時光飛逝，我們結束2018年、迎來嶄新的2019年。回顧過(guò)去一年，伴随着5G、AI、物聯網、汽車電子等新興市場日益崛起(qǐ)，全球半導體産業可謂機遇與挑戰并存。在這(zhè)辭舊迎新之際，全球半導體觀察盤點出2018年全球半導體産業具有較大關注度和影響力、以及具有産業趨向(xiàng)性的十大标志性事(shì)件，助産業人士回顧過(guò)去、展望未來。
01 ▶ 高通終止收購恩智浦
2018年7月26日，曆時21個月的高通收購恩智浦交易案正式宣告失敗。
2016年10月，高通、恩智浦聯合宣布，雙方已達成(chéng)最終協議并說經(jīng)董事(shì)會一緻批準，高通將(jiāng)以380億美元收購恩智浦已發(fā)行的全部股票，約合每股110美元。随後(hòu)該收購案相繼得到了美國(guó)、歐盟、韓國(guó)等全球8個國(guó)家監管部門批準，但遲遲未獲中國(guó)商務部批準。
爲了得到中國(guó)監管機構的批準，高通與恩智浦一再延遲交易有效期。按照原計劃，這(zhè)次收購將(jiāng)于2018年4月25日完成(chéng)交易，一再推遲至5月25日、7月20日，最終确定7月25日爲最後(hòu)期限。但截至美國(guó)時間7月25日23：59，由于尚未接到中國(guó)監管機構審批通過(guò)的消息，高通終止收購恩智浦。
點評：在特殊時代背景下，這(zhè)一收購案最終“流産”可以說是注定的。
02 ▶ 台積電标志性事(shì)件
作爲全球最大的晶圓代工廠，台積電的一舉一動均備受矚目，在此盤點台積電過(guò)去一年裡(lǐ)的三大标志性事(shì)件。
産線感染病毒
8日3日，台積電遭到電腦病毒入侵，新竹總部Fab12廠區的内部電腦最先遭到病毒感染，并于當晚10時透過(guò)内網蔓延至中科Fab15廠、南科Fab14廠，導緻這(zhè)三大廠區産線停機。
台積電稱，此次病毒感染的原因爲新機台在安裝軟件的過(guò)程中操作失誤，因此病毒在新機台連接到公司内部電腦網絡時發(fā)生病毒擴散的情況。
台積電第三季度财報數據顯示，病毒事(shì)件影響台灣廠區部分電腦系統及廠房機台，相關晶圓生産也受到波及，所有受影響機台都(dōu)已在8月6日恢複正常，第3季認列電腦病毒感染相關損失25.96億新台币。
點評：若真是裝軟件過(guò)程中操作失誤所緻，那麼(me)對(duì)于各晶圓廠來說，針對(duì)相關流程的梳理再優化將(jiāng)是必須長(cháng)期堅持的一項重要工作；另外，也警示大陸半導體産業在人才培訓方面(miàn)容不得半點馬虎，尤其在當前大批産線落地并陸續導入量産的時期，人員的流動將(jiāng)更加頻繁，人才的篩選培訓需更加嚴格。
南京廠量産
10月31日，台積電（南京）晶圓十六廠舉行開(kāi)幕暨量産典禮，宣布南京12英寸廠正式量産。該廠采用16納米制程，是目前中國(guó)大陸制程技術最先進(jìn)的晶圓代工廠，目前月産能(néng)爲1萬片，預計在2020年達到2萬片的規模。
2015年底，台積電決定到南京投資。2016年3月28日，台積電正式與南京市政府簽約，并于同年7月7日進(jìn)行動土、2017年9月12日舉行進(jìn)機典禮。據悉南京廠是台積電建廠最快、上線最快、最美、最宏偉、最有特色的廠區。
點評：雖然台積電南京廠規劃産能(néng)并不高，但是在承接大陸客戶訂單轉移方面(miàn)作用明顯，不排除其後(hòu)期更多的産能(néng)擴增計劃；另外，基于TSMC的品牌效應，對(duì)于産業鏈配套的引進(jìn)意義非凡，未來南京在全國(guó)半導體産業發(fā)展中的地位會越來越高。
15年來首建8英寸廠
