籌措設備投資資金！傳TMC將(jiāng)于9月IPO

籌措設備投資資金！傳TMC將(jiāng)于9月IPO

由 中代科技評論關閉

路透社 20 日報導，據多位關系人士透露，從東芝（Toshiba）獨立、2018 年 6 月賣給美國(guó)私募基金貝恩資本（Bain Capital）爲主的「日美韓聯盟」的全球第二大 NAND 型快閃存儲器（Flash Memory）廠商「東芝存儲器」（TMC）已着手進(jìn)行準備，計劃今年 9 月 IPO，預估 TMC 上市後(hòu)市值將(jiāng)超過(guò) 2 兆日圓。

關系人士指出，「日美韓聯盟」收購 TMC 後(hòu)，原先計劃 3 年後(hòu)才 IPO，之所以計劃大幅提前，目的除了讓「日美韓聯盟」早期回收收購 TMC 花費的部分資金，也是藉由 IPO 籌措設備投資資金。

報導指出，因上市時有必要調整股東結構，因此 TMC 也計劃買回蘋果（Apple）、Dell、金士頓（Kingston）和希捷（Seagate Technology）等 4 家美國(guó)企業持有的約 4,000 億日圓優先股并注銷，爲了取得買回上述優先股的資金，TMC 計劃將(jiāng)目前由三井住友銀行等主要往來銀行提供的 6,000 億日圓融資轉換成(chéng)最高 1 兆日圓規模聯貸。

另外，TMC 也將(jiāng)向(xiàng)政府系基金 INCJ 及日本政策投資銀行（DBJ）尋求出資，規模 2,000 億日圓，若 INCJ / DBJ 同意出資，TMC 向(xiàng)銀行調度的資金金額有可能(néng)減少。

耕耘車用市場有成(chéng) 旺宏元月營收月增逾1成(chéng)

耕耘車用市場有成(chéng) 旺宏元月營收月增逾1成(chéng)

由 中代科技評論關閉

非揮發(fā)性快閃存儲器大廠旺宏公告元月營收月增10.6%達新台币22.60億元，表現略優于市場預期。旺宏過(guò)去幾年積極耕耘車用存儲器市場有成(chéng)，今年車用NOR/NAND Flash出貨持續放量，全球每台新車都(dōu)有内建旺宏芯片；同時，旺宏今年亦將(jiāng)強攻19納米SLC NAND及eMMC市場，已獲得許多客戶青睐。旺宏亦投入3D NAND研發(fā)，預期2021年開(kāi)始出貨。

旺宏去年合并營收達新台币369.53億元，年增8.1%并續創曆史新高，歸屬母公司稅後(hòu)淨利達新台币89.93億元，較前年大幅成(chéng)長(cháng)63.0%，每股淨利新台币4.94元，優于市場預期。每年上半年是旺宏營運淡季，但日前公告元月合并營收月增10.6%達新台币22.60億元，表現優于預期。

由于美中貿易摩擦尚未落幕，半導體市場第一季表現疲弱，旺宏董事(shì)長(cháng)吳敏求表示，今年是充滿不确定性的一年，上半年最不能(néng)預測，下半年若是美中貿易摩擦結束，就會明顯變好(hǎo)，但美中紛争要多久才會結束，是見仁見智。

雖然近期大陸同業擴産導緻NOR Flash價格松動，但吳敏求對(duì)NOR Flash看法不變，高質量的NOR Flash需求仍然十分強勁。而旺宏近年來積極卡位車用電子市場有成(chéng)，并獲得一線車廠及車用電子廠的采用，全球每台新車都(dōu)有内建旺宏芯片。吳敏求表示，車用或醫療等應用是人命關天的市場，要用保守的态度去做，所以NOR Flash市場還(hái)有相當大的成(chéng)長(cháng)空間。

旺宏董事(shì)會已決議通過(guò)新增資本支出預算，將(jiāng)投入新台币142.03億元擴充高階制程産能(néng)，去年第四季開(kāi)始投資，包括把12寸廠Fab 5的制程全面(miàn)升級爲19納米，同時也會將(jiāng)NOR Flash制程由75納米轉進(jìn)55納米。旺宏今年將(jiāng)發(fā)揮19納米技術優勢，全力提高SLC NAND出貨量，同時也將(jiāng)推出e.MMC存儲器搶攻新應用市場，持續推升旺宏營運表現。

