标簽：功率半導體

市場普遍認爲，MOSFET 在 2019 年價格預估有衰退可能(néng)，原因來自全球 MOSFET 需求吃緊狀況減緩，以及中國(guó)自有 12 吋廠功率半導體逐步放量。英飛淩（Infineon）2 月初公布财報，提及擴大委外代工及新建 12 吋功率半導體廠計劃，或許就是英飛淩爲因應市場波動所提前制定的策略，一方面(miàn)提高委外代工份額，加強合作關系鞏固主要營收市場；另一方面(miàn)憑借 12 吋功率半導體廠轉型成(chéng)功的優勢，因應市場供需與價格波動。

擴大委外代工比重，鞏固主要營收市場

回顧 2018 年英飛淩營收區域分布，大中華區營收占 34%（含中國(guó)與台灣），成(chéng)爲英飛淩最主要單一營收收入區域。面(miàn)對(duì)同樣在中國(guó) 12 吋功率半導體廠可能(néng)帶來的 MOSFET 價格波動，或許讓英飛淩的擴大委外代工策略，在合作夥伴分配的代工比例有調整。

▲ 英飛淩委外代工布局。（Source：英飛淩；拓墣展業研究所整理，2019.3）

英飛淩與相當多中國(guó)晶圓代工廠合作，預計未來 5 年在功率半導體委外代工規模擴大至 15%，并可能(néng)會將(jiāng)多數訂單給既有的中國(guó)合作廠商，例如 HHGrace & Hua Li、CSMC、ASMC、JSMC 等，就近供應中國(guó)内需市場以提升産品競争力，應付 MOSFET 市場的價格波動。對(duì)于台灣廠商，由于英飛淩分配給世界先進(jìn)的代工份額與 HHGrace & Hua Li 接近，漢磊的代工份額屬小量，雖然技術層面(miàn)較爲成(chéng)熟，但在産品生産成(chéng)本競争下，受惠程度將(jiāng)有些許影響。

附帶一提，CMOS 的委外代工量預計從 50% 提升至 70%，借重台廠優良技術期望繼續推升英飛淩在 MCU 市場居于落後(hòu)地位，中國(guó)晶圓代工廠如中芯國(guó)際、SSMC、Founder Electronics 也同樣可望受惠，以因應未來中國(guó)廣大的汽車内需市場。

12 吋功率半導體持續布局，可望拉大與競争對(duì)手的距離

▲ Infineon’s Major Manufacturing Fab Distribution。（Source：英飛淩；拓墣展業研究所整理，2019.3）

12 吋功率半導體廠或將(jiāng)成(chéng)爲未來趨勢，再加上既有的 8 吋廠産能(néng)，可提供市場足夠需求。但反過(guò)來說，2018 年因 8 吋廠 MOSFET 産能(néng)吃緊造成(chéng)的價格上揚恐不易重現，可能(néng)緻使 IDM 廠總營收下降；另外，對(duì)比産品制程生産線，雖有制造成(chéng)本上的優勢，但 12 吋廠在制程與原料控管也較 8 吋廠困難，尤其是對(duì)産品良率與容錯率的要求更加嚴格，一旦有晶圓報廢，其影響數量也會是過(guò)去 8 吋的兩(liǎng)倍以上。

英飛淩在功率半導體市占率居首位，首座專門生産功率半導體的 12 吋廠，提升英飛淩成(chéng)本控管的彈性。從英飛淩公布的 12 吋廠規劃來看，將(jiāng)持續加重功率半導體的生産比例，減少高成(chéng)本國(guó)家的生産支出，也顯示英飛淩在 12 吋功率半導體發(fā)展确實有獨到之處，克服制程生産線轉型困難，持續布局 12 吋功率半導體廠房，相信英飛淩能(néng)更穩固在功率半導體的領先地位，拉大與競争對(duì)手的距離，拿下更多市占率。

市場上普遍認爲，MOSFET在2019年價格預估有開(kāi)始衰退的可能(néng)，其原因來自全球MOSFET需求吃緊狀況減緩，以及中國(guó)自有12英寸廠功率半導體的逐步放量。

