标簽：半導體材料

傳統矽半導體因自身發(fā)展局限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導體材料，而化合物半導體材料的高電子遷移率、直接能(néng)隙與寬能(néng)帶等特性，恰好(hǎo)符合未來半導體發(fā)展所需，終端産品趨勢將(jiāng)由5G通訊、車用電子與光通訊領域等應用主導。

化合物半導體市場分析

根據現行化合物半導體元件供應鏈，元件制程最初步驟由晶圓制造商選擇适當特性的基闆(Substrate)，以矽、鍺與砷化镓等材料作爲半導體元件制程的基闆，基闆決定後(hòu)再由磊晶廠依不同元件的功能(néng)需求，于基闆上長(cháng)成(chéng)數層化合物半導體的磊晶層，磊晶層成(chéng)長(cháng)完成(chéng)後(hòu)，再透過(guò)IDM廠或IC設計、制造與封裝等步驟，完成(chéng)整體元件的制造流程，最終由終端産品廠商組裝和配置元件線路，生産手機與汽車等智慧應用産品。

化合物半導體于終端市場應用

元件産品依循化合物半導體材料特性(如耐高溫、抗高電壓、抗輻射與可發(fā)光)加以開(kāi)發(fā)，將(jiāng)終端市場分爲5個領域：電源控制(Power Control)、無線通訊(Wireless)、紅外線(Infrared)、太陽能(néng)(Solar)與光通訊(Photonics)。

以電源控制爲例，由于氮化镓(GaN)和碳化矽(SiC)等材料有不錯的耐高電壓和高頻特性，因此适合用于制造功率因素校正(Power Factor Correction，PFC)和高壓功率放大器(High Voltage Power Amplifier，HVPA)等高功率元件，是現階段支撐化合物半導體電源控制領域的重要指标。

在太陽能(néng)和光通訊方面(miàn)，由于砷化镓(GaAs)材料具備較佳的能(néng)源轉換率，以及适合接收來自紅光和紅外光等波段訊号，因此适合開(kāi)發(fā)太陽能(néng)電池(Photovoltaics)和光偵測器(Photonic Detection)等應用場域。

近年手機通訊領域蓬勃發(fā)展，帶動無線模塊關鍵零組件濾波器(Filter)、開(kāi)關元件(Switch)與功率放大器(Power Amplifier)等元件需求成(chéng)長(cháng)；而砷化镓材料因具有低噪聲、低耗電、高頻與高效率等特點，已廣泛應用于手機通訊并占有重要地位，帶動砷化镓磊晶需求逐年提升。

在國(guó)防領域，現階段對(duì)紅外光的需求(如紅外光熱影像和高功能(néng)夜視鏡)以中、長(cháng)波長(cháng)紅外光(LWIR、MWIR)等軍事(shì)領域爲主，同樣帶動砷化镓磊晶需求。在生物和醫療領域，由磷化铟(InP)材料作爲雷射光源的關鍵核心，使得相關磊晶需求看漲。整體而言，將(jiāng)化合物半導體多元的材料特性應用于相關元件領域中，可産生許多新的可能(néng)性，帶動磊晶産業持續發(fā)展。

化合物半導體磊晶廠現況

現行化合物半導體商用磊晶制程技術，大緻可分成(chéng)MOCVD(有機金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術)，若以成(chéng)長(cháng)技術而論，MOCVD成(chéng)長(cháng)條件由氣相方法進(jìn)行，透過(guò)氫氣(H2)或氮氣(N2)等特定載氣(Carrier Gas)引導，使三族(III A)和五族(V A)氣體均勻混合後(hòu)，再導入反應腔體中，接着透過(guò)适當的反應溫度(400～800度)，讓氣體裂解并成(chéng)長(cháng)于基闆上。MBE成(chéng)長(cháng)條件則透過(guò)元素加熱方式，借由超高真空環境的腔體，將(jiāng)所需磊晶元素加熱升華形成(chéng)分子束，當分子束接觸基闆後(hòu)，就可形成(chéng)所需磊晶結構。

