卓勝微定增30億投資射頻芯片模組等項目 國(guó)産替代進(jìn)程加速

卓勝微定增30億投資射頻芯片模組等項目 國(guó)産替代進(jìn)程加速

5月31日晚間,卓勝微披露非公開(kāi)發(fā)行股票預案,公司拟向(xiàng)不超過(guò)35名特定投資者,募集資金不超過(guò)30.06億元,扣除發(fā)行費用後(hòu),主要用于高端射頻濾波器芯片及模組研發(fā)和産業化項目5G通信基站射頻器件研發(fā)及産業化項目、以及補充流動資金。

其中,“高端射頻濾波器芯片及模組研發(fā)和産業化項目”,總投資爲227,430.12萬元,用于高端射頻濾波器芯片及模組研發(fā)和産業化項目。本項目拟使用募集資金141,760.77元。

預案披露,本項目的建設將(jiāng)有助于打破國(guó)外廠商在高端應用領域的壟斷,搶位高端濾波器的國(guó)産化,實現進(jìn)口替代。同時,通過(guò)與Found r y合作自建生産專線,是充分利用各自優勢,快速實現高端濾波器産品工藝技術能(néng)力和量産能(néng)力。

“5G通信基站射頻器件研發(fā)及産業化項目”,總投資爲163,801.33萬元,用于5G通信基站射頻器件研發(fā)及産業化項目。本項目拟使用募集資金83,793.00萬元。

預案顯示,本項目的建設將(jiāng)有助于打破國(guó)外廠商在基站通信應用領域的壟斷,加快通信基站射頻器件的國(guó)産化替代進(jìn)程。同時,通過(guò)設置本項目布局通信基站射頻器件相關産品,有助于打破國(guó)外廠商在該領域的持續壟斷,搶位5G通信基站射頻器件的國(guó)産化發(fā)展先機。

卓勝微表示,本次募投項目的實施,是公司把握國(guó)家在高端射頻濾波器芯片、通信基站射頻器件領域的政策支持,順應射頻芯片行業和下遊手機及新興消費電子等領域蓬勃發(fā)展市場機遇的重要舉措,符合公司進(jìn)一步提升核心技術、深化業務布局的戰略規劃。

公開(kāi)資料顯示,卓勝微主營業務爲射頻集成(chéng)電路領域的研究、開(kāi)發(fā)與銷售,公司主要向(xiàng)市場提供射頻開(kāi)關、射頻低噪聲放大器、射頻濾波器等射頻前端分立器件及各類模組的應用解決方案,同時還(hái)對(duì)外提供低功耗藍牙微控制器芯片。

作爲國(guó)内射頻芯片龍頭企業之一,卓勝微上市以來,受到市場追捧,截至5月29日收盤,公司股價548.62元/股,較發(fā)行價上漲1454.60%,成(chéng)爲江蘇“股王”,在整個A股市場,其股價也僅次于貴州茅台、長(cháng)春高新。

數據顯示,2019年,卓勝微實現營業收入15.12億元,同比增長(cháng)169.98%;實現歸屬于上市公司股東的淨利潤4.97億元,同比增長(cháng)206.27%。業績高增之下,卓勝微拟以1億股爲基數,向(xiàng)全體股東每10股派發(fā)現金紅利10元(含稅),以資本公積金向(xiàng)全體股東每10股轉贈8股。

功率半導體企業無錫新潔能(néng)IPO過(guò)會

功率半導體企業無錫新潔能(néng)IPO過(guò)會

5月28日,中國(guó)證監會第十八屆發(fā)審委2020年第81次會議審核結果顯示,無錫新潔能(néng)股份有限公司(以下簡稱“新潔能(néng)”)(首發(fā))獲通過(guò)。

發(fā)審委會議上,發(fā)審委針對(duì)新潔能(néng)2019年扣非歸母淨利潤、綜合毛利率較上年同期降幅較大,采用直銷爲主、經(jīng)銷爲輔的銷售模式,前五大供應商采購占比較高,華虹宏力報告期内均爲發(fā)行人第一大供應商等相關問題提出詢問。

