4月20日，常州市委常委、統戰部長(cháng)、科教城黨工委書記韓九雲實地調研GCS高端化合物半導體制造項目。
據常州日報報道(dào)，GCS高端化合物半導體制造項目預計今年年底投産，目前項目一期正在對(duì)晶品光電（常州）有限公司的現有空置廠房4000平方米場地進(jìn)行裝修改造，預計今年底能(néng)夠投産。
報道(dào)指出，GCS高端化合物半導體制造項目由美國(guó)GCS公司、武嶽峰資本、台灣晶元光電股份有限公司、江蘇卓勝微電子股份有限公司等投資，總投資100億元。項目通過(guò)建設化合物半導體及微機電系統生産線，用于高端射頻前端應用及光電子應用的半導體制造。
韓九雲指出，該項目符合國(guó)家戰略新興産業政策和行業發(fā)展規劃，技術水平高、市場潛力大，目前工作進(jìn)展較快，希望能(néng)夠繼續抓緊工作進(jìn)度，在年内啓動投入生産。
近日，廣西桂林高新區管委會與位于中國(guó)台灣的欣憶電子股份有限公司通過(guò)視頻連線召開(kāi)海峽兩(liǎng)岸項目推進(jìn)會，就第三代半導體六英寸氮化镓項目推進(jìn)開(kāi)展“雲洽談”。
據桂林日報報道(dào)，第三代半導體六英寸氮化镓項目一期總投資16億元，計劃用地120畝，拟將(jiāng)依托桂林電子科技大學(xué)科研與人才優勢，在桂林國(guó)家高新區建設獲利能(néng)力較強、國(guó)内外市場影響力較大的氮化镓集成(chéng)電路生産線。
當前，多個半導體産業相關項目落戶桂林，如桂林光芯片半導體工藝平台産業化項目、華爲智能(néng)制造産業園項目、桂林軍民融合電子生态産業園項目等。
如今，桂林或將(jiāng)再迎來一個第三代半導體産業項目。屆時，桂林將(jiāng)借項目吸引高端技術人才引進(jìn)，帶動更多半導體上、下遊及配套産業集聚，在桂林市乃至廣西打造一個國(guó)内重要的特色集成(chéng)電路産業基地。
桂林日報指出，欣憶電子股份有限公司爲台商獨資高新技術企業，總部設在中國(guó)台灣新竹，主要從事(shì)半導體封裝測試設備的研發(fā)、生産、銷售,爲亞太地區半導體設備商三大廠商之一。
半導體是指常溫下導電性能(néng)介于導體與絕緣體之間的材料。常見的半導體材料有矽、鍺等，其中，矽是在商業應用上最具有影響力的一種(zhǒng)。第三代半導體，主要包括目前即將(jiāng)成(chéng)熟應用的碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN），也包括其他氮化物半導體、氧化物半導體和金剛石等寬禁帶及超寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此也被業内譽爲固态光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等産業的“新發(fā)動機”。
2018年3月31日，深圳第三代半導體研究院成(chéng)立。2018年7月底，研究院正式投入實際的研發(fā)工作，啓動第一批研發(fā)項目。如今，在南方科技大學(xué)台州樓的深圳第三代半導體研究院，已有一個40多人的團隊，均爲國(guó)内、國(guó)際一流的人才，其中一半以上從事(shì)科學(xué)研究工作。
對(duì)第三代半導體的開(kāi)發(fā)和市場應用空間，研究院院長(cháng)趙玉海相當有信心，認爲“其發(fā)展空間巨大”。第三代半導體素有半導體“貴族”之稱，趙玉海和他的團隊成(chéng)員，如今正努力做着一件事(shì)——讓第三代半導體這(zhè)個“貴族”平民化。
市場需求推動産業發(fā)展
去年高交會期間，第三代半導體研究院與龍華區簽訂了合作框架協議，選擇落戶龍華，以深圳報業集團舊廠房改造研究實驗室用地。這(zhè)意味着未來幾年，這(zhè)個由深圳第三代半導體産業技術創新戰略聯盟牽頭，聯合南方科技大學(xué)、複旦大學(xué)、中科院等高校、科研究所、骨幹企業共建的新型民辦非盈利研發(fā)機構將(jiāng)在龍華研究新型的第三代半導體材料，并助力龍華在新能(néng)源汽車、移動通信、消費電子、光電顯示等領域提升核心競争力，促進(jìn)産業轉型發(fā)展。