若以量産速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點，MOCVD爲氣相方式導入反應腔體，其速度較MBE快1.5倍(MBE需時間加熱形成(chéng)分子束)；但以磊晶質量來說，由于MBE可精準控制分子束磊晶成(chéng)長(cháng)，因此相較MOCVD有較佳結果。

觀察現行磊晶廠發(fā)展趨勢，雖MBE所需成(chéng)本較高且速度較慢，但符合國(guó)防和光通訊領域等高精密元件産品需求。目前化合物半導體的IDM廠，大多選擇以MBE磊晶設備爲成(chéng)長(cháng)方式，除了IDM廠外，磊晶代工廠英商IQE和IET，亦選用MBE作爲廠内磊晶設備。

另一方面(miàn)，由于MOCVD采用氣相成(chéng)長(cháng)方式，可快速且大範圍進(jìn)行磊晶成(chéng)長(cháng)，雖然其磊晶質量稍不如MBE，但對(duì)需要大量、大面(miàn)積磊晶成(chéng)長(cháng)的元件産品有吸引性，例如太陽能(néng)電池元件等。目前全球化合物半導體磊晶廠中，主要有6成(chéng)廠商選擇可大範圍成(chéng)長(cháng)的MOCVD機台；另外4成(chéng)則選擇高精密性的MBE設備。

根據2018年全球化合物磊晶廠預估營收占比可知，全球化合物半導體磊晶産業營收已超過(guò)4.9億美元，且英商IQE營收占整體比例約44%，與2016年營收維持相同比例，穩居磊晶龍頭寶座；排名第二的聯亞，2018年預估占比依然維持在16%(同2016年)。此外，全新光電營收占比，由2017年17%降至2018年預估的14%；全球MBE磊晶第二大廠IET(英特磊)營收，則由2017年7%降至2018年預估的5%，其衰退原因與中美貿易戰和全球手機銷售不如預期有關，使得市占率小幅衰退。

化合物半導體磊晶廠未來發(fā)展

針對(duì)化合物半導體未來的終端市場需求，依照不同元件特性可分爲傳輸和無線通訊的5G芯片、耐高溫與抗高電壓的車用芯片，以及可接收和回傳訊号的光通訊芯片三大領域。借由5G芯片、車用芯片與光通訊芯片的元件開(kāi)發(fā)，將(jiāng)帶動未來磊晶廠營收和資本支出，确立未來投資方向(xiàng)。

終端市場未來走向(xiàng)

由化合物半導體發(fā)展趨勢可知，未來元件需求將(jiāng)以高速、高頻與高功率等特性，連結5G通訊、車用電子與光通訊領域的應用，突破矽半導體摩爾定律限制。

▲未來磊晶廠終端産品趨勢；Source：拓墣産業研究院

矽半導體元件因受限于電子遷移率(Electron Mobility)、發(fā)光效率與環境溫度等限制，難以滿足元件特性需求，因此當化合物半導體出現，其高電子遷移率、直接能(néng)隙與寬能(néng)帶等特性，爲元件發(fā)展的未來性提供新契機。随着科技發(fā)展，化合物半導體的元件制程技術亦趨成(chéng)熟，傳統矽半導體的薄膜、曝光、顯影與蝕刻制程步驟，皆已成(chéng)功轉置到化合物半導體上，有助于後(hòu)續半導體産業持續發(fā)展。

關于無線通訊領域的未來發(fā)展，現行廠商已逐漸由原先4G設備更新至5G基礎建設，5G基地台的布建密度將(jiāng)更甚4G，且基地台内部使用的功率元件，將(jiāng)由寬能(néng)帶氮化镓功率元件取代DMOS(雙重擴散金氧半場效晶體管)元件。在基地台建置部分，目前已集中在IDM廠(如Qorvo、Cree與日本住友電工)，且各代工大廠相繼投入，導緻市場競争激烈；此外，中國(guó)廠商原先欲借由并購國(guó)外大廠進(jìn)入氮化镓代工市場，卻因國(guó)防安全爲由受阻，因此現階段中國(guó)廠商對(duì)氮化镓基地台的發(fā)展受限。

