東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布其OEM客戶端NVMe SSD的第四次叠代,作爲包含SSD控制器和NAND閃存的單個BGA芯片封裝提供。東芝BG4是對(duì)BG3的重大升級:東芝的新型96層3D TLC取代了他們的64層NAND,可實現更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代,爲更高的順序I/O性能(néng)打開(kāi)了大門。

BG4仍然是一款無DRAM的SSD,它依賴于NVMe主機内存緩沖區(HMB)功能(néng)來緩解無刷驅動器否則會遭受的性能(néng)損失。東芝增加了對(duì)HMB的使用,增加了SSD存儲在主機DRAM中的數據的奇偶校驗,即使主機系統不使用ECC内存,也能(néng)提供額外的數據保護層。

BG4的固件也經(jīng)過(guò)調整,擴展了可以緩存在主機内存緩沖區中的用戶數據映射信息範圍,從而提高了複制大文件等用例的性能(néng)。這(zhè)些變化意味着BG4會要求使用更大的主機内存來加速其操作,但所請求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重點是提高随機I / O性能(néng)并減少後(hòu)台閃存管理對(duì)交互性能(néng)的影響。來自東芝的初步性能(néng)數據表明,随機寫入性能(néng)幾乎翻了一番,随機讀取性能(néng)遠遠超過(guò)BG3的兩(liǎng)倍。

東芝BG4容量128 GB,256 GB,512 GB,1TB,外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230單面(miàn),接口NVMe PCIe 3.0 x4,順序讀取性能(néng)2250 MB/s,順序寫入性能(néng)1700 MB/s,4KB随機讀取380k IOPS,4KB随機寫入190k IOPS。

更改爲更寬的PCIe x4主機接口不需要BG4采用比其前輩更大的BGA封裝尺寸,切換到96L 3D TLC具有更高的每個芯片容量,允許一些驅動器采用更薄的設計(對(duì)并且允許BG系列首次引入1TB容量。東芝是第一家推出采用96L NAND的SSD廠商,看起(qǐ)來BG4將(jiāng)成(chéng)爲第二款開(kāi)始出貨的96L SSD。

兩(liǎng)年來首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超級周期告終

兩(liǎng)年來首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超級周期告終

三星電子兩(liǎng)年來首次季度盈利下滑某種(zhǒng)程度上正式宣告了爲期兩(liǎng)年的芯片超級周期的結束。

全球最大的芯片和智能(néng)型手機制造商三星電子周二稱,公司 2018 年最後(hòu)三個月的營業利潤爲 10.8 兆韓元 (合 96.5 億美元),年增率下降 28.7%,較第第三季 17.5 兆韓元的創紀錄高點下降 38.5%。第第四季銷售額估計爲 59 兆韓元,年增率下降 10.6%。這(zhè)是公司 2 年來首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超級周期結束而盈利受損的公司。此前,儲存芯片巨頭鎂光季度銷售及利潤皆大幅低于市場預期,公司稱整個儲存芯片行業産出(包括三星 SK 海力士)大大超出市場需求,其將(jiāng)采取果斷行動,減産穩價格。 而三星更是發(fā)出警告,稱持續兩(liǎng)年的行業景氣周期已經(jīng)到頭。

儲存芯片此前經(jīng)曆了 2 年的景氣行業。從 2016 年下半年開(kāi)始,全球儲存芯片進(jìn)入了新一輪的旺季,DRAM、NAND 價格從那時候起(qǐ)大幅上漲,一直持續到 2018 年。

這(zhè)其中,智能(néng)型手機儲存容量增大(内存軍備競賽)、AI 人工智能(néng)、無人車、機器學(xué)習、深度學(xué)習等新興技術對(duì)于儲存芯片的額外需求預期(AI 訓練對(duì)内存、閃存的需求量都(dōu)會大幅增加)是本輪上行周期背後(hòu)的重要推手。

