美光Micron 歸檔 - 北京中代科技有限公司

美光2020年會計年度Q1展望保守

2019年9月29日由中代科技評論關閉

美國(guó)商務部將(jiāng)華爲列入禁止出口實體清單中，美光雖然將(jiāng)不受限制的産品對(duì)華爲出貨，但總體來看，華爲禁令已對(duì)美光營運造成(chéng)負面(miàn)影響，加上美光表示未來幾季對(duì)華爲的出貨恐持續下滑，也導緻美光對(duì)2020年會計年度第一季展望低于預期。在營運展望保守下，美光股價上周五大跌近7%，連帶影響南亞科、華邦電、威剛、群聯等存儲器族群股價紛紛走跌。

雖然近期DRAM及NAND Flash價格止跌，但市場庫存仍高，美光預期2020年會計年度第一季（9～11月）營收可望回升至50億美元，但毛利率將(jiāng)進(jìn)一步下滑，導緻獲利預估低于市場預期。再者，美光預期華爲若持續名列實體清單，美光又無法獲得商務部許可，會造成(chéng)對(duì)華爲的出貨逐季下滑，影響營運。

再者，美光對(duì)明年存儲器市場景氣看法，市場法人及分析師均趨于保守，所以才會明顯降低資本支出。尤其美光對(duì)NAND Flash市場展望保守，2020年的供給位元年成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)明顯低于産業平均水平，并將(jiāng)以現有庫存因應客戶需求，法人解讀美光恐持續減産，也暗示市場庫存水位仍居高不下。

不過(guò)，美光無法順利出貨給華爲，反而給台灣地區存儲器廠有機會争取華爲訂單。法人指出，華爲在智能(néng)型手機、5G基地台、網絡設備及、WiFi路由器、筆電及服務器等市場具領導地位，所以對(duì)存儲器需求量龐大，美光現在隻能(néng)將(jiāng)部分不受限制的産品出貨給華爲。

法人表示，台灣存儲器廠如南亞科、華邦電等多數産品線，基本上都(dōu)可符合法令規定持續出貨給華爲，對(duì)下半年營運有明顯加分效果。

美光總裁兼CEO：全球半導體産業擴張勢頭不會縮減

2019年9月9日由中代科技評論關閉

近期，美國(guó)半導體行業協會輪值主席、美光科技公司總裁兼CEO桑傑·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，随着智能(néng)手機、個人電腦和雲計算應用等領域的計算技術不斷取得突破，人們在生産生活中利用信息的方式被深度優化。特别是在醫療保健、交通技術和數據訪問等領域，半導體技術發(fā)揮着不可替代的作用，且在産業鏈中占據着越來越大的份額，成(chéng)爲世界經(jīng)濟的領先部門之一。

半導體占據越來越大份額

在過(guò)去的20年中，全球半導體銷售業務一直在以接近7%的年複合增長(cháng)率發(fā)展，在2018年達到4690億美元。如今，中國(guó)成(chéng)爲日益重要的半導體市場，2018年占全球半導體銷量的1/3。在桑傑·梅赫羅特拉看來，全球半導體行業長(cháng)期前景十分光明，産業擴張勢頭不減。這(zhè)種(zhǒng)增長(cháng)得益于先進(jìn)的計算性能(néng)、更快的連接速度和新應用程序所需的實時數據分析。

“對(duì)于一個在半導體行業工作了40年的行業一員來說，”桑傑·梅赫羅特拉表示，“我們的願景是改變世界利用信息的方式，豐富人們的生活。特别是在醫療保健、交通技術和數據訪問等領域，半導體技術發(fā)揮着不可替代的作用，且在産業鏈中占據着越來越大的份額。

在醫療保健領域，通過(guò)更先進(jìn)的半導體技術，我們將(jiāng)獲得重大機遇加快改善護理質量的進(jìn)程。多項研究表明，人工智能(néng)可對(duì)常見的掃描結果做出分析，至少能(néng)做到與人類醫生一樣準确，在許多情況下，甚至比我們最優秀的專家做得更好(hǎo)、更快。随着技術不斷的發(fā)展，人工智能(néng)科技將(jiāng)爲更多的人帶來先進(jìn)的、挽救生命的醫療保健服務，使農村和缺醫少藥地區也能(néng)夠更便捷地獲取最好(hǎo)的醫療知識和診斷。

在交通技術領域，汽車制造商正在快速應用輔助駕駛功能(néng)，如避碰、自适應巡航控制和車道(dào)偏離警告技術。未來，道(dào)路安全性將(jiāng)得到大幅提升。

