标簽：功率半導體

6月21日， Silvaco成(chéng)都(dōu)技術中心項目簽約儀式在成(chéng)都(dōu)天府軟件園舉行，本次簽約由成(chéng)都(dōu)高新區、矽能(néng)科技以及美國(guó)Silvaco公司三方共同達成(chéng)。成(chéng)都(dōu)高新區相關負責人表示，此次合作有助于補齊成(chéng)都(dōu)高新區半導體産業發(fā)展短闆、助力成(chéng)都(dōu)EDA（電子設計自動化）産業發(fā)展，進(jìn)一步提升成(chéng)都(dōu)半導體産業競争力。

Silvaco是一家專爲工藝和器件開(kāi)發(fā)、模拟及數模混合信号、功率集成(chéng)電路和存儲器設計等提供軟件工具的EDA供應商。公司總部位于美國(guó)加利福尼亞州聖塔克萊拉，在全球設有12個分支機構，其軟件包是全球半導體廠家采用的主流産品。

記者了解到，EDA即電子設計自動化軟件。EDA是集成(chéng)電路産業的上遊環節，是進(jìn)行集成(chéng)電路設計的必備工具。利用EDA工具，工程師可以將(jiāng)芯片電路設計、性能(néng)分析以及IC版圖的全過(guò)程交由計算機處理完成(chéng)。由于EDA涉及電路、軟件、材料等多學(xué)科領域，開(kāi)發(fā)難度大，加之EDA軟件的授權使用費用高昂，動辄數十萬、百萬甚至幾千萬的費用，EDA工具研發(fā)一直是中國(guó)集成(chéng)電路産業的短闆。

按照簽約合作協議，Silvaco公司將(jiāng)在成(chéng)都(dōu)矽能(néng)科技孵化器設立技術研發(fā)中心，中心將(jiāng)通過(guò)調用公司本部研發(fā)專家、吸收國(guó)内外研發(fā)人才的形式，組建專門研發(fā)團隊進(jìn)行EDA軟件研發(fā)；同時組建技術服務團隊，與半導體設計、測試、制造生産等相關企業、機構建立密切合作關系，快速響應，做好(hǎo)軟件支持服務；針對(duì)成(chéng)都(dōu)高新區相關企業和機構在EDA設計方面(miàn)的薄弱點，Silvaco將(jiāng)積極給予支持和服務。

促進(jìn)此次合作的成(chéng)都(dōu)矽能(néng)科技有限公司是一家位于成(chéng)都(dōu)高新區的中外合資企業，于2019年1月初成(chéng)立,公司專注于功率半導體的研發(fā)和功率半導體初創企業的孵化服務。

成(chéng)都(dōu)高新區相關負責人表示，此次合作是成(chéng)都(dōu)高新區探索民營孵化器培育扶持企業的新嘗試，有利于發(fā)揮資金服務優勢，不斷拓寬融資渠道(dào)，建立立體式、多層次、全生命周期投融資形成(chéng)機制，培育一批有強大研發(fā)實力、有市場競争力的半導體企業。

近日在山東省發(fā)改委公布的新舊動能(néng)轉換重大項目庫第二批優選項目名單中包含多個半導體功率項目。

如濟南富元電子高功率芯片産業園項目（年産8寸矽基功率器件36萬片、6寸碳化矽功率器件12萬片），韓國(guó)iA集團—大唐電信投資有限公司車規級功率半導體模塊項目（實現複合全控型電壓驅動式功率半導體器件IGBT年産值10億元）等。

最新消息是，總投資50億的山東興華半導體項目已經(jīng)開(kāi)工。

據日照高新消息，6月15日，山東興華半導體項目開(kāi)工儀在日照高新區舉行開(kāi)工儀式。消息指出，該項目由東南亞最早的半導體制造公司——香港興華半導體工業有限公司開(kāi)工建設。