從芯片周期角度而言,上次行業經(jīng)曆如此程度的暴跌還(hái)要追溯到 2015 年。但本輪下跌與 2015 年又有所不同。

在 2015 年,對(duì)于需求端疲弱的擔憂主導了上輪儲存芯片的大幅回調。2015 年是智能(néng)型手機高增長(cháng)期的分水嶺——自 2010 年開(kāi)啓的智能(néng)型手機高增長(cháng)期基本結束。而當年蘋果 iPhone 也處于周期的低點,銷量放緩加劇市場的恐慌情緒。

而本輪下跌則是需求不振疊加産量過(guò)剩。貿易沖突則加劇了市場的恐慌情緒。

在需求端方面(miàn),新的智能(néng)型手機硬件規格難以吸引換機需求(以蘋果爲代表)、消費級的 PC 市場由于 Intel CPU 的供貨不足出貨不振。而諸如 AI、無人車等新興技術則由于技術限制,大規模場景應用還(hái)需時日,市場期望需求放緩。

而在供應端方面(miàn),新技術的良品率提高及産能(néng)的擴充使得市場供大于求:64/72 層 3D NAND 的良品率和産能(néng)增長(cháng)使得供應大幅攀升,野村證券預測閃存芯片供應將(jiāng)增長(cháng) 40% 到 50%;DRAM 1X/1Y 制程的比重持續增加和良品率的穩定提升使得 DRAM 整體供應有望增長(cháng) 22%。

摩根士丹利研究認爲,從半導體周期曆史角度,市場通常經(jīng)曆 4-8 個季度下行周期,然後(hòu)再經(jīng)曆 4-9 個的上行周期。

鑒于 DRAM 合約價格已經(jīng)在 2017 年 9 月見頂,摩根士丹利認爲本輪下行周期已經(jīng)進(jìn)行了一半。整體下行趨勢在未來的 2-3 個季度裡(lǐ)還(hái)將(jiāng)繼續持續。這(zhè)將(jiāng)導緻相關公司的營收繼續下滑。

這(zhè)意味着至少要到 2019 年年中才能(néng)有望看到複甦的迹象。而随着未來經(jīng)濟增長(cháng)的放緩,去兩(liǎng)年推動該行業發(fā)展的超常增長(cháng)因素在下一個上升周期可能(néng)不會那麼(me)強勁。

威剛看好(hǎo)第2季起(qǐ)DRAM需求好(hǎo)轉

威剛看好(hǎo)第2季起(qǐ)DRAM需求好(hǎo)轉

存儲器模組大廠威剛公布去年全年營收中,DRAM産品營收較前一年成(chéng)長(cháng)達11.67%,也是近8年新高,雖然去年下半年以來,市場研究機構多對(duì)今年存儲器市場持保守看法;不過(guò),威剛預期,今年第2季開(kāi)始DRAM需求將(jiāng)好(hǎo)轉,昨日存儲器個股,包括威剛、南亞科、旺宏及華邦電也呈現齊漲表現。

威剛去年全年合并營收達314.48億元(新台币,下同),受惠去年DRAM産業供需健康,價格走勢相對(duì)穩定,全年DRAM産品營收較前一年成(chéng)長(cháng)11.67%、達194.27億元,爲近八年來新高。

威剛表示,去年DRAM産品對(duì)公司整體營收貢獻比重也較前一年成(chéng)長(cháng)近8個百分點達61.78%;非DRAM産品對(duì)整體營收貢獻比重爲38.22%。

受國(guó)際客戶與通路的聖誕假期與年底結帳影響,威剛去年12月合并營收20.84億元,較前一個月下滑10.53%。累計去年第4季合并營收爲68.09億元,單季DRAM産品營收貢獻比重54.75%,非DRAM産品營收貢獻比重45.25%。

展望2019年存儲器市況,威剛表示,第1季因CPU缺貨影響,DRAM需求轉淡,但随着缺貨情勢逐步緩解,自第2季開(kāi)始DRAM需求可望好(hǎo)轉。公司也持續看好(hǎo)NAND Flash價格修正後(hòu),可刺激終端産品搭載容量成(chéng)長(cháng)及提升SSD市場滲透率。

