突發(fā)火災!铠俠(原東芝)存儲工廠停工檢查

突發(fā)火災!铠俠(原東芝)存儲工廠停工檢查

近期,全球存儲器産業似乎不平靜。2019年12月31日,韓國(guó)三星旗下位于華城園區内的相關産線發(fā)生短暫跳電事(shì)件,使得全球DRAM及NAND Flash供應鏈繃緊神經(jīng)。

如今,又傳出原名爲東芝存儲器的铠俠(Kioxia)位于日本三重縣四日市的産線發(fā)生火警的狀況。

根據铠俠對(duì)客戶所發(fā)布的通知顯示,2020年1月7日上午6點10分,位于日本三重縣四日市的Fab6工廠,内部設備發(fā)生了火警。目前火勢已撲滅,沒(méi)有造成(chéng)任何人員傷亡。

至于相關的起(qǐ)火原因及工廠生産設備的損害狀況,目前仍在進(jìn)行調查與統計中。在相關損害統計資料完成(chéng)後(hòu),對(duì)于客戶的供貨造成(chéng)影響,將(jiāng)會在第一時間内通知。

市場分析人士指出,雖然火勢很快被撲滅,但是因爲火災發(fā)生在工廠的無塵室内,有可能(néng)造成(chéng)該廠短期内無法正常運作,對(duì)市場沖擊恐大于先前三星跳電事(shì)件,加劇第一季合約價上漲走勢。

據悉,Fab 6由Kioxia與Western Digital共同投資,在2018年9月才正式開(kāi)幕,主要生産當今供給主流的64層及96層3D NAND。

事(shì)實上,铠俠位于日本三重縣四日市的工廠,也在2019年6月15日發(fā)生大約13分鍾的跳電情況。當時包含Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6在内的全體廠區皆受沖擊,使得整個NAND Flash的供應鏈供貨都(dōu)受到了影響,而且時間長(cháng)達一整季。

如今,在當前NAND Flash價格逐漸走出低檔回溫,韓國(guó)三星甚至宣布將(jiāng)在2020年進(jìn)行擴産的情況下,再傳出铠俠工廠的火災事(shì)件,預料將(jiāng)使得NAND Flash的價格有進(jìn)一步上漲的空間。至于,相關事(shì)件的後(hòu)續變化,也將(jiāng)會持續進(jìn)行掌握。

铠俠開(kāi)發(fā)新型 “Twin BiCS FLASH”

铠俠開(kāi)發(fā)新型 “Twin BiCS FLASH”

铠俠株式會社(Kioxia Corporation)近日宣布開(kāi)發(fā)出創新的儲存單元結構“Twin BiCS FLASH”。該結構將(jiāng)傳統3D閃存中圓形存儲單元的栅電極分割爲半圓形來縮小單元尺寸以實現高集成(chéng)化。新的單元的設計中采用浮栅電荷存儲層(Floating Gate)代替電荷陷阱型電荷存儲層(Charge Trap),尺寸也比傳統的圓形單元更小。

铠俠已率先在此單元設計中實現了高寫入斜率和寬寫入/擦除窗口。同時,铠俠也證明這(zhè)種(zhǒng)新的單元結構可應用于進(jìn)一步提高容量的超多值存儲單元中。铠俠于12月11日(當地時間)在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表了上述成(chéng)果。

截至目前,諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過(guò)增加單元的堆棧層數以實現大容量。但是,随着單元的堆棧層數超過(guò)100層,高縱寬比的加工越來越困難。爲了解決這(zhè)一問題,铠俠在新的單元結構中將(jiāng)常規圓形單元的栅電極分割爲半圓形以減小單元尺寸,并且可以通過(guò)較少的單元堆疊層數實現更高的位密度。

得益于曲率效應,與平面(miàn)單元相比,圓形存儲單元可以确保寫入窗口并有效抑制寫入飽和。新的單元結構中采用了半圓形,可以繼續利用曲率效應。此外,新的單元在電荷存儲層中采用了高電荷捕獲率的導體材料,并且在阻斷膜(BLK Film)中采用了高介電常數的絕緣材料以減少漏電流(圖1)。