在數據訪問領域，5G網絡將(jiāng)徹底改變數據訪問速度，并能(néng)獲得海量設備的連接。5G的大帶寬和低時延將(jiāng)使當下網絡上無法存在的應用程序和業務模型成(chéng)爲可能(néng)，包括4K流媒體視頻和基于虛拟現實的新型應用程序。5G網絡將(jiāng)爲數十億相互連接的設備，即物聯網提供架構，并將(jiāng)計算的觸角延伸到人類生活的方方面(miàn)面(miàn)。

半導體産業發(fā)展三要素

桑傑·梅赫羅特拉指出，半導體行業需要繼續投資于技術創新、制造能(néng)力和産品解決方案，這(zhè)就對(duì)半導體行業提出了三個重要要求。

一是要吸引源源不斷的優秀人才加入半導體行業，爲未來的挑戰性問題創造解決方案。

二是要重視知識産權保護。半導體的研發(fā)投資要求很高，創新的步伐需要持續、高水平運營資本的支出，半導體行業和世界各國(guó)政府必須共同努力，确保在尊重和保護知識産權的基礎上建立一個全球框架，使企業能(néng)夠收回這(zhè)些重大支出，并繼續投資于造福社會的未來發(fā)展。

三是要維持政府主導的半導體投資供需平衡。對(duì)下一代、未來技術的研究投資而言，可以從政府資助中受益，但關鍵是要确保此類資助不會擴大影響半導體行業供需微妙平衡的制造規模。半導體市場，對(duì)這(zhè)些供需動态非常敏感，世界貿易組織已經(jīng)做出了相應的規定，以确保工業結構有序。

美光回應台中廠擴建案：不會增加新的晶圓産能(néng)

2019年9月3日由中代科技評論關閉

美國(guó)存儲器大廠美光（Micron）對(duì)于台灣地區台中廠擴建一案提出正式回應說明。美光表示，如同美光于公布2019會計年度第三季度财報時所言，今年4月美光于台中的無塵室擴建工程正式動土。

美光表示，由于未來開(kāi)發(fā)DRAM節點所需處理步驟可能(néng)更繁雜，需要更多無塵室空間以因應。無塵室的擴建將(jiāng)有助于推進(jìn)台灣美光現有晶圓産能(néng)DRAM制程轉換，美光并不會因該擴建而增加任何新的晶圓産能(néng)。台灣美光將(jiāng)不就任何有關進(jìn)一步擴建或投資台灣的猜測及謠言發(fā)表評論。

綜觀全球，美光确認將(jiāng)2019會計年度的資本支出從年初105億美元加減5%，調降至大約90億美元。相較于2019會計年度，美光也計劃有意義地降低2020會計年度資本支出投資水平。

美光量産第三代10nm級内存：首發(fā)1Znm工藝 16Gb DDR4

2019年8月28日由中代科技評論關閉

日前美光公司宣布量産了1Znm工藝的16Gb DDR4内存，這(zhè)是第第三代10nm級内存工藝，這(zhè)次量産也讓美光成(chéng)爲業界第一個量産1Znm工藝的公司，這(zhè)一次進(jìn)度比以往的标杆三星公司還(hái)要快。

在内存工藝進(jìn)入20nm之後(hòu)，由于制造難度越來越高，内存芯片公司對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成(chéng)了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級别、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級别。

根據美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之後(hòu)還(hái)會有1αnm、1βnm、1γnm，這(zhè)樣一來10nm級别就有六種(zhǒng)制造工藝了，現在正好(hǎo)演進(jìn)到到了第三代。

美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能(néng)及更低成(chéng)本，不過(guò)美光并沒(méi)有給出具體的數據，性能(néng)提升多少、成(chéng)本降低多少尚無确切數據，唯一比較确切的就是說1Znm 16Gb DDR4内存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這(zhè)個比較也太過(guò)寬泛。

此外，美光還(hái)宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，滿足了業界對(duì)低功耗及更小封裝的的要求。

台灣美光：爲因應制程技術升級擴建A3 但沒(méi)有A5廠規劃

2019年8月27日由中代科技評論關閉

市場傳出存儲器大廠美光(Micron)將(jiāng)在中國(guó)台灣興建A3和A5兩(liǎng)座晶圓廠，不過(guò)，台灣美光昨(26)日表示，目前在台投資計劃僅有在中科廠旁擴建A3無塵室，而沒(méi)有A5廠的規劃；且現階段美光的全球産能(néng)布局原則爲提升制程技術與增加産品容量，而非增加晶圓投片量。