南亞科12月營收雙降,2018年全年營收年成(chéng)長(cháng)54.27%

南亞科12月營收雙降,2018年全年營收年成(chéng)長(cháng)54.27%

存儲器大廠南亞科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自結财報,根據财報顯示,南亞科 2018 年 12 月營收爲 48.29 億元(新台币,下同),較 11 月減少 10.62%,也較 2017 年同期減少 18.87%,創下 15 個月來的新低紀錄。而且,2018 年第 4 季營收連 3 個月下滑,累計營收爲 169.58 億元,較第 3 季的 243.75 億元大幅下滑超過(guò) 3 成(chéng),與 2017 年第 4 季的 167.83 億元約略持平。

事(shì)實上,南亞科在上一季法人說明會時,總經(jīng)理李培瑛就表示,整體來說,在中美貿易摩擦等不确定因素增加的情況下,對(duì)于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相對(duì)較上半年保守。而且,在影響因素未确定的情況下,對(duì) DRAM 的長(cháng)期走勢還(hái)需要做密切的觀察,這(zhè)使得 2018 年第 4 季營收較之前有衰退,不過(guò),南亞科仍舊在 2018 年前 3 季營收表現突出的情況下,使得累計 2018 年的全年營收,仍較 2017 年亮眼,總營收金額爲 847.22 億元,較 2017 年度增加 54.27%。

根據李培瑛之前的說法,就目前情況來看,中美貿易摩擦的影響仍是市場最大的變量。這(zhè)樣的情況會造成(chéng)需求端的趨向(xiàng)保守,供給端的投片量減少。所以,日前國(guó)際大廠宣布降低 2019 年的相關資本支出,主要也可能(néng)是受到這(zhè)樣情況的影響。

而南亞科本身也爲了因應這(zhè)樣的情況,2018 年也已經(jīng)下調相關的資本支出,從新台币 240 億元下調到 210 億元。也因爲減少的資本支出是在于機器設備的增加上,這(zhè)將(jiāng)使得原本預計 2019 年 20 奈米 4.7 萬片的月産能(néng),也將(jiāng)會有些許調降的情況。

不過(guò),雖然在 DRAM 供應面(miàn)有下調資本支出、減少投片量的情況,而且需求面(miàn)也有較爲保守的趨勢産生,但是就整體市場的情況來分析,卻不會太過(guò)悲觀。

李培瑛預估,2019 年整體的價格不會有過(guò)去呈現 2 位數百分比的暴跌情況産生,而是呈現逐季緩步走跌的情況,時間大約在 1 到 2 季之間。李培瑛還(hái)進(jìn)一步分析 DRAM 價格不會暴跌的主因,是來自于目前市場上包括手機、服務器、消費性電子産品都(dōu)還(hái)供需健康的狀況,僅在個人計算機方面(miàn),受到貿易摩擦及處理器缺貨的因素所影響,會有短期市場跌價的壓力。

DRAM廠放緩擴産 集邦估資本支出減1成(chéng)

DRAM廠放緩擴産 集邦估資本支出減1成(chéng)

動态随機存取存儲器(DRAM)廠紛紛放緩擴産腳步,據市調機構集邦科技預估,2019年DRAM産業資本支出金額約180億美元,將(jiāng)減少1成(chéng)左右。

集邦科技表示,韓國(guó)兩(liǎng)大DRAM廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)較早宣布放緩2019年投資計劃,三星2019年DRAM投資金額約80億美元,主要用在轉換1y納米制程及新産品開(kāi)發(fā)。

随着平澤廠擴産計劃終止,集邦科技預估,三星2019年位元成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)約20%,將(jiāng)創下曆年新低紀錄。

SK海力士2019年DRAM投資金額也將(jiāng)降至55億美元左右,將(jiāng)用以推進(jìn)制程技術及提升良率,集邦科技預期,SK海力士因中國(guó)無錫新廠落成(chéng),2019年位元成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)約21%。