資料顯示,新潔能(néng)成(chéng)立于2013年,是國(guó)内主要半導體功率器件設計企業之一,主營業務爲MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發(fā)設計及銷售,目前初步完成(chéng)先進(jìn)封裝測試生産線的建設,將(jiāng)少部分芯片自主封裝成(chéng)功率器件後(hòu)對(duì)外銷售,公司銷售的産品按照是否封裝可以分爲芯片和功率器件。

數據顯示,2016年至2019年1-6月,新潔能(néng)的營業收入分别爲4.22億元、5.04億元、7.16億元和3.28億元,歸母淨利潤分别爲3603.85萬元、5189.11萬元、1.41億元、3743.16萬元,綜合毛利率分别爲18.89%、24.69%、31.63%和19.65%。

根據招股書,新潔能(néng)本次申請主闆上市拟公開(kāi)發(fā)行股票不超過(guò)2530萬股,不低于發(fā)行後(hòu)總股本的25%,拟募集資金10.21億元,扣除發(fā)行費用後(hòu)將(jiāng)用于投資以下項目:超低能(néng)耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及産業化、半導體功率器件封裝測試生産線建設、碳化矽寬禁帶半導體功率器件研發(fā)及産業化、研發(fā)中心建設、補充流動資金。

新潔能(néng)表示,未來公司將(jiāng)進(jìn)一步依托技術、品牌、渠道(dào)等綜合優勢,全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT的研發(fā)與産業化,持續布局半導體功率器件最先進(jìn)的技術領域,并投入對(duì)SiC/GaN寬禁帶半導體的研發(fā)及産業化,提升公司核心産品競争力和國(guó)内外市場地位。

士蘭集科首批設備搬入

士蘭集科首批設備搬入

5月20日,深圳中科飛測科技有限公司(以下簡稱“中科飛測”)橢偏膜厚量測儀作爲首批設備正式搬入廈門士蘭集科微電子有限公司(以下簡稱“士蘭集科”)。

資料顯示,士蘭集科由廈門半導體投資集團和士蘭微共同出資成(chéng)立,注冊資本爲20億元,其中廈門半導體投資集團出資17億元,占股85%;士蘭微出資3億元,占股15%,主要負責實施運營士蘭微在廈門建設的12英寸特色工藝半導體芯片制造生産線項目。

該項目總投資170億元,建設兩(liǎng)條以MEMS、功率器件爲主要産品的12英寸集成(chéng)電路制造生産線。其中第一條12英寸特色工藝半導體芯片制造生産線項目總建築面(miàn)積約25萬平方米,總投資70億元,分兩(liǎng)期建成(chéng),規劃産能(néng)8萬片/月。項目一期總投資50億元,實現月産能(néng)4萬片;二期項目總投資40億元,新增月産能(néng)4萬片。5月10日,該項目在海滄正式通電

第二條芯片制造生産線預計總投資100億元,定位爲功率半導體芯片及MEMS傳感器。項目一期預計2020年完成(chéng)廠房建設及設備安裝調試,2021年實現通線生産,2022年達産。項目二期2022年前後(hòu)啓動,2024年達産。

廈門網此前指出,該項目是國(guó)内首條12英寸特色工藝半導體芯片制造生産線,它的落地將(jiāng)填補國(guó)内特色工藝半導體芯片方面(miàn)的空白,助力我國(guó)在特色工藝半導體芯片方面(miàn)實現彎道(dào)超車,對(duì)提升廈門乃至福建集成(chéng)電路産業在國(guó)家戰略布局中的格局和地位,具有裡(lǐ)程碑意義。

華潤微迎新董事(shì)長(cháng)

華潤微迎新董事(shì)長(cháng)

5月20日,華潤微發(fā)布公告,公司董事(shì)會會議審議通過(guò)了《關于選舉公司董事(shì)長(cháng)的議案》,同意選舉陳小軍擔任公司董事(shì)長(cháng)、董事(shì)會戰略委員會主任委員、董事(shì)會提名委員會委員,任期與公司第一屆董事(shì)會任期一緻。

公告稱,華潤微前任董事(shì)長(cháng)李福利已于4月21日申請辭去公司董事(shì)長(cháng)職務。根據此前公告,李福利因本人工作調整,申請辭去公司董事(shì)長(cháng)、董事(shì)會戰略委員會主任委員、董事(shì)會提名委員會委員職務,李福利辭職後(hòu)將(jiāng)不再擔任公司的任何職務。李福利遞交的辭職報告自送達董事(shì)會之日起(qǐ)生效。