在談及第三代半導體之前，趙玉海首先普及了第一代和第二代半導體的發(fā)展情況。趙玉海表示，第一代半導體是以整合矽、鍺元素等爲代表的半導體材料，其優勢是周期長(cháng)，發(fā)展成(chéng)熟，成(chéng)本低；第二代半導體材料是化合物半導體材料，屬于高頻段半導體；而第三代半導體則是以碳化矽、氮化镓等爲代表，目前處于産業發(fā)展初期。“第三代半導體的出現，并不是一種(zhǒng)替代關系，而是與前兩(liǎng)代半導體共存的關系。”趙玉海說。
業界對(duì)第三代半導體有一個形象的比喻，稱第三代半導體材料爲“半導體中的貴族”，因爲其成(chéng)本高昂。其實，早在20多年前，國(guó)際上已經(jīng)掀起(qǐ)了研究第三代半導體之風，但由于成(chéng)本高，市場發(fā)展不夠成(chéng)熟，所以一直未形成(chéng)産業規模。如今，科技創新打開(kāi)了市場需求，第三代半導體研發(fā)正當時。
“以現在發(fā)展的5G技術爲例，第一代半導體的整合矽材料已經(jīng)難以适應5G技術的發(fā)展需求，如果采用了氮化镓，優勢立刻就凸顯出來了。以氮化镓作爲主要材料生産光伏變壓器可比矽材料的變壓器提高2%-3%的轉化率，這(zhè)對(duì)大型企業而言，非常有利。”趙玉海舉例說明。
力争實現産業鏈全覆蓋
“既然說第三代半導體是‘貴族’，那麼(me)我們現在的主要任務就是讓其平民化。”趙玉海說。
深圳是個創新發(fā)展的活力之城，既有包容性，又呈現開(kāi)放性，能(néng)夠給新興産業以及配套産業提供給一個巨大的發(fā)展空間。按照原計劃，第三代半導體研究院的選址就落在南方科技大學(xué)，但因爲種(zhǒng)種(zhǒng)原因，研究院不得不考慮遷址。
趙玉海說：“首先，我們需要的場地面(miàn)積大，要20000平方米；其次，對(duì)層高要求也比較嚴苛，至少要6米以上，便于上下安裝實驗管道(dào)和空調。”機緣巧合，第三代半導體研究院與龍華“相遇”。“龍華區政府非常有誠意，相關部門積極主動與我們對(duì)接，并且給了很大的支持力度，配套産業鏈條也相當成(chéng)熟，因此我們決定把研究院放在龍華。”
有别于一心埋首做研究的團隊，對(duì)第三代半導體研究院的發(fā)展，趙玉海有明晰的計劃和發(fā)展目标。“從襯底到外延再到芯片、模組，最後(hòu)走向(xiàng)市場化應用，我們希望打通産業鏈上的所有關卡，實現全覆蓋。”趙玉海說，無論是何種(zhǒng)材料研發(fā)，都(dōu)會面(miàn)臨一個技術難題，即需要穩定的産業技術來支撐。因爲實驗室研究出來的成(chéng)果，并不代表可以立即投入到生産中。要實現産業鏈全覆蓋，而且不允許任何一個節點出現短闆，這(zhè)其中的難度可想而知。
目前，趙玉海帶領的這(zhè)個40多人的團隊已經(jīng)形成(chéng)了三支隊伍，分别從氮化镓光電、半導體芯片封裝以及襯底材料三個節點進(jìn)行研究，預期到年底，第三代半導體研究院就會推出一批科研成(chéng)果，并推動其産業轉化。“其實，我們做好(hǎo)了規劃，每年都(dōu)會出一批成(chéng)果，而且，我們有專業的孵化器，能(néng)起(qǐ)到帶動效應，讓這(zhè)些項目成(chéng)果盡快孵化。”
升級打造産業新引擎
如果說，很多人不太了解何謂光電子，那麼(me)利用光電子發(fā)展領域中的發(fā)光優勢所研發(fā)的照明技術，相信很多人都(dōu)不陌生了。“我們所熟知的LED照明就是早年利用第三代半導體材料光電子發(fā)光優勢而開(kāi)發(fā)出來的，目前應用十分普遍，技術也趨于成(chéng)熟。”趙玉海說，未來第三代半導體的研究方向(xiàng)，將(jiāng)集中在三個方面(miàn)：光電子、電力電子以及微波射頻。
