佰維BIWIN助力西安電子科技大學(xué)産教融合,實現校企共赢

佰維BIWIN助力西安電子科技大學(xué)産教融合,實現校企共赢

近3年中國(guó)企業對(duì)芯片人才需求量不斷加大,根據今年上半年出版的“2019年芯片人才數據洞察”研究預測,到2020年,芯片人才缺口將(jiāng)超30萬。

佰維BIWIN專注于存儲領域25載,近日與西安電子科技大學(xué)共建人才聯合培養實踐基地,緻力于培養專業的存儲芯片技術人才,實現校方、企業、人才的多方共赢。

近日,佰維BIWIN與西安電子科技大學(xué)正式簽訂“人才聯合培養”合作協議。簽約儀式在佰維總部舉行,佰維創始人孫日欣、CEO何瀚、副總經(jīng)理劉曉斌,西電機電工程學(xué)院黨委書記梁玮、副院長(cháng)李團結、電子封裝系常務副主任周金柱、院長(cháng)助理王永坤共同出席簽約儀式。

會議期間,孫總對(duì)校方的到來表示歡迎,并向(xiàng)校方介紹了佰維積極務實的企業文化、發(fā)展規劃、人才培養戰略和發(fā)展願景,期待雙方開(kāi)展全方位深度合作,優勢互補、互利共赢。

會上,梁玮書記表示,高校科研與人才培養以企業需求和市場化應用爲導向(xiàng),而企業借助高校的科研實力能(néng)更好(hǎo)地解決技術創新難題,期待雙方加大交流力度,進(jìn)一步提高人才培養質量、推動科研成(chéng)果轉化,實現合作共赢。

雙方將(jiāng)發(fā)揮各自資源優勢,聯合培養存儲技術實用型人才,覆蓋存儲芯片封裝、軟硬件開(kāi)發(fā)、IC檢測等領域,通過(guò)將(jiāng)理論知識應用于技術實踐,幫助學(xué)生進(jìn)一步熟悉并掌握存儲芯片的生産工藝與技術應用,并就博士站點設立、科技成(chéng)果轉化、産學(xué)研平台共建、企業俱樂部成(chéng)立等方面(miàn)的合作進(jìn)行深入探讨。

佰維與西電此次共建校外實踐教育基地,將(jiāng)緻力于爲學(xué)生提供更多實習、實踐的工作機會和發(fā)展平台,爲中國(guó)存儲事(shì)業的蓬勃發(fā)展培養更多”強理論+強實踐”的優秀人才。

在技術人才培養、核心技術創新與科技成(chéng)果的産業化應用等方面(miàn),佰維與西電將(jiāng)優勢互補,成(chéng)爲彼此重要的合作夥伴,共同推動中國(guó)存儲産業的創新發(fā)展。

關于西電

西安電子科技大學(xué)是以信息與電子學(xué)科爲主,工、理、管、文多學(xué)科協調發(fā)展的全國(guó)重點大學(xué),同時也是國(guó)内最早建立信息論、信息系統工程、雷達、微波天線、電子機械、電子對(duì)抗等專業的高校之一,開(kāi)辟了我國(guó)IT學(xué)科的先河,形成(chéng)了鮮明的電子與信息學(xué)科特色與優勢。

學(xué)校設有通信工程學(xué)院、電子工程學(xué)院、機電工程學(xué)院、物理與光電工程學(xué)院等18個學(xué)院。機電工程學(xué)院是西安電子科技大學(xué)學(xué)科數最多、專業面(miàn)最廣的學(xué)院,建有“電子裝備結構設計”教育部重點實驗室、“電子裝備機電耦合基礎理論與關鍵技術”111基地、綜合性工程訓練國(guó)家級實驗教學(xué)示範中心和“複雜系統國(guó)際聯合研究中心”陝西省國(guó)際科技合作基地。機電工程學(xué)院下屬電子封裝系,爲全國(guó)唯一五星封裝專業,在全國(guó)封裝專業中排名第一。

關于佰維

佰維專注爲客戶提供優質的存儲産品,緻力于成(chéng)爲行業一流的存儲解決方案提供商。佰維專注存儲領域24載,造就了佰維穩健的上遊資源整合能(néng)力、業内領先的存儲算法及固件開(kāi)發(fā)能(néng)力、優異的硬件設計能(néng)力、強大的測試能(néng)力和以SiP爲核心的先進(jìn)封裝制造能(néng)力這(zhè)5大優勢。可爲客戶提供eMMC、eMCP、UFS、LPDDR、ePOP、SPI NAND、uMCP、BGA SSD以及2.5”、U.2、M.2、DOM、AIC PCIe、特種(zhǒng)SSD、移動SSD、内存模組等全系列存儲産品,并針對(duì)客戶多元化的存儲需求,提供具備高可靠性、高性能(néng)、小尺寸、斷電保護、加密支持、寫入保護、寬溫運行、安全删除等特點的産品。

