贛州經(jīng)開(kāi)區官方微信平台消息顯示，6月6日，贛州經(jīng)開(kāi)區與名芯有限公司（香港）、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院（以下簡稱“電研院”）簽訂三方合作框架協議，名芯半導體項目落戶贛州經(jīng)開(kāi)區。
據介紹，名芯半導體項目總投資200億元，將(jiāng)分兩(liǎng)期建設：一期投資60億元，建設一條8英寸功率晶圓生産線；二期投資120-140億元，規劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生産線或12英寸矽基晶圓制造生産線。兩(liǎng)期項目達産達标後(hòu)，預計實現年産值100億元以上。
該項目涉及的産品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領域全部類别中80%品種(zhǒng)。同時，項目規劃建設與晶圓關聯的封測工廠、IC設計公司、微電子研究院等三個項目。
資料顯示，電研院于2007年8月由東莞市人民政府、電子科技大學(xué)和廣東省科技廳聯合共建，是廣東省部産學(xué)研合作創新平台以及國(guó)家技術轉移示範機構、國(guó)家級科技企業孵化器。這(zhè)些年來，電研院以“技術+資本”爲模式，已累計孵化各類電子信息高科技企業100餘家。
名芯有限公司（香港）資産約20億元港币，銷售IGBT（絕緣栅雙極型晶體管）、CMOS（互補金屬氧化物半導體）、存儲芯片、MOSFET（金氧半場效晶體管）及半導體相關設備。目前已取得日本、美國(guó)等海外封測工藝專利授權500餘項。