近日在山東省發(fā)改委公布的新舊動能(néng)轉換重大項目庫第二批優選項目名單中包含多個半導體功率項目。
如濟南富元電子高功率芯片産業園項目（年産8寸矽基功率器件36萬片、6寸碳化矽功率器件12萬片），韓國(guó)iA集團—大唐電信投資有限公司車規級功率半導體模塊項目（實現複合全控型電壓驅動式功率半導體器件IGBT年産值10億元）等。
最新消息是，總投資50億的山東興華半導體項目已經(jīng)開(kāi)工。
據日照高新消息，6月15日，山東興華半導體項目開(kāi)工儀在日照高新區舉行開(kāi)工儀式。消息指出，該項目由東南亞最早的半導體制造公司——香港興華半導體工業有限公司開(kāi)工建設。
項目計劃總投資50億元，主要建設5寸/6寸和8寸半導體集成(chéng)電路生産線各一條，主要設計制造市場前景廣闊的半導體集成(chéng)電路芯片，將(jiāng)建成(chéng)國(guó)内主要的功率器件和集成(chéng)電路供應商。量産後(hòu)，5年内可實現産值7.2億元，年稅收1.4億元。
目前，該項目已完成(chéng)立項和工商注冊手續，一期項目廠房建設已奠基開(kāi)工。
事(shì)實上，近年來，有多個功率半導體項目都(dōu)已經(jīng)落戶山東。其中富士康濟南項目（富能(néng)高功率芯片生産項目）已于3月15日開(kāi)工。
根據濟南高新區管委會此前發(fā)布的新聞稿稱，富能(néng)高功率芯片生産項目將(jiāng)建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生産MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化矽器件的研發(fā)、生産基地，項目一期用地317.92畝，建築面(miàn)積約24.5萬平方米，投資50.53億元。