以碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)爲代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國(guó)氮化镓創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。
據意法半導體介紹，Exagan成(chéng)立于2014年，總部位于法國(guó)格勒諾布爾。該公司緻力于推進(jìn)電力電子行業從矽基技術向(xiàng)GaN-on-silicon技術轉變，研發(fā)體積更小、能(néng)效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開(kāi)關是爲标準200毫米晶圓設計。
雙方的交易條款沒(méi)有對(duì)外公布，等法國(guó)政府按照慣例成(chéng)交法規批準後(hòu)即可完成(chéng)交易。據披露，現已簽署的并購協議還(hái)規定，在多數股權收購交易完成(chéng)24個月後(hòu)，意法半導體有權收購剩餘的Exagan少數股權。本交易將(jiāng)采用可用現金支付。
意法半導體表示，Exagan的外延工藝、産品開(kāi)發(fā)和應用經(jīng)驗將(jiāng)拓寬并推進(jìn)意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開(kāi)發(fā)規劃和業務。Exagan將(jiāng)繼續執行現有産品開(kāi)發(fā)規劃，意法半導體將(jiāng)爲其部署産品提供支持。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery稱，收購Exagan的多數股權是對(duì)意法半導體目前與CEA-Leti在法國(guó)圖爾的開(kāi)發(fā)項目以及最近宣布的與台積電的合作項目的補充。
據了解，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)矽基氮化镓功率切換元件制造技術。前不久，意法半導體宣布與台積電攜手合作加速氮化镓（GaN）制程技術的開(kāi)發(fā)，并將(jiāng)分離式與整合式氮化镓元件導入市場。
意法半導體汽車産品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出，意法半導體在氮化镓制程技術的加速開(kāi)發(fā)與交付看到了龐大的商機，將(jiāng)功率氮化镓及氮化镓集成(chéng)電路産品導入市場。