英飛淩在2019年2月初公布的财報，提及擴大委外代工及新建12英寸功率半導體廠計劃，或許就是英飛淩爲因應市場波動所提前制定的策略，一方面(miàn)提高委外代工份額，加強合作關系鞏固主要營收市場；另一方面(miàn)憑借12英寸功率半導體廠轉型成(chéng)功的優勢，因應市場供需與價格波動。

擴大委外代工比重，鞏固主要營收市場

回顧2018年英飛淩營收區域分布，大中華區營收占34%(包含大陸地區與台灣地區)，成(chéng)爲英飛淩最主要單一營收收入區域。面(miàn)對(duì)同樣在中國(guó)12英寸功率半導體廠可能(néng)帶來的MOSFET價格波動，或許讓英飛淩的擴大委外代工策略，在合作夥伴分配的代工比例上有調整。

英飛淩與相當多的大陸地區晶圓代工廠合作，預計未來5年在功率半導體委外代工規模擴大至15%，并可能(néng)會將(jiāng)多數訂單給既有的大陸地區合作廠商，例如上海華虹宏力、上華、上海先進(jìn)、JSMC等，就近供應大陸地區内需市場以提升産品競争力，以應對(duì)MOSFET市場的價格波動。對(duì)于台灣地區廠商，由于英飛淩分配給世界先進(jìn)的代工份額與上海華虹宏力接近，漢磊的代工份額屬小量，雖然技術層面(miàn)較爲成(chéng)熟，但在産品生産成(chéng)本競争下，受惠程度將(jiāng)有些許影響。

附帶一提，CMOS的委外代工量預計從50%提升至70%，借重台廠優良技術期望繼續推升英飛淩在MCU市場居于落後(hòu)地位，大陸地區晶圓代工廠如中芯國(guó)際、華潤上華、方正微電子也同樣可望受惠，以因應未來中國(guó)廣大的汽車内需市場。

12英寸功率半導體持續布局，可望拉大與競争對(duì)手的距離

12英寸功率半導體廠或將(jiāng)成(chéng)爲未來趨勢，再加上既有的8英寸廠産能(néng)，可提供市場足夠需求。但反過(guò)來說，2018年因8英寸廠MOSFET産能(néng)吃緊造成(chéng)的價格上揚恐不易重現，可能(néng)緻使IDM廠總營收下降。

另外，對(duì)比産品制程生産線，雖有制造成(chéng)本上的優勢，但12英寸廠在制程與原料控管上也較8英寸廠困難，尤其是對(duì)産品良率與容錯率的要求更加嚴格，一旦有晶圓報廢，其影響數量也會是過(guò)去8寸的兩(liǎng)倍以上。

英飛淩在功率半導體市場份額居于首位，其首座專門生産功率半導體的12英寸廠，提升英飛淩在成(chéng)本控管上的彈性。從英飛淩公布的12英寸廠規劃來看，將(jiāng)持續加重在功率半導體的生産比例，減少高成(chéng)本國(guó)家的生産支出，也顯示英飛淩在12英寸功率半導體發(fā)展确實有其獨到之處，克服制程生産線轉型困難，持續布局12英寸功率半導體廠房，相信英飛淩能(néng)更穩固其在功率半導體領先地位，拉大與競争對(duì)手的距離，拿下更多市場份額。

嘉興日報消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導體智能(néng)制造項目舉行啓動典禮。

據介紹，該項目由西安博瑞集信電子科技有限公司聯合上市公司華訊方舟股份有限公司、深圳方德信基金有限公司共同設立，其中西安博瑞集信電子科技有限公司是國(guó)内領先的自主可控核心芯片和特種(zhǒng)通信設備提供商，目前已成(chéng)功研制出航空航天專用芯片、模塊、系統整機、無源元件四個系列40餘種(zhǒng)産品。

根據規劃，該項目將(jiāng)在浙江嘉興市秀洲區國(guó)家高新區投資建設規模化的氮化镓和砷化镓射頻芯片與功率器件生産基地。項目用地112畝，計劃總投資25億元，預計達産後(hòu)月産能(néng)4000片氮化镓和砷化镓射頻晶圓、20000片功率晶圓，合計年産能(néng)20萬片以上（6寸線兼4寸）的規模。項目將(jiāng)于4月開(kāi)工建設。