項目計劃總投資50億元，主要建設5寸/6寸和8寸半導體集成(chéng)電路生産線各一條，主要設計制造市場前景廣闊的半導體集成(chéng)電路芯片，將(jiāng)建成(chéng)國(guó)内主要的功率器件和集成(chéng)電路供應商。量産後(hòu)，5年内可實現産值7.2億元，年稅收1.4億元。

目前，該項目已完成(chéng)立項和工商注冊手續，一期項目廠房建設已奠基開(kāi)工。

事(shì)實上，近年來，有多個功率半導體項目都(dōu)已經(jīng)落戶山東。其中富士康濟南項目（富能(néng)高功率芯片生産項目）已于3月15日開(kāi)工。

根據濟南高新區管委會此前發(fā)布的新聞稿稱，富能(néng)高功率芯片生産項目將(jiāng)建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生産MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化矽器件的研發(fā)、生産基地，項目一期用地317.92畝，建築面(miàn)積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

近日在山東省發(fā)改委公布的新舊動能(néng)轉換重大項目庫第二批優選項目名單中包含多個半導體功率項目。

如濟南富元電子高功率芯片産業園項目（年産8寸矽基功率器件36萬片、6寸碳化矽功率器件12萬片），韓國(guó)iA集團—大唐電信投資有限公司車規級功率半導體模塊項目（實現複合全控型電壓驅動式功率半導體器件IGBT年産值10億元）等。

最新消息是，總投資50億的山東興華半導體項目已經(jīng)開(kāi)工。

據日照高新消息，6月15日，山東興華半導體項目開(kāi)工儀在日照高新區舉行開(kāi)工儀式。消息指出，該項目由東南亞最早的半導體制造公司——香港興華半導體工業有限公司開(kāi)工建設。

項目計劃總投資50億元，主要建設5寸/6寸和8寸半導體集成(chéng)電路生産線各一條，主要設計制造市場前景廣闊的半導體集成(chéng)電路芯片，將(jiāng)建成(chéng)國(guó)内主要的功率器件和集成(chéng)電路供應商。量産後(hòu)，5年内可實現産值7.2億元，年稅收1.4億元。

目前，該項目已完成(chéng)立項和工商注冊手續，一期項目廠房建設已奠基開(kāi)工。

事(shì)實上，近年來，有多個功率半導體項目都(dōu)已經(jīng)落戶山東。其中富士康濟南項目（富能(néng)高功率芯片生産項目）已于3月15日開(kāi)工。

根據濟南高新區管委會此前發(fā)布的新聞稿稱，富能(néng)高功率芯片生産項目將(jiāng)建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生産MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化矽器件的研發(fā)、生産基地，項目一期用地317.92畝，建築面(miàn)積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

近日在山東省發(fā)改委公布的新舊動能(néng)轉換重大項目庫第二批優選項目名單中包含多個半導體功率項目。

如濟南富元電子高功率芯片産業園項目（年産8寸矽基功率器件36萬片、6寸碳化矽功率器件12萬片），韓國(guó)iA集團—大唐電信投資有限公司車規級功率半導體模塊項目（實現複合全控型電壓驅動式功率半導體器件IGBT年産值10億元）等。

最新消息是，總投資50億的山東興華半導體項目已經(jīng)開(kāi)工。

據日照高新消息，6月15日，山東興華半導體項目開(kāi)工儀在日照高新區舉行開(kāi)工儀式。消息指出，該項目由東南亞最早的半導體制造公司——香港興華半導體工業有限公司開(kāi)工建設。

項目計劃總投資50億元，主要建設5寸/6寸和8寸半導體集成(chéng)電路生産線各一條，主要設計制造市場前景廣闊的半導體集成(chéng)電路芯片，將(jiāng)建成(chéng)國(guó)内主要的功率器件和集成(chéng)電路供應商。量産後(hòu)，5年内可實現産值7.2億元，年稅收1.4億元。