爲提升無線通訊質量，5G通訊市場將(jiāng)以較小功率消耗和較佳電子元件等特性爲目标而努力，因此選擇砷化镓和磷化铟等化合物半導體材料，作爲PA(功率放大器)和LNA(低噪音放大器)等射頻元件(Radio Frequency，RF)。

整體而言，由于砷化镓射頻元件市場多由IDM廠(如Skyworks、Qorvo與Broadcom)把持，因此隻有當需求超過(guò)IDM廠負荷時，才會將(jiāng)訂單發(fā)包給其他元件代工廠，對(duì)其他欲投入元件代工的廠商而言則更困難。由于中國(guó)手機市場對(duì)射頻元件的國(guó)内需求增加，且預期5G手機滲透率將(jiāng)提升，或許中國(guó)代工廠商的射頻制程技術提升後(hòu)，可趁勢打入砷化镓代工供應鏈，提高射頻元件市占率。

在車用芯片部分，由于使用環境要求(需于高溫、高頻與高功率下操作)，并配合汽車電路上的電感和電容等，使得車用元件體積較普通元件尺寸占比大，透過(guò)化合物半導體中，寬能(néng)帶半導體材料氮化镓和碳化矽等特性，將(jiāng)有助實現縮小車用元件尺寸。

借由氮化镓和碳化矽取代矽半導體，減少車用元件切換時的耗能(néng)已逐漸成(chéng)爲可能(néng)。以氮化镓和碳化矽材料作爲車用功率元件時，由于寬能(néng)帶材料特性，可大幅縮減周圍電路體積，達到模塊輕量化效果，且氮化镓和碳化矽較矽半導體有不錯的散熱特性，可減少散熱系統模塊，進(jìn)一步朝車用輕量化目标邁進(jìn)。

此外，車用芯片對(duì)光達(LiDAR)傳感器的應用也很重要，爲了實現自動駕駛汽車或無人車技術，先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)中的光達傳感器不可或缺，透過(guò)氮化镓和砷化镓磊晶材料滿足其元件特性，作爲光達傳感器所需。

在光通訊芯片領域方面(miàn)，爲了解決金屬導線傳遞訊号的限制和瓶頸，因而開(kāi)發(fā)以雷射光在光纖中作爲傳遞源的概念，突破原先電子透過(guò)金屬纜線下容易發(fā)生電阻和電容時間延遲(RC Delay)現象，且借由雷射光快速傳遞和訊号不易衰退特性，使得矽光子技術(Silicon Photonics)逐漸受到重視。

由于光通訊芯片對(duì)光收發(fā)模塊的需要，PD(光偵測器)與LD(雷射偵測器)等模塊需求上升，帶動砷化镓與磷化铟磊晶市場。此外，近年手機搭配3D感測應用有明顯成(chéng)長(cháng)趨勢，帶動VCSEL(垂直腔面(miàn)發(fā)射激光器)元件需求增加，砷化镓磊晶也逐步升溫，未來3D感測用的光通訊芯片，其應用範圍除了手機，亦將(jiāng)擴充至眼球追蹤技術、安防領域(Security)、虛拟實境(VR)與近接識别等領域。

磊晶廠未來展望

雖然2018年手機銷售量相較2017年略爲衰退，且2019年手機銷售量將(jiāng)趨于保守，但近年因Apple手機的3D感測技術受到重視，帶動非Apple陣營加速導入3D感測市場，促使VCSEL需求增溫，對(duì)光通訊領域的元件需求有增加趨勢，帶動2018年部分磊晶廠資本支出成(chéng)長(cháng)。

