發(fā)力2019!陝西將(jiāng)重點推進(jìn)三星二期、華天封裝測試等項目

發(fā)力2019!陝西將(jiāng)重點推進(jìn)三星二期、華天封裝測試等項目

近日,陝西省長(cháng)劉國(guó)中的政府工作報告中大篇幅都(dōu)是西安2019年發(fā)展布局,其中就指出將(jiāng)推進(jìn)重點項目建設。

抓好(hǎo)三星二期、華天集成(chéng)電路封裝測試、奕斯偉矽材料等重大項目建設,發(fā)展壯産業集群;大力推進(jìn)比亞迪二期、陝汽商用車等整車項目,加快完善汽車産業鏈配套。

2012年,西安高新區成(chéng)功引進(jìn)三星電子存儲芯片項目,其一期項目總投資達100億美元。該項目成(chéng)爲三星海外投資曆史上投資規模最大的項目。據了解,三星電子存儲芯片一期項目 2014年5月竣工投産。2017年8月30日,三星電子株式會社與陝西省政府簽署了投資合作協議,決定在西安高新綜合保稅區内建設三星(中國(guó))半導體有限公司存儲芯片二期項目,二期項目開(kāi)工奠基儀式2018年3月舉行,預計整個工廠的擴建工作要到2019年結束。

此外,據知情人士透露,三星SDI在2018年底低調重啓西安動力電池生産基地二期項目,并將(jiāng)重新調整在中國(guó)市場的策略。

華天集團早在2008年就開(kāi)始在西安經(jīng)開(kāi)區投資建設。2017年6月8日,華天電子集團和西安經(jīng)開(kāi)區正式簽訂電力電子産業化及其他集成(chéng)電路項目入區協議,這(zhè)是華天科技西安擴産的重要布局。據悉,華天集團計劃投資58億元,規劃建設新型電力電子産業化項目,其中一期項目投資13.8億元,達産後(hòu)可形成(chéng)年封裝36億隻的生産能(néng)力,年銷售收入15.18億元,年上繳稅收7523萬元。并不斷拓展集成(chéng)電路其他領域,全部項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)實現産值不低于60億元的生産能(néng)力。

2017年12月9日,奕斯偉矽産業基地項目落戶西安高新區。該項目總投資超過(guò)100億元,由北京奕斯偉公司作爲主體統一規劃、分期推進(jìn),項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)填補國(guó)家半導體矽材料産業空白,進(jìn)一步完善陝西省集成(chéng)電路産業鏈條。

鼎龍股份攻克芯片生産關鍵技術  建成(chéng)國(guó)内唯一的晶圓抛光墊産研基地

鼎龍股份攻克芯片生産關鍵技術 建成(chéng)國(guó)内唯一的晶圓抛光墊産研基地

集成(chéng)電路芯片有一個關鍵制程——化學(xué)機械抛光,最多需要反複128次。國(guó)際先進(jìn)的芯片制造廠已使用7納米制程工藝,1納米相當于6萬分之一根頭發(fā)絲,難度可想而知。過(guò)去,國(guó)内抛光所用關鍵材料——CMP抛光墊,幾乎全部依賴進(jìn)口。位于武漢經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區的湖北鼎龍控股股份有限公司(以下簡稱“鼎龍股份”)投資近4億元,經(jīng)過(guò)6年的艱苦研發(fā),建成(chéng)目前國(guó)内唯一、國(guó)際先進(jìn)的集成(chéng)電路芯片CMP抛光墊産研基地,并承擔起(qǐ)國(guó)家“02專項”。

鼎龍股份創始人、董事(shì)長(cháng)朱雙全1月29日接受長(cháng)江日報記者采訪時說:“創業最困難的時候,我們曾找過(guò)一家風投公司,願意以500萬元出讓控股權,但還(hái)是被拒于門外。”

從激光打印複印耗材産業起(qǐ)步,到進(jìn)入光電半導體領域。因爲敢闖敢幹,朱雙全、朱順全朱氏兄弟和鼎龍股份團隊,一次次在國(guó)外巨頭壟斷的領域開(kāi)辟出中國(guó)企業的生存空間,矢志培育核心産業的國(guó)産供應鏈。

挑戰最高難度系數 闖入打印耗材關鍵領域爲中國(guó)發(fā)聲

2001年下海創業之初,鼎龍股份選擇了一個細分品類——碳粉用電荷調節劑。彼時,打印耗材産業鏈下遊的碳粉、墨粉全被國(guó)外大公司壟斷。他們找了很多上遊的大公司,希望加入其供應鏈,對(duì)方不約而同地問一句話:“你們中國(guó)人怎麼(me)能(néng)做這(zhè)個?技術從哪裡(lǐ)來?”

“這(zhè)個圈子裡(lǐ)沒(méi)有中國(guó)企業,鼎龍偏要闖進(jìn)去;沒(méi)有現成(chéng)技術,鼎龍自己幹出來!”朱雙全帶着一幫從國(guó)企出來的研發(fā)人員,開(kāi)始艱難跋涉。“最難的是頭兩(liǎng)年,産品打不開(kāi)市場,融資非常困難,有陣子公司賬上連出國(guó)的機票都(dōu)付不起(qǐ),隻能(néng)私人借錢。”

剛有點起(qǐ)色時,又碰到個難題。日本、歐美客戶來參觀考察,公司裡(lǐ)的關鍵設備“排場”不夠大。朱雙全硬着頭皮去武漢理工大學(xué)檢測中心借,那裡(lǐ)的設備從沒(méi)離開(kāi)過(guò)實驗室,怎麼(me)可能(néng)借出去給小民企?他用真誠打動了中心負責人,借來設備不說,老師們還(hái)穿上白大褂到鼎龍股份幫忙。