目前，該項目已完成(chéng)立項和工商注冊手續，一期項目廠房建設已奠基開(kāi)工。

事(shì)實上，近年來，有多個功率半導體項目都(dōu)已經(jīng)落戶山東。其中富士康濟南項目（富能(néng)高功率芯片生産項目）已于3月15日開(kāi)工。

根據濟南高新區管委會此前發(fā)布的新聞稿稱，富能(néng)高功率芯片生産項目將(jiāng)建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生産MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化矽器件的研發(fā)、生産基地，項目一期用地317.92畝，建築面(miàn)積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

贛州經(jīng)開(kāi)區官方微信平台消息顯示，6月6日，贛州經(jīng)開(kāi)區與名芯有限公司（香港）、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院（以下簡稱“電研院”）簽訂三方合作框架協議，名芯半導體項目落戶贛州經(jīng)開(kāi)區。

據介紹，名芯半導體項目總投資200億元，將(jiāng)分兩(liǎng)期建設：一期投資60億元，建設一條8英寸功率晶圓生産線；二期投資120-140億元，規劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生産線或12英寸矽基晶圓制造生産線。兩(liǎng)期項目達産達标後(hòu)，預計實現年産值100億元以上。

該項目涉及的産品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領域全部類别中80%品種(zhǒng)。同時，項目規劃建設與晶圓關聯的封測工廠、IC設計公司、微電子研究院等三個項目。 

資料顯示，電研院于2007年8月由東莞市人民政府、電子科技大學(xué)和廣東省科技廳聯合共建，是廣東省部産學(xué)研合作創新平台以及國(guó)家技術轉移示範機構、國(guó)家級科技企業孵化器。這(zhè)些年來，電研院以“技術+資本”爲模式，已累計孵化各類電子信息高科技企業100餘家。

名芯有限公司（香港）資産約20億元港币，銷售IGBT（絕緣栅雙極型晶體管）、CMOS（互補金屬氧化物半導體）、存儲芯片、MOSFET（金氧半場效晶體管）及半導體相關設備。目前已取得日本、美國(guó)等海外封測工藝專利授權500餘項。

“當前，我們正大力實施‘微電子産業三年攻堅計劃’，全力打造揚州‘芯谷’。我誠摯邀請各位到揚州、進(jìn)園區多看看，期盼更多行業朋友來揚考察投資，實現更高層次的互利共赢。”昨天，在“‘芯’時代 新征程”聯誼會上，揚州市委常委、政法委書記、邗江區委書記張耀武向(xiàng)來自上海市集成(chéng)電路行業的30多位CEO發(fā)出邀請。

聯誼會由上海市集成(chéng)電路行業協會主辦，上海微技術工業研究院、揚州市僑聯、維揚經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區、揚傑電子協辦。會上，CEO們爲揚州微電子産業認真把脈。

微電子技術是随着集成(chéng)電路發(fā)展起(qǐ)來的一門新技術。當下，微電子産業屬于揚州聚力攻堅的戰略性新興産業，産品涉及大功率芯片、封裝半導體材料等多個細分領域，累計銷售額已過(guò)百億元，呈現出高成(chéng)長(cháng)性的發(fā)展态勢。

“這(zhè)些都(dōu)是揚州良好(hǎo)的産業發(fā)展基礎。”上海微技術工業研究院總經(jīng)理丁輝文表示，園區是産業載體，産業更需要頂層設計。揚州要搶抓産業發(fā)展機遇，必須抓好(hǎo)産業總體規劃。

“集成(chéng)電路的創新大部分在小企業中，而小企業需要創新平台和載體。”丁輝文表示，揚州應該及時引進(jìn)平台性公司，創新合作機制和模式，爲企業技術創新培育土壤。作爲全球性協同創新中心，上海微技術工業研究院將(jiāng)長(cháng)期支持揚州微電子産業發(fā)展。