美光(Micron)2019年資本支出將(jiāng)降至30億美元左右,位元成(chéng)長(cháng)率也將(jiāng)降至15%。

集邦科技指出,2018年第4季DRAM合約價下跌約10%,預期受淡季效應影響,2019年第1季價格將(jiāng)再跌15%,第2季價格跌幅可能(néng)收斂至10%以内。

三星Q4利潤下滑 全年利潤達3844億元

三星Q4利潤下滑 全年利潤達3844億元

持續上漲兩(liǎng)年多的DRAM内存價格在今年Q4季度終于由漲轉跌了,三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供應商都(dōu)在想方設法應對(duì)即將(jiāng)到來的降價周期,這(zhè)三家公司已經(jīng)确定會削減明年的資本支出,不再大幅增加内存産能(néng)以減緩内存降價趨勢。

三星Q4季度的内存降價,再加上今年一直在跌價的NAND閃存,預計三星本季度盈利會下滑7.6%,但是全年積累之下,三星今年的利潤依然會達到62.6萬億韓元,創造曆史最好(hǎo)記錄。

三星即將(jiāng)在明年1月份發(fā)布2018年Q4季度财報,在此之前市場已經(jīng)在打預防針了,因爲本季度中内存芯片也開(kāi)始跌價了,勢必會影響三星的賺錢能(néng)力。來自韓國(guó)分析師的分析認爲三星今年Q4季度的營收爲63.8萬億韓元,同比下滑3.2%,而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌價,其他風險還(hái)有中美貿易戰等等,不過(guò)這(zhè)些因素都(dōu)沒(méi)有存儲芯片跌價影響大。

與營收微幅下滑不同,三星Q4季度的運營利潤下滑更多,預期本季運營利潤隻有13.9萬億韓元,約合123億美元,與去年同期的15.1萬億韓元相比會下滑7.6%。

盡管Q4季度會因爲存儲芯片跌價而導緻利潤下滑,但是放眼全年的話,由于前三季度DRAM内存芯片價格一直維持強勢,三星此前在DRAM芯片上維持了70%以上的毛利率,所以折抵下來全年盈利依然會創新高,預計今年運營利潤高達62.6萬億韓元,約合557.3億美元或者3844億人民币,而去年全年的運營利潤也不過(guò)53.6萬億韓元,約合3291億人民币,相比之下,今年的盈利依然會大漲16.8%。

内存、閃存降價太狠,美光削減12.5億美元支出以減少供應

内存、閃存降價太狠,美光削減12.5億美元支出以減少供應

美光公司昨天發(fā)布了2019财年Q1季度财報,當季營收79.1億美元,同比增長(cháng)16%,毛利率達到了58%,淨利潤32.9億美元,同比增長(cháng)23%。雖然整體業績還(hái)是在增長(cháng)的,但是相比上個季度已經(jīng)放緩了,主要原因就是NAND閃存大幅降價,DRAM内存芯片也由漲轉跌,影響了公司的毛利率。2019年内存、閃存芯片的價格還(hái)會繼續降低,大趨勢不可避免,爲此美光計劃削減12.5億美元的資本支出,減少内存及閃存芯片的産量。

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在财報電話會議上表示,爲了适應當前市場的狀況,美光將(jiāng)減少DRAM内存及NAND閃存芯片的産量。根據美光的數據,2019年他們預測DRAM内存産量增加15%,低于此前預測的20%增長(cháng),而NAND閃存預計增長(cháng)35%,也低于之前預計的35-40%增長(cháng)率。

美光明年的資本支出大概是95億美元,削減了12.5億美元,主要減少的是汽車、智能(néng)手機以及數據中心等市場上的存儲芯片産能(néng),在這(zhè)些領域美光認爲需求量低于預期。

對(duì)于明年存儲市場的情況,普遍的預期是2019年上半年會繼續跌,花旗集團分析師Peter Lee預計明年的内存及閃存芯片都(dōu)會大降價,其中NAND價格會跌45%,DRAM價格會下跌30%,而且明年Q2季度之前是看不到價格底線的,也就是說明年的存儲芯片降價至少會持續到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也認爲智能(néng)手機市場的需求疲軟是暫時的,預計2019年下半年市場需求就會升溫。