鼎龍股份用了3年時間,成(chéng)功打入激光打印行業世界第二的美國(guó)lexmark公司的全球供應鏈,替代了日本企業。通用耗材關鍵領域第一次有了“中國(guó)聲音”。在與國(guó)際巨頭的合作中,鼎龍股份逐步建立起(qǐ)了自己的知識産權體系,培養了核心人才團隊。

2006年開(kāi)始有了規模盈利,鼎龍股份又一頭紮向(xiàng)彩色聚合碳粉的研發(fā)。這(zhè)是打印複印耗材領域技術難度最大的産品,鼎龍股份花了6年時間,從零起(qǐ)步,最終實現大規模産業化,打破了日本企業20多年的全球壟斷。時至今日,鼎龍股份仍是國(guó)内唯一的彩色碳粉供應商,并已將(jiāng)國(guó)際競争對(duì)手邊緣化。

朱雙全坦言,這(zhè)确實是很大的冒險,國(guó)内一些大型企業、高校曾展開(kāi)攻關,均半途而廢。鼎龍股份幾乎把所有盈利全部投入其中,上市前沒(méi)有給股東分過(guò)一分錢紅利。

爲芯片抛光 給柔性屏“打底”在光電及半導體産業接連破局

2018年11月,工信部、财政部公布全國(guó)首批國(guó)家新材料生産應用示範平台建設入選項目名單,鼎龍股份作爲國(guó)内唯一一家擁有集成(chéng)電路制程關鍵材料——CMP抛光墊全制程技術及産業化生産能(néng)力的企業,和其他18家集成(chéng)電路行業領軍企業一起(qǐ)入選。

這(zhè)份名單展示了一個與人們傳統印象不一樣的鼎龍股份。事(shì)實上,鼎龍股份官網顯示的公司兩(liǎng)大主營業務中,光電及半導體材料已然排在了激光打印複印耗材之前。

近年來,武漢大力發(fā)展“芯屏端網”産業,長(cháng)江存儲、京東方、天馬、華星光電等企業生産線紛紛落地,形成(chéng)了武漢目前投資規模最大、技術要求最高、産業配套最複雜的産業集群。鼎龍股份正是布局較早(2012年開(kāi)始涉足)且已逐步實現産業化的、爲數不多的上遊關鍵材料研發(fā)、供應商之一,建成(chéng)了國(guó)内唯一、國(guó)際先進(jìn)的集成(chéng)電路芯片CMP抛光墊産研基地和我國(guó)首條柔性OLED用聚酰亞胺漿料生産線。業内評價,鼎龍股份打破了國(guó)外企業多年的全球壟斷,而且可有效促進(jìn)我國(guó)半導體集成(chéng)電路産業和面(miàn)闆顯示産業所需材料的國(guó)産化進(jìn)程。

抛光是爲了保證芯片有更好(hǎo)的性能(néng)及結構的穩定性。CMP抛光墊是晶圓芯片制程中“卡脖子”的關鍵材料,此前,生産技術主要被美國(guó)、日本等幾家大公司掌握,其中某全球500強公司壟斷了85%的市場份額。

CMP即化學(xué)機械抛光,是指在晶圓制造過(guò)程中,使用化學(xué)及機械力對(duì)晶圓進(jìn)行平坦化處理的技術。晶圓制造過(guò)程中需要反複使用CMP工藝,這(zhè)個過(guò)程好(hǎo)比蓋大樓,每蓋好(hǎo)一層,就需要打磨、保證結構穩定才能(néng)繼續往上蓋。集成(chéng)電路已經(jīng)做到了128層,抛光最多也可達128次。CMP技術能(néng)夠實現晶片全局平坦化,是目前效果最好(hǎo)、應用最廣泛的平坦化技術。而抛光墊的力學(xué)性能(néng)和表面(miàn)組織特征對(duì)于平坦化的效果非常關鍵,是CMP工藝的技術核心和價值核心。

爲什麼(me)要選擇這(zhè)樣的“硬骨頭”來啃?朱雙全說:“從自主研發(fā)激光打印複印耗材領域核心高技術産品起(qǐ)步,再到進(jìn)入半導體和光電顯示産業,我們有一個比較清晰的發(fā)展思路——瞄準‘國(guó)内急需但又依賴進(jìn)口的相關産業細分領域’,主攻高技術門檻的新材料産品。”

選擇光電顯示産業,也是如此。柔性顯示屏代表了顯示屏的未來方向(xiàng)。爲了實現“柔”,一種(zhǒng)替代玻璃基闆的柔性顯示高分子基材——聚酰亞胺(PI漿料)是關鍵。OLED柔性顯示屏制造過(guò)程有多道(dào)工序,PI漿料是應用在最底層的,其作用是替代OLED底層玻璃的關鍵材料,其上再疊加TFT發(fā)光材料、顯示材料等後(hòu),通過(guò)蒸鍍、沉積、退火等400多攝氏度高溫制程處理,用激光剝離成(chéng)一張薄膜。

PI漿料目前幾乎全部依賴進(jìn)口,鼎龍股份下屬的武漢柔顯公司經(jīng)自主研發(fā),産品已率先通過(guò)國(guó)内某知名面(miàn)闆廠商OLED産線測評,其國(guó)内首條1000噸大規模PI漿料生産線也正在建設中,今年將(jiāng)建成(chéng)。

培育完整的國(guó)産供應鏈 在國(guó)産替代領域不斷“填空白”