資料顯示,華潤微新任董事(shì)長(cháng)陳小軍1966年生,中國(guó)國(guó)籍。陳小軍曆任中國(guó)通廣電子公司技術開(kāi)發(fā)部幹部、項目經(jīng)理、銷售經(jīng)理、 區域經(jīng)理、總經(jīng)理助理、副總經(jīng)理,中國(guó)瑞達系統裝備有限公司副總經(jīng)理、總經(jīng)理、黨委書記,中國(guó)電子信息産業集團有限公司人力資源部主任,中國(guó)長(cháng)城計算機深圳股份有限公司黨委書記、總經(jīng)理,中國(guó)長(cháng)城科技集團股份有限公司黨委書記、總經(jīng)理、董事(shì)長(cháng),中國(guó)電子信息産業集團有限公司副總經(jīng)理、黨組成(chéng)員。

根據公告,陳小軍現任華潤(集團)有限公司黨委委員、副總經(jīng)理,公司董事(shì),現選舉爲公司董事(shì)長(cháng)。陳小軍未持有公司股票,除在華潤(集團)有限公司任職外與公司或其控股股東及實際控制人不存在關聯關系,未受過(guò)中國(guó)證監會及其他有關部門的處罰和證券交易所懲戒。

華潤微是華潤集團旗下旗下半導體投資運營平台,擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全産業鏈一體化經(jīng)營能(néng)力。今年2月27日,華潤微成(chéng)功登陸科創闆迎來發(fā)展新階段,如今再迎新董事(shì)長(cháng),陳小軍上任將(jiāng)爲華潤微帶來哪些變化?有待後(hòu)續觀察。

民進(jìn)中央兩(liǎng)會提案:推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展

民進(jìn)中央兩(liǎng)會提案:推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展

據人民網發(fā)布的中國(guó)統一戰線新聞網聯合中國(guó)共産黨新聞網推出的“2020年全國(guó)兩(liǎng)會各民主黨派提案選登”報道(dào)顯示,民進(jìn)中央拟提交“關于推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案指出,當前從全球功率半導體市場看,一方面(miàn)傳統的矽材料功率半導體仍然有巨大的發(fā)展空間,有研 究顯示全球市場的碳化矽及氮化镓等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金,矽材料功率半導體芯片市場應用量超過(guò)200億美金。國(guó)際市場的IGBT芯片主流是矽材料5代、6代及7代産品,國(guó)際功率半導體行業認爲,矽材料功率半導體材料已經(jīng)有30多年的大規模市場應用驗證,穩定可靠,價格低,尚有技術發(fā)展空間等特點,在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。

另一方面(miàn)以碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)爲代表的第三代半導體材料正蓬勃發(fā)展,而我國(guó)碳化矽、氮化镓功率半導體器件研發(fā)起(qǐ)步晚,在技術上仍有很大差距。可喜的是,在國(guó)家多項科研計劃的扶持下,這(zhè)方面(miàn)已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術差距,并取得了不少成(chéng)就。

随着工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷湧現以及節能(néng)減排需求日益迫切,我國(guó)功率半導體有龐大的市場需求,容易催生新産業新技術,在國(guó)家政策利好(hǎo)下,功率半導體將(jiāng)成(chéng)爲“中國(guó)芯”的最好(hǎo)突破口。爲此,民進(jìn)中央提出以下建議:

一、進(jìn)一步完善功率半導體産業發(fā)展政策,大力扶持矽材料功率半導體芯片技術攻關,立項支持矽材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展,我國(guó)在矽材料 IGBT芯片技術方面(miàn)有一定的技術基礎和沉澱,可以將(jiāng)集中突破矽材料6代功率芯片産品設計及批量制造工藝技 術作爲發(fā)展重點,采取先易後(hòu)難、解決“有無”問題的發(fā)展策略,盡快實現功率半導體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關。大數據傳輸、雲計算、AI 技術、物聯網,包括下一步的能(néng)源傳輸,對(duì)網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。從産業發(fā)展趨勢看,碳化矽、氮化镓等新材料應用于功率半導體優勢明顯,是下一代功率半導體的核心技術方向(xiàng)。目前碳化矽、氮化镓市場處于起(qǐ)步階段,國(guó)内廠商與海外傳統巨頭之間差距較小,國(guó)内企業有望在本土市場應用中實現彎道(dào)超車。 一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國(guó)家計劃,全面(miàn)部署,竭力搶占戰略制高點。二是引導企業積極滿足未來的應用需求,進(jìn)行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業着力攻克一批産業發(fā)展關鍵技術、應用技術難題,在國(guó)際競争中搶占先機。三是要避免對(duì)新概念的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現潛力到産業化,需要建立起(qǐ)高效的産學(xué)研體系,打造更加開(kāi)放包容的投資環境。