台灣美光表示，正在台中後(hòu)裡(lǐ)廠區動工擴建A3廠，主要是爲了擴大增加無塵室設備空間和技術升級，預計明(2020)年第四季完工，但目前沒(méi)有A5廠的規劃。而擴建無塵室空間是爲了因應先進(jìn)制程之新設備需求，且目前美光的全球産能(néng)布局原則是提升制程技術、與增加存儲器儲存容量，而并非增加晶圓投片量或月産能(néng)。

分析師則指出，美光在台大舉投資，可望發(fā)揮一定程度拉擡台灣經(jīng)濟，以及帶動就業的效果；不過(guò)，由于整體産能(néng)規劃未變，推測對(duì)後(hòu)段封測廠，例如力成(chéng)、南茂、日月光等助益也有限，而後(hòu)續更值得留意的是，台灣美光將(jiāng)跨足先進(jìn)封測領域，是否會影響相關台廠在高端封測的訂單。

美光在台擴廠加碼903億元建兩(liǎng)座晶圓廠

2019年8月26日由中代科技評論關閉

全球第三大DRAM廠美商美光（Micron）加碼投資中國(guó)台灣地區，要在現有中科廠區旁興建兩(liǎng)座晶圓廠，總投資額達新台币4,000億元（約合人民币903億元），以生産下世代最新制程生産DRAM。時值DRAM仍供過(guò)于求，美光大手筆投資，震撼業界。

這(zhè)是美光繼在台中投資先進(jìn)存儲器後(hòu)段封測廠後(hòu)，又一次大手筆投資台灣。中科管理局透露，美光此次投資案，名列台灣第二大半導體投資案（僅次于台積電中科與南科擴建案），若以外商來看，則是最大投資案。

據了解，美光此次903億元擴建案，規劃在目前中科廠旁，興建A3及A5兩(liǎng)座晶圓廠。其中，A3廠預定明年8月完工，并陸續裝機，明年第4季導入最新的1z制程試産，藉此縮小與龍頭三星的差距；第二期A5廠將(jiāng)視市場需求，逐步擴增産能(néng)，規劃設計月産能(néng)6萬片。

美光台灣分公司證實在台中擴建A3廠，且已進(jìn)入興建工程。美光台灣強調，A3廠房是以擴建無塵室爲主，將(jiāng)加入既有的桃園前段晶圓廠，以及台中後(hòu)裡(lǐ)前段晶圓廠的前段晶圓制造生産線，進(jìn)一步擴充美光在台設立的DRAM卓越中心的設備更新、技術升級。至于A3廠投資金額和A5廠相關産能(néng)規劃等細節，則不便透露。

因應這(zhè)項擴建案，美光近期整并位于台中的原瑞晶廠與并購華亞科的桃園廠組織架構，分别列爲美光的A1廠及A2廠，兩(liǎng)座晶圓廠全數劃歸美光台灣董事(shì)長(cháng)兼台中廠營運長(cháng)徐國(guó)晉管轄，數十位中間主管因組織重疊而優退，桃園廠營運長(cháng)葉仁傑也訂9月1日離職。

美光是全球第三大DRAM廠，名列韓國(guó)三星、SK海力士之後(hòu)。目前DRAM市場仍供過(guò)于求，價格跌勢延續，三星、SK海力士爲均暫緩擴産，避免打亂市場，加上先前日韓貿易戰一度使得南韓DRAM生産恐受影響，市場原看好(hǎo)DRAM市況可望反轉向(xiàng)上，如今美光大手筆投資，引發(fā)高度關注。

據了解，美光此次大手筆投資，主要看好(hǎo)進(jìn)入第五代移動通訊（5G）時代之後(hòu)，快速驅動人工智能(néng)（AI）、物聯網和智慧車等應用發(fā)展，帶動DRAM需求強勁，提早卡位相關商機，并優先擴建需導入更先進(jìn)設備的無塵室，以利讓台灣廠區制程正式推進(jìn)到最先進(jìn)的1z世代。

業界分析，以一座晶圓運作人數約需1,000人計算，美光此次大投資，勢必要大舉招募相關制程和技術人才，美光同步在新加坡和台灣進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM制程推進(jìn)和産能(néng)擴張，擴大全球市占的企圖心顯著。