想要在高端制造領域不受制于人,必須培育國(guó)産供應鏈。

朱雙全介紹說:“過(guò)去國(guó)外競争對(duì)手經(jīng)常用這(zhè)個卡我們。在研發(fā)階段,我們就很注重培育國(guó)産化供應鏈,帶動供應企業一起(qǐ)成(chéng)長(cháng)。一方面(miàn)是出于供應安全考慮,另一方面(miàn)也能(néng)進(jìn)一步降低成(chéng)本。”

鼎龍股份在研發(fā)彩色聚合碳粉時,一種(zhǒng)關鍵的納米顔料必須向(xiàng)德國(guó)企業購買,一公斤要2000元,而且因爲競争關系,對(duì)方對(duì)鼎龍股份有諸多限制。爲此,鼎龍股份選定了江蘇一家原本隻能(néng)做普通工業級顔料的工廠,提出相關要求并給予技術支持,幫助其升級成(chéng)爲能(néng)夠生産專業級納米顔料的企業,采購價格降到了不到原來的1/4。

在光電和半導體新材料領域,這(zhè)個問題同樣存在。上遊産業鏈中關鍵材料、關鍵設備、關鍵儀器幾乎全部依賴從發(fā)達國(guó)家進(jìn)口。下遊應用企業從風險角度考慮,一般不願輕易去做國(guó)産替代,導緻新材料企業産品應用推廣困難。

朱雙全說,“芯屏端網”産業鏈上遊關鍵材料的研發(fā)、生産及産業化,資本人才投入大、技術門檻高、國(guó)外知識産權封鎖嚴重。他呼籲政府牽頭,建設關鍵産業新材料的應用測試公共平台,下遊企業優先試用,使用本地國(guó)産化新材料,把更多機會留給國(guó)内企業(特别是創新型民企),大家一起(qǐ)來解決在這(zhè)幾個核心産業領域嚴重依賴進(jìn)口的問題。

發(fā)展至今,鼎龍股份作爲高技術創新的上市公司,在國(guó)産替代領域不斷“補短闆”“填空白”,是2018年國(guó)家創新示範企業、工信部制造業單項冠軍企業和湖北省隐形冠軍企業。

朱雙全的辦公桌上擺着一隻四足鼎模型。在他看來,鼎代表強大,也代表制度與規範,鼎還(hái)有革新之意,寓意未來的創新。

“中國(guó)民營企業能(néng)夠發(fā)展到一定規模,都(dōu)是闖出來、幹出來的。在創業早期,除了一個想法,除了一股幹勁,除了對(duì)一個市場領域或者一類産品的創新機會的認識,我們什麼(me)都(dōu)沒(méi)有,就是憑着破釜沉舟的精神去幹起(qǐ)來。”朱雙全說,“鼎龍的這(zhè)股幹勁一直不會丢,還(hái)有更大的天地等着我們去闖!”

山東确定2019年重點項目  有研半導體、山東天嶽等上榜

山東确定2019年重點項目 有研半導體、山東天嶽等上榜

日前,山東省發(fā)改委召開(kāi)新聞通氣會,宣布2019年山東省确定了120個省重點項目,其中建設項目100個、準備項目20個。這(zhè)120個重點項目總投資6130億元,其中100個建設項目總投資3360億元。

據山東省發(fā)改委重點項目處處長(cháng)王曉燕介紹,今年該省重點建設項目實體産業項目占比高,新一代信息技術、高端裝備、高端化工、新能(néng)源新材料等先進(jìn)制造業項目80個,占項目總數的66.7%。在這(zhè)次總名單中,包括有研半導體、山東天嶽等數個集成(chéng)電路項目亦上榜。

近年來,山東省正在加快集成(chéng)電路産業發(fā)展步伐,2014年該省政府印發(fā)《山東省人民政府關于貫徹國(guó)發(fā)〔2014〕4号文件加快集成(chéng)電路産業發(fā)展的意見》,而在其2018年11月印發(fā)的《山東省新一代信息技術産業專項規劃》中,集成(chéng)電路亦被作爲一個補短闆的核心領域進(jìn)行重點突破。

目前,山東省已初步形成(chéng)了涵蓋設計、制造、封測、材料等環節的集成(chéng)電路産業鏈,擁有中維世紀、華芯、概倫、青島恩芯、淄博美林、山東天嶽、有研半導體等一衆企業。該省目标到2022年,培育3-5家集成(chéng)電路龍頭企業,20家具備較強競争力的細分領域領軍企業。

以下爲2019年山東省重點項目名單中的集成(chéng)電路項目:

建設項目:

山東有研半導體材料有限公司集成(chéng)電路用大尺寸矽材料規模化生産一期項目(年産8英寸矽片276萬片、6英寸矽片180萬片、12-18英寸大直徑矽單晶240噸)

2018年7月,有研半導體與山東省德州簽署集成(chéng)電路用大尺寸矽材料規模化基地項目投資合作協議。該項目落戶經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區,總投資80億元,其中一期建設年産276萬片8英寸矽片生産線,二期建設年産360萬片12英寸矽片生産線。

山東天嶽先進(jìn)材料科技有限公司高品質4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與産業化項目(年産6英寸碳化矽單晶襯底3萬片)

濟南市槐蔭區環保局的資料顯示,山東天嶽拟投資45000萬元在現有廠區内建設高品質4H-SiC單晶襯底材料研究與産業化項目,本項目建成(chéng)後(hòu)可達到年産6英寸4H-SiC單晶襯底(兼容4英寸)産品3萬片的生産能(néng)力。