新産能(néng)Q2後(hòu)發(fā)酵 NAND Flash跌價壓力仍在

新産能(néng)Q2後(hòu)發(fā)酵 NAND Flash跌價壓力仍在

由 中代科技評論關閉

由于NAND Flash價格去年大跌，導緻三星、SK海力士、東芝及西數、美光及英特爾等四大陣營在去年底減少晶圓産出，下修今年資本支出并推遲96層3D NAND擴産計劃，的确讓第一季NAND Flash價格出現緩跌情況。不過(guò)，随着上遊原廠96層3D NAND新産能(néng)將(jiāng)在第二季後(hòu)開(kāi)出，加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量産，業界預估供給過(guò)剩及跌價壓力仍在。

去年上半年因爲64層及72層3D TLC NAND産能(néng)開(kāi)出，且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，與2D NAND制程的單顆NAND Flash容量僅128Gb/256Gb相較幾乎翻倍，也因此，去年NAND Flash價格一路走跌，去年底每GB價格跌破0.1美元并創下新低紀錄，NAND Flash廠也面(miàn)臨營業利益明顯縮水壓力。

爲了減緩NAND Flash跌價走勢，包括三星、美光等上遊原廠在去年底減少晶圓産出，并下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新産能(néng)開(kāi)出速度。但因蘋果iPhone銷售不佳，智能(néng)型手機生産鏈進(jìn)入庫存調整，需求端明顯進(jìn)入衰退，讓上遊原廠減少供給的意圖大打折扣，第一季NAND Flash價格續跌，隻是跌幅略有縮小。

市場雖然預期智能(néng)型手機生産鏈第二季庫存去化完成(chéng)後(hòu)將(jiāng)重啓NAND Flash采購，且供給端并無新産能(néng)開(kāi)出，價格應可持穩，但因各家NAND Flash上遊原廠將(jiāng)在第二季開(kāi)出96層3D NAND新産能(néng)，且下半年後(hòu)新廠也將(jiāng)加入量産，模組業者對(duì)NAND Flash價格看法仍然保守，預期跌價情況恐會持續到今年中。

據業界消息，各家NAND Flash原廠的新廠將(jiāng)在下半年後(hòu)進(jìn)入量産階段，其中規模最大的是三星的西安廠第二期，第三季將(jiāng)量産512Gb容量96層3D NAND。美光Fab 10第三期預期會在今年第四季進(jìn)入量産，投産産品以512Gb容量96層3D NAND爲主。至于東芝及西數合資的Fab7將(jiāng)在會下半年完工，明年第一季512Gb容量96層3D NAND會開(kāi)始進(jìn)入量産階段。

集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市場均價季度跌幅可能(néng)達20%，第二季報價可能(néng)將(jiāng)續跌將(jiāng)近15%，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂。

 

三星公布2018年Q4财報，淨利大減逾3成(chéng)

三星公布2018年Q4财報，淨利大減逾3成(chéng)

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韓國(guó)三星電子公司（Samsung Electronics Co.）昨天公布财報，2018 年第四季淨利大減 31%，原因是主要産品存儲器芯片需求下滑。

三星爲全球最大手機與存儲器芯片制造商，根據财報，去年 10 月至 12 月淨利爲 8.46 兆韓圓，較 2017 年同期下滑 31%。

三星最近幾年屢創獲利新高，但情況如今已有所改變，在全球供貨增加下，芯片價格大跌。此外，三星也在智能(néng)型手機市場面(miàn)臨來自中國(guó)對(duì)手日益激烈的競争，例如華爲自去年起(qǐ)便取代蘋果公司（Apple），成(chéng)爲全球第二大手機供應商。

彭博報導，三星去年第四季淨利低于分析師預期。三星電子聲明表示，去年第四季獲利下降，主要受到存儲器芯片需求減少影響。三星也預期，「由于季節性因素、總體經(jīng)濟不确定性，以及主要采購大廠的庫存調節」，芯片需求「在今年第一季仍持續疲軟」。

2019 年首季慧榮保守看待 營收預估下滑

2019 年首季慧榮保守看待 營收預估下滑

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存儲器控制芯片大廠慧榮科技 30 日公布 2018 年第 4 季及全年營收數字。資料顯示，慧榮第 4 季營收 1.2339 億美元，較第 3 季減少 11%，毛利率達到 50.5%，稅後(hòu)淨利 3,020 萬美元，每單位 ADR 獲利 0.83 美元 。累計，2018 全年營收 5.3035 億美元，較 2017 年微幅增加 1%，毛利率 49.3%，稅後(hòu)淨利 1.2353 億美元，每單位 ADR 獲利 3.41 美元 。

慧榮指出，2018 年第 4 季營收下滑如先前所預期，主因來自終端需求的疲弱。其中，2018 年第 4 季嵌入式儲存營收較第 3 季減少 15%，約占總營收 80%。在 SSD 控制芯片營收部分，盡管較第 3 季減少 20%，但全年度營收卻大幅成(chéng)長(cháng)高達 30%，尤其來自 NAND Flash 大廠夥伴的營收，更較前一年增長(cháng)近 35%。統計，2018 年第 4 季來自 3 家 NAND Flash 大廠的 SSD 開(kāi)案量與 2017 年同期相比，成(chéng)長(cháng) 70%。