12月6日，台積電在供應鏈論壇上宣布，由于8英寸需求相當強勁，台積電將(jiāng)在台南6廠新增1座8英寸新廠，專門提供特殊制程。這(zhè)是繼2003年台積電在大陸上海松江蓋8英寸廠後(hòu)，再次打算增建8英寸廠産能(néng)。
點評：台積電再建8英寸産線，一方面(miàn)說明了8英寸覆蓋産品領域廣，市場驅動動能(néng)強勁；另一方面(miàn)，也說明本土替代空間仍然較大，大陸半導體産業在規劃的時候并不一定都(dōu)需要上來就切入12英寸，事(shì)實上，成(chéng)熟的8英寸産線能(néng)更多綁定市場訂單，同時也能(néng)給予本土對(duì)應設備及材料廠商更好(hǎo)的支持。
03 ▶ 紫光集團股權改革
9月4日，紫光集團實際控制人清華控股分别與高鐵新城、海南聯合簽署附生效條件的《股權轉讓協議》，分别向(xiàng)後(hòu)兩(liǎng)者轉讓所持有的紫光集團30%、6%股權，同時三方簽署《共同控制協議》對(duì)紫光集團實施共同控制。不過(guò)，上述股權轉讓協議于10月25日終止。
同時，10月25日清華控股與深圳市政府國(guó)産委全資子公司深投控及紫光集團共同簽署了《合作框架協議》，拟向(xiàng)深投控轉讓紫光集團36%股權，深投控以現金支付對(duì)價。本次股權轉讓完成(chéng)後(hòu)，紫光集團第一大股東北京健坤持股49%，第二大股東深投控持股36%，第三大股東清華控股持股15%。
公告稱，清華控股和深投控應在簽署36%股權轉讓協議的當天，簽署《一緻行動協議》或作出其他安排，約定本次股權轉讓完成(chéng)後(hòu)由清華控股和深投控一緻行動或作出類似安排，達到將(jiāng)紫光集團納入深投控合并報表範圍的條件，以實現深投控對(duì)紫光集團的實際控制。
點評：作爲校企改革先鋒，紫光集團的這(zhè)一股權變化將(jiāng)有利于實現混合所有制，通過(guò)體制變革激發(fā)企業活力，爲紫光集團實現現代化管理提供機會，尤其是紫光集團已獲得較強競争優勢的集成(chéng)電路行業，市場競争激烈，對(duì)相關人才極度渴求，這(zhè)將(jiāng)有利于紫光集團引入專業的管理人才和技術人才。
04 ▶ 瑞薩67億美元收購IDT
9月11日，瑞薩電子與IDT宣布雙方已簽署最終協議，瑞薩電子將(jiāng)以每股49.00美元的價格，總股權價值約67億美元全現金交易方式收購IDT所有流通股份。該交易已獲得雙方董事(shì)會一緻批準，預計在獲得IDT股東和相關監管機構批準後(hòu)，將(jiāng)于2019年上半年完成(chéng)。交易若完成(chéng)，將(jiāng)成(chéng)爲日本半導體産業史上最大規模的并購案。
瑞薩電子表示，IDT的模拟混合信号産品包括傳感器、高性能(néng)互聯、射頻和光纖以及無線電源，與瑞薩電子MCU、SoC和電源管理IC相結合，爲客戶提供綜合全面(miàn)的解決方案，滿足從物聯網到大數據處理日益增長(cháng)的信息處理需求。此外，IDT的内存互聯和專用電源管理産品有利于瑞薩電子在不斷發(fā)展的數據經(jīng)濟領域實現業務增長(cháng)，并加強其在産業和汽車市場的影響力。
點評：随着近年來智能(néng)網聯汽車市場的發(fā)展，模拟IC的需求也越來越大，全球範圍内的半導體廠商都(dōu)紛紛布局汽車市場，瑞薩大手筆收購IDT可以看作是對(duì)汽車芯片或者是自動駕駛汽車市場的加碼。
05 ▶ 阿裡(lǐ)成(chéng)立平頭哥半導體
2017年雲栖大會上，阿裡(lǐ)巴巴宣布成(chéng)立達摩院進(jìn)行基礎科學(xué)和颠覆式技術創新研究，研究範圍涵蓋量子計算、機器學(xué)習、基礎算法、芯片技術、傳感器技術、嵌入式系統等多個産業領域。