山東華芯電子有限公司智能(néng)芯片及成(chéng)品項目(年産系列芯片100億隻)

山東華芯拟投資6.5億元建設智能(néng)芯片及成(chéng)品項目,包括傳感芯片生産線10條,壓敏芯片、防雷芯片生産線20條,半導體芯片生産線6條。該項目建成(chéng)後(hòu),年可生産傳感芯片、TPMOV電路保護模組、TVS管芯片、放電管芯片、半導體芯片、壓敏芯片、智能(néng)芯片等100億隻。

準備項目:

濟南富元電子科技發(fā)展有限公司高功率芯片項目

資料顯示,濟南富元電子科技發(fā)展有限公司于2018年12月13日注冊成(chéng)立,注冊資本1億元人民币,經(jīng)營範圍包括電子元器件、電子電路、半導體器件的開(kāi)發(fā)、生産、銷售及技術服務等,但筆者暫且未搜索到關于該項目的更多相關信息。

迎接人工智能(néng)與大數據帶來商機,應材:材料工程突破爲關鍵

迎接人工智能(néng)與大數據帶來商機,應材:材料工程突破爲關鍵

在人工智能(néng) (AI) 已經(jīng)成(chéng)爲産業不可逆的趨勢下,就連台積電前董事(shì)長(cháng)張忠謀都(dōu)表示,未來 AI 的發(fā)展將(jiāng)成(chéng)爲帶動台積電營運發(fā)展的重要關鍵。因此,市場上大家都(dōu)在期待,藉由 AI 發(fā)展所帶來的新應用與商機。隻是,在 AI 需要大量運算效能(néng)與能(néng)源,而整個半導體結構發(fā)展也面(miàn)臨極限發(fā)展的情況之下,材料工程技術的突破就成(chéng)爲未來 AI 普及化前的其中關鍵。

材料工程解決方案大廠應用材料 (Applied Materials) 指出,根據《經(jīng)濟學(xué)人》表示,當前數據之于這(zhè)個世紀的重要性,猶如石油之于上個世紀,是成(chéng)長(cháng)與變革的動力,而透過(guò)科技也爲許多産業帶來改變。因此,藉由人工智能(néng)與大數據的結合,給市場帶來無限的機會,卻也帶來空前的挑戰。所以,而是否能(néng)掌握 AI 與大數據帶來的龐大商機,關鍵在于新技術和新策略上。

應用材料台灣區總裁餘定陸日前在于媒體的聚會中表示,AI 與大數據的結合帶動了 4 個主要的趨勢與挑戰,這(zhè)也是企業是否能(néng)在 AI 與大數據時代掌握緻勝先機的關鍵。其中,包括了物聯網普及和工業 4.0 産生超大量的數據資料、現有的空間不足以應付快速增加數據量的處理及儲存、靠着新的運算模式及架構,以及邊緣運算、雲端技術和低功耗的每瓦效能(néng),才能(néng)將(jiāng)數據成(chéng)功轉換成(chéng)價值、以及 AI 與物聯網快速彙流,連接性是最大關鍵,也是決定運作是否流暢的重要因素等。

而因爲有了 4 個趨勢與挑戰,使得在 AI 與大數據時代中啓動了「硬件複興」的各種(zhǒng)資源投入,不但使得論是傳統科技領導大廠、新創公司或軟件公司,都(dōu)投入大量的資源、押寶不同的技術領域、聚焦應用的客制化及最佳化,專注于硬件的設計以及投資發(fā)展。另外,在在計算機運算處理器部分,人工智能(néng)需要大量、快速的存儲器存取及平行運算,才能(néng)提升巨量資料處理能(néng)力,這(zhè)時繪圖處理器(GPU)及張量處理器(TPU)會比傳統運算架構更适合處理人工智能(néng)的應用。而且,爲了使人工智能(néng)潛力完全開(kāi)發(fā),其效能(néng) / 功耗比即運算效能(néng)需達到目前 的1,000 倍 ,已成(chéng)爲現階段技術層面(miàn)亟需突破的關鍵。

再加上 AI 與大數據需要邊緣及雲端創新,大量的資料儲存+高效能(néng)運算因運而生。而且在是當傳統摩爾定律下的 2D 微縮越來越慢的情況下,材料工程的創新就成(chéng)爲解決問題的其中一項關鍵。餘定陸進(jìn)一步表示,材料工程的創新未來將(jiāng)建構在 PPAC(效能(néng)、功耗與單位面(miàn)積)的 5 個面(miàn)向(xiàng)革新上,包括新架構、新結構 / 3D、新材料、微縮的新方法以及先進(jìn)封裝等。

餘定陸舉例表示,原有 2D NAND 的技術應用在實體和成(chéng)本上已達到極限,爲了能(néng)讓每儲存單元(cell)的容量再往上增加, 3D NAND 技術采用層層堆棧的方式,來減少 2D NAND 儲存單元距離過(guò)近時,可能(néng)産生的幹擾問題。此外,3D NAND 有倍增的容量與可靠度,更是過(guò)去的 2D NAND 無法比拟的 。

此外,先進(jìn)封裝可以優化系統級的效能(néng)。過(guò)去 DRAM 封裝是采用印刷電路闆(PCB)的方式,目前則采用矽通孔封裝技術(TSV),可將(jiāng)邏輯和存儲器的同質和異構集成(chéng)緊密地結合在一起(qǐ),垂直堆棧的 3D 儲存器芯片顯著減小了 PCB 級的電路闆尺寸和布線複雜性,大大降低成(chéng)本、節省一半的電力及延長(cháng)芯片使用壽命。另一種(zhǒng)系統級封裝,運用小芯片(chiplet)多元模塊整合,可提供時間、成(chéng)本與良率的效益。