佰維緻力于爲廣大整機廠商,品牌商,工控級和消費級市場提供優質的存儲産品和服務,爲客戶提供涵蓋遊戲娛樂、軌道(dào)交通、網絡安全、工業自動化、手機平闆、網通産品在内的全系列存儲應用解決方案。

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聯立徐州項目即將(jiāng)量産,預計芯片産能(néng)每月可達2.4萬片

聯立徐州項目即將(jiāng)量産,預計芯片産能(néng)每月可達2.4萬片

10月24日,聯立(徐州)半導體有限公司舉行了開(kāi)幕典禮,據悉,聯立(徐州)半導體一期項目已具備了全線量産的條件。

據金龍湖發(fā)布,目前具備生産條件的産線爲聯立(徐州)半導體一期項目,目标産能(néng)爲2.4萬片/每月;2020年將(jiāng)啓動項目二期擴建計劃,將(jiāng)增加12英寸的生産線,整體完成(chéng)後(hòu),聯立徐州的目标産能(néng)將(jiāng)達到10萬片/每月。

聯立(徐州)半導體有限公司周季美董事(shì)長(cháng)表示,中國(guó)已成(chéng)爲全世界最大,最重要的面(miàn)闆生産基地,顯示驅動芯片在國(guó)内的年需求量達180萬片以上。

在此背景下,聯立徐州基地的啓用,將(jiāng)在一定程度上緩解國(guó)内面(miàn)闆廠無“芯”可用的處境,并建立真正意義上的國(guó)内制造國(guó)内使用。

資料顯示,聯立(徐州)半導體有限公司注冊資本爲1000萬美元,是目前中國(guó)大陸地區能(néng)提供晶圓金凸塊制造、測試、切割、封裝等完整工藝的極少數廠商之一,項目工藝綜合了當今全球先進(jìn)的芯片封裝技術。

總投資20億元 江蘇句容台灣半導體産業園項目預計明年初投産

總投資20億元 江蘇句容台灣半導體産業園項目預計明年初投産

7月31日,台灣半導體産業園項目簽約落戶江蘇省句容經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區。最新消息是,句容市融媒體中心指出,目前整個項目正在裝修施工中,預計2020年年初投産。

據了解,台灣半導體産業園項目總投資20億元,項目整合了台灣辰炜電子股份有限公司、訊憶科技股份有限公司等多家公司,并成(chéng)立華祥耀(江蘇)電子科技股份有限公司,從事(shì)芯片設計、芯片封裝測試、智能(néng)終端、半導體材料等半導體相關産品的開(kāi)發(fā)、生産及銷售。

根據國(guó)家企業信息公示系統,華祥耀(江蘇)電子科技股份有限公司于2019年9月5日正式成(chéng)立,注冊資本爲1000萬美元,主要從事(shì)集成(chéng)電路設計、封裝、檢測、銷售;觸控産品設計、生産、銷售;液晶顯示産品的設計、生産、銷售等業務。

華祥耀(江蘇)電子科技股份有限公司總經(jīng)理魏光耀表示,該項目于今年8月開(kāi)始進(jìn)駐,預計12月底前把7棟廠房全部裝修完成(chéng)。明年開(kāi)始量産,預計第一年營業額將(jiāng)達到10億元,三年内達到20億元。

張汝京談中國(guó)半導體材料現狀

張汝京談中國(guó)半導體材料現狀

近日,芯恩(青島)集成(chéng)電路有限公司董事(shì)長(cháng)張汝京博士在談到中國(guó)半導體材料現狀時表示,國(guó)内光刻膠、特種(zhǒng)化學(xué)品以及光掩膜版是缺少的。但國(guó)産矽片和特種(zhǒng)氣體發(fā)展得很好(hǎo)。

張汝京還(hái)指出,國(guó)産的抛光液也已經(jīng)達标了,中國(guó)化工實力是相當強的,濕式工藝用化學(xué)品也做得很好(hǎo)。韓國(guó)被日本卡脖子的氫氟酸中國(guó)很早就國(guó)産化了,日韓貿易戰中韓國(guó)還(hái)將(jiāng)一些訂單轉到了中國(guó)。

濺射靶材方面(miàn),張汝京也認爲大陸産品發(fā)展得非常好(hǎo),有一小部分也已經(jīng)銷售到中國(guó)台灣大廠。芯片封裝材料等其他半導體材料則正在快速追趕。