2019年手機銷售量可能(néng)下滑和5G手機預估滲透率偏低等情形，將(jiāng)影響手機元件市場(如PA和LNA)與磊晶廠營收表現，現階段5G通訊領域還(hái)有待電信營運商的基地台建置和開(kāi)發(fā)市場，2019年營收成(chéng)長(cháng)有限，將(jiāng)連帶影響磊晶廠部分營收。

車用芯片由于使用環境較爲嚴苛與需承受高電壓和高溫等條件，多選擇氮化镓和碳化矽等化合物半導體；而電動車市場未來將(jiāng)持續小幅成(chéng)長(cháng)，帶動車用功率半導體元件需求，進(jìn)而推升氮化镓和碳化矽磊晶營收成(chéng)長(cháng)。

此外，先進(jìn)駕駛輔助系統的光達元件需求逐年提升，促使氮化镓和砷化镓磊晶需求增溫，整體而言，未來車用化合物芯片的需求將(jiāng)逐步增加，成(chéng)爲磊晶市場持續成(chéng)長(cháng)的主要動能(néng)之一。

媒體報道(dào)，近日位于山東青島萊西經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區的中科鋼研碳化矽項目正在加緊建設，今年將(jiāng)實現投産。

據悉，該項目總投資10億元，占地約80畝，建築面(miàn)積5萬平方米，主要生産高品質、大規格碳化矽晶體襯底片。項目達産後(hòu)，將(jiāng)實現年産5萬片4英寸碳化矽晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化矽晶體襯底片。

中科鋼研表示，未來將(jiāng)把國(guó)家級現金警惕研究院設在萊西，專注碳化矽研發(fā)生産，力争在三年内接近歐美最高水平。

碳化矽是第三代半導體材料，在高溫、高壓與高頻條件下有優異的性能(néng)表現，适用于汽車、鐵路、工業設備、家用消費電子設備、航空航天等領域，是目前最受關注的新型半導體材料之一。

從産業鏈角度看，碳化矽包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，目前全球碳化矽市場基本被國(guó)外企業所壟斷。

國(guó)内市場，目前已初步形成(chéng)了涵蓋各環節的碳化矽産業鏈，在政策利好(hǎo)以及市場驅動下，國(guó)内企業在這(zhè)一環節正努力跟跑與趕超。

齊魯網報道(dào)，3月19日，山東有研集成(chéng)電路用大尺寸矽材料規模化生産項目開(kāi)工儀式在德州經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區舉行。

據悉，該項目于2018年7月由德州與有研科技集團半導體材料公司簽訂，是山東省2019年省級重點“頭号”項目，對(duì)德州打造戰略性新興特色産業集群發(fā)展意義重大。

該項目總投資約80億元，分兩(liǎng)期建設。其中，一期新建8英寸矽片生産線，年産能(néng)達180萬片，預計今年5月啓動主體建設，項目達産後(hòu)可實現年銷售收入10億元、利稅2億元。

二期規劃年産能(néng)360萬片12英寸矽片，達産後(hòu)可實現銷售收入25億元，利稅6億元。

3月12日，矽基半導體材料企業新傲科技舉辦“SOI 30K生産線項目首台工藝設備搬入儀式”，标志着其SOI 30K建設進(jìn)入沖刺階段。

據新傲科技總經(jīng)理王慶宇介紹，新傲科技8英寸SOI項目，經(jīng)曆了廠房改建、技術合作、産品論證、規模上量等多方面(miàn)的挑戰，一步一個腳印走到今天非常不容易。目前，由于5G和電動汽車市場的快速發(fā)展，全球SOI材料需求旺盛，SOI 30K項目的建成(chéng)將(jiāng)爲客戶提供更多高品質的SOI材料。