餘定陸還(hái)表示, 傳統計算機架構的馮諾伊曼(Von Neumann)思維有一個主要問題,當處理大量資料運算,單一中央處理器與存儲器間的資料運算規則和傳輸速度,限制了整體效率與計算時間,無法滿足實際實時應用情境。但利用神經(jīng)形态(Neuromorphic)思維,進(jìn)行網絡分散架構及平行運算與學(xué)習,可加速人工智能(néng)計算,達到傳統計算機架構無法達成(chéng)的連接性。

在 AI  與大數據的結合將(jiāng)帶來無限機會的時代中, 因應複雜性、應用性和在時間方面(miàn)都(dōu)面(miàn)臨很大的困難,而且互連性和材料創新速度上面(miàn)臨的挑戰,也需要新的策略來克服的情況下,需要藉由材料工程創新、硬件的複興以及産業生态間深度連結來解決。

2019年半導體材料市場估成(chéng)長(cháng) 2%

2019年半導體材料市場估成(chéng)長(cháng) 2%

根據南韓媒體《the elec》的報導,根據國(guó)際半導體設備協會(SEMI)的資料顯示,預期 2019 年全球半導體材料市場將(jiāng)成(chéng)長(cháng) 2%,不敵 2018 年因上半年存儲器産業的榮景,使得全年成(chéng)長(cháng)了 10% 的表現。不過(guò),2019 年半導體材料市場的雖然成(chéng)長(cháng)不如 2018 年,但是相較于半導體設備市場同期因資本支出(CAPEX)而下滑 4% 來說,還(hái)是比較樂觀的。

報導指出, 2018 年全球半導體材料市場成(chéng)長(cháng)到了 490 億美元,較 2017 年的 470 億美元,成(chéng)長(cháng)了 10%。預計,2019 年還(hái)將(jiāng)再成(chéng)長(cháng) 2%,達到 500 億美元。而成(chéng)長(cháng)的主因要歸功于已完成(chéng)投資的半導體工廠開(kāi)始全面(miàn)生産,以及由于研發(fā)制程的數量增加,而導緻的材料消耗增多所緻。

另外,半導體材料主要用于前端晶圓制造和後(hòu)端封裝的部分,其占比約爲 6:4。其中,在晶圓制造前端的三大半導體材料,包括矽晶圓、光罩和氣體部分,2019 年銷售金額的成(chéng)長(cháng)幅度將(jiāng)是最高的,預計分别能(néng)達到 5,800 萬美元、6,500 萬美元以及 2,000 萬美元。至于,在後(hòu)端封裝材料中,包括導線架和基闆、陶瓷封裝、封裝樹脂、焊線和黏合劑等材料上,2019 年電路闆市場銷售金額預計爲 6.34 億美元,其 2017 年的成(chéng)長(cháng)率爲 5%,2018 年爲 3%,2019 年則將(jiāng)下降至僅成(chéng)長(cháng) 1%。

報導還(hái)指出,從過(guò)去 3 年的半導體材料成(chéng)長(cháng)率來看,前端材料遠高于後(hòu)端材料。在 2016 年時,前端材料銷售金額成(chéng)長(cháng)了 3%,後(hòu)端材料則下降了 4%。但是到了 2017 年,前後(hòu)端則分别成(chéng)長(cháng)了 13% 和 5%。2018 年兩(liǎng)者分别成(chéng)長(cháng) 14% 和 3%。SEMI 的分析指出,前端材料的成(chéng)長(cháng)歸功于各種(zhǒng)前端技術的積極使用,如極紫外光 (EUV) 曝光、原子層沉積 (ALD) 和等離子體化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 等。

SEMI 進(jìn)一步表示,在未來一年中,半導體材料市場需面(miàn)對(duì)不确定因素,包括美中貿易摩擦、彙率和國(guó)際金屬的價格變動等,都(dōu)將(jiāng)會對(duì)相關企業造成(chéng)程度不一影響。而且,目前許多材料供應商都(dōu)在日本。所以,在日本企業占了半導體材料市場 55% 市占率的情況下,未來日圓彙率也可能(néng)會影響整體材料市場的營收。

而對(duì)于 2019 年整體半導體市場的環境,SEMI 指出,市場的成(chéng)長(cháng)力道(dào)將(jiāng)會大幅減緩,成(chéng)長(cháng)率僅達到 2.6%,遠低于 2017 年的 22% 和 2018 年的 15.9%。然而,預計到 2020 年,半導體設備市場將(jiāng)強勁反彈 20.7%,這(zhè)將(jiāng)使得所有半導體和材料市場也有望以同樣的趨勢複甦。

2019年重慶首批重點工業項目集中開(kāi)工!將(jiāng)每年新增5735噸電子氣+6500萬顆片芯片

2019年重慶首批重點工業項目集中開(kāi)工!將(jiāng)每年新增5735噸電子氣+6500萬顆片芯片

1月14日,2019年重慶市首批重點工業項目集中開(kāi)工活動在長(cháng)壽區舉行,共37個項目集中開(kāi)工。據重慶市經(jīng)信委稱,加上年初已開(kāi)工和近期拟開(kāi)工項目,全市新開(kāi)工重大工業項目計劃總投資將(jiāng)超過(guò)330億元,全部達産後(hòu)預計每年新增産值超過(guò)620億元。

重慶經(jīng)信委表示此次首批集中開(kāi)工項目具有規模大、技術含量高的特點,大多集中在先進(jìn)制造業領域,其中包括屬于半導體領域的歐中電子材料有限公司年産5735噸電子氣項目以及重慶恩瑞實業有限公司年産6500萬顆片半導體芯片項目。