對(duì)于中國(guó)而言,張汝京提到了幾類未來值得大力發(fā)展的半導體材料項目,主要包括半導體廠用石英器件複合材料、晶舟/晶盒、複合材料(砷化镓、氮化镓、氮化矽等)和耗材類(石墨組件、研磨墊)等。

最後(hòu),張汝京對(duì)中國(guó)整個半導體産業提出了三大建議:

一、唯有掌握芯片設計、制造、設備和材料等技術,才有競争力。芯片發(fā)展的滞後(hòu)已經(jīng)構成(chéng)我國(guó)産業轉型升級的阻礙。發(fā)展芯片産業鏈是我國(guó)産業擺脫受制于人的機遇。結合高端IC設計公司開(kāi)發(fā)本國(guó)産業需要的芯片,保持質量降低成(chéng)本,打破國(guó)際廠商的壟斷。

二、培育人才,突破核心設備、半導體材料和零部件的自主量産能(néng)力。積極培養高端芯片的人才,深耕生産技術及産能(néng)才是根本解決之道(dào)。

三、創新協同模式或自有整機大廠,資金合理分配。中國(guó)電子企業普遍尚未掌握核心技術,研發(fā)投入少,研發(fā)規模跟不上。隻有在保持自主研發(fā)的同時,采用創新協同模式或設立自有整機大廠才能(néng)加速掌握半導體材料、零組件以及芯片的核心技術。

總投資35億 奧士康科技將(jiāng)在肇慶建設印制電路闆生産基地與華南總部

總投資35億 奧士康科技將(jiāng)在肇慶建設印制電路闆生産基地與華南總部

8月20日,在2019肇慶港資項目集中簽約活動上,共簽約項目32宗,計劃投資總額482億元。其中,包括奧士康科技股份有限公司投資建設的肇慶奧士康科技産業園項目。

奧士康科技股份有限公司官微消息顯示,該項目投資總額35億元,計劃建設肇慶奧士康印制電路闆生産基地和奧士康華南總部。其中,印制電路闆生産基地占地400畝,將(jiāng)建設多條高端印制電路闆生産線,主要生産高端汽車電子電路、任意層互聯HDI、高端通訊5G網絡、高端半導體IC/BGA芯片封裝載闆、大數據處理存儲電子電路等。

肇慶奧士康科技産業園項目的簽約落戶,标志着奧士康整體實力的進(jìn)一步提升。

資料顯示,奧士康科技股份有限公司成(chéng)立于成(chéng)立于2008年,于2017年在深交所A股上市,其産品可應用于數據運算及存儲、汽車電子、通信及網絡、工控及安防、消費及智能(néng)終端等領域。

臉書欲推加密貨币 哪些封測廠將(jiāng)受益?

臉書欲推加密貨币 哪些封測廠將(jiāng)受益?

Facebook準備推出自家加密貨币Libra及數位錢包Calibra,但由于美國(guó)國(guó)會民主黨黨團已發(fā)函Facebook要求暫停相關貨币開(kāi)發(fā)計劃,衆議院金融服務委員會將(jiāng)召開(kāi)聽證會進(jìn)行審查。

若聽證會順利通過(guò),可望帶動主流虛拟貨币(如比特币、以太币等)價格上揚,也將(jiāng)拉升ASIC(特用芯片)之HPC(高效能(néng)運算)挖擴機等封測需求,使得日月光等封測大廠2019年第三季營收將(jiāng)有新一波成(chéng)長(cháng)。

Facebook欲發(fā)展加密貨币,整合HPC存儲器與處理器之封裝逐漸受到重視

雖然先前比特币價格暴跌的慘況,使得挖擴機需求在當時出現大幅衰退,但随着Facebook欲推出自家加密貨币Libra趨勢,再次驅使挖礦機芯片需求攀升,連帶使得HPC芯片封測廠商營收有望跟着水漲船高。

然而何謂HPC,主要是指芯片將(jiāng)一部分運算能(néng)力集中應用于需大量運算資源的複雜型問題,如同Al機器學(xué)習、大數據分析及高階建模與模拟等部分,藉此減少人工處理及運用時間。

另外,由HPC封裝結構來看,可發(fā)現主要構造將(jiāng)由兩(liǎng)個部分組成(chéng);如下圖所示:

▲AMD推出新型HPC之2.5D封裝結構概念圖

source:AMD;拓墣産業研究院整理,2019/07

該圖爲AMD推出新型HPC之2.5D封裝結構概念圖,可區分爲DRAM/SRAM之HBM(高頻寬存儲器)結構、CPU/GPU處理器等部分,并透過(guò)TSV(矽穿孔)方式進(jìn)行存儲器與處理器間的整合,使相關封裝技術整合在同一顆芯片中,以減小彼此間的傳輸路徑、加速處理與運算時間、提高整體HPC工作效率。