圖1.Fabricated semicircular FG cells (a) Cross-sectional view (b) Plane view

實驗表明,與圓形存儲單元相比,半圓形結構具有更小的單元尺寸,更高的寫入斜率和更寬的寫入/擦除窗口(圖2)。

圖2.Experimental program/erase characteristics comparing the semicircular FG cells with the circular CT cells

另外,仿真顯示,得益于特性的改善,尺寸更小的半圓形存儲單元預期可以取得與傳統圓形單元中4位/單元(Quadruple-Level Cell)相等同的Vt分布。同時,通過(guò)采用低陷阱矽通道(dào),更可實現5位/單元(Penta-Level Cell)的Vt分布(圖3)。

圖3.Simulated Vt distributions after programming using calibrated parameters

上述結果顯示,半圓形存儲單元是實現大容量超多值單元的可行方案。

今後(hòu)铠俠將(jiāng)繼續爲該技術的實用化進(jìn)行研發(fā)。此外,铠俠正在積極推進(jìn)閃存技術的研發(fā),在此次IEDM 2019,铠俠還(hái)發(fā)表了其他6篇論文。

來源:铠俠株式會社,截至2019年12月12日。

外媒:東芝將(jiāng)砸2000億日元進(jìn)行TOB,3家子公司面(miàn)臨退市

外媒:東芝將(jiāng)砸2000億日元進(jìn)行TOB,3家子公司面(miàn)臨退市

據日本經(jīng)濟新聞和共同通信報道(dào),正進(jìn)行營運重建的東芝(Toshiba)決定將(jiāng)旗下挂牌上市的 4 家子公司中的 3 家收編爲完全子公司,分别爲工程公司東芝工廠系統與服務株式會社(Toshiba Plant Systems & Services)、船舶電氣系統制造商西芝電機株式會社(Nishishiba Electric),以及半導體制造設備生産商NuFlare Technology。

消息指出,東芝將(jiāng)在要約收購中投入2000億日元,并通過(guò)股票公開(kāi)買賣(TOB)的形式從其他股東手中收購這(zhè)3家子公司的股票,同時將(jiāng)持股比重提高至100%,且預計3家子公司將(jiāng)會面(miàn)臨退市。

報道(dào)指出,東芝已于13日舉行的董事(shì)會上決議進(jìn)行上述TOB計劃,而對(duì)象包含生産發(fā)電設備的Toshiba Plant Systems & Services、生産半導體制造設備的NuFlare Technology以及生産船舶産業的電機系統的西芝電機。

目前,東芝在這(zhè)3家子公司的持股比重達50.0%~54.9%,接下來東芝將(jiāng)會以一定水平的溢價價格對(duì)這(zhè)3家子公司實施TOB計劃。

值得注意的是,東芝另一家上市子公司Toshiba TEC不在此次的TOB對(duì)象内。對(duì)此,東芝13日發(fā)布新聞稿表示,該公司目前正在召開(kāi)董事(shì)會中,一旦做出相關決議將(jiāng)迅速對(duì)外公布。

東芝存儲新品牌铠俠正式運營 但個人零售産品將(jiāng)延續原品牌至年底

東芝存儲新品牌铠俠正式運營 但個人零售産品將(jiāng)延續原品牌至年底

今年7月,東芝存儲器宣布將(jiāng)于2019年10月1日正式更名爲Kioxia公司。全球所有東芝存儲器公司都(dōu)會采用新的品牌名稱Kioxia,基本上同一天生效。

最新消息是,10月8日,東芝存儲官方微信發(fā)文稱,铠俠股份有限公司(原東芝存儲)近日宣布將(jiāng)以新的公司名稱正式運營,即時生效。铠俠也正式發(fā)布了新的企業标識和品牌名稱。铠俠新标識的銀色將(jiāng)成(chéng)爲公司的铠俠企業标識色。

同時,新公司标識和顔色現在在铠俠的官方網站、産品标簽和其他渠道(dào)上顯示:www.kioxia.com. 不過(guò),東芝指出,固态硬盤、SD存儲卡和USB閃存盤等消費級個人零售産品在2019年將(jiāng)繼續以東芝存儲品牌發(fā)布,從2020年起(qǐ)將(jiāng)以铠俠品牌發(fā)布。