據重慶經(jīng)信委介紹,歐中電子材料有限公司主要從事(shì)生産、銷售、研發(fā)、進(jìn)出口電子級特種(zhǒng)氣體及半導體生産過(guò)程中所需的電子化學(xué)品。該公司投資5億元,建設年産5735噸電子氣項目,主要生産電子級六氟化鎢、電子級三氯化硼、電子級六氟丁二烯等系列電子級氣體産品,該産品主要用于半導體芯片制造。

該項目占地面(miàn)積100畝,將(jiāng)于2019年2月開(kāi)工建設、2019年12月建成(chéng),可實現年銷售收入3.5億元,綜合稅收880萬元。

重慶恩瑞實業有限公司是深圳恩瑞科技有限公司在長(cháng)壽注冊的全資子公司,投資15億元,建設年産6500萬顆片半導體芯片項目,該産品主要用于電腦、手機、汽車、無人機等電子科技産品主闆的制造。

恩瑞實業的半導體芯片項目占地面(miàn)積40畝,于2019年1月開(kāi)工建設,預計2019年11月建成(chéng),計劃全負荷生産可實現銷售收入5億元,實現綜合稅收2500萬元。

TCL推進(jìn)重組組織架構調整 部分高管因随重組标的業務調動

TCL推進(jìn)重組組織架構調整 部分高管因随重組标的業務調動

TCL集團(000100.SZ)1月10日晚間發(fā)布公告,董事(shì)會于近日收到董事(shì)、首席财務官(CFO)黃旭斌先生的書面(miàn)辭職申請,黃旭斌先生因個人及家庭原因申請辭去公司第六屆董事(shì)會董事(shì)、首席财務官(CFO)及公司内全部職務。目前TCL集團董事(shì)會已審議通過(guò)決議,任命首席運營官(COO)杜娟女士兼任公司首席财務官(CFO),任期自2019年1月10日至本屆董事(shì)會屆滿日(2020年9月1日)止。同日,TCL電子(01070.HK)也宣布,黃旭斌已辭任公司非執行董事(shì)及已不再出任審核委員會的成(chéng)員,由TCL通訊CFO楊安明先生接任其職務。

黃旭斌先生表示,他從2001年3月加入TCL開(kāi)始,至今已爲公司服務18年,見證和參與了TCL集團走向(xiàng)全球化和加速業務轉型的過(guò)程,對(duì)公司有非常深厚的感情。據了解,黃旭斌先生由于個人及家庭原因,實際于2018年7月已向(xiàng)公司提出辭職申請,但因當時公司正在籌劃重組事(shì)項,在董事(shì)長(cháng)李東生先生挽留下,黃旭斌先生決定推遲半年離職,并參與協助完成(chéng)公司重組工作。

黃旭斌先生是财政部研究生部财政學(xué)專業出身的國(guó)内資深财務人士,在其努力下,TCL集團财務和融資部門已經(jīng)積累了豐富的人才儲備資源,將(jiāng)繼續把公司業務向(xiàng)前穩步推進(jìn)。公司董事(shì)會也在公告表示,對(duì)黃旭斌先生擔任公司董事(shì)、高級管理人員期間勤勉盡責的工作高度認可,并對(duì)他爲公司做出的貢獻表示衷心的感謝。黃旭斌先生離任之後(hòu),經(jīng)公司董事(shì)長(cháng)、CEO(首席執行官)李東生先生提名,TCL集團現任首席運營官(COO)杜娟女士將(jiāng)兼任公司首席财務官(CFO),負責公司業務運營管理、财務管理工作。杜娟女士在公司服務近20年,在公司戰略發(fā)展、業務運營和财務管理方面(miàn)經(jīng)驗豐富。據了解,在杜娟女士的帶領下,TCL金融業務過(guò)去幾年發(fā)展較快、盈利貢獻持續增長(cháng),此次具有資深财務背景的杜娟女士擔任COO兼CFO,將(jiāng)有助于各業務闆塊運營效率和效益的提升,帶領轉型聚焦後(hòu)的TCL集團進(jìn)入精細管理、高效運營、關注企業成(chéng)長(cháng)和股東回報的發(fā)展階段。

此外,因TCL集團實施重大資産重組的工作安排,服務于本次重組标的業務的主要管理人員不再擔任上市公司的相關職務,原高級副總裁王成(chéng)先生,副總裁李書彬先生、于廣輝先生、郭愛平先生、王轶先生、何軍先生,將(jiāng)随标的業務重組而不再擔任上市公司的任何職務。目前TCL集團高管團隊中,主要管理人員未發(fā)生變化,各職能(néng)分工明确完整。

管理專家指出,人随資産走是交易的基本原則,TCL集團近期的人事(shì)變動是上市公司重組中常見的高管團隊按任職企業和業務的拆分,將(jiāng)進(jìn)一步優化組織流程和人員,提高企業的競争力。

同時,TCL集團此次通過(guò)重組戰略聚焦半導體顯示及新材料業務,一個深層意義在于減少上市公司層面(miàn)與核心業務闆塊各部門的管理層級,精兵簡政優化上層管理組織和人員。市場競争激烈,企業強調戰略明确後(hòu)的行動力,TCL集團在原已領先行業的高效管理基礎上進(jìn)一步提升,全面(miàn)建立起(qǐ)以用戶以市場爲中心的全新高科技集團公司。(CIS)

