存儲器大廠美光科技（Micron）14日宣布完成(chéng)新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長(cháng)Sanjay Mehrotra表示，新廠區將(jiāng)視市場需求調整資本支出及産能(néng)規劃，并應用先進(jìn)3D NAND制程技術，進(jìn)一步推動5G、人工智能(néng)（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將(jiāng)加碼在中國(guó)台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生産線可望在年底前落成(chéng)。
美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成(chéng)啓用典禮，共有超過(guò)500名客戶及供應商、經(jīng)銷商、美光團隊成(chéng)員、當地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基闆廠景碩、存儲器封測廠力成(chéng)、IC渠道(dào)商文晔等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光2016年在新加坡成(chéng)立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將(jiāng)根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開(kāi)始生産，但在技術及産能(néng)轉換調整情況下，Fab 10廠區總産能(néng)不變。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長(cháng)上的長(cháng)期投資，擴建的Fab 10A爲晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進(jìn)3D NAND技術先進(jìn)制程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進(jìn)入量産，第四代128層3D NAND將(jiāng)由浮動閘極（floating gate）轉向(xiàng)替換閘極（replacement gate）過(guò)渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長(cháng)期成(chéng)長(cháng)的關鍵，同時進(jìn)一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的DRAM布局上，以日本廣島廠爲先進(jìn)制程研發(fā)重心，2017年在台灣成(chéng)立DRAM卓越中心，台灣成(chéng)爲美光最大DRAM生産重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12英寸廠，也將(jiāng)加快投資進(jìn)行新廠區擴建，計劃在年底前完成(chéng)，而台中廠區後(hòu)段封測廠亦持續擴大産能(néng)。
随着韓國(guó)存儲器廠三星及SK海力士開(kāi)始評估在先進(jìn)DRAM制程上采用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開(kāi)始評估將(jiāng)EUV技術應用在DRAM生産的成(chéng)本效益，随着DRAM制程由1z納米向(xiàng)1α、1β、1γ納米技術推進(jìn)過(guò)程，會選擇在合适制程節點采用EUV技術方案。