此外，2018 年第 4 季，慧榮的 SSD 控制芯片開(kāi)始出貨給美國(guó) NAND Flash 大廠夥伴，用于全球第一款采用 96 層 TLC NAND Flash 的 SSD 上。而 eMMC+UFS 控制芯片營收較第 3 季減少 15%，營收減少的主因，則來自全球智能(néng)型手機市場的疲弱。而 SSD 解決方案營收則較第 3 季增加 5%。其中，專爲車載及工控市場開(kāi)發(fā)的 Ferri 單晶片 SSD 解決方案，因開(kāi)案量增加使得營收成(chéng)長(cháng)。

慧榮科技總經(jīng)理苟嘉章表示，預期 2019 年 NAND Flash 價格將(jiāng)持續下滑的情況下，預計 2019 年年中開(kāi)始將(jiāng)帶動 SSD 在 PC 的采用率。不過(guò)，預計需求的價格彈性所帶來的效益，將(jiāng)不會立即顯現。而且，在目前 NAND Flash 價格迅速下滑的情況下，模組廠客戶對(duì)控制芯片及 NAND Flash 的備貨勢必轉趨保守，NAND Flash 大廠也開(kāi)始控制生産庫存。

另外，苟嘉章還(hái)強調，OEM 客戶也因市場總體經(jīng)濟不佳及其他不确定性因素，影響其營收能(néng)見度。預期 2019 年 NAND Flash 的供給随着 9x 層3 D NAND Flash 良率的提升及 64 層 QLC 3D NAND Flash 的釋出，NAND Flash 的産業在 2019 年將(jiāng)更穩健成(chéng)長(cháng)。預估下半年下滑的幅度將(jiāng)趨穩，進(jìn)一步刺激 Client SSD 的市場需求。而随着 NAND Flash 價格下滑到一個程度，慧榮的 Client SSD 控制芯片營收將(jiāng)持續成(chéng)長(cháng)。

而針對(duì)未來的營運展望，慧榮指出，預估 2019 年第 1 季因季節性因素，加上 NAND Flash 價格迅速下滑及各種(zhǒng)不确定因素影響下，營收成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)介于 -21% 至 -16% 之間，毛利率介于 47% 至 50% 之間。下半年因 NAND Flash 價格回穩將(jiāng)帶動 SSD 控制芯片營收成(chéng)長(cháng)。而在全年的部分，預估 2019 年全年度營收約爲持平，毛利率在産品組合不變的前提下，也將(jiāng)與 2018 年相近。

 

華邦電蓋12寸廠計劃 不變

華邦電蓋12寸廠計劃 不變

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華邦電董事(shì)會焦佑鈞對(duì)今年存儲器市況保守看待，不過(guò)内部仍強調，新建12寸晶圓廠存儲器仍照計劃進(jìn)行，且看好(hǎo)未來存儲器發(fā)展。

華邦電新建12寸晶圓廠座落高雄科學(xué)園區，去年10月動工。華邦電總經(jīng)理詹東義強調，華邦電維持快閃憶體和DRAM平衡發(fā)展，絕不會走回生産标準型DRAM的路，目前雖然遭遇國(guó)際貿易摩擦和科技廠進(jìn)行庫存調整等因素幹擾，但仍看好(hǎo)存儲器産業發(fā)展，主因這(zhè)個産業朝健康發(fā)展，而且有很多新的應用出來。

詹東義說，華邦電中科廠産能(néng)去年都(dōu)全數滿載，根本不敷客戶需求，爲因應客戶要求及支應華邦成(chéng)長(cháng)，才決定啓動新建12寸廠投資。

華邦電高雄新廠計劃導入第三世代DRAM制程技術。此外將(jiāng)持續開(kāi)發(fā)超低功耗DRAM、Flash。

群聯E16 PCIe Gen4x4 SSD控制芯片CES展中亮相

群聯E16 PCIe Gen4x4 SSD控制芯片CES展中亮相

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2019 美國(guó)消費性電子展 CES(Consumer Electronics Show)開(kāi)跑，NAND 控制芯片大廠群聯在展中發(fā)表首款 PCIe Gen4x4 NVMe SSD 控制芯片 PS5016-E16，搶攻 5G 商機。

在最新 5G 科技的引領下，AI 人工智能(néng)、AIoT (人工智能(néng)物聯網)、Self-Driving Cars(自駕車)、AR/VR(擴增實境 / 虛拟實境)、eSPORTS(電競)、8K 等依舊是此次 CES 大家最關注的焦點。群聯在此次的電子展中，推出首款 PCIe Gen4x4 NVMe SSD 控制芯片 PS5016-E16。