光電子方向(xiàng)，第三代半導體材料可凸顯發(fā)光優勢中的亮度優勢，未來會朝Micro-Led與其他新興顯示技術方向(xiàng)發(fā)展。電路電子領域的發(fā)展空間非常巨大，跟城市發(fā)展中的電力傳輸、消費均有關系，亦可開(kāi)發(fā)新材料應用，運用在環保和工業上。“還(hái)有一個重要的發(fā)展方向(xiàng)是能(néng)源互聯網，像驅動輪船、電動汽車、空調等，都(dōu)可以利用能(néng)源互聯網進(jìn)行升級，達到産品輕量化和降低能(néng)源消耗的目的。”
面(miàn)向(xiàng)未來的5G移動通信，海量的設備連接和新的應用場景等，對(duì)超高的流量密度、連接數密度和移動性都(dōu)提出了新的要求。第三代半導體技術研發(fā)的微波射頻技術，可超越前兩(liǎng)代半導體技術的承載能(néng)力，體現出更高頻、高效、低功耗和高功率密度的優點。除了民用的5G通信技術，微波射頻同樣可用于軍用領域。“就拿雷達來說，用第三代半導體材料，可實現在目前探測距離的基礎上翻一番，讓探測更精确。”
研究院啓動之初，提出了五年内要實現國(guó)内領先、國(guó)際一流；十年内國(guó)際領先，立足深圳、覆蓋粵港澳大灣區、面(miàn)向(xiàng)全國(guó)，輻射全球的計劃。同樣以五年爲期，趙玉海說，屆時他的團隊要發(fā)展至450人。集各方智慧，打造開(kāi)放研究的平台，爲産業的快速發(fā)展提供技術支撐，這(zhè)也是設立第三代半導體研究院最重要的意義。
4月8日，山東濟南槐蔭經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區重點招商引資項目簽約儀式舉行。此次簽約項目總投資額達到127.38億元，包括中鴻新晶第三代半導體産業集群等10個項目。
據山東發(fā)布指出，中鴻新晶第三代半導體産業集群項目總投資約111億元，總建設周期5年，分三期進(jìn)行。
其中項目一期産業投資8億元，計劃3年内完成(chéng)第三代半導體産業集群初步建設，完成(chéng)深紫外LED生産線20條，6-8英寸碳化矽單晶生産、加工、碳化矽外延生産線各2條，氮化镓中試線1條。一期完成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)實現年産值20億元，利稅24.2億元。
項目二期投資51億元，完成(chéng)第三代半導體産業基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領先的“國(guó)家級戰略新興半導體研究院”視一期進(jìn)展及市場需求情況适時啓動，計劃2年内完成(chéng)6-8英寸碳化矽單晶擴産、6-8英寸氮化镓外延、射頻器件、功率器件生産線各1條。二期完成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)實現年産值120億元，利稅將(jiāng)超過(guò)20億元。
項目三期投資52億元，將(jiāng)ASCATRON公司後(hòu)續芯片生産全部轉移至中國(guó)，項目建成(chéng)後(hòu)預期將(jiāng)帶動上下遊産業近千億元産值。
該項目依托中科院半導體所、微電子所等源頭創新力量，中電化合物公司及航天國(guó)際有限公司等産業龍頭、中南資本、中科院控股等金融資本，由中鴻新晶公司提供先進(jìn)技術與團隊，整合韓國(guó)浦項半導體、LG半導體，瑞典Epiluvac(艾彼盧米肯)等國(guó)際知名半導體企業優勢資源，采用産業鏈垂直整合模式，打造覆蓋以碳化矽、氮化镓爲代表的第三代半導體研發(fā)、設計、制造、封裝、測試等全産業鏈，涵蓋單晶生長(cháng)、外延、器件、模塊等全産品線。
資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成(chéng)立于2017年，是爲第三代半導體産業鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業、專業從事(shì)第三代半導體高純碳化矽微粉生産、碳化矽單晶爐的研發(fā)制造，碳化矽和氮化镓芯片設計和制造的企業。中鴻新晶的願景是要做第三代半導體全産業鏈的領跑者，承擔起(qǐ)中國(guó)在電子信息産業換道(dào)超車、重塑世界半導體産業格局的時代使命。