2017年10月11日，達摩院正式注冊成(chéng)立，并組建了芯片技術團隊進(jìn)行AI芯片的自主研發(fā)。2018年4月，達摩院宣布正在研發(fā)一款神經(jīng)網絡芯片Ali-NPU，預計于明年下半年面(miàn)世，并全資收購自主嵌入式CPU IP Core公司中天微。
今年9月雲栖大會上，阿裡(lǐ)巴巴CTO、達摩院院長(cháng)張建鋒宣布，阿裡(lǐ)將(jiāng)把此前收購的中天微和達摩院自研芯片業務整合成(chéng)一家獨立的芯片公司，推進(jìn)雲端一體化的芯片布局。該公司由馬雲拍闆決定取名“平頭哥半導體有限公司”，目前阿裡(lǐ)巴巴達摩院旗下已注冊成(chéng)立3家“平頭哥”全資子公司。
點評：在成(chéng)長(cháng)爲龐大的商業帝國(guó)之後(hòu)，阿裡(lǐ)入局芯片産業已在情理之中，據說“平頭哥”是馬雲親自命名，無論未來結果如何，其互聯網的基因從一開(kāi)始就“深入骨髓”，希望阿裡(lǐ)芯片事(shì)業真的像“平頭哥”所代表的的寓意一樣，頑強執着、勇敢逐夢！
06 ▶ 聯電格芯放棄高端制程
今年8月中旬，晶圓代工大廠聯電宣布不再投資12nm以下的先進(jìn)工藝，將(jiāng)專注于改善公司的投資回報率，未來經(jīng)營策略將(jiāng)着重在成(chéng)熟制程。據悉這(zhè)一決定是由聯電聯席CEO王石、簡山傑調研一年後(hòu)作出的，聯電將(jiāng)徹底改變以往的增長(cháng)策略，不再盲目追趕先進(jìn)技術。聯電表示，未來還(hái)會投資研發(fā)14nm及改良版的12nm工藝，不過(guò)更先進(jìn)的7nm及未來的5nm等工藝不會再大規模投資了。
在聯電宣布上述消息不久後(hòu)，全球第二大晶圓代工格芯（GLOBALFOUNDRIES）也于8月28日宣布，爲支持公司戰略調整，將(jiāng)擱置7納米FinFET項目，并調整相應研發(fā)團隊來支持強化的産品組合方案。在裁減相關人員的同時，格芯一大部分頂尖技術人員將(jiāng)被部署到14/12納米FinFET衍生産品和其他差異化産品的工作上。
點評：半導體制程技術演進(jìn)到7nm/5nm，不僅僅是開(kāi)發(fā)難度呈指數級上升，對(duì)企業來講，更是成(chéng)本、市場不确定性等高風險，市場化機制下，企業若因爲承擔過(guò)高的風險而失去盈利信心和能(néng)力，企業最終可能(néng)會走向(xiàng)破産，所以以“舍”求“得”未必不是更好(hǎo)的經(jīng)營策略。
07 ▶ 中芯14納米獲重大進(jìn)展
2017年10月，中芯國(guó)際延攬三星電子及台積電的前高層梁孟松來擔任聯席首席執行長(cháng)的職務，希望其指導中芯國(guó)際在加速14nm FinFET制程的發(fā)展進(jìn)程。
8月9日，中國(guó)大陸最大晶圓代工廠商中芯國(guó)際在發(fā)布2018年第二季度财報時表示，中芯國(guó)際最新一代14nm FinFET工藝研發(fā)完成(chéng)，正進(jìn)入客戶導入階段。中芯國(guó)際執行副總裁李智在第二十一屆中國(guó)集成(chéng)電路制造年會上表示，中芯國(guó)際14nm制程將(jiāng)于2019年上半年實現量産。
據悉，進(jìn)入客戶導入階段實際上是邀請芯片設計公司將(jiāng)其芯片設計的圖紙放到中芯國(guó)際的14nm産線上流片，看看目前的14nm工藝有哪些需要改進(jìn)的地方，通過(guò)雙方的合作生産出一款合格的14nm制程邏輯芯片。
點評：首先，14nm工藝流片，對(duì)本土foundry來說，實現了從0到1的突破，但是真正實現多IP要求的14nm芯片制造工藝仍然面(miàn)臨很大挑戰，中芯國(guó)際在對(duì)應IP儲備方面(miàn)仍有大量工作要做。