立昂微電沖刺IPO!募資13.5億元投建8英寸矽片和射頻芯片項目

立昂微電沖刺IPO!募資13.5億元投建8英寸矽片和射頻芯片項目

日前上海新昇大矽片剛通過(guò)了中芯國(guó)際的認證,如今另一家大矽片企業杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡稱“立昂微電”)亦遞交了IPO招股書,拟登陸A股。

招股書顯示,立昂微電拟在上海證券交易所首次公開(kāi)發(fā)行新股4058萬股,占發(fā)行後(hòu)總股本的比例不低于10.00%、不超過(guò)10.131%,募集資金13.5億元用于年産120萬片集成(chéng)電路8英寸矽片項目和年産12萬片6英寸第二代半導體射頻集成(chéng)電路芯片項目。

橫跨分立器件、矽片兩(liǎng)大細分領域

資料顯示,立昂微電成(chéng)立于2002年3月,是一家專注于集成(chéng)電路用半導體材料和半導體功率芯片設計、開(kāi)發(fā)、制造、銷售的高新技術企業。

立昂微電自身主要從事(shì)半導體分立器件業務,主要産品包括肖特基二極管芯片、MOSFET芯片、肖特基二極管等。據悉,立昂微電成(chéng)立之初引進(jìn)安森美的全套肖特基芯片工藝技術、生産設備及質量管理體系,建立了6英寸半導體生産線,随後(hòu)于2012年收購日本三洋半導體和日本旭化成(chéng)MOSFET功率器件生産線。

招股書顯示,2016年立昂微電順利通過(guò)博世和大陸集團的體系認證,成(chéng)爲國(guó)内少數獲得車載電源開(kāi)關資格認證的肖特基二極管芯片供應商,2017年立昂微電以委外加工模式將(jiāng)産品線拓展延伸至半導體分立器件成(chéng)品。根據中國(guó)半導體行業協會最新統計,立昂微電在2017年中國(guó)半導體功率器件十強企業評選中位列第八名。

2015年,立昂微電全資收購國(guó)内半導體矽片制造企業浙江金瑞泓,其主營業務從分立器件延伸至上遊半導體矽片。目前擁有浙江金瑞泓、立昂半導體、立昂東芯、衢州金瑞泓、金瑞泓微電子5家控股子公司,以及綠發(fā)農銀、綠發(fā)金瑞泓、綠發(fā)立昂3家參股有限合夥企業。

其中,浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要從事(shì)半導體矽片業務,主要産品包括矽研磨片、矽抛光片、矽外延片等;金瑞泓微電子主要從事(shì)12英寸半導體矽片業務,立昂東芯主要從事(shì)微波射頻集成(chéng)電路芯片業務。

2016年12月,在衢州市委、市政府的支持下,立昂微電在衢州投資50億元,建設集成(chéng)電路用大矽片基地,成(chéng)立了金瑞泓科技(衢州)有限公司。今年3月,立昂微電投資的8英寸矽片生産線項目已正式投産;今年5月,立昂微電子與衢州政府簽約,在衢州再追加投資83億元,建設年産360萬片集成(chéng)電路用12英寸矽片項目。

截至2017年底,浙江金瑞泓具備月産12萬片8英寸矽抛光片的生産能(néng)力,還(hái)具有8英寸矽外延片的批量生産能(néng)力,并已完成(chéng)12英寸矽片的相關技術開(kāi)發(fā),客戶群體包括AOS、ONSEMI、日本東芝、中芯國(guó)際、華虹宏力、華潤上華、華潤微電子、士蘭微等企業。

根據中國(guó)半導體行業協會統計,報告期内浙江金瑞泓在2015年至2017年中國(guó)半導體材料十強企業評選中均位列第一名。

立昂微電于2015年、2016年、2017年、2018年1-6月依次實現營收爲5.91億元、6.70億元、9.32億元、5.26億元,實現淨利潤依次爲3824.03萬元、6574.29萬元、1.05億元、5601.43萬元。分立器件和矽片兩(liǎng)大主營業務收入占其營收比重均在98%以上,其中半導體矽片收入占主營業務收入的比例依次爲60.11%、57.00%、52.30%、60.71%。

募資13.5億元用于兩(liǎng)大主業

招股書顯示,立昂微電本次公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)4058萬股A股普通股,實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額將(jiāng)依次用于與公司主營業務相關的兩(liǎng)大投資項目:年産120萬片集成(chéng)電路8英寸矽片項目和年産12萬片6英寸第二代半導體射頻集成(chéng)電路芯片項目。

這(zhè)次募投項目總投資約17.12億元,拟使用募集資金投入不超過(guò)13.5億元,若實際募集資金(扣除發(fā)行費用後(hòu))不能(néng)滿足上述項目的投資需要,資金缺口由公司通過(guò)自籌方式解決。

其中,8英寸矽片項目總投資約7.04億元,拟投入募集資金5.5億元,項目用地約136畝,將(jiāng)新增單晶爐等共計360台(套)設備,項目設計年産能(néng)爲120萬片集成(chéng)電路用8英寸矽片,項目計劃建設期爲24個月,項目達産後(hòu)預計年新增銷售收入4.8億元。

立昂微電表示,該矽片項目是現有業務的擴大再生産,爲公司發(fā)揮規模效應、提高市場占有率提供有力保障,能(néng)快速擴大企業8英寸矽片産品的生産規模,緩解當前産能(néng)壓力,提升公司盈利能(néng)力。