在美光之前,三星、SK Hynix等公司也計劃削減明年的資本支出以減少NAND閃存、DRAM内存産能(néng),三星還(hái)計劃增加在晶圓代工市場上的份額以彌補存儲芯片降價導緻的損失。

異構戰略日漸盛行

異構戰略日漸盛行

随着傳統市場走向(xiàng)下坡路和摩爾定律的逐漸失效,半導體行業正在不斷革新,力求了解人工智能(néng)、自動駕駛汽車、物聯網等新市場的需求。

而其中最奇特的也許當屬人工智能(néng),因爲它的計算範式與傳統的“處理器-内存”方法有着明顯差異。在近期于舊金山舉辦的國(guó)際電子器件大會上,法國(guó)研究員Damien Querlioz在談及“神經(jīng)形态計算的新型器件技術”時說道(dào),“長(cháng)期以來,模式識别和認知任務都(dōu)是計算機的弱點,比如識别和解讀圖像、理解口語、自動翻譯等。”

大約從2012年起(qǐ),訓練和推理階段的人工智能(néng)技術開(kāi)始加速發(fā)展,但當使用傳統計算架構時,功耗仍是一個巨大挑戰。

Querlioz是法國(guó)國(guó)家實驗室CNRS的一名研究員,他舉了一個活生生的例子:2016年Google的AlphaGo與圍棋世界冠軍李世石之間的著名圍棋大戰。李世石的大腦在比賽中消耗了大約20瓦,而AlphaGo估計需要超過(guò)250,000瓦才能(néng)使其CPU和GPU保持運轉。

雖然從那以後(hòu)Google和其他公司均在功耗方面(miàn)做出了改進(jìn),但越來越多的工作開(kāi)始側重于爲神經(jīng)形态計算技術設計耗電更少的新器件。

Ted Letavic是格芯的高級戰略營銷人員,他表示,回想人工智能(néng)的各個階段,從改進(jìn)傳統計算技術,到設計耗電更少的全新器件和架構,在整個過(guò)程中,先進(jìn)高效的封裝將(jiāng)發(fā)揮關鍵作用。

Letavic稱,“人工智能(néng)時代正在逐步到來,我們可以利用現有的技術,再加上衍生技術,通過(guò)DTCO(設計技術協同優化)進(jìn)行全面(miàn)優化,一直深入到位單元設計層面(miàn)。”

格芯的技術人員正在努力降低14/12 nm FinFET平台的功耗并提升其性能(néng),所采用的辦法包括雙功函數SRAM、更快且功耗更低的累加運算(MAC)元件、對(duì)SRAM的更高帶寬訪問等。基于FD-SOI的FDX處理器的功耗也將(jiāng)降低,尤其是在部署背栅偏置技術時。Letavic表示,設計師掌握了這(zhè)些技術後(hòu),客戶便可以“重新設計功耗包絡更低的人工智能(néng)固有元件,甚至達到7 nm。”

除了這(zhè)些DTCO改進(jìn)以外,全球各地也在開(kāi)展其他研發(fā)工作,希望實現基于相變存儲器(PCM)、阻性RAM (ReRAM)、自選扭矩轉換磁性RAM (STT-MRAM)和FeFET的嵌入式内存與内存中計算解決方案。

Querlioz在IEDM專題會議上提到,在IBM Almaden研究中心,由Jeff Welser領導開(kāi)發(fā)的基于PCM的芯片已取得顯著進(jìn)展,而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能(néng)處理器也前景光明。Querlioz表示,“現在,我們極有可能(néng)成(chéng)功爲認知類型的任務和模式識别重新發(fā)明電子器件。”

Letavic稱,降低功耗的道(dào)路還(hái)很長(cháng),對(duì)于推理處理而言尤其如此,而這(zhè)正促使衆多初創公司開(kāi)發(fā)新的人工智能(néng)解決方案,格芯也與其中部分公司及長(cháng)期合作夥伴AMD和IBM保持着密切合作關系。