三、謹慎支持收購國(guó)外功率半導體企業。通過(guò)收購很難實現完全學(xué)會和掌握國(guó)際先進(jìn)的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術,同時海外工廠制造的産品仍然存在着無法出口到中國(guó)的危險。

惠科6英寸晶圓半導體功率器件及第三代半導體項目封頂

惠科6英寸晶圓半導體功率器件及第三代半導體項目封頂

5月19日,青島市即墨區惠科6英寸晶圓半導體功率器件及第三代半導體項目舉辦封頂儀式。

Source:海外網

惠科6英寸晶圓半導體功率器件及第三代半導體項目由中建八局一公司承接,位于青島市即墨區北安街道(dào)辦事(shì)處太吉路1号,地處青島汽車産業新城片區,規劃總占地面(miàn)積約41755.29㎡,建築面(miàn)積約60526.85㎡,共包含生産區與附屬配套、生活區的24棟單體與室外工程,其中芯片廠房屬于潔淨廠房。

該項目是集功率半導體器件設計、制造、封裝測試爲一體的全産業鏈項目。同時也是惠科電子有限公司第一個芯片生産廠區,投産後(hòu)産品可應用在高鐵動力系統 、汽車動力系統、消費及通訊電子系統等領域,月産芯片20萬片、WLCSP封裝10萬片,年銷售收入25億元,聚力打造國(guó)内最大的功率器件生産基地,在集成(chéng)電路産業方面(miàn)是青島市具有裡(lǐ)程碑意義的項目,對(duì)青島市發(fā)展自主可控的産業鏈具有更重要的意義。

中建八局一公司惠科項目部自3月18日進(jìn)場施工以來,防疫複工兩(liǎng)手抓,通過(guò)快速啓動,以開(kāi)工即搶工的勢頭,于開(kāi)工一周内組織勞動力近500人, 7天完成(chéng)7台塔吊安裝、15天完成(chéng)動力站、污水處理站筏闆施工、20天完成(chéng)主廠房筏闆施工,61天提前完成(chéng)主廠房封頂,共計澆築混凝土5.7萬立方米,使用鋼筋6500餘噸。

該項目潔淨區潔淨度要求百級以上,爲滿足潔淨度及通風要求,芯片廠房潔淨生産區共設置7288個奇氏筒。項目管理人員屬首次接觸此種(zhǒng)結構形式。且此區域地面(miàn)平整度設計要求爲2mm/2m,意味着每兩(liǎng)米地面(miàn)高低落差不能(néng)高于2mm,較規範要求的平整度偏差8mm更加嚴苛。項目通過(guò)使用“五步超平”法(支模架體的調平、木方的調平、底模闆鋪設及闆面(miàn)标高的調平、奇氏筒調平、混凝土找平),同時采用BIM技術演示,模拟工序節點指導現場施工,高效精确地完成(chéng)了設計要求。

國(guó)務院印發(fā)《中韓(長(cháng)春)國(guó)際合作示範區總體方案》 加強半導體領域合作

國(guó)務院印發(fā)《中韓(長(cháng)春)國(guó)際合作示範區總體方案》 加強半導體領域合作

5月12日,國(guó)家發(fā)改委發(fā)布關于印發(fā)《中韓(長(cháng)春)國(guó)際合作示範區總體方案》(以下簡稱“《方案》”)的通知。據國(guó)家發(fā)改委網站消息,通知指出,《中韓(長(cháng)春)國(guó)際合作示範區總體方案》已經(jīng)國(guó)務院批複同意(國(guó)函﹝2020﹞45号)。

