日前，華微電子發(fā)布公告，宣布其配股發(fā)行成(chéng)功，本次募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)將(jiāng)用于新型電力電子器件基地項目（二期）的建設，國(guó)内將(jiāng)再添8英寸生産線。
根據公告，華微電子此次按照每股人民币3.90元的價格，以每10股配3股的比例向(xiàng)股東配售人民币普通股，共計可配售股份總數約爲2.25億股。
截至認購繳款結束日（2019年4月11日，T+5日），華微電子配股有效認購數量約爲2.13億股，認購金額約8.3億元，本次無限售條件流通股股東及有限售條件流通股股東合計認配率達94.48%，本次配股發(fā)行成(chéng)功。
值得一提的是，華微電子這(zhè)次配股發(fā)行獲得了控股股東上海鵬盛的力挺。發(fā)行結果顯示，上海鵬盛承諾將(jiāng)以現金形式全額認購其可獲配的股份，合計全額認購其可配股數約5205.07萬股，占本次可配股份總數的23.09%。根據配股方案估算，上海鵬盛此次將(jiāng)出資約2.03億元。
配股說明書顯示，此次華微電子配股發(fā)行拟募集資金不超過(guò)10億元（含發(fā)行費用），扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額拟全部用于新型電力電子器件基地項目（二期）即8英寸生産線的建設。項目建成(chéng)後(hòu)，華微電子將(jiāng)具有加工8英寸芯片24萬片/年的加工能(néng)力。
該項目的産品包括重點應用于工業傳動、消費電子等領域，形成(chéng)600V-1700V各種(zhǒng)電壓、電流等級的IGBT芯片；同時包括應用于各領域的具有成(chéng)熟産業化技術的MOSFET芯片，以及與公司主流産品配套的IC芯片。
事(shì)實上，華微電子籌備該項目已有近10年時間。公告顯示，2011年12月吉林發(fā)改委已同意華微電子建設新型電力電子器件基地項目（建設内容爲年産8 英寸芯片96萬片），總投資爲39.86 億元。華微電子于2013年12月開(kāi)工建設新型電力電子器件基地項目一期，此次建設的項目二期亦爲上述項目的組成(chéng)部分。
據華微電子在路演中介紹，目前公司擁有4英寸5英寸與6英寸等多條功率半導體晶圓生産線，報告期内各尺寸晶圓生産能(néng)力爲330萬片/年，目前開(kāi)工率處于接近滿負荷生産狀态，訂單情況良好(hǎo)。
華微電子指出，目前日本和美國(guó)等發(fā)達國(guó)家的功率器件領域，生産線已大量采用8 英寸、0.18微米工藝技術，本次募投項目産品IGBT和Trench MOS都(dōu)采用關鍵的Trench工藝，IC 産品則要求光刻最小分辨率0.18um，現有生産線的設備水平和加工精度已無法滿足8英寸生産線産品的工藝水平和質量要求。
據稱，華微電子本次募投項目涉及研發(fā)人員共計62人，項目達産後(hòu)預計將(jiāng)實現年銷售收入9.18億元，生産期平均年稅後(hòu)淨利潤爲1.90億元，項目内部收益率（稅後(hòu)）爲16.22%，投資回收期（稅後(hòu)）爲6.54年。
華微電子表示，公司以功率分立器件爲主，目前國(guó)内同類型上市公司中，尚未見有上市公司建成(chéng)與華微電子同類型的8寸線。