典禮現場，博方嘉芯與秀洲國(guó)家高新區、秀湖集團三方進(jìn)行“雙保共建”協議簽約。通過(guò)設立項目“雙保共建”工作機制，“保質量、保廉潔”推進(jìn)項目建設，共同建設新時代國(guó)家戰略新興産業示範項目。

媒體報道(dào)稱，3月26日，家電企業美的集團與三安光電全資子公司廈門市三安集成(chéng)電路有限公司（以下簡稱“三安集成(chéng)”）在廈門舉行了“第三代半導體聯合實驗室”揭牌儀式。

據介紹，美的集團與三安集成(chéng)雙方將(jiāng)展開(kāi)戰略合作，共同推動第三代半導體功率器件的創新發(fā)展，以加快國(guó)産芯片導入白色家電行業。具體而言，未來雙方合作方向(xiàng)將(jiāng)聚焦在GaN（氮化镓）、SiC（碳化矽）半導體功率器件芯片與IPM（智能(néng)功率模塊）的應用電路相關研發(fā)，并逐步導入白色家電領域。

官方資料顯示，三安集成(chéng)成(chéng)立于2014年，項目總投資額30億元，是涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域的化合物半導體制造平台，具備襯底材料、外延生長(cháng)、以及芯片制造的産業整合能(néng)力，擁有大規模、先進(jìn)制程能(néng)力的MOCVD 外延生長(cháng)制造線。

第三代半導體在白電市場潛力巨大，美的集團作爲國(guó)内前列的家電企業，據稱一直在積極尋找第三代半導體在白家電領域替代方案的國(guó)内供應商，以及導入第三代半導體的新型應用場景。媒體報道(dào)顯示，2017年9月，美的家用空調研發(fā)中心與華南理工大學(xué)、镓能(néng)半導體（佛山）有限公司、廈門芯光潤澤科技有限公司四方共建第三代半導體器件研發(fā)應用聯合實驗室。

随着這(zhè)次美的集團與三安集成(chéng)戰略合作，將(jiāng)于有望進(jìn)一步加速第三代半導體在家電終端市場的應用進(jìn)程。

3月13日，台基股份發(fā)布公告稱，爲了進(jìn)一步強化公司核心技術、産品和市場競争力，引入關注半導體行業發(fā)展的戰略投資者，提升公司盈利能(néng)力和核心競争力，公司正在籌劃非公開(kāi)發(fā)行股票事(shì)項。

根據公告，這(zhè)次台基股份募集資金拟用于新型高功率半導體器件産業升級項目：（1）月産4 萬隻IGBT模塊（兼容MOSFET等）封測線，兼容月産1.5萬隻SiC等寬禁帶半導體功率器件封測；（2）月産6500隻高功率半導體脈沖功率開(kāi)關生産線；（3）晶圓線改擴建項目；（4）新型高功率半導體研發(fā)中心、營銷中心。募集資金投向(xiàng)最終以經(jīng)公司董事(shì)會、股東大會批準與中國(guó)證監會核準的方案爲準。

本次非公開(kāi)發(fā)行的股票數量拟按照募集資金總額除以發(fā)行價格确定，發(fā)行股份數量不超過(guò)本次發(fā)行前公司總股本的20%。根據測算，本次非公開(kāi)發(fā)行不會導緻公司控制權發(fā)生變化。

台基股份表示，本次籌劃非公開(kāi)發(fā)行股票并投資半導體産業項目，有利于公司擴充資金實力， 引入新的戰略投資者，將(jiāng)進(jìn)一步增強公司競争實力，有利于公司長(cháng)遠發(fā)展。不過(guò)，公告亦提示稱，目前本次非公開(kāi)發(fā)行股票方案及募集資金使用項目尚在論證過(guò)程中，能(néng)否達成(chéng)尚存在不确定性。