搬入儀式現場，中芯集成(chéng)電路（甯波）有限公司首席運營官邝亞鐳、東京電子（上海）有限公司資深副總經(jīng)理王燦園亦出席并緻辭祝賀。

資料顯示，新傲科技成(chéng)立于2001年，由中科院上海微系統所牽頭、聯合中外投資者設立，現隸屬中國(guó)矽産業集團，是一家定制SOI、EPI矽片及半導體行業解決方案供應商，可提供4英寸、5英寸、6英寸SOI晶片和SOI外延片以及8英寸SOI片；亦可提供4-6英寸的規格與要求的外延矽産品和外延加工服務，現已開(kāi)始批量提供8英寸外延片。

據了解，RF-SOI是專門用于制造智能(néng)手機和其他産品中的特定射頻芯片（如開(kāi)關和天線調諧器）的專用工藝，RF SOI是絕緣體上矽（SOI）技術的RF版。随着對(duì)用于智能(néng)手機前端模塊（FEM）中的RF-SOI和用于汽車、消費電子行業中的Power-SOI的需求不斷上漲，全球市場對(duì)200mm SOI晶圓的需求與日俱增，一度出現産能(néng)緊張現象。

如今5G時代及相關新應用即將(jiāng)到來，業界預測市場對(duì)SOI晶圓的需求將(jiāng)迎來新一波爆發(fā)式增長(cháng)，作爲全球SOI晶圓主要供應商之一，新傲科技自2018年起(qǐ)啓動了8英寸SOI晶圓生産線擴産計劃，同時亦在規劃12英寸SOI生産線，爲未來毫米波射頻器件和FD-SOI做好(hǎo)準備。

今年2月，新傲科技與SOI晶圓供應商Soitec聯合宣布雙方將(jiāng)加強合作關系，擴大新傲科技位于中國(guó)上海制造工廠的200mm SOI晶圓年産量，從年産18萬片增加至36萬片，以更好(hǎo)地服務全球市場對(duì)RF-SOI、Power-SOI産品的增長(cháng)性需求。

随着SOI 30K生産線項目的持續推動，新傲科技有望抓住5G産業帶來的發(fā)展機遇，加速半導體材料國(guó)産替代進(jìn)程。

2月25日，飛凱材料發(fā)布其2018年年報。在過(guò)去一年裡(lǐ)，飛凱材料交出了一份不錯的成(chéng)績單。

年報顯示，2018年飛凱材料實現營業收入14.46億元，同比增長(cháng)76.23%；實現歸屬于上市公司股東淨利潤2.84億元，同比增長(cháng)239.37%。從數據上看，2018年飛凱材料整體業績無疑是喜人的。

電子化學(xué)材料成(chéng)爲新的利潤增長(cháng)極

飛凱材料原爲光纖塗料企業，近年來則持續拓展完善電子化學(xué)材料領域的布局。

據介紹，飛凱材料的電子化學(xué)材料主要包括半導體材料及顯示材料，如濕制程電子化學(xué)品、光刻膠、錫球、環氧塑封料、TN/STN型混合液晶等，應用于半導體封裝及液晶顯示面(miàn)闆的生産和制造領域。

2017年，飛凱材料通過(guò)子公司安慶飛凱收購長(cháng)興昆電60%股權，長(cháng)興昆電是中高端器件及IC 封裝所需的材料領域主要供貨商之一，飛凱材料借此進(jìn)入半導體封裝材料領域；随後(hòu)，飛凱材料收購了大瑞科技100%股權，大瑞科技系全球BGA、CSP等高端IC封裝用錫球的主要廠商，飛凱材料進(jìn)一步拓展半導體材料産品線。

目前電子化學(xué)材料已成(chéng)爲飛凱材料兩(liǎng)大業務闆塊之一。這(zhè)次2018年年報中，飛凱材料指出，2018年業績增長(cháng)有5大驅動因素，包括實現了對(duì)長(cháng)興昆電、大瑞科技、和成(chéng)顯示的業績并表；紫外固化材料量價齊升，銷售保持穩定增長(cháng)達33.23%；電子化學(xué)材料闆塊實現營業收入9.38億元，同比增長(cháng)102.88%，占報告期公司營業收入的64.90%，成(chéng)爲新的利潤增長(cháng)極等。

