4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下簡稱“丹邦科技”）發(fā)布2020年非公開(kāi)發(fā)行股票預案公告，拟非公開(kāi)發(fā)行募資17.8億元。
公告顯示，丹邦科技本次非公開(kāi)發(fā)行的股票數量不超過(guò)本次非公開(kāi)發(fā)行前公司總股本的30%，即發(fā)行數量合計不超過(guò)164,376,000 股（含本數）。
募資17.8億
公告顯示，丹邦科技本次非公開(kāi)發(fā)行股票募集資金總額不超過(guò)17.8億元，主要用于量子碳化合物厚膜産業化項目、新型透明PI膜中試項目、量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目、以及補充流動資金，三個項目建設周期均爲2.5年，建設地點位于廣東省東莞市松山湖科技産業園工業西三路廣東丹邦工業園。
其中，量子碳化合物厚膜産業化項目投資總額爲12.31億元，拟使用募集資金10.3億元；新型透明PI膜中試項目投資總額爲4.65億元；量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額爲1.21億元。
資料顯示，丹邦科技經(jīng)營範圍包括開(kāi)發(fā)、生産經(jīng)營柔性覆合銅闆、液晶聚合導體材料，高頻柔性電路、柔性電路封裝基闆、高精密集成(chéng)電路、新型電子元器件、二維半導體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要産品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封裝COF基闆、芯片及器件封裝産品及柔性封裝相關功能(néng)熱固化膠、微粘性膠膜等，主要應用于空間狹小，可移動折疊的高精尖智能(néng)終端産品，在消費電子、醫療器械、特種(zhǒng)計算機、智能(néng)顯示、高端裝備産業等所有微電子領域都(dōu)得到廣泛應用。
丹邦科技表示，本次募集資金投資項目的總體目标即：大批量生産量子碳化合物厚膜、中試新型透明PI膜、研發(fā)量子碳化合物半導體膜，爲實現公司成(chéng)爲國(guó)際領先的新型半導體材料企業的發(fā)展願景打下堅實基礎。
研發(fā)量子碳化合物半導體膜
當前，半導體新材料的突破將(jiāng)成(chéng)爲半導體産業未來發(fā)展的關鍵。傳統矽基半導體性能(néng)已接近極限，而量子碳化合物半導體膜有望成(chéng)爲綜合性能(néng)更好(hǎo)的新型化合物半導體材料。
量子碳化合物半導體膜作爲一種(zhǒng)新型的化合物半導體材料，與GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半導體材料相比，具有高頻、高效率、抗輻射、耐高低溫、耐高壓、低功耗、高熱導等化合物半導體材料的特性。
公告顯示，丹邦科技此次投資項目之一量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目投資總額爲1.21億元，拟使用募集資金1.2億元，主要建設内容爲利用公司現有廠房進(jìn)行改造并引進(jìn)設備開(kāi)展新型化合物半導體材料——量子碳化合物半導體膜的研發(fā)。
從金額上看，在四個拟募投項目中，盡管“量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目”的投資額最少，但該項目對(duì)于丹邦科技在新材料領域由高分子材料拓展至化合物半導體材料，具有重大戰略意義。
丹邦科技在PI膜分子結構設計、成(chéng)膜及燒結工藝的研發(fā)過(guò)程中，通過(guò)納米金屬材料的摻雜、雜化，并進(jìn)行離子交換和離子注入，使薄膜表面(miàn)形成(chéng)分布均勻的納米量子點，實現了薄膜帶隙的開(kāi)啓與調控，使其具備二維半導體性能(néng)。
丹邦科技將(jiāng)以此爲基礎，切入化合物半導體材料領域，開(kāi)展量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目，拟研制耐高低溫、高壓、高頻性能(néng)、大寬幅、超柔韌、超薄層微結構的化合物半導體材料。
丹邦科技表示，本次量子碳化合物半導體膜研發(fā)項目得以實施後(hòu)，公司有望在化合物半導體材料領域實現重大技術突破，提升公司的技術領先地位，亦有助于提升我國(guó)在化合物半導體材料領域的自主創新能(néng)力與競争力。