4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發(fā)布2020年非公開(kāi)發(fā)行股票預案公告，拟非公開(kāi)發(fā)行募資17.8億元。
公告顯示，丹邦科技本次非公開(kāi)發(fā)行的股票數量不超過(guò)本次非公開(kāi)發(fā)行前公司總股本的30%，即發(fā)行數量合計不超過(guò)164,376,000 股（含本數）。
募資17.8億
公告顯示，丹邦科技本次非公開(kāi)發(fā)行股票募集資金總額不超過(guò)17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜産業化項目、新型透明PI膜中試項目、量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目、以及補充流動資金，三個項目建設周期均爲2.5年，建設地點位于廣東省東莞市松山湖科技産業園工業西三路廣東丹邦工業園。
其中，量子碳化合物厚膜産業化項目投資總額爲12.31億元，拟使用募集資金10.3億元；新型透明PI膜中試項目投資總額爲4.65億元；量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額爲1.21億元。
資料顯示，丹邦科技經(jīng)營範圍包括開(kāi)發(fā)、生産經(jīng)營柔性覆合銅闆、液晶聚合導體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基闆、高精密集成(chéng)電路、新型電子元器件、二維半導體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要産品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基闆、芯片及器件封裝産品及柔性封裝相關功能(néng)熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應用于空間狹小，可移動折疊的高精尖智能(néng)終端産品，在消費電子、醫療器械、特種(zhǒng)計算機、智能(néng)顯示、高端裝備産業等所有微電子領域都(dōu)得到廣泛應用。
丹邦科技表示，本次募集資金投資項目的總體目标即：大批量生産量子碳化合物厚膜、中試新型透明PI膜、研發(fā)量子碳化合物半導體膜，爲實現公司成(chéng)爲國(guó)際領先的新型半導體材料企業的發(fā)展願景打下堅實基礎。
研發(fā)量子碳化合物半導體膜
當前，半導體新材料的突破將(jiāng)成(chéng)爲半導體産業未來發(fā)展的關鍵。傳統矽基半導體性能(néng)已接近極限，而量子碳化合物半導體膜有望成(chéng)爲綜合性能(néng)更好(hǎo)的新型化合物半導體材料。
量子碳化合物半導體膜作爲一種(zhǒng)新型的化合物半導體材料，與GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半導體材料相比，具有高頻、高效率、抗輻射、耐高低溫、耐高壓、低功耗、高熱導等化合物半導體材料的特性。
公告顯示，丹邦科技此次投資項目之一量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額爲1.21億元，拟使用募集資金1.2億元，主要建設内容爲利用公司現有廠房進(jìn)行改造并引進(jìn)設備開(kāi)展新型化合物半導體材料——量子碳化合物半導體膜的研發(fā)。
從金額上看，在四個拟募投項目中，盡管“量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目”的投資額最少，但該項目對(duì)于丹邦科技在新材料領域由高分子材料拓展至化合物半導體材料，具有重大戰略意義。