《方案》指出,中韓(長(cháng)春)國(guó)際合作示範區選址在長(cháng)春市區東北部,近期開(kāi)發(fā)面(miàn)積約36平方公裡(lǐ),遠期總面(miàn)積約210平方公裡(lǐ),四至範圍根據國(guó)土空間規劃依法定程序确定。示範區按照總體規劃、分期實施的原則進(jìn)行建設,構建“一核、兩(liǎng)翼、多園”的空間格局。

同時,《方案》還(hái)提出了推動産業鏈協同合作、建設開(kāi)放合作平台載體、以及加強創新和人文合作三大重點任務。

其中,在信息技術産業方面(miàn),要加強與韓國(guó)企業以及國(guó)内外知名企業合作,支持人工智能(néng)、物聯網、工業互聯網、5G+VR/4K、軟件開(kāi)發(fā)等産業合作。積極推進(jìn)化合物半導體、功率半導體(IGBT等)、芯片、新型顯示配套材料、智能(néng)家電等領域合作。

高端裝備和智能(néng)制造方面(miàn),將(jiāng)重點推進(jìn)工業機器人、服務機器人、增材打印、智能(néng)裝備制造、智能(néng)控制系統、智能(néng)儀器儀表、新能(néng)源汽車和智能(néng)網聯汽車、節能(néng)環保和冰雪裝備等産業國(guó)際合作,加快建設工業機器人制造産業園區,謀劃建設智能(néng)環保裝備産業園、智能(néng)農機裝備産業園和冰雪裝備制造産業園。支持在示範區布局新能(néng)源汽車、智能(néng)網聯汽車關鍵零部件産業。

電力半導體企業派瑞股份正式登陸創業闆

電力半導體企業派瑞股份正式登陸創業闆

5月7日,電力功率半導體器件供應商西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司(以下簡稱“派瑞股份”)正式在深圳證券交易所創業闆挂牌上市。

根據上市公告書,派瑞股份本次公開(kāi)發(fā)行總股數爲8000萬股(占發(fā)行後(hòu)總股本的25.00%),發(fā)行價格爲3.98元/股,募集資金總額爲3.18億元,扣除發(fā)行費用後(hòu)募集資金淨額2.69億元。上市首日,派瑞股份截至午間休盤的股價爲5.73元/股,漲幅超過(guò)40%。

資料顯示,派瑞股份主營業務爲電力半導體器件和裝置的研發(fā)、生産、實驗調試和銷售服務,産品可分爲高壓直流閥用晶閘管、普通元器件及電力電子裝置三大類,其中高壓直流閥用晶閘管業務貢獻主要營收。

據了解,派瑞股份的控股股東是西安電力電子技術研究所(以下簡稱“西電所”),直接持有派瑞股份1.27億股股份,占本次發(fā)行後(hòu)公司總股本的39.55%。陝西省國(guó)資委通過(guò)科控集團和西電所間接持有派瑞股份1.36億股股份,占該公司股份總數的42.3487%,爲派瑞股份的實際控制人。

招股書介紹稱,西電所是我國(guó)電力半導體器件的發(fā)源地,我國(guó)第一隻整流管、晶閘管、快速晶閘管、雙向(xiàng)晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管(GTO)、光控晶閘管等電力半導體器件均由西電所研發(fā)。派瑞股份繼承了西電所的技術,掌握了先進(jìn)的5英寸超大功率電控、光控晶閘管制造技術,研制出擁有自主知識産權的6英寸特大功率電控晶閘管等産品。

此次上市,派瑞股份拟將(jiāng)所募集資金投資建設大功率電力半導體器件及新型功率器件産業化項目。項目第一階段目标是建立8英寸芯片生産線,研發(fā)8英寸功率器件,額定電流達到或超過(guò)8000A;第二階段目标是研發(fā)SiC器件及模塊,建立SiC器件實驗中心,在第一階段成(chéng)果的基礎上形成(chéng)小批量生産SiC器件的能(néng)力,爲實現SiC器件産業化奠定基礎。