芯片尺寸微縮趨勢,HPC封裝技術已由FOWLP逐漸進(jìn)展至2.5D封裝技術

若再進(jìn)一步分析HPC芯片所需的封裝技術,由于目标需求期望能(néng)提升Al運算能(néng)力并設法降低運算過(guò)程中的功耗,使得以往封測廠商皆以扇出型晶圓級封裝(Fan-Out WLP)等技術進(jìn)行作業。

但随着半導體制程技術提升,芯片尺寸也随之微縮,讓封裝過(guò)程中的目标線寬/線距(L/S)逐步縮小(1μm/1μm),因此如何在限縮的空間内將(jiāng)存儲器及處理器整并一起(qǐ),需要高難度的重分布層(RDL)技術提供協助,自此孕育了2.5D封裝技術,嘗試透過(guò)堆棧封裝方式,縮減整體封裝所需的體積。

評估現行已有能(néng)力進(jìn)行2.5D封裝技術之廠商,除了半導體制造龍頭台積電擁有CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)與InFO(Integrated Fan-out)等封裝技術外,其他也擁有相關技術的半導體封測大廠,主要由日月光、Amkor、江蘇長(cháng)電、矽品等廠商爲主,各自研發(fā)獨到的重分布層技術,藉此微縮整體封裝體積。

因此,若Facebook成(chéng)功推出自家加密貨币Libra,將(jiāng)帶動短期一波HPC芯片挖擴機需求,并拉擡部分Fabless廠(如AMD等)及IDM廠(如Intel等)之業績表現,從而帶動各家HPC封裝廠商2019年第三季往後(hòu)新一波的營收來源。

但若以中長(cháng)期發(fā)展而言,挖礦機與HPC封裝需求,由于目前仍缺乏顯著成(chéng)長(cháng)因素,還(hái)需其他發(fā)展動機出現,才有機會進(jìn)一步帶動相關産業營收增長(cháng)。

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鼓勵外商投資産業目錄發(fā)布,新增芯片封裝設備等條目

鼓勵外商投資産業目錄發(fā)布,新增芯片封裝設備等條目

6月30日,國(guó)家發(fā)展改革委、商務部發(fā)布了《鼓勵外商投資産業目錄(2019年版)》,自2019年7月30日起(qǐ)施行。

本次目錄的主要變化不僅在于較大幅度增加鼓勵外商投資領域,同時還(hái)鼓勵外資參與制造業高質量發(fā)展。繼續將(jiāng)制造業作爲鼓勵外商投資的重點方向(xiàng),支持外資更多投向(xiàng)高端制造、智能(néng)制造、綠色制造等領域。

在電子信息産業,本次目錄新增了5G核心元組件、集成(chéng)電路用刻蝕機、芯片封裝設備、雲計算設備等條目。在裝備制造業,新增或修改工業機器人、新能(néng)源汽車、智能(néng)汽車關鍵零部件等條目。在新材料産業,新增或修改航空航天新材料、單晶矽、大矽片等條目。

同時,此目錄還(hái)支持中西部地區承接外資産業轉移。例如在安徽、四川、陝西等電子産業集群加快發(fā)展省份新增一般集成(chéng)電路、平闆電腦、通訊終端等條目。

根據《鼓勵外商投資産業目錄(2019年版)》,在計算機、通信和其他電子設備制造業方面(miàn)涵蓋了多項集成(chéng)電路相關條目。

包括直徑200mm以上矽單晶及抛光片生産;300mm以上大矽片的制造;集成(chéng)電路設計,線寬28納米及以下大規模數字集成(chéng)電路制造,0.11微米及以下模拟、數模集成(chéng)電路制造,MEMS和化合物半導體集成(chéng)電路制造及BGA、PGA、FPGA、CSP、MCM等先進(jìn)封裝與測試;超大規模集成(chéng)電路制造用刻蝕機、PVD、CVD、氧化爐、清洗機、擴散爐、MFC等;芯片封裝設備制造;100TB及以上存儲系統制造、8TB及以上SSD固态硬盤制造及智能(néng)化存儲設備制造等。