丹邦科技在PI膜分子結構設計、成(chéng)膜及燒結工藝的研發(fā)過(guò)程中，通過(guò)納米金屬材料的摻雜、雜化，并進(jìn)行離子交換和離子注入，使薄膜表面(miàn)形成(chéng)分布均勻的納米量子點，實現了薄膜帶隙的開(kāi)啓與調控，使其具備二維半導體性能(néng)。
丹邦科技將(jiāng)以此爲基礎，切入化合物半導體材料領域，開(kāi)展量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目，拟研制耐高低溫、高壓、高頻性能(néng)、大寬幅、超柔韌、超薄層微結構的化合物半導體材料。
丹邦科技表示，本次量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目得以實施後(hòu)，公司有望在化合物半導體材料領域實現重大技術突破，提升公司的技術領先地位，亦有助于提升我國(guó)在化合物半導體材料領域的自主創新能(néng)力與競争力。
4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發(fā)布2020年非公開(kāi)發(fā)行股票預案公告，拟非公開(kāi)發(fā)行募資17.8億元。
公告顯示，丹邦科技本次非公開(kāi)發(fā)行股票募集資金總額不超過(guò)17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜産業化項目、新型透明 PI 膜中試項目、量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目、以及補充流動資金，三個項目建設周期均爲2.5年，建設地點位于廣東省東莞市松山湖科技産業園工業西三路廣東丹邦工業園。
其中，量子碳化合物厚膜産業化項目投資總額爲12.31億元，拟使用募集資金10.3億元，主要建設内容爲利用公司現有廠房改建淨化車間，引進(jìn)國(guó)内外先進(jìn)設備建設一條量子碳化合物厚膜生産線，包括化學(xué)法漸進(jìn)噴塗式生産高性能(néng)聚酰亞胺超厚膜生産線、碳化和黑鉛化生産線、環保設備等。項目達産後(hòu)，公司將(jiāng)形成(chéng)年産100 萬平方米量子碳化合物厚膜的生産能(néng)力。
新型透明 PI 膜中試項目投資總額爲4.65億元，拟使用募集資金4.3元，主要建設内容爲利用公司現有廠房改建淨化車間，引進(jìn)國(guó)内外設備建設一條新型透明 PI 膜中試生産線，開(kāi)展産品研發(fā)及小規模試驗生産，預計投産後(hòu)每年可生産 30 萬平方米新型透明PI 膜。
量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額爲1.21億元，拟使用募集資金1.2億元，主要建設内容爲利用公司現有廠房進(jìn)行改造并引進(jìn)設備開(kāi)展新型化合物半導體材料——量子碳化合物半導體膜的研發(fā)。
資料顯示，丹邦科技股份公司成(chéng)立于2009年6月，注冊資本5.48億元，經(jīng)營範圍包括開(kāi)發(fā)、生産經(jīng)營柔性覆合銅闆、液晶聚合導體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基闆、高精密集成(chéng)電路、新型電子元器件、二維半導體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要産品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基闆、芯片及器件封裝産品及柔性封裝相關功能(néng)熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應用于空間狹小，可移動折疊的高精尖智能(néng)終端産品，在消費電子、醫療器械、特種(zhǒng)計算機、智能(néng)顯示、高端裝備産業等所有微電子領域都(dōu)得到廣泛應用。