“希望揚州成(chéng)立以揚傑電子等一批龍頭企業爲成(chéng)員的行業協會，通過(guò)交流推動企業之間互補性發(fā)展。”上海市集成(chéng)電路行業協會秘書長(cháng)徐偉說，“揚州融入長(cháng)江三角洲經(jīng)濟圈，上海與揚州兩(liǎng)地更有機會尋找産業互補的切入點。建議揚州結合微電子産業規律，與上海産業鏈各個闆塊上的企業聯手，打造未來新的發(fā)展增長(cháng)點。”

“今天的聯誼會擴大了我的‘朋友圈’，上海行業‘大咖’們的建議讓我受益匪淺。”揚傑電子董事(shì)長(cháng)梁勤說，很羨慕中芯、華虹、華潤、士蘭等都(dōu)有8寸、12寸矽晶片生産線，揚傑電子正借助工業互聯網，實現工業化與信息化的高度融合，積極做好(hǎo)8寸矽晶片生産線建設的各項準備。“2019年我們安排了1億元研發(fā)經(jīng)費，重點建設研發(fā)中心、第三代功率半導體重點實驗室等。下一步，我們將(jiāng)與上海企業深化合作，努力建設具有國(guó)際一流水平的功率半導體智能(néng)制造标杆工廠。”

4月29日，浙江裡(lǐ)陽半導體一期芯片制造生産線舉行通線投産儀式，從原來的純開(kāi)發(fā)、設計、銷售邁向(xiàng)制造領域。

據了解，裡(lǐ)陽半導體是浙江玉環2018年引進(jìn)的重大産業項目，總投資約50億元，是一家集功率半導體器件設計研發(fā)、芯片制造、封裝測試及産品銷售爲一體的高新技術企業，公司總部位于美國(guó)加州，在韓國(guó)首爾、中國(guó)深圳設有研發(fā)及銷售中心。

2018年8月，裡(lǐ)陽半導體在玉環自建晶圓生産基地，一期廠房占地20畝，將(jiāng)組建功率半導體芯片生産線及産品封測線，年産晶圓60萬片、封測成(chéng)品2.6億隻，同時組建國(guó)家級功率半導體器件産品研發(fā)實驗室及性能(néng)檢測中心。

裡(lǐ)陽半導體方面(miàn)表示，接下來將(jiāng)再投入35億打造第三代半導體重要基地。以裡(lǐ)陽半導體爲起(qǐ)步，玉環將(jiāng)圍繞芯片設計、制造、封裝以及芯片設備，進(jìn)行全産業鏈招商，努力打造第三代半導體産業重要基地。

日前，華微電子發(fā)布公告，宣布其配股發(fā)行成(chéng)功，本次募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)將(jiāng)用于新型電力電子器件基地項目（二期）的建設，國(guó)内將(jiāng)再添8英寸生産線。

根據公告，華微電子此次按照每股人民币3.90元的價格，以每10股配3股的比例向(xiàng)股東配售人民币普通股，共計可配售股份總數約爲2.25億股。

截至認購繳款結束日（2019年4月11日，T+5日），華微電子配股有效認購數量約爲2.13億股，認購金額約8.3億元，本次無限售條件流通股股東及有限售條件流通股股東合計認配率達94.48%，本次配股發(fā)行成(chéng)功。

值得一提的是，華微電子這(zhè)次配股發(fā)行獲得了控股股東上海鵬盛的力挺。發(fā)行結果顯示，上海鵬盛承諾將(jiāng)以現金形式全額認購其可獲配的股份，合計全額認購其可配股數約5205.07萬股，占本次可配股份總數的23.09%。根據配股方案估算，上海鵬盛此次將(jiāng)出資約2.03億元。

配股說明書顯示，此次華微電子配股發(fā)行拟募集資金不超過(guò)10億元（含發(fā)行費用），扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額拟全部用于新型電力電子器件基地項目（二期）即8英寸生産線的建設。項目建成(chéng)後(hòu)，華微電子將(jiāng)具有加工8英寸芯片24萬片/年的加工能(néng)力。

