集邦咨詢:日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長(cháng)期須關注原廠庫存水位

集邦咨詢:日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長(cháng)期須關注原廠庫存水位

集邦咨詢:日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長(cháng)期須關注原廠庫存水位

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事(shì)件後(hòu),日本政府近日宣布從7月4日起(qǐ),開(kāi)始管控向(xiàng)南韓出口3種(zhǒng)生産半導體、智能(néng)手機與面(miàn)闆所需的關鍵材料,造成(chéng)存儲器産業下遊模組廠出現提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長(cháng),短期結構性供需反轉的可能(néng)性低。

日韓貿易戰的爆發(fā)使得業界盛傳存儲器價格將(jiāng)反轉,集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已曆經(jīng)連續三個季度快速下滑,下遊模組廠的庫存水位普遍偏低,也因此當前确實有觀察到部分模組廠利用該原物料事(shì)件而開(kāi)出上揚的價格或表示將(jiāng)停止生産。然而,目前現貨市場占整體DRAM市場僅不到10%水平,中長(cháng)期産業的供需态勢仍需關注占比超過(guò)9成(chéng)的合約市場爲主。

從需求面(miàn)來看,不論零售端的PC、智能(néng)手機,或是企業用服務器與數據中心建置,目前整體終端需求仍呈現十分疲弱的态勢。然而,反觀供給端目前DRAM供應商的庫存水平仍普遍高于3個月,也導緻PC、服務器内存及行動式内存的合約價在第三季初仍舊持續走跌,暫時未看見反轉向(xiàng)上的迹象。集邦咨詢認爲,DRAM市況受此原物料事(shì)件而出現結構性供需反轉的可能(néng)性低。

NAND Flash市場行情則受到日本材料出口審查趨嚴,以及東芝停電事(shì)件的影響。由于Wafer市場報價已經(jīng)偏低,預計七月起(qǐ)各供應商報價將(jiāng)浮現漲勢。然而,由于供應商普遍備有2-3個月的庫存水位,多數模組廠不會第一時間接受漲價,後(hòu)續則需視市場及供應端庫存狀況決定交易價是否上漲。至于對(duì)OEM的各類SSD、eMMC/UFS産品報價方面(miàn),目前雖有部分供應商暫停出貨,但從供需狀況分析,并考量OEM端的庫存水位,集邦咨詢認爲,雖然NAND Flash價格短期將(jiāng)出現上揚,但長(cháng)期仍有跌價壓力。

東芝開(kāi)發(fā)新技術,大幅提升計算機運算能(néng)力

東芝開(kāi)發(fā)新技術,大幅提升計算機運算能(néng)力

東芝公司宣布,已開(kāi)發(fā)出可大幅提升傳統計算機運算能(néng)力的新技術,進(jìn)行「組合最适化問題」計算時,達成(chéng)全球最快速目标。

日本放送協會(NHK)報導,根據發(fā)表,東芝開(kāi)發(fā)出的新技術,藉由把多個運算并列同時進(jìn)行,達到大幅提升傳統計算機運算能(néng)力的目标。

在選擇最适當解答的「組合最适化問題」運算,以采用 NTT 開(kāi)發(fā)雷射的計算機 10 倍速度運算,達成(chéng)全球最快速目标。

這(zhè)類高速運算可望應用在諸如新藥開(kāi)發(fā)時分子設計或選擇最有效率配送路線等各種(zhǒng)領域,由于傳統計算機需要耗費龐大時間運算,因而有必要仰賴目前尚在開(kāi)發(fā)中的「量子計算機」。針對(duì)這(zhè)項新技術,東芝目标在今年内實用化。

東芝研究開(kāi)發(fā)中心主任研究員後(hòu)藤隼人表示:「能(néng)照原樣活用傳統數位計算機(傳統計算機)是最大成(chéng)果,希望有助提升社會及産業的效率。」

市況低迷!傳東芝存儲器放棄9月IPO計劃

市況低迷!傳東芝存儲器放棄9月IPO計劃

時事(shì)通信社 20 日報導,從東芝(Toshiba)獨立出去、已于 2018 年 6 月賣給以美國(guó)私募基金貝恩資本(Bain Capital)主導的「日美韓聯盟」的全球第二大 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)廠商「東芝存儲器」(TMC)的 IPO(首次公開(kāi)發(fā)行)計劃生變,將(jiāng)無法如原先預期在 2019 年 9 月進(jìn)行 IPO,主因爲日美韓聯盟之間的協商不順;另外,關于變更公司名稱一事(shì),目前是考慮不再使用「東芝」的名稱。