铠俠控股公司執行主席Stacy J. Smith表示,“作爲全世界存儲設備解決方案的領先者,公司將(jiāng)繼續發(fā)展,不僅滿足未來對(duì)于存儲設備的需求,并且實現用存儲設備推動世界發(fā)展的使命。”

三重縣工廠發(fā)生火災 東芝聲明與存儲器工廠無關

三重縣工廠發(fā)生火災 東芝聲明與存儲器工廠無關

9月25日,日本以經(jīng)營基礎設施建設的東芝基礎設施三重工廠發(fā)生火警,火勢在一個小時内随即撲滅,因爲工廠内沒(méi)有員工在工作,因此沒(méi)有傳出任何的傷亡情況。

根據日本媒體報導,25日下午1時30分左右,位在日本三重縣朝日町的“東芝基礎設施系統三重工廠”發(fā)生火警,火勢大約在一個小時後(hòu)就被撲滅。當地的警方表示,因爲發(fā)生火警的工廠當時并沒(méi)有東芝基礎設施的員工在其中工作,因此這(zhè)場火警并沒(méi)有傳出任何員工傷亡的消息。至于,相關的起(qǐ)火原因目前并不清楚,正由警方調查中。

有消息稱,這(zhè)次發(fā)生火警的地點,正是在全球市場舉足輕重、以生産NAND Flash的東芝存儲器工廠。并且傳聞這(zhè)是繼6月份東芝工廠發(fā)生斷電事(shì)件,進(jìn)而造成(chéng)3.2億美元損失之後(hòu)的最大事(shì)件。

不過(guò),根據《彭博社》的報導,對(duì)于這(zhè)場火警在網絡上謠傳的消息,東芝方面(miàn)已經(jīng)出面(miàn)正式否認。東芝的相關對(duì)外發(fā)言窗口指出,這(zhè)次發(fā)生火警的“東芝基礎設施系統三重工廠”與東芝存儲器工廠無關,目前東芝存儲器工廠也都(dōu)正常營運中。

集邦咨詢:光寶科將(jiāng)出售東芝固态存儲事(shì)業,此合并案綜效可期

集邦咨詢:光寶科將(jiāng)出售東芝固态存儲事(shì)業,此合并案綜效可期

集邦咨詢:光寶科將(jiāng)出售東芝固态存儲事(shì)業,此合并案綜效可期

光寶科技(Lite-On)于2019年8月30日宣布將(jiāng)以股權出售方式將(jiāng)固态存儲事(shì)業部轉讓給東芝存儲器(TMCHD),交易金額暫定爲1.65億美元,TMCHD預計明年上半年完成(chéng)購并。集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)認爲,Lite-On旗下的固态存儲事(shì)業具效率與靈活度的優勢,TMCHD將(jiāng)有機會借着此次購并産生質的飛躍。

集邦咨詢研究協理陳玠玮認爲,從雙方SSD産品線與市場地位來看,此次購并應有互補的效果。TMCHD在Enterprise SSD市場的經(jīng)營上,以SAS和SATA界面(miàn)産品爲主要營收來源,但對(duì)于未來主流的PCIe界面(miàn)還(hái)在追趕龍頭廠商的階段。至于Lite-On方面(miàn),其Enterprise SSD産品線目前主打的就是PCIe界面(miàn),且已有打入龍頭資料中心/服務器OEM的量産經(jīng)驗。

在Client OEM和Client Retail SSD市場方面(miàn),TMCHD雖然都(dōu)占有一席之地,但是市占率卻始終無法大幅提升,即便之前已合并渠道(dào)品牌廠OCZ,也未見明顯起(qǐ)色。相較之下,Lite-On雖不具備NAND Flash廠商所具備的Client SSD成(chéng)本優勢,但仍憑借着軟件研發(fā)實力與生産彈性,在Client OEM和Client Retail市場建立不錯的口碑。

集邦咨詢認爲,未來雙方合并後(hòu),若銷售策略正确、分工明确,并結合雙方研發(fā)能(néng)量,憑着TMCHD原廠具備的深厚NAND Flash相關研發(fā)資源與OEM端的測試、認證的經(jīng)驗,輔以Lite-On所擁有的研發(fā)能(néng)量、效率與靈活度,此次購并案應能(néng)發(fā)揮一加一大于二的綜效。

光寶科拟1.65億美元售固态儲存事(shì)業東芝預計明年4月接手完成(chéng)