該項目的産品包括重點應用于工業傳動、消費電子等領域，形成(chéng)600V-1700V各種(zhǒng)電壓、電流等級的IGBT芯片；同時包括應用于各領域的具有成(chéng)熟産業化技術的MOSFET芯片，以及與公司主流産品配套的IC芯片。

事(shì)實上，華微電子籌備該項目已有近10年時間。公告顯示，2011年12月吉林發(fā)改委已同意華微電子建設新型電力電子器件基地項目（建設内容爲年産8 英寸芯片96萬片），總投資爲39.86 億元。華微電子于2013年12月開(kāi)工建設新型電力電子器件基地項目一期，此次建設的項目二期亦爲上述項目的組成(chéng)部分。

據華微電子在路演中介紹，目前公司擁有4英寸5英寸與6英寸等多條功率半導體晶圓生産線，報告期内各尺寸晶圓生産能(néng)力爲330萬片/年，目前開(kāi)工率處于接近滿負荷生産狀态，訂單情況良好(hǎo)。

華微電子指出，目前日本和美國(guó)等發(fā)達國(guó)家的功率器件領域，生産線已大量采用8 英寸、0.18微米工藝技術，本次募投項目産品IGBT和Trench MOS都(dōu)采用關鍵的Trench工藝，IC 産品則要求光刻最小分辨率0.18um，現有生産線的設備水平和加工精度已無法滿足8英寸生産線産品的工藝水平和質量要求。

據稱，華微電子本次募投項目涉及研發(fā)人員共計62人，項目達産後(hòu)預計將(jiāng)實現年銷售收入9.18億元，生産期平均年稅後(hòu)淨利潤爲1.90億元，項目内部收益率（稅後(hòu)）爲16.22%，投資回收期（稅後(hòu)）爲6.54年。

華微電子表示，公司以功率分立器件爲主，目前國(guó)内同類型上市公司中，尚未見有上市公司建成(chéng)與華微電子同類型的8寸線。

近日，台基股份發(fā)布2019年第一季度業績預告，預計實現歸屬于上市公司股東的淨利潤爲2202.96萬元—2434.85萬元，較去年同期相比基本持平。

台基股份指出，2019年第一季度，功率半導體器件市場需求平穩，公司對(duì)功率半導體産品結構進(jìn)行了優化調整，高端産品、高毛利産品比重有所上升，半導體闆塊收入及淨利潤較去年同期均有所增長(cháng)。

資料顯示，台基股份主營産品包括晶閘管、整流管、IGBT模塊、電力半導體模塊等，目前擁有晶閘管和模塊晶圓廠及IGBT封測線。公司産品主要應用于冶金鑄造、電機驅動、大功率電源、輸配電、軌道(dào)交通、電焊機、新能(néng)源、軍民融合等領域。

台基股份正籌劃非公開(kāi)發(fā)行事(shì)項，其中，項目包括月産4萬隻IGBT模塊（兼容MOSFET等）的封測線，可以兼容月産1.5萬隻SiC等寬禁帶半導體功率器件封測。

功率半導體作爲需求驅動型的産業，吸引了衆多廠商布局，除了台基股份之外，另有比亞迪、士蘭微、華微電子、揚傑科技、積塔半導體等多家廠商在布局功率半導體業務。

從終端需求來看，新能(néng)源汽車仍然爲中國(guó)功率半導體市場最大需求來源，根據集邦咨詢資料顯示，2019年中國(guó)新能(néng)源車産量預估爲150萬輛，較前一年成(chéng)長(cháng)45%，其ADAS系統、電控以及充電樁的需求將(jiāng)帶動功率分立器件市場規模約270億元。

同時，5G建設所需的基站設備及其普及後(hòu)帶來物聯網、雲計算的快速發(fā)展，將(jiāng)對(duì)功率半導體産生長(cháng)期大量需求，另外，工業自動化規劃持續推進(jìn)，與之相關的電源、控制、驅動電路將(jiāng)持續推升中國(guó)功率半導體的采購。