官方資料顯示，台基股份專注于大功率晶閘管及模塊的研發(fā)、制造、銷售及相關服務，目前已形成(chéng)年産280萬隻大功率晶閘管及模塊的生産能(néng)力，是國(guó)内大功率半導體器件領域爲數不多的掌握前道(dào)（擴散）技術、中道(dào)（芯片制成(chéng)）技術、後(hòu)道(dào)（封裝測試）技術，并掌握大功率半導體器件設計、制造核心技術并形成(chéng)規模化生産的企業。

2018年，富士康高調宣布進(jìn)軍半導體領域，在業界不斷傳來各種(zhǒng)議論聲中，富士康除了表決心外鮮少作其他回應，但其半導體産業布局正在一步步展開(kāi)。

將(jiāng)建設功率芯片工廠

日前，濟南市政府正式發(fā)布該市2019年市級重點項目安排。2019年濟南市共安排270個重點建設項目，總投資11602.7億元，年計劃投資3000.3億元；同時安排重點預備項目100個，總投資3568.8億元。

在這(zhè)些重點項目及預備項目中，我們可發(fā)現不少半導體相關項目，包括“天嶽高品質4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與産業化項目”、“天嶽碳化矽功率半導體芯片及電動汽車模組研發(fā)與産業化項目”、“長(cháng)江雲控雲芯邏輯集成(chéng)電路制造項目”、“濟南寬禁帶産業園起(qǐ)步區建設項目”等。

值得注意的是，濟南市2019年重點項目中還(hái)出現了“富士康功率芯片工廠建設項目”。衆所周知，2018年富士康已高調宣布進(jìn)軍半導體産業，并開(kāi)始在多地撒網布局，濟南市便是其半導體産業的重點區域。

2018年9月，富士康與濟南市簽約共同籌建濟南富傑産業基金項目，該産業基金項目規模37.5億元，將(jiāng)以産業基金形式服務于濟南市集成(chéng)電路發(fā)展，主要投資于富士康集團現有半導體産業項目。根據雙方簽約内容，富士康先期將(jiāng)促成(chéng)1家高功率芯片公司和5家集成(chéng)電路設計公司落地濟南。

如今看來，“富士康功率芯片工廠建設項目”或屬于上述簽約内容中的項目之一，不過(guò)目前尚未知曉該項目的具體情況。若按照協議，接下來富士康還(hái)將(jiāng)在濟南市促成(chéng)5家集成(chéng)電路設計公司落地，在濟南市政府相關部門的新聞稿中亦有“富士康芯片設計及生産一攬子項目”一稱。

半導體版圖漸顯

除了濟南市外，富士康還(hái)在煙台、珠海、南京等地作了半導體産業布局。

2018年6月，山東省發(fā)布省新舊動能(néng)轉換重大項目名單，富士康電子信息産業園入榜。據悉，該産業園包括智能(néng)工廠、芯片研發(fā)、夏普8英寸晶圓、多元影像封裝等，總投資144億元。2019年1月，煙台市2019年政府工作報告中亦提到要“重點推進(jìn)富士康半導體等項目。”

2018年8月，富士康與珠海市政府簽署戰略合作協議，雙方將(jiāng)在半導體設計服務、半導體設備及芯片設計等方面(miàn)開(kāi)展合作。簽約後(hòu)，業界多次傳出富士康將(jiāng)在珠海建設一座晶圓制造工廠，投資規模將(jiāng)達600億元。

2018年11月，富士康旗下京鼎精密的南京半導體産業基地暨半導體設備制造項目正式簽約。該項目總投資額20億元，一期項目計劃于2019年3月開(kāi)始動工，預計于2019年年底前竣工投産。

從地理版圖上看，富士康的半導體布局已覆蓋南、中、北地區；從産業版圖上看，富士康通過(guò)投資等方式已涉足IC設計、制造、封測、設備等環節。目前，富士康在晶圓制造方面(miàn)有夏普，IC封測方面(miàn)有訊芯科技，IC設計與服務方面(miàn)有虹晶科技、天钰科技，設備方面(miàn)有京鼎精密、帆宣等。