美光宣布量産第3代10納米級制程DRAM

2019年8月19日由中代科技評論關閉

根據國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將(jiāng)采用第3代10納米級制程(1Znm)來生産新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生産的DRAM將(jiāng)會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對(duì)此，市場預估，美光的該項新産品還(hái)會在2019年底前，在美光位于中國(guó)台灣台中的廠區内建立量産産線。

報導指出，美光指出，與第2代10納米級（1ynm）制程相比，美光的第3代10納米級制程(1Znm)DRAM制造技術將(jiāng)使該公司能(néng)夠提高其DRAM的位元密度，從而增強性能(néng)，并且降低功耗。此外，以第3代10納米級制程所生産新一代DRAM，與同樣爲16GB DDR4的産品來比較，功耗較第2代10納米級制程産品低40%。

另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面(miàn)，1Znm制程技術將(jiāng)較1Ynm制程技術的産品節省高達10%的功率。而且，由于1Znm制程技術提供的位元密度更高，這(zhè)使得美光可以降低生産成(chéng)本，未來使得存儲器更加便宜。

報導進(jìn)一步指出，美光本次并沒(méi)有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度爲何，但根據市場預計，美光的新一代1Znm制程DRAM存儲器將(jiāng)會符合JEDEC制定的官方标準規格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲器的設備將(jiāng)會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲器模組爲主。

至于，在行動存儲器方面(miàn)，根據美光公布的資料顯示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲器的傳輸速率最高可達4266 MT/s。此外，除了爲高端智能(néng)手機提供高達16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模組外，美光還(hái)將(jiāng)提供基于UFS規格的多存儲器模組（uMCP4），其中内含NAND Flash和DRAM。而美光針對(duì)主流手機的uMCP4系列産品將(jiāng)包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規格。

雖然美光沒(méi)有透露其采用1Znm技術的16GB DDR4和LPDDR4X存儲器將(jiāng)會在哪裡(lǐ)生産，不過(guò)市場分析師推測，美光其在日本廣島的工廠將(jiāng)會采用最新的制造技術開(kāi)始批量生産，而在此同時，也期待2019年底前在台灣台中附近的美光台灣晶圓廠將(jiāng)開(kāi)始營運1Znm制程技術的生産線。

美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成(chéng)擴建

2019年8月15日由中代科技評論關閉

存儲器大廠美光科技（Micron）14日宣布完成(chéng)新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長(cháng)Sanjay Mehrotra表示，新廠區將(jiāng)視市場需求調整資本支出及産能(néng)規劃，并應用先進(jìn)3D NAND制程技術，進(jìn)一步推動5G、人工智能(néng)（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將(jiāng)加碼在中國(guó)台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生産線可望在年底前落成(chéng)。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成(chéng)啓用典禮，共有超過(guò)500名客戶及供應商、經(jīng)銷商、美光團隊成(chéng)員、當地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基闆廠景碩、存儲器封測廠力成(chéng)、IC渠道(dào)商文晔等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成(chéng)立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將(jiāng)根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開(kāi)始生産，但在技術及産能(néng)轉換調整情況下，Fab 10廠區總産能(néng)不變。

美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長(cháng)上的長(cháng)期投資，擴建的Fab 10A爲晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進(jìn)3D NAND技術先進(jìn)制程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進(jìn)入量産，第四代128層3D NAND將(jiāng)由浮動閘極（floating gate）轉向(xiàng)替換閘極（replacement gate）過(guò)渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長(cháng)期成(chéng)長(cháng)的關鍵，同時進(jìn)一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。

美光的DRAM布局上，以日本廣島廠爲先進(jìn)制程研發(fā)重心，2017年在台灣成(chéng)立DRAM卓越中心，台灣成(chéng)爲美光最大DRAM生産重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12英寸廠，也將(jiāng)加快投資進(jìn)行新廠區擴建，計劃在年底前完成(chéng)，而台中廠區後(hòu)段封測廠亦持續擴大産能(néng)。

随着韓國(guó)存儲器廠三星及SK海力士開(kāi)始評估在先進(jìn)DRAM制程上采用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開(kāi)始評估將(jiāng)EUV技術應用在DRAM生産的成(chéng)本效益，随着DRAM制程由1z納米向(xiàng)1α、1β、1γ納米技術推進(jìn)過(guò)程，會選擇在合适制程節點采用EUV技術方案。