SK海力士重慶二期存儲芯片封測項目將(jiāng)于Q3投産

SK海力士重慶二期存儲芯片封測項目將(jiāng)于Q3投産

日前,重慶西永微電園消息稱,SK海力士位于重慶的二期存儲芯片封裝測試項目將(jiāng)于今年第三季度投産。

2013年5月,SK海力士在重慶西永微電園設立SK海力士半導體(重慶)有限公司,投資建設NAND Flash存儲芯片封裝測試生産線。該項目一期投資3億美元,2014年正式投産。2017年9月,SK海力士與重慶簽署有關二期項目的諒解備忘錄,二期追加注冊資本2.5億美元,累計投資額將(jiāng)達12億美元,2018年上半年開(kāi)工。

據重慶西永微電園透露,SK海力士二期1.6萬平方米主體建築已建成(chéng),預計6月中旬進(jìn)行設備安裝,三季度陸續投産。投産後(hòu),項目合計産能(néng)是現在的2.5倍,芯片年産量將(jiāng)占到整個SK海力士閃存産品的40%以上, 成(chéng)爲SK海力士全球海外最大封裝基地。

東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布其OEM客戶端NVMe SSD的第四次叠代,作爲包含SSD控制器和NAND閃存的單個BGA芯片封裝提供。東芝BG4是對(duì)BG3的重大升級:東芝的新型96層3D TLC取代了他們的64層NAND,可實現更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代,爲更高的順序I/O性能(néng)打開(kāi)了大門。

BG4仍然是一款無DRAM的SSD,它依賴于NVMe主機内存緩沖區(HMB)功能(néng)來緩解無刷驅動器否則會遭受的性能(néng)損失。東芝增加了對(duì)HMB的使用,增加了SSD存儲在主機DRAM中的數據的奇偶校驗,即使主機系統不使用ECC内存,也能(néng)提供額外的數據保護層。

BG4的固件也經(jīng)過(guò)調整,擴展了可以緩存在主機内存緩沖區中的用戶數據映射信息範圍,從而提高了複制大文件等用例的性能(néng)。這(zhè)些變化意味着BG4會要求使用更大的主機内存來加速其操作,但所請求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重點是提高随機I / O性能(néng)并減少後(hòu)台閃存管理對(duì)交互性能(néng)的影響。來自東芝的初步性能(néng)數據表明,随機寫入性能(néng)幾乎翻了一番,随機讀取性能(néng)遠遠超過(guò)BG3的兩(liǎng)倍。

東芝BG4容量128 GB,256 GB,512 GB,1TB,外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230單面(miàn),接口NVMe PCIe 3.0 x4,順序讀取性能(néng)2250 MB/s,順序寫入性能(néng)1700 MB/s,4KB随機讀取380k IOPS,4KB随機寫入190k IOPS。

更改爲更寬的PCIe x4主機接口不需要BG4采用比其前輩更大的BGA封裝尺寸,切換到96L 3D TLC具有更高的每個芯片容量,允許一些驅動器采用更薄的設計(對(duì)并且允許BG系列首次引入1TB容量。東芝是第一家推出采用96L NAND的SSD廠商,看起(qǐ)來BG4將(jiāng)成(chéng)爲第二款開(kāi)始出貨的96L SSD。

關于英特爾“Foveros”邏輯芯片3D堆疊,看這(zhè)兩(liǎng)張圖就夠了

關于英特爾“Foveros”邏輯芯片3D堆疊,看這(zhè)兩(liǎng)張圖就夠了

在近日舉行的英特爾“架構日”活動中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數據中心和網絡系統,支持人工智能(néng)和加密加速功能(néng)的下一代“Sunny Cove”架構,還(hái)推出了業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。這(zhè)一全新的3D封裝技術首次引入了3D堆疊的優勢,可實現在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。

以下兩(liǎng)張圖,是對(duì)這(zhè)一突破性發(fā)明的詳細介紹,第一張圖展示了Foveros如何與英特爾?嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)2D封裝技術相結合,將(jiāng)不同類型的小芯片IP靈活組合在一起(qǐ),第二張圖則分别從俯視和側視的角度透視了“Foveros” 3D封裝技術。

關于英特爾“Foveros”邏輯芯片3D堆疊,看這(zhè)兩(liǎng)張圖就夠了

關于英特爾“Foveros”邏輯芯片3D堆疊,看這(zhè)兩(liǎng)張圖就夠了

據悉,英特爾預計將(jiāng)從2019年下半年開(kāi)始推出一系列采用Foveros技術的産品。首款Foveros産品將(jiāng)整合高性能(néng)10nm計算堆疊“芯片組合”和低功耗22FFL基礎晶片。它將(jiāng)在小巧的産品形态中實現世界一流的性能(néng)與功耗效率。

繼2018年英特爾推出突破性的嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)2D封裝技術之後(hòu), Foveros將(jiāng)成(chéng)爲下一個技術飛躍。