近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能(néng)晶源”）成(chéng)功研制“8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚能(néng)晶源也因此成(chéng)爲截至目前公司已知全球範圍内領先的可提供具備長(cháng)時可靠性的8英寸GaN外延晶圓的生産企業，但當期尚未實現量産。
第三代半導體材料氮化镓有何優勢？
據悉，與第二代半導體矽（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半導體材料氮化镓（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3 eV），一般也被稱爲寬禁帶半導體材料。得益于禁帶寬度的優勢，GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能(néng)力方面(miàn)都(dōu)明顯優于Si、GaAs等傳統半導體材料。
此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面(miàn)也較Si更爲優異，因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、雲計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景。
與此同時，將(jiāng)GaN外延生長(cháng)在矽襯底之上，可以有效地結合GaN材料的高性能(néng)以及成(chéng)熟Si晶圓的大尺寸、低成(chéng)本優勢。基于先進(jìn)的GaN-on-Si技術，可以在實現高性能(néng)GaN器件的同時將(jiāng)器件制造成(chéng)本控制在與傳統Si基器件相當的程度。
因此，GaN-on-Si技術也被業界認爲是新型功率與微波電子器件的主流技術。
設立子公司布局有成(chéng)效
2018年，公司先後(hòu)投資設立了聚能(néng)晶源、青島聚能(néng)創芯微電子有限公司，依托專業團隊優勢，聯合産業資源，積極布局并把握下一代功率與微波電子領域的市場機遇。
自成(chéng)立以來，聚能(néng)晶源積極投入研發(fā)，充分發(fā)揮核心團隊的技術優勢，先後(hòu)攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長(cháng)等技術難關，成(chéng)功研制了達到全球業界領先水平的8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓。
該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能(néng)力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足産業界中高壓功率電子器件的應用需求。
耐威科技表示，在采用國(guó)際業界嚴苛判據标準的情況下，聚能(néng)晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面(miàn)具有性能(néng)優勢，能(néng)夠保障相關材料與技術在5G通訊、雲計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。
公告稱，本次“8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成(chéng)功，短期内不會對(duì)公司的生産經(jīng)營産生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備，有利于增強公司核心競争力并把握市場機遇。