群聯潘健成(chéng)董事(shì)長(cháng)指出，PS5016-E16 是群聯最新一代以及目前市場上唯一的 PCIe Gen4x4 NVMe SSD 旗艦控制芯片，搭配群聯第四代 LDPC 的糾錯引擎 (ECC Engine) 以及最新的 3D NAND Flash(快閃存儲器)技術，最高連續讀寫效能(néng)超過(guò) 4000MB/s。

而這(zhè)一波由 5G 技術帶出的相關應用，包含雲端運算(Cloud Computing)、自駕車、智慧醫療、智慧居家、智慧物聯網等，在資料數據不斷倍增的趨勢下，儲存的需求不僅不斷增加，更是所有運算應用中，不可或缺的重要元件。

而群聯剛通過(guò) Intel 及 Apple 認證的 ThunderboltTM 3 外接式 E12 SSD 解決方案，以及第二代支援 HMB (Host Memory Buffer) 的 PS5013-E13T PCIe Gen3x4 NVMe SSD 控制芯片，也都(dōu)在本次的 CES 中展出。此外，爲因應智慧物聯網等發(fā)展趨勢，群聯也展出了 SD 等系列的控制芯片産品，持續掌握新世代商機。

旺季效應雖落空 旺宏今年資本支出卻不受影響

旺季效應雖落空 旺宏今年資本支出卻不受影響

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存儲器廠旺宏電子公布2018年12月合并營收爲20.43億元（新台币，下同），較上月合并營收30.44億元減少32.9%，來到近22個月以來新低，并較2017年同期合并營收31.25億元相較，則減少34.6%，累計全年合并營收爲369.53億元，較2017年同期341.97億元增加8.1%，刷新曆史新高。
 
旺宏電子原本看好(hǎo)去年下半年旺季效應可望發(fā)酵，遊戲機等客戶的需求將(jiāng)轉趨暢旺，下半年的營收將(jiāng)大舉躍增，惟無奈受到美中貿易沖擊，客戶拉貨轉趨保守，在旺季效應落空下，12月來到近22個月新低，第4季營收89.81億元，較上季100.3億元減少10.46%，未能(néng)持續走高。
 
旺宏去年上半年的營收約179.41億元，下半年的營收約190億元，下半年僅較上半年增加5.9%。旺宏去年下半年遭受到客戶下單不如預期，同時間，NOR Flash價格開(kāi)始松動轉趨下跌，演變成(chéng)供過(guò)于求的局面(miàn)，至于ROM的庫存水位過(guò)高，將(jiāng)成(chéng)爲旺宏短期營運的逆風。
 
旺宏董事(shì)長(cháng)吳敏求日前出席旺宏科學(xué)獎獎典禮時指出，吳敏求認爲，半導體景氣最大的影響性來自于美中貿易摩擦，這(zhè)一波庫存調整的修正可能(néng)會比想象中還(hái)要來的更久，但在越不景氣的時候，旺宏更要堅持投入研發(fā)，今年的資本支出計劃不會改變。
 
吳敏求認爲，今年景氣的變化，就是要看貿易摩擦的發(fā)展，或許這(zhè)一次的庫存調整的情況會比想象中還(hái)得更久，可能(néng)今年第1季的時候還(hái)不見得會調整結束。
 
對(duì)于旺宏而言，吳敏求表示，旺宏的庫存其實隻要降價都(dōu)賣得掉，但是這(zhè)樣做生意不是好(hǎo)的做法，因此并不會采取削價競争，甯可先采取觀望，未來若有需求的時候，將(jiāng)以生産彈性轉換的做法因應。
 
吳敏求說，旺宏今年將(jiāng)投入的新産能(néng)以19納米的SLC（單層式）與eMMC （嵌入式存儲器）NAND Flash爲主，與NAND Flash一線大廠專做大容量、高密度的産品有所區隔，也因此受到市場主流産品的價格波動影響有限。
 
談到今年的資本支出，吳敏求表示，對(duì)于半導體晶圓制造廠來說，投資是比較長(cháng)遠的事(shì)情，尤其在最不景氣的時候，更要投資，對(duì)于旺宏來說，明年的資本支出將(jiāng)大舉投入，計劃不會變動，將(jiāng)積極轉換到更高階19納米産能(néng)，繼續提升公司的競争力。
 
旺宏規劃今年的資本支出爲142.03 億元，資金來源包括自有資金與銀行融資，將(jiāng)用于提升12吋晶圓廠高階産能(néng)，及用于研發(fā)需求，較今年資本支出規劃增加近 1.5 倍，也是曆年來資本支出金額最大手筆的一次。