光寶科拟1.65億美元售固态儲存事(shì)業東芝預計明年4月接手完成(chéng)

光寶科8月30日召開(kāi)重大訊息說明,表示公司董事(shì)會通過(guò),拟依企業并購法第35條規定,將(jiāng)旗下固态儲存(SSD)事(shì)業部門分割讓予100%持股的子公司建興,然後(hòu)再以股權出售方式,將(jiāng)固态儲存事(shì)業部轉讓予日本存儲器大廠東芝(TMC)。

而其中出售的内容包括存貨、機器設備、員工團隊、技術與知識産權、客戶供應商關系等營業與資産,交易對(duì)價金額暫定爲現金1.65億美元,而整起(qǐ)股權出售案預計2020年4月1日完成(chéng)。

光寶科表示,此次分割的淨資産帳面(miàn)價值爲新台币44.82億元。而分割後(hòu)由既存子公司建興發(fā)行新股,計發(fā)行普通股約4.48億股,給光寶科作爲移轉營業價值的對(duì)價,而該部分分割案預計2019年12月12日完成(chéng)。

之後(hòu),光寶科再以股權出售方式,將(jiāng)固态儲存事(shì)業部轉讓予東芝存儲器,其中除了業務與資産讓予之外,其還(hái)包括約1,000名員工的團隊,再加上技術與知識産權、客戶供應商關系等,其對(duì)價金額暫定爲1.65億美元,而整起(qǐ)股權出售案預計2020年4月1日完成(chéng)。

對(duì)此,光寶集團副董事(shì)長(cháng)暨總執行長(cháng)陳廣中表示,有鑒于全球市場數據儲存需求成(chéng)長(cháng),透過(guò)此交易促成(chéng)固态儲存事(shì)業垂直整合,不僅豐富産業上下遊資源,亦可快速提升營運規模,達到固态儲存事(shì)業與東芝存儲器公司雙赢。

光寶儲存事(shì)業成(chéng)立于1995年,該事(shì)業部于2008年設立個人電腦固态儲存事(shì)業部,并于2014年設置企業和雲端計算資料中心固态儲存事(shì)業部。該事(shì)業部現爲業界領先的固态硬碟開(kāi)發(fā)與制造商,提供企業和個人電腦客戶高度定制化的解決方案,知名客戶遍及美洲、歐洲和亞洲。

光寶科表示,光寶集團積極朝雲端運算、LED照明、汽車電子、智能(néng)制造、IoT等領域轉型;并持續專注核心技術和競争力,優化獲利能(néng)力與産品組合,進(jìn)而提升股東、客戶與員工長(cháng)期利益。此股權出售交割將(jiāng)視各地主管機關核準進(jìn)度,預計得在2020年4月1日完成(chéng)。該交易對(duì)光寶财務業務并無産生重大影響,將(jiāng)視實際交易完成(chéng)時,依法令規定辦理相關公告與申報。

東芝開(kāi)始研究5bit PLC閃存顆粒

東芝開(kāi)始研究5bit PLC閃存顆粒

根據Tom‘s Hardwared的報道(dào),東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開(kāi)發(fā)。

東芝已經(jīng)開(kāi)始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發(fā)。每一代新産品都(dōu)將(jiāng)與新一代的PCIe标準相一緻,BiCS 5將(jiāng)很快與PCIe 4.0同步上市,但該公司沒(méi)有提供具體的時間表。BiCS5將(jiāng)具有更高的帶寬1200 MT/s,而BiCS6將(jiāng)達到1600 MT/s, BiCS7將(jiāng)達到2000 MT/s。

該公司還(hái)開(kāi)始研究5bit PLC的NAND閃存,新的閃存提供了更高的密度,每個單元可以存儲5位,而目前的QLC隻能(néng)存儲4位。PLC將(jiāng)有更少的PE和更慢的性能(néng),但新的NVMe協議特性以及Dram閃存和控制芯片會帶來一些性能(néng)提升。

東芝停電産線恢複生産

東芝停電産線恢複生産

根據韓國(guó)媒體《KoreaBusiness》報導指出,之前因停電事(shì)件而造成(chéng)東芝日本四日市NAND Flash快閃存儲器産線生産暫停的狀況,如今東芝已經(jīng)排除,進(jìn)一步加入量産的行列。不過(guò),也因爲東芝的重新恢複量産,讓市場人士對(duì)NAND Flash的供過(guò)于求情況再次産生疑慮。