據悉，富士康母公司鴻海已設立“半導體子集團”——S次集團，主要是由鴻海、夏普及群創的集團半導體八勇士構組，由總經(jīng)理劉揚偉負責。此外，富士康旗下夏普已宣布將(jiāng)分拆其電子設備事(shì)業部（包含半導體業務）和激光事(shì)業部以子公司的形式獨立運營，業界認爲此舉將(jiāng)配合富士康的半導體業務布局。

如今，富士康進(jìn)軍半導體産業的意圖已非常明顯、決心也十分堅定，随着不斷挺進(jìn)的步伐，其半導體産業版圖開(kāi)始逐漸清晰，未來或將(jiāng)進(jìn)一步擴大。

前不久，台基股份旗下台基海德基金與天津銳芯簽署IGBT模塊項目合作協議，日前該合作事(shì)項有了新進(jìn)展：台基海德基金攜手天津銳芯拿下了浦巒半導體100%股權。

12月24日，台基股份發(fā)布《關于參與設立的産業基金對(duì)外投資暨關聯交易的進(jìn)展公告》。公告稱，公司參與投資設立的台基海德基金已于2018年7月完成(chéng)工商注冊登記手續。資料顯示，台基股份爲台基海德基金的大股東，持股比例99%，另一股東亦爲台基股份關聯方。

9月19日，台基海德基金與天津銳芯企業管理合夥企業（有限合夥）（以下簡稱“天津銳芯”） 簽署了《關于IGBT模塊項目合作協議》，拟合作設立IGBT項目公司。合資公司注冊資本注冊資本3000萬元，其中台基海德基金出資1200萬元，股權占比40%。

公告表示，自合作協議簽訂後(hòu)，台基海德基金和天津銳芯開(kāi)始了合資公司的籌備工作。根據合作協議，合資公司的設立可采取台基海德基金及天津銳芯雙方新設公司，或雙方受讓存續公司老股的形式。

近日，台基海德基金與浦巒半導體（上海）有限公司（以下簡稱“浦巒半導體”）原股東周會敏、天津銳芯與浦巒半導體原股東張俊鋒分别簽署了《股權轉讓協議》。

其中，周會敏將(jiāng)所持有的浦巒半導體40%股權，共計800萬元人民币認繳出資額轉讓給台基海德基金，張俊鋒將(jiāng)所持有的浦巒半導體60%股權，共計1200萬元人民币出資額轉讓給天津銳芯。由于浦巒半導體原股東尚未實繳出資，因此本次兩(liǎng)筆股權轉讓均按0元對(duì)價進(jìn)行轉讓。

上述股權轉讓的工商變更手續已完成(chéng)，浦巒半導體成(chéng)爲台基海德基金與天津銳芯的合資公司，將(jiāng)建設IGBT項目。工商登記變更完成(chéng)後(hòu)，台基海德基金持有浦巒半導體40%股權，天津銳芯持有浦巒半導體60%股權。

台基股份稱，IGBT是公司除晶閘管以外的重點産品之一，發(fā)展壯大IGBT業務符合公司的長(cháng)期戰略。IGBT作爲工業控制、新能(néng)源汽車、軌道(dào)交通等領域的重要零部件，市場空間廣闊，國(guó)産替代空間大。随着新能(néng)源汽車等下遊領域的爆發(fā)，IGBT市場將(jiāng)迎來巨大的發(fā)展機遇。因此，大力發(fā)展IGBT 業務，既符合我國(guó)産業發(fā)展戰略，也將(jiāng)給公司帶來較大的經(jīng)濟效益。

此外，台基股份還(hái)表示，浦巒半導體團隊在IGBT生産和工藝領域經(jīng)驗豐富、産業鏈資源完善、原有産品已得到市場和客戶驗證。本次浦巒半導體的投資及啓動運營，將(jiāng)成(chéng)爲公司原有 IGBT業務的有力補充，有利于延伸與完善公司産品布局，對(duì)提高公司的競争力有積極作用。

日前，新三闆企業無錫新潔能(néng)股份有限公司（以下簡稱“新潔能(néng)”）發(fā)布首次公開(kāi)發(fā)行股票招股說明書，拟在上交所上市。

根據招股書，新潔能(néng)本次拟公開(kāi)發(fā)行股票不超過(guò)2530萬股，不低于發(fā)行後(hòu)總股本的25%，拟募資10.21億元用于超低能(néng)耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及産業化等項目。