飛凱材料表示，亞太地區已成(chéng)爲全球封裝材料主要增長(cháng)點，且國(guó)内封裝材料市場大部分爲外商占有，存在巨大的替代空間。公司安慶集成(chéng)電路電子封裝材料基地建設項目已通過(guò)立項并開(kāi)始動工，内部資源的協同效應將(jiāng)不斷增強和釋放。

獲裝備基金入股，積極切入半導體制造材料

目前，飛凱材料的半導體材料主要以封裝材料爲主，未來將(jiāng)進(jìn)一步加快布局。

飛凱材料在其發(fā)展戰略上指出，將(jiāng)進(jìn)一步加大對(duì)于集成(chéng)電路行業配套電子化學(xué)品的資源投入，擴大産品應用、豐富産品線等。此外，飛凱材料亦計劃將(jiāng)積極通過(guò)與外部合作的方式進(jìn)入半導體制造材料市場，力争盡快落實相關工作，將(jiāng)盡快切入半導體前端制造用材料市場。

值得一提的是，2018年12月，飛凱材料控股股東飛凱控股以協議轉讓的方式向(xiàng)上海半導體裝備材料産業投資基金合夥企業（有限合夥）轉讓其持有的飛凱材料7.00%股權，該股份轉讓協議事(shì)項的股份過(guò)戶登記手續已辦理完成(chéng)。

上海裝備材料基金是國(guó)家大基金重點參投的“聚焦型”産業基金，主要聚焦集成(chéng)電路設備和材料領域。飛凱材料獲上海裝備材料基金入股後(hòu)，可借助裝備基金的資源優勢，加快其在半導體材料領域的拓展步伐，同時還(hái)可尋求共同對(duì)外投資收購的機會。

飛凱材料表示，2019年將(jiāng)繼續重點關注半導體制造及封裝配套材料領域、屏幕顯示用材料領域，還(hái)將(jiāng)積極推進(jìn)外部合作項目的落地及市場推廣工作，包括光刻膠及其原材料項目、OLED 材料項目、半導體前端制造配套材料項目等。

2月21日，浙江海甯市舉行“雙招雙引”項目集中簽約儀式，共有20個重點項目簽約，投資總額116.25億元，其中外資項目11個、内資項目9個，涵蓋新材料、智能(néng)制造、泛半導體裝備和材料等領域。

這(zhè)次簽約的半導體産業項目涉及設備、封裝、材料等領域，包括矽邁半導體設備項目、高端半導體芯片封裝倒裝焊項目、碳化矽材料研發(fā)及制造項目、半導體基礎材料項目等，將(jiāng)助力海甯市泛半導體産業持續做強做大。

其中，矽邁半導體設備項目爲外商獨資，項目内容爲半導體光刻機的生産，總投資7000萬美元；高端半導體芯片封裝倒裝焊項目爲中外合資，項目内容爲半導體倒裝焊封測設備研發(fā)及生産，總投資120萬美元；碳化矽材料研發(fā)及制造項目爲外商獨資，總投資20000萬美元；半導體基礎材料項目爲内資項目，投資總額2000萬元。

據了解，泛半導體産業是海甯的培養重點。今年1月9日，海甯市第十五屆人民代表大會第三次會議上提到的2019年目标任務中指出，2019年海甯市要集中打造泛半導體産業基地、泛半導體産業招商和集成(chéng)電路人才培養等方面(miàn)，招商重點聚焦高端專業設備、基礎材料、核心元器件三大領域。