報導指出,随着日韓貿易戰的升溫,再加上自6月以來,東芝因爲停電事(shì)件所造成(chéng)全球NAND Flash産能(néng)約5%的缺口,使得過(guò)去一段時間以來,NAND Flash的市場價格由止跌回穩的情況。

根據統計,2019年7月份以來,128GB的NAND Flash市場價格已經(jīng)上揚了2.04%,減緩了過(guò)去供過(guò)于求而造成(chéng)跌價的壓力,不過(guò),這(zhè)樣的情況随着東芝産線的恢複生産,可能(néng)會有所改變。

東芝因爲自6月中開(kāi)始,因爲停電的狀況造成(chéng)位于日本四日市的5條NAND Flash産線中的2條停擺,而這(zhè)些産線所生産出來的NAND Flash快閃存儲器不僅提供給東芝使用,也提供給西數(WD)來使用,停産的結果使得全球NAND Flash的供應量約産生了5%的缺口。

對(duì)于這(zhè)樣的情況,市場分析師認爲有助于緩減過(guò)去NAND Flash市場供應過(guò)剩,進(jìn)而造成(chéng)價格下跌的情況。如今,在東芝産線恢複生産之後(hòu),還(hái)一并恢複了在停電事(shì)件前減少的15%到20%的産能(néng)利用率,使得市場憂慮心理再起(qǐ)。

報導進(jìn)一步指出,東芝積極恢複産能(néng)的原因,在于東芝準備進(jìn)行IPO計劃。日前,東芝存儲器已經(jīng)确認將(jiāng)自2019年的10月1日改名爲Kioxia,開(kāi)始爲IPO的計劃進(jìn)行布局。

不過(guò),原定于2019年年底的IPO計劃,因美中與日韓貿易戰的升溫,爲市場投下許多不确定因素的影響,目前已經(jīng)确定將(jiāng)延後(hòu)至2020年第1季進(jìn)行。市場分析師認爲,随着之前其他NAND Flash的減産行動,讓整體NAND Flash市場開(kāi)始有所回溫的情況,恐將(jiāng)因爲東芝的恢複生産也重新打回原形。未來要如何解套,有待後(hòu)續觀察。

重磅!東芝新型XL-Flash技術下月送樣 2020年量産

重磅!東芝新型XL-Flash技術下月送樣 2020年量産

東芝存儲器總部位于美國(guó)的子公司Toshiba Memory America,Inc.(TMA)今天宣布推出新的存儲器(SCM)解決方案:XL-FLASH 。

XL-FLASH是基于該公司創新的BiCS FLASH 3D閃存技術,每單元1比特SLC,將(jiāng)爲數據中心和企業存儲帶來低延遲和高性能(néng)的解決方案。樣品將(jiāng)于9月開(kāi)始出貨,預計將(jiāng)于2020年開(kāi)始量産。

介于DRAM和NAND Flash之間,XL-FLASH的速度快,延遲低,并且有更高的存儲容量。和傳統DRAM相比它的成(chéng)本也更低。一開(kāi)始XL-FLASH是被布局在SSD産品上,但之後(hòu)也會應用在DRAM的産品上,比如未來行業标準的非易失性雙列直插式内存模塊(NVDIMMs)。

主要特點

128Gb Die(2Die(32GB)、4Die(64GB)、8Die(128GB)封裝) ;

4KB Page大小,高效的操作系統的讀寫 ;

16-plane更高效的并行架構 ;

快速的讀取頁面(miàn)和編程時間,XL-Flash提供小于5微秒的低讀取延遲,比現有TLC快10倍。

東芝存儲器子公司TMA存儲業務部高級副總裁兼總經(jīng)理Scott Nelson表示,“借助XL-FLASH,我們爲超大規模制造商和企業服務器/存儲供應商提供了一種(zhǒng)更具成(chéng)本效益,更低延遲的存儲解決方案,彌補了DRAM與NAND性能(néng)之間的差距。”

注:本文根據東芝官網文章編譯,原文鏈接:https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html

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