資料顯示，新潔能(néng)爲國(guó)内半導體功率器件設計企業之一，采用Fabless模式并向(xiàng)封裝測試環節延伸産業鏈，主營業務爲MOSFET、IGBT等半導體功率器件的研發(fā)設計及銷售，産品包括芯片及封測成(chéng)品，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子以及新能(néng)源汽車/充電樁、智能(néng)裝備制造、物聯網、光伏新能(néng)源等領域。

在中國(guó)半導體行業協會發(fā)布的2016年及2017年中國(guó)半導體功率器件企業排行榜中，新潔能(néng)均名列“中國(guó)半導體功率器件十強企業”。

具體而言，新潔能(néng)主要産品包括溝槽型功率 MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半導體功率器件，已擁有覆蓋12V~1350V電壓範圍、0.3A~300A電流範圍的多系列細分型号産品，截至目前已擁有近1000種(zhǒng)細分型号産品，并形成(chéng)了具有自主知識産權的核心技術體系。

此外，其600V和1200V的溝槽型場截止IGBT（Trench FS IGBT）、500V-900V的第三代超結功率MOSFET（Super Junction MOSFET）、30V-300V 的屏蔽栅功率MOSFET（SGT MOSFET）、12V-250V 的溝槽型功率MOSFET（Trench MOSFET）均已實現量産及系列化。

新潔能(néng)于2016年9月正式于新三闆挂牌上市，持有5%以上股份的股東爲朱袁正、達晨創投、上海貝嶺、國(guó)聯創投、金浦新投，其中朱袁正爲公司控股股東及實際控制人。目前新潔能(néng)擁有新潔能(néng)香港、電芯聯智控、電基集成(chéng)3家全資子公司以及新潔能(néng)深圳分公司1家分公司，無參股子公司。

業績方面(miàn)，2015年至2018年1-6月，新潔能(néng)分别實現營業收入3.06億元、4.22億元、5.04億元、3.61億元，淨利潤分别爲1507.89萬元、3619.75萬元、5228.00萬元、8193.63 萬元，主營業務收入占比爲99%以上。

據招股書所稱，新潔能(néng)是國(guó)内8英寸工藝平台芯片投片量最大的半導體功率器件設計公司之
一。其芯片代工供應商包括華虹宏力、華潤上華、中芯集成(chéng)和台灣茂矽以及其他境内外領先企業，封裝測試供應商包括長(cháng)電科技、安靠、通富微電、上海捷敏等企業。

這(zhè)次新潔能(néng)拟登陸上交所，申請公開(kāi)發(fā)行人民币普通股A股，發(fā)行數量爲不超過(guò)2530.00萬股，募集資金總額將(jiāng)根據市場情況和向(xiàng)詢價對(duì)象的詢價情況确定。募集資金將(jiāng)用于“超低能(néng)耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及産業化項目”、“半導體功率器件封裝測試生産線建設項目”、“碳化矽寬禁帶半導體功率器件研發(fā)及産業化項目”、“研發(fā)中心建設項目”和“補充流動資金項目”共計五個募投項目。

上述五個募投項目合計投資總額約10.21億元，募集資金使用金額約10.21億元。新潔能(néng)董事(shì)會稱，截至2018年6月30日公司資産總額5.43億元，具有管理大規模資産及投資項目的經(jīng)驗和能(néng)力，本次募集資金投資項目建成(chéng)後(hòu)，公司將(jiāng)進(jìn)一步豐富産品結構并提升技術開(kāi)發(fā)、工藝改進(jìn)能(néng)力，提高公司競争力。

新潔能(néng)表示，未來將(jiāng)進(jìn)一步依托技術、品牌、渠道(dào)等綜合優勢，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT 的研發(fā)與産業化，持續布局半導體功率器件最先進(jìn)的技術領域，并投入對(duì)SiC 寬禁帶半導體的研發(fā)及産業化，提升公司核心産品競争力和國(guó)内外市場地位。