08 ▶ 海思發(fā)布7納米芯片
8月31日，華爲海思發(fā)布7nm制程芯片麒麟980。
根據官方介紹，麒麟980此次實現了TSMC 7nm制造工藝在手機芯片上首發(fā)，相比業界普遍采用的 10nm 制造工藝，性能(néng)可提升 20%，能(néng)效提升 40%，晶體管密度提升到 1.6 倍，在不到 1 平方厘米面(miàn)積内集成(chéng)了69億晶體管。
點評：海思麒麟980的意義并不在于制程更高、性能(néng)更強、GPU更能(néng)打，作爲華爲旗下半導體平台其在芯片領域的某些核心技術已經(jīng)開(kāi)始引領潮流，這(zhè)才是值得稱道(dào)的地方，也說明華爲自研芯片的路是走對(duì)了。
09 ▶ 長(cháng)江存儲發(fā)布Xtacking技術
8月6日，長(cháng)江存儲公開(kāi)發(fā)布其突破性技術——XtackingTM。該技術將(jiāng)爲3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能(néng)，更高的存儲密度，以及更短的産品上市周期。
據官方介紹，采用XtackingTM技術可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，這(zhè)樣的加工方式有利于選擇合适的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能(néng)。存儲單元同樣也將(jiāng)在另一片晶圓上被獨立加工。當兩(liǎng)片晶圓各自完工後(hòu)，創新的XtackingTM技術隻需一個處理步驟就可通過(guò)數百萬根金屬VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道(dào)）將(jiāng)二者鍵合接通電路，而且隻增加了有限的成(chéng)本。
長(cháng)江存儲已成(chéng)功將(jiāng)Xtacking TM技術應用于其第二代3D NAND産品的開(kāi)發(fā)。該産品預計于2019年進(jìn)入量産階段。
點評：随着3DNAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能(néng)占到芯片整體面(miàn)積的50%以上，XtackingTM技術將(jiāng)外圍電路置于存儲單元之上，可實現更高的存儲密度。長(cháng)江存儲XtackingTM主要是對(duì)傳統3D NAND架構的突破，從這(zhè)層面(miàn)來看，殊爲不易。
10 ▶ 中微5nm設備通過(guò)台積電驗證
台積電對(duì)外宣布將(jiāng)于2019年第二季度進(jìn)行5納米制程風險試産，預計于2020年量産。12月中旬，國(guó)産刻蝕機龍頭企業中微半導體向(xiàng)媒體表示，中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)台積電驗證，性能(néng)優良，將(jiāng)用于全球首條5納米制程生産線。
5納米相當于頭發(fā)絲直徑（約爲0.1毫米）的二萬分之一，方寸間近乎極限的操作對(duì)刻蝕機的控制精度提出超高要求，中微半導體5納米等離子體刻蝕機經(jīng)台積電驗證，突破了“卡脖子”技術，讓國(guó)産刻蝕機跻身國(guó)際第一梯隊。
點評：對(duì)外，中微半導體逐漸切入全球一流客戶，赢得了在國(guó)際市場上的重要地位；對(duì)内，其刻蝕設備業務已擴展覆蓋到介質刻蝕、深矽刻蝕，對(duì)國(guó)内其他對(duì)手的競争壓力越來越大。然而，中微半導體的成(chéng)功可複制性并不強。