此外,6英寸射頻芯片項目總投資約10.08億元,拟投入募集資金8億元,將(jiāng)新增刻蝕機等各類生産、檢測及輔助設備、儀器共計248台(套),項目設計年産能(néng)爲12萬片6英寸第二代半導體射頻集成(chéng)電路芯片(砷化镓微波射頻集成(chéng)電路芯片),項目建設期爲60個月,項目達産後(hòu)預計年新增銷售收入10.08億元。

立昂微電亦指出,公司現已具備量産砷化镓芯片的能(néng)力,相關産品已處于認證階段,該射頻芯片項目是對(duì)現已業務的延伸和擴展,將(jiāng)豐富和完善公司的産品結構和業務體系,進(jìn)一步提升公司的市場競争力。

近年來不斷有半導體企業沖刺IPO,今年更甚。證監會今年曾發(fā)聲支持國(guó)内符合條件的芯片産業企業上市融資,業界認爲該表态將(jiāng)明顯利好(hǎo)于芯片企業沖刺IPO,此次立昂微電能(néng)否順利過(guò)會?我們且拭目以待。

耐威科技子公司成(chéng)功研制“8英寸矽基氮化镓外延晶圓”

耐威科技子公司成(chéng)功研制“8英寸矽基氮化镓外延晶圓”

近日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,其控股子公司聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司(以下簡稱“聚能(néng)晶源”)成(chéng)功研制“8英寸矽基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圓”,聚能(néng)晶源也因此成(chéng)爲截至目前公司已知全球範圍内領先的可提供具備長(cháng)時可靠性的8英寸GaN外延晶圓的生産企業,但當期尚未實現量産。

第三代半導體材料氮化镓有何優勢?

據悉,與第二代半導體矽(Si)、砷化镓(GaAs)等材料相比,第三代半導體材料氮化镓(GaN)具有更大的禁帶寬度(>3 eV),一般也被稱爲寬禁帶半導體材料。得益于禁帶寬度的優勢,GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能(néng)力方面(miàn)都(dōu)明顯優于Si、GaAs等傳統半導體材料。

此外,GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面(miàn)也較Si更爲優異,因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件,在5G通訊、雲計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景。

與此同時,將(jiāng)GaN外延生長(cháng)在矽襯底之上,可以有效地結合GaN材料的高性能(néng)以及成(chéng)熟Si晶圓的大尺寸、低成(chéng)本優勢。基于先進(jìn)的GaN-on-Si技術,可以在實現高性能(néng)GaN器件的同時將(jiāng)器件制造成(chéng)本控制在與傳統Si基器件相當的程度。

因此,GaN-on-Si技術也被業界認爲是新型功率與微波電子器件的主流技術。

設立子公司布局有成(chéng)效

2018年,公司先後(hòu)投資設立了聚能(néng)晶源、青島聚能(néng)創芯微電子有限公司,依托專業團隊優勢,聯合産業資源,積極布局并把握下一代功率與微波電子領域的市場機遇。

自成(chéng)立以來,聚能(néng)晶源積極投入研發(fā),充分發(fā)揮核心團隊的技術優勢,先後(hòu)攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長(cháng)等技術難關,成(chéng)功研制了達到全球業界領先水平的8英寸矽基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圓。

該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能(néng)力的同時,保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性,可以完全滿足産業界中高壓功率電子器件的應用需求。

耐威科技表示,在采用國(guó)際業界嚴苛判據标準的情況下,聚能(néng)晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面(miàn)具有性能(néng)優勢,能(néng)夠保障相關材料與技術在5G通訊、雲計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。

公告稱,本次“8英寸矽基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成(chéng)功,短期内不會對(duì)公司的生産經(jīng)營産生重大影響,但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備,有利于增強公司核心競争力并把握市場機遇。

江豐電子拟投建濺射靶材及濺射設備關鍵部件産業化項目

江豐電子拟投建濺射靶材及濺射設備關鍵部件産業化項目

12月18日,江豐電子發(fā)布公告,將(jiāng)在惠州投資建設濺射靶材及濺射設備關鍵部件産業化項目。

公告顯示,江豐電子與惠州仲 恺高新區東江高新科技産業園管理委員會(以下簡稱“東江科技園”) 于2018年12月18日在惠州簽訂了《項目投資意向(xiàng)書》,拟約定公司在東江科技園内注冊設立獨立企業法人,并由該企業法人投資建設濺射靶材及濺射設備關鍵部件産業化項目。

根據協議,這(zhè)次拟建項目名稱爲濺射靶材及濺射設備關鍵部件産業化項目,項目選址位于惠州仲恺(國(guó)家級)高新技術産業開(kāi)發(fā)區内的工業用地,用地面(miàn)積約2.47 萬平方米(最終以國(guó)土部門實際挂牌面(miàn)積爲準)。

江豐電子表示,如本次合作簽訂并履行正式協議,開(kāi)展濺射靶材及濺射設備關鍵部件産業化項目的投資建設,將(jiāng)對(duì)公司未來發(fā)展具有積極意義,有利于公司實施戰略發(fā)展規劃,進(jìn)一步增強公司的綜合競争力和盈利能(néng)力。

公告亦提示稱,本意向(xiàng)書僅爲框架意向(xiàng)約定,系雙方建立合作關系的初步意向(xiàng),爲各方進(jìn)一步讨論的基礎,截止公告披露之日,雙方尚未開(kāi)展具體的合作事(shì)宜,項目的具體實施尚需進(jìn)一步洽談,雙方能(néng)否就具體項目達成(chéng)合作并簽署正式協議存在一定的不确定性。

據了解,濺射靶材是超大規模集成(chéng)電路制造的必需原材料。資料顯示,江豐電子專業從事(shì)超大規模集成(chéng)電路芯片制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)、生産和銷售,2017年6月上市。