派瑞股份表示,新的生産線工藝設備可生産特大功率8英寸晶閘管,并可向(xiàng)下兼容生産現有産品,包括直流輸電用超大功率5英寸、6英寸晶閘管以及普通元器件。同時,在晶閘管生産線的基礎上,研發(fā)IGCT和SiC器件等高端産品,通過(guò)建立第三代器件研發(fā)中心研發(fā)SiC器件,以期在第三代功率器件的技術和産品化方面(miàn)獲得突破。

總投資30億元 揚傑功率半導體芯片封裝測試項目開(kāi)工

總投資30億元 揚傑功率半導體芯片封裝測試項目開(kāi)工

4月28日,揚傑功率半導體器件及集成(chéng)電路封裝測試項目主體工程開(kāi)工。

據揚州日報報道(dào),揚傑功率半導體器件及集成(chéng)電路封裝測試項目總投資30億元,計劃2年内建成(chéng)功率半導體芯片封測生産車間,5年内建成(chéng)功率半導體芯片車間,通過(guò)建設高水平的智能(néng)終端用超薄微功率半導體芯片封測基地,實現高端功率半導體的進(jìn)口替代。

揚州廣電指出,該項目主要從事(shì)功率半導體晶圓、集成(chéng)電路封裝測試的研發(fā)、生産和銷售。其中,一期項目計劃投入資金13.8億元,主要建設智慧終端用超薄微功率半導體芯片封裝測試及配套設施,二期項目計劃投入資金16.2億元,主要建設大尺寸功率半導體晶圓産線。

揚州邗江區領導王慶偉指出,揚傑功率半導體器件及集成(chéng)電路封裝測試項目全面(miàn)建成(chéng)投産後(hòu),可形成(chéng)每月2000KK封裝、6萬片功率半導體芯片的産能(néng)。

揚傑電子科技股份有限公司執行總裁梁瑤表示,先將(jiāng)集成(chéng)電路的封裝測試項目進(jìn)行開(kāi)工建設,到今年年底,整個建設完成(chéng),明年的春季就可以投産使用。

積塔半導體特色工藝生産線一期建成(chéng)投片

積塔半導體特色工藝生産線一期建成(chéng)投片

疫情之下,上海集成(chéng)電路企業韌性十足,加速複工複産。近日,位于臨港新片區的積塔半導體特色工藝生産線一期建成(chéng)投片。

臨港新片區積塔半導體特色工藝生産線總投資359億元,占地面(miàn)積23萬平方米。在特色工藝生産線的無塵生産車間,半導體芯片的整個制作流程被展示在牆上,原始晶圓要經(jīng)過(guò)光刻、離子注入,刻蝕等步驟方能(néng)成(chéng)爲成(chéng)品。

Source:浦東電視台

積塔半導體五廠廠長(cháng) 戴學(xué)春:這(zhè)個光刻工藝實際上反映了我們制造工藝的水平,現在目前的配置是有兩(liǎng)台光刻機,我們可以做到月産5000片,當我們這(zhè)個線全部填滿的時候,能(néng)做到月産6萬片。

作爲上海市重大産業項目,積塔特色工藝生産線建設項目專注于模拟電路及功率器件的制造,支撐工控、汽車電子、智能(néng)電網、能(néng)源等産業發(fā)展,全面(miàn)達産後(hòu)將(jiāng)成(chéng)爲國(guó)内領先的車規級特色工藝生産線,可進(jìn)一步完善上海集成(chéng)電路産業高地布局。

積塔半導體公司首席運營官 郭強:我們積塔半導體這(zhè)個項目首先在設備采購方面(miàn)就選擇了國(guó)際上比較先進(jìn)的一些生産設備,爲我們制造出高端産品提供最基本的保障。公司在國(guó)家的支持下引進(jìn)了一些核心的研發(fā)團隊和生産運營管理團隊,由此,我們就能(néng)開(kāi)發(fā)出和國(guó)際上主要供應商相匹配相對(duì)應的高端功率器件和模拟電路,保障我們的質量符合國(guó)際上汽車電子的規格要求。

據悉,今年初疫情突發(fā),正處于設備密集搬入和組裝期的積塔半導體新線項目面(miàn)臨嚴峻挑戰。公司一手抓疫情防控、一手抓建廠,堅定按照預定節點成(chéng)功通線投片,爲積塔半導體新線實現年内量産奠定了堅實基礎。