關系人士指出,TMC 原先表定會在 3 月内公布將(jiāng)在 2019 年 9 月 IPO 的計劃,不過(guò)因日美韓聯盟間,部分認爲應早期 IPO,籌措資金,以追趕海外競争對(duì)手,不過(guò)另一方面(miàn)也有認爲在存儲器市況低迷環境下,不宜在不利的條件下進(jìn)行 IPO。因此在上述意見紛歧情況下,TMC 已放棄 9 月 IPO 的計劃,相關計劃的發(fā)表時間也將(jiāng)順延至 4 月份以後(hòu)。

路透社 20 日報導,關系人士指出,TMC IPO 時間將(jiāng)從原先計劃的 2019 年 9 月延後(hòu)至 2019 年 11 月,且視市場環境而定、也有可能(néng)會進(jìn)一步延後(hòu)至 2020 年夏天。

對(duì)此,TMC 發(fā)言人向(xiàng)路透社指出,「尚未決定上市時間」。

籌措設備投資資金!傳TMC將(jiāng)于9月IPO

籌措設備投資資金!傳TMC將(jiāng)于9月IPO

路透社 20 日報導,據多位關系人士透露,從東芝(Toshiba)獨立、2018 年 6 月賣給美國(guó)私募基金貝恩資本(Bain Capital)爲主的「日美韓聯盟」的全球第二大 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)廠商「東芝存儲器」(TMC)已着手進(jìn)行準備,計劃今年 9 月 IPO,預估 TMC 上市後(hòu)市值將(jiāng)超過(guò) 2 兆日圓。

關系人士指出,「日美韓聯盟」收購 TMC 後(hòu),原先計劃 3 年後(hòu)才 IPO,之所以計劃大幅提前,目的除了讓「日美韓聯盟」早期回收收購 TMC 花費的部分資金,也是藉由 IPO 籌措設備投資資金。

報導指出,因上市時有必要調整股東結構,因此 TMC 也計劃買回蘋果(Apple)、Dell、金士頓(Kingston)和希捷(Seagate Technology)等 4 家美國(guó)企業持有的約 4,000 億日圓優先股并注銷,爲了取得買回上述優先股的資金,TMC 計劃將(jiāng)目前由三井住友銀行等主要往來銀行提供的 6,000 億日圓融資轉換成(chéng)最高 1 兆日圓規模聯貸。

另外,TMC 也將(jiāng)向(xiàng)政府系基金 INCJ 及日本政策投資銀行(DBJ)尋求出資,規模 2,000 億日圓,若 INCJ / DBJ 同意出資,TMC 向(xiàng)銀行調度的資金金額有可能(néng)減少。

東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布其OEM客戶端NVMe SSD的第四次叠代,作爲包含SSD控制器和NAND閃存的單個BGA芯片封裝提供。東芝BG4是對(duì)BG3的重大升級:東芝的新型96層3D TLC取代了他們的64層NAND,可實現更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代,爲更高的順序I/O性能(néng)打開(kāi)了大門。

BG4仍然是一款無DRAM的SSD,它依賴于NVMe主機内存緩沖區(HMB)功能(néng)來緩解無刷驅動器否則會遭受的性能(néng)損失。東芝增加了對(duì)HMB的使用,增加了SSD存儲在主機DRAM中的數據的奇偶校驗,即使主機系統不使用ECC内存,也能(néng)提供額外的數據保護層。

BG4的固件也經(jīng)過(guò)調整,擴展了可以緩存在主機内存緩沖區中的用戶數據映射信息範圍,從而提高了複制大文件等用例的性能(néng)。這(zhè)些變化意味着BG4會要求使用更大的主機内存來加速其操作,但所請求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重點是提高随機I / O性能(néng)并減少後(hòu)台閃存管理對(duì)交互性能(néng)的影響。來自東芝的初步性能(néng)數據表明,随機寫入性能(néng)幾乎翻了一番,随機讀取性能(néng)遠遠超過(guò)BG3的兩(liǎng)倍。

東芝BG4容量128 GB,256 GB,512 GB,1TB,外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230單面(miàn),接口NVMe PCIe 3.0 x4,順序讀取性能(néng)2250 MB/s,順序寫入性能(néng)1700 MB/s,4KB随機讀取380k IOPS,4KB随機寫入190k IOPS。

更改爲更寬的PCIe x4主機接口不需要BG4采用比其前輩更大的BGA封裝尺寸,切換到96L 3D TLC具有更高的每個芯片容量,允許一些驅動器采用更薄的設計(對(duì)并且允許BG系列首次引入1TB容量。東芝是第一家推出采用96L NAND的SSD廠商,看起(qǐ)來BG4將(jiāng)成(chéng)爲第二款開(kāi)始出貨的96L SSD。