Letavic認爲,憑借對(duì)馮諾依曼計算模式的DTCO改進(jìn),我們隻能(néng)發(fā)展到這(zhè)一步。除了分類邏輯和内存,下一步是發(fā)展内存中計算和基于模拟的計算。此外,爲計算行業服務了35年的指令集架構(ISA)將(jiāng)需要被新的軟件堆棧和算法取代。他說道(dào):“對(duì)于特定領域的計算,必須重新發(fā)明軟件。IBM對(duì)軟件堆棧有着深刻的見解。”

“各方都(dōu)必須一同轉向(xiàng)人工智能(néng)。格芯將(jiāng)與主要客戶緊密合作,我們不能(néng)將(jiāng)算法與技術分開(kāi),”Letavic在談及該系統技術協同優化(STCO)方面(miàn)的緊密合作時說道(dào),“随着我們邁入計算發(fā)展的第四個時代,STCO將(jiāng)是DTCO的自然延伸。我們將(jiāng)朝着特定領域的計算發(fā)展,共同迎接這(zhè)一轉變。”

紫光國(guó)微:DDR4存儲芯片開(kāi)發(fā)工作基本完成(chéng) 産能(néng)難保證

紫光國(guó)微:DDR4存儲芯片開(kāi)發(fā)工作基本完成(chéng) 産能(néng)難保證

此前,紫光國(guó)微曾表示,公司已具備世界主流水平的DRAM内存設計能(néng)力,預計今年底可以將(jiāng)DDR4内存顆粒推向(xiàng)市場。

如今,2018年即將(jiāng)過(guò)去,業内人士對(duì)于紫光國(guó)微DDR4存儲器芯片的開(kāi)發(fā)進(jìn)展也格外關注。近日,紫光國(guó)微在互動平台上也做出了明确地回答。

紫光國(guó)微表示,公司DDR4存儲器芯片的開(kāi)發(fā)工作已經(jīng)基本完成(chéng),正在進(jìn)行後(hòu)續改進(jìn)、完善及市場推廣工作。下遊制造代工的情況目前沒(méi)有明顯改善,産能(néng)仍然很難保證。國(guó)資管理部門的評估備案工作還(hái)在積極推進(jìn)中,年内是否可以完成(chéng)不确定。

資料顯示,紫光國(guó)微是紫光集團有限公司旗下的半導體行業上市公司,專注于集成(chéng)電路芯片設計領域,業務涵蓋智能(néng)安全芯片、高穩定存儲器芯片、自主可控FPGA、半導體功率器件及超穩晶體頻率器件等方面(miàn),已形成(chéng)領先的競争态勢和市場地位。

2018年第三季度,紫光國(guó)微實現營收6.58億元,同比增長(cháng)29.71%,歸屬于上市公司股東的淨利潤1.68億元,同比大幅增長(cháng)87.60%。

此外,鑒于公司集成(chéng)電路設計業務規模快速增長(cháng),經(jīng)營業績穩步提升,同時子公司增資、股權轉讓導緻合并報表範圍變更等事(shì)項,將(jiāng)增加公司投資收益等原因,紫光國(guó)微預計2018年度歸屬于上市公司股東的淨利潤也將(jiāng)得到大幅增長(cháng)。

具體而言,子公司增資方面(miàn),今年8月,紫光國(guó)微完成(chéng)了對(duì)公司間接控股子公司紫光同創的增資事(shì)項,將(jiāng)紫光同創注冊資本由1.5億元增加至3.0億元。

股權轉讓方面(miàn),10月25日,紫光國(guó)微實際控制人清華控股與深投控及紫光集團共同簽署了《合作框架協議》,拟向(xiàng)深投控轉讓紫光集團36%股權。

此外,紫光國(guó)微還(hái)計劃將(jiāng)公司全資子公司西安紫光國(guó)芯100%股權轉讓給間接控股股東紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司,轉讓價格經(jīng)交易雙方協商确定爲2.2億元人民币,該事(shì)項已獲得公司董事(shì)會審議通過(guò)。