資料顯示，2018年年中海甯市集成(chéng)電路及相關産業已形成(chéng)超45億元年産值規模，産業涵蓋裝備、材料及集成(chéng)模塊，擁有規上企業37家、上市企業3家。随着後(hòu)續不斷簽約加入的企業陣營，海甯泛半導體産業將(jiāng)進(jìn)一步發(fā)展壯大。

2月15日，台積電發(fā)布公告，經(jīng)完整評估日前受到光阻原料事(shì)件影響的晶圓後(hòu)，更新2019年第一季業績展望，該事(shì)件預計將(jiāng)使第一季度營收減少約5.5億美元。

光阻原料事(shì)件發(fā)生于上個月底。1月29日，芯片供應鏈人士在微博上爆料稱，台積電南科晶圓廠發(fā)生晶圓污染，導緻部分晶圓報廢；随後(hòu)媒體報道(dào)稱，發(fā)生事(shì)故的是台積電台南科學(xué)園區Fab14晶圓廠的16/12nm工藝産線，事(shì)故原因是進(jìn)口化學(xué)原料沒(méi)有達到要求導緻生産的晶圓被污染。

這(zhè)次公告中台積電回顧該事(shì)件稱，表示公司發(fā)現晶圓14B廠生産的12/16nm晶圓有良率異常的現象，經(jīng)追查後(hòu)發(fā)現來自一家化學(xué)原料供應商的一批光阻原料中某特定成(chéng)分因被處理的方式與過(guò)去有異，導緻光阻液中産生異質的聚合物，而此異質聚合物對(duì)該廠生産的12/16nm晶圓産生了不良影響。

光阻原料事(shì)件發(fā)生後(hòu)，台積電起(qǐ)初曾表示初步估計該事(shì)件不影響第一季度業績，随後(hòu)則稱預計受影響的晶圓大部分能(néng)在第一季度補回，若有第一季無法補回的也應能(néng)在第二季補回。如今台積電表示，爲了确保出貨予客戶的晶圓質量，台積電決定報廢的晶圓數量較先前評估的更多。

根據評估，光阻原料事(shì)件預計使台積電第一季度營收減少約5.5億美元，毛利率減少2.6個百分點，營業利益率減少3.2個百分點，每股盈餘減少新台币0.42元；該事(shì)件預計將(jiāng)使2019年全年毛利率減少0.2個百分點，營業利益率減少0.2個百分點，每股盈餘減少新台币0.08元。

此外，第一季度報廢的晶圓將(jiāng)于第二季補足。此將(jiāng)貢獻第二季營收約5.5億美元，毛利率增加1.5個百分點，營業利益率增加2.1個百分點，每股盈餘增加新台币0.34元。同時，台積公司已采取行動，將(jiāng)部分産品自第二季提前投産，并也看見一些需求的增加。此兩(liǎng)項因素將(jiāng)額外貢獻第一季的營收約2.3億美元。

根據此前台積電作出的第一季度業績預告，預計2019年第一季度合并營收預計介于73億美元至74億美元之間；毛利率預計介于43%至45%之間；營業利潤率預計介于31%至33%之間。現公告稱，受光阻原料事(shì)件影響，台積電預估第一季度營收將(jiāng)介于70億美元至71億美元之間，毛利率將(jiāng)介于41%至43%之間，營業利益率將(jiāng)介于29%至31%之間。

台積電表示，公司發(fā)現此問題，便立即通知所有受到影響的客戶，與其保持密切聯系，并個别溝通替代方案和産品交期，公司也已采取行動加強在線晶圓檢測并對(duì)進(jìn)貨原料更嚴加控管，以因應日益複雜的先進(jìn)制程技術。

據了解，這(zhè)次事(shì)件涉及的光阻原料（光阻液/光阻劑）爲一種(zhǒng)感光薄膜材料，主要通過(guò)光照産生的化學(xué)反應在晶圓上形成(chéng)圓形，是晶圓制造過(guò)程中的重要化學(xué)材料之一，全球前三大光阻劑廠商爲T.O.K.、JSR、信越。