國(guó)内第三代半導體産業版圖初現

碳化矽、氮化镓、氧化镓和金剛石等寬禁帶半導體材料(又稱“第三代半導體”),被視爲世界各國(guó)競相發(fā)展的戰略性、先導性領域,2017年以來亦成(chéng)爲國(guó)内重點發(fā)展方向(xiàng)之一,各地政府相繼布局。

前不久,在2018中國(guó)寬禁帶功率半導體及應用産業發(fā)展峰會,濟南市政府透露即將(jiāng)推出相關政策扶持寬禁帶産業發(fā)展,如今該政策已正式出台。

濟南出台第三代半導體專項政策

日前,濟南市政府印發(fā)《濟南市支持寬禁帶半導體産業加快發(fā)展的若幹政策措施》(以下簡稱《若幹政策措施》),以加快發(fā)展寬禁帶半導體産業,推動全市新舊動能(néng)轉換和産業轉型升級。

《若幹政策措施》主要包括強化區域載體建設、支持科技成(chéng)果轉化、創新财政金融支持、加快産業培育發(fā)展、加強“雙招雙引”工作、推動政策措施落地見效六大部分,涵蓋了區域布局、研發(fā)、資金、項目、招商等方面(miàn)給予支持和補助等,部分重點内容如下:

市、區兩(liǎng)級财政自2019年起(qǐ),連續3年每年安排不低于3000萬元的資金支持寬禁帶半導體産業研究院發(fā)展,重點用于建設國(guó)際先進(jìn)的寬禁帶半導體研發(fā)、檢測和服務公共平台,開(kāi)展關鍵技術、芯片和器件等科技攻關,研發(fā)一批具有自主知識産權的新材料、新工藝、新器件。

支持企業研發(fā)活動,對(duì)于符合條件的年銷售收入2億元以上企業,按其較上年度新增享受研發(fā)費用加計扣除費用部分的10%給予補助;年銷售收入2億元(含)以下企業,按其當年享受研發(fā)費用加計扣除費用總額的10%給予補助;單個企業年度最高補助金額不超過(guò)1000萬元。

支持重點建設項目,對(duì)企業重點投資的寬禁帶項目,根據企業資産規模、年銷售額、項目投資額、職工人數、技術水平等綜合情況給予扶持獎勵。企業新投資項目實際固定資産(不包括項目用地,下同)達到5000萬元以上的,竣工驗收後(hòu)獎勵100萬元;企業新投資項目實際固定資産達到1億元以上的,竣工驗收後(hòu)獎勵200萬元。

該《若幹政策措施》自2019年1月1日起(qǐ)施行,有效期三年。

國(guó)内第三代半導體版圖漸顯

除了濟南外,2018年深圳市坪山也發(fā)布第三代半導體産業扶持政策,随着各地政府相繼出台專項政策及重點布局,國(guó)内第三代半導體的産業版圖亦逐漸開(kāi)始形成(chéng),産業格局初現。目前,山東濟南市、深圳坪山區、北京順義區、江蘇蘇州汾湖高新區等地區均已明确表明要重要發(fā)展第三代半導體産業,浙江、廈門、江西等地已逐步發(fā)展成(chéng)爲第三代半導體産業特色集聚區。

山東濟南市

據了解,山東省已將(jiāng)“支持濟南建寬禁帶半導體小鎮”納入《山東省新一代信息技術産業專項規劃(2018-2022年)》,如今《濟南市支持寬禁帶半導體産業加快發(fā)展的若幹政策措施》亦已出台,濟南市第三半導體産業布局已十分明确。

2018年12月7日,在“2018中國(guó)寬禁帶功率半導體及應用産業發(fā)展峰會”上,濟南市政府與山東大學(xué)簽約將(jiāng)共同建設山東大學(xué)濟南寬禁帶半導體産業研究院,該研究院作爲將(jiāng)來濟南寬禁帶半導體産業小鎮的核心,承載着科技孵化器、産業發(fā)動機、人才聚集地、産業鏈聚集區四大功能(néng)定位。

目前,濟南寬禁帶半導體産業特色小鎮工作全面(miàn)啓動。據濟南市槐蔭工業園區投資促進(jìn)局局長(cháng)董忠介紹,小鎮拟分近期、中期、遠期三個階段推進(jìn),近期占地約500畝,包括重點建設占地約200畝的天嶽二期工程等。預計到2030年,該小鎮將(jiāng)形成(chéng)成(chéng)熟的千億級寬禁帶半導體産業集群。

深圳坪山區

深圳市根據“十三五”規劃的國(guó)際科技和産業創新中心定位,正在實施新一輪創新發(fā)展戰略布局,將(jiāng)着力在核心芯片、人工智能(néng)等重點關鍵技術的突破。根據規劃,坪山區爲第三代半導體産業的優先發(fā)展區域。

爲了加快第三代半導體發(fā)展步伐,深圳市已相繼成(chéng)第三代半導體器件重點實驗室、深圳第三代半導體研究院,并在坪山區設立第三代半導體産業集聚區。此外,坪山區政府已出台《深圳市坪山區人民政府關于促進(jìn)集成(chéng)電路第三代半導體産業發(fā)展若幹措施》,以切實推動坪山區集成(chéng)電路産業的跨越式發(fā)展。

據了解,坪山第三代半導體(集成(chéng)電路)未來産業集聚區由位于坪山高新區西部的核心區和東北部的拓展區組成(chéng),總規劃用地面(miàn)積5.09平方公裡(lǐ)。坪山區現已集聚8家第三代半導體和集成(chéng)電路領域的核心企業,建立了材料、設備、設計、制造、封裝測試及下遊應用的完整産業鏈。

北京順義區

《北京市加快科技創新發(fā)展集成(chéng)電路産業的指導意見》明确指出,要在順義區重點布局第三代半導體産業。據了解,順義已將(jiāng)第三代半導體列爲該區三大千億産業集群之一予以重點打造,通過(guò)頂層設計,打造北京第三代半導體創新型産業集聚區。

目前,順義的國(guó)際第三代半導體衆聯空間被科技部評爲國(guó)家級衆聯空間,入孵企業50餘家;第三代半導體材料及應用聯合創新基地已于2018年12月竣工,總面(miàn)積7.1萬平方米,聯盟成(chéng)員單位已達105家。此外,中電科集團十三所、中電科集團光電總部、平湖波科半導體芯片、漢能(néng)移動能(néng)源中心等一批重點項目相繼落地。

同時,順義區還(hái)啓動了第三代半導體創新型産業集聚區前期研究和規劃建設,編制第三代半導體産業發(fā)展規劃,預留了充足的發(fā)展空間,制定第三代半導體産業專項政策,成(chéng)立了專門機構加強組織領導,統籌了财政資金加大支持力度,吸引了社會資本深化産融合作等。

随着各地政府的扶持政策及規劃的相繼落地施行,國(guó)内第三代半導體産業發(fā)展有望進(jìn)一步加速,産業地域布局亦將(jiāng)逐漸清晰。