2019年半年報顯示，其COF柔性封裝闆、COF産品、FPC（柔性印制電路闆）和PI膜占營業收入比重分别爲46.44%、28.87%、22.44%和0.80%。
據北京日報報道(dào)，日前，順義區第三代半導體材料及應用聯合創新基地項目複工，預計今年六月底竣工，目前正在進(jìn)行的是小市政施工作業。
順義區第三代半導體材料及應用聯合創新基地項目施工總包單位在完成(chéng)編報《施工現場疫情防控工作方案》《五方自查表》《建設工程複工疫情防控檢查表》後(hòu)，2月18日，經(jīng)順義區住建委、中關村順義園管委會、張喜莊衛生院三方的聯合檢查後(hòu)順義區第三代半導體材料及應用聯合創新基地項目有序開(kāi)工。
第三代半導體材料及應用聯合創新基地項目複工的初期時間至3月15日，計劃用工約80人，其中包括小市政施工、室内裝修、機電安裝，其施工人員主要分布爲河北、河南、四川等省份。目前小市政20人的隊伍有12人到場，裝修隊5人到場，正在進(jìn)行醫學(xué)觀察，其他人員將(jiāng)分批分期進(jìn)入工地。記者通過(guò)視頻連續看到，基地現場一輛挖掘機正在進(jìn)行雨污水處理的作業，兩(liǎng)名監工人員相距兩(liǎng)米以上站立。爲落實好(hǎo)現場疫情防控各項工作，項目總包方按照相關要求成(chéng)立了疫情防控指揮部，并明确了責任分工，制定了《第三代半導體項目新冠狀病毒疫情防控應急預案》《新型冠狀病毒感染的肺炎疫情防控工作管理規定》等方案，并健全了新型冠狀病毒疫情防控宿舍及後(hòu)勤管理制度、監督性醫學(xué)觀察管理制度、防疫測溫制度等各項管理制度。
“我們在現場按要求設置了醫學(xué)觀察區與隔離區。其中，設立了醫學(xué)觀察室共10間，用于返京工人進(jìn)場後(hòu)的14天醫學(xué)觀察，14天後(hòu)無問題後(hòu)就會轉到普通宿舍辦理住宿。”項目總包方相關負責人表示，“我們還(hái)臨時設置了2間隔離室，用于健康出現問題人員臨時隔離使用。”項目前期該施工方還(hái)充分準備，儲備了防護服、護目鏡、測溫槍等疫情防控物資。随着工人數量的陸續增加，現場物資將(jiāng)繼續補充。
第三代半導體材料及應用聯合創新基地項目總建築面(miàn)積71570平方米。其中，其中地上55370平方米，地下16200平方米。一期工程爲2号生産實驗車間及其地下，總建築面(miàn)積爲32597平方米。二期工程爲1号、3号生産實驗車間、地下車庫及氣瓶儲存間。
目前，工程主體及二次結構砌築完成(chéng)，配電室結構改造、地下設備基礎及回填土、地下室地面(miàn)墊層、屋面(miàn)工程、室外雨水收集池及化糞池安裝均已完成(chéng)。本工程計劃3月中旬開(kāi)始機電安裝及室内裝修，5月底完成(chéng)安裝調試，6月中旬完成(chéng)聯動調試，2020年6月30日竣工。
近日，産投資本管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司（簡稱“世紀金光”）簽署投資協議并完成(chéng)首期出資，标志着合肥首個第三代半導體産業項目正式落地。
随着碳化矽産業化日趨成(chéng)熟，産投資本緊抓第三代半導體發(fā)展機會，搶先布局。本次，産投資本作爲領投方參與世紀金光C輪融資，對(duì)合肥市半導體産業升級和技術創新有重要意義。
世紀金光是國(guó)内第三代半導體領軍企業，成(chéng)立于2010年，總部位于北京經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區，是國(guó)家大基金在第三代半導體領域投資的重點企業之一。
近幾年來，世紀金光創新性地解決了高純碳化矽粉料提純技術、6英寸碳化矽單晶制備技術、碳化矽SBD、MOSFET材料、結構及工藝設計技術等，已完成(chéng)從碳化矽材料生産、功率元器件和模塊制備到行業應用開(kāi)發(fā)與解決方案提供等關鍵領域的全面(miàn)布局，是國(guó)内第一家擁有SiC全産業鏈技術的半導體公司。
以碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)爲代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國(guó)氮化镓創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。
據意法半導體介紹，Exagan成(chéng)立于2014年，總部位于法國(guó)格勒諾布爾。該公司緻力于推進(jìn)電力電子行業從矽基技術向(xiàng)GaN-on-silicon技術轉變，研發(fā)體積更小、能(néng)效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開(kāi)關是爲标準200毫米晶圓設計。
雙方的交易條款沒(méi)有對(duì)外公布，等法國(guó)政府按照慣例成(chéng)交法規批準後(hòu)即可完成(chéng)交易。據披露，現已簽署的并購協議還(hái)規定，在多數股權收購交易完成(chéng)24個月後(hòu)，意法半導體有權收購剩餘的Exagan少數股權。本交易將(jiāng)采用可用現金支付。
意法半導體表示，Exagan的外延工藝、産品開(kāi)發(fā)和應用經(jīng)驗將(jiāng)拓寬并推進(jìn)意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開(kāi)發(fā)規劃和業務。Exagan將(jiāng)繼續執行現有産品開(kāi)發(fā)規劃，意法半導體將(jiāng)爲其部署産品提供支持。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery稱，收購Exagan的多數股權是對(duì)意法半導體目前與CEA-Leti在法國(guó)圖爾的開(kāi)發(fā)項目以及最近宣布的與台積電的合作項目的補充。
據了解，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)矽基氮化镓功率切換元件制造技術。前不久，意法半導體宣布與台積電攜手合作加速氮化镓（GaN）制程技術的開(kāi)發(fā)，并將(jiāng)分離式與整合式氮化镓元件導入市場。
意法半導體汽車産品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導體在氮化镓制程技術的加速開(kāi)發(fā)與交付看到了龐大的商機，將(jiāng)功率氮化镓及氮化镓集成(chéng)電路産品導入市場。
嘉興南湖區政府網信息顯示，3月3日南湖區舉行一季度重大項目集中開(kāi)竣工活動，參加本次集中開(kāi)竣工活動的項目共54個，總投資達219.96億元。活動主會場開(kāi)工儀式設在嘉興科技城的浙江博方嘉芯集成(chéng)電路科技有限公司氮化镓射頻及功率器件項目現場。
活動現場，博方嘉芯氮化镓射頻及功率器件項目舉行開(kāi)工儀式，該項目是中國(guó)第三代半導體材料示範項目，也是嘉興南湖微電子産業平台2020年引進(jìn)的标志性項目。項目總投資25億元，浙江博方嘉芯集成(chéng)電路科技有限公司將(jiāng)引進(jìn)6英寸晶圓生産線兼容4英寸氮化镓生産線設備，項目全部達産後(hòu)可實現年銷售30億元以上，年稅收6600萬元以上。
據報道(dào)，該項目將(jiāng)分兩(liǎng)期實施，其中一期建築面(miàn)積5萬平方米，建設6英寸晶圓生産線兼容4英寸氮化镓生産線，設計月産能(néng)爲1000片氮化镓射頻晶圓；二期建築面(miàn)積3.9萬平方米，建設6英寸晶圓生産線兼容4英寸氮化镓生産線和外延片生産線，設計月産能(néng)爲3000片氮化镓射頻晶圓、月産能(néng)20000片氮化镓功率晶圓。
浙江博方嘉芯集成(chéng)電路科技有限公司董事(shì)長(cháng)張博表示，該項目預期在明年二季度就能(néng)達成(chéng)試産，明年可以批量生産。