美光恢複向(xiàng)華爲出貨部分芯片

2019年6月26日由中代科技評論關閉

6月25日，據路透社消息，美國(guó)存儲器芯片制造商美光表示，已恢複向(xiàng)華爲出貨部分芯片。

美光執行長(cháng)Sanjay Mehrotra稱，在評估美國(guó)對(duì)華爲的禁售令之後(hòu)，過(guò)去兩(liǎng)周已經(jīng)恢複部分芯片出貨。

Mehrotra指出，美光确定，可以合法恢複一部分現有産品出貨，因爲這(zhè)些産品不受出口管理條例（EAR）和實體清單的限制。美光已經(jīng)在過(guò)去兩(liǎng)周就這(zhè)些産品中部分訂單開(kāi)始出貨給華爲。

不過(guò)，因爲華爲的情況依然存在不确定性，因此美光無法預測對(duì)華爲出貨的産品數量或持續時間。

此外，Mehrotra還(hái)表示，就數據中心市場而言，雲端客戶庫存問題出現改善迹象，多數的庫存水準已接近正常水位。美光第3季的雲端DRAM位元出貨量呈現季增，超越公司内部的預期，初步趨勢迹象顯示本季可望出現強勁的季增表現。

美光預測，今年晚些時候其芯片需求量將(jiāng)回升。

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美光科技第三财季營收48億美元淨利同比降78%

2019年6月26日由中代科技評論關閉

北京時間6月26日淩晨消息，美光科技今日發(fā)布了該公司的2019财年第三财季财報。報告顯示，美光科技第三财季營收爲47.88億美元，相比之下去年同期的營收爲77.97億美元；淨利潤爲8.40億美元，與去年同期的38.23億美元相比下降78%。美光科技第三财季營收和調整後(hòu)每股收益均超出華爾街分析師預期，從而推動其盤後(hòu)股價大漲近9%。

在截至5月30日的這(zhè)一财季，美光科技的淨利潤爲8.40億美元，每股攤薄收益爲0.74美元，這(zhè)一業績遠不及去年同期。2018财年第三财季，美光科技的淨利潤爲38.23億美元，每股攤薄收益爲3.10美元。

不計入某些一次性項目（不按照美國(guó)通用會計準則），美光科技第三季度調整後(hòu)淨利潤爲11.98億美元，調整後(hòu)每股收益爲1.05美元，這(zhè)一業績超出分析師預期，相比之下去年同期的調整後(hòu)淨利潤爲38.98億美元，調整後(hòu)每股收益爲3.15美元。财經(jīng)信息供應商FactSet調查顯示，分析師此前平均預期美光科技第三财季每股收益將(jiāng)達0.79美元。

美光科技第三财季營收爲47.88億美元，相比之下去年同期的營收爲77.97億美元，也超出分析師預期。FactSet調查顯示，分析師此前平均預期美光科技第三财季營收將(jiāng)達46.7億美元。

美光科技第三财季毛利潤爲18.28億美元，在營收中所占比例爲38.2%，相比之下去年同期的毛利潤爲47.23億美元，在營收中所占比例爲60.6%。不按照美國(guó)通用會計準則，美光科技第三财季毛利潤爲18.84億美元，在營收中所占比例爲39.3%，相比之下去年同期的毛利潤爲47.50億美元，在營收中所占比例爲60.9%。

美光科技第三财季運營利潤爲10.10億美元，在營收中所占比例爲21.1%，相比之下去年同期的運營利潤爲39.53億美元，在營收中所占比例爲50.7%。不按照美國(guó)通用會計準則，美光科技第三财季運營利潤爲11.10億美元，在營收中所占比例爲23.2%，相比之下去年同期的運營利潤爲40.17億美元，在營收中所占比例爲51.5%。

美光科技第三财季用于資本支出的投資（其中不包含由合作夥伴提供融資的金額）爲22.1億美元，調整後(hòu)自由現金流爲5.04億美元。根據已經(jīng)獲批的100億美元股票回購計劃，美光科技在2019财年的前9個月中總共回購了6700萬股普通股，回購總對(duì)價爲26.6億美元。截至第三财季末，美光科技持有的現金、有價證券投資和限制性現金總額爲79.3億美元，現金淨額爲30.2億美元。

當日，美光科技股價在納斯達克常規交易中下跌0.51美元，報收于32.68美元，跌幅爲1.54%。在随後(hòu)截至美國(guó)東部時間周二下午5點33分（北京時間周三淩晨5點33分）的盤後(hòu)交易中，美光科技股價大幅上漲2.88美元，至35.56美元，漲幅爲8.81%。過(guò)去52周，美光科技的最高價爲58.15美元，最低價爲28.39美元。