據人民網發(fā)布的中國(guó)統一戰線新聞網聯合中國(guó)共産黨新聞網推出的“2020年全國(guó)兩(liǎng)會各民主黨派提案選登”報道(dào)顯示，民進(jìn)中央拟提交“關于推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展的提案”。
提案指出，當前從全球功率半導體市場看，一方面(miàn)傳統的矽材料功率半導體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研 究顯示全球市場的碳化矽及氮化镓等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金，矽材料功率半導體芯片市場應用量超過(guò)200億美金。國(guó)際市場的IGBT芯片主流是矽材料5代、6代及7代産品，國(guó)際功率半導體行業認爲，矽材料功率半導體材料已經(jīng)有30多年的大規模市場應用驗證，穩定可靠，價格低，尚有技術發(fā)展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。
另一方面(miàn)以碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）爲代表的第三代半導體材料正蓬勃發(fā)展，而我國(guó)碳化矽、氮化镓功率半導體器件研發(fā)起(qǐ)步晚，在技術上仍有很大差距。可喜的是，在國(guó)家多項科研計劃的扶持下，這(zhè)方面(miàn)已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術差距，并取得了不少成(chéng)就。
随着工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷湧現以及節能(néng)減排需求日益迫切，我國(guó)功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新産業新技術，在國(guó)家政策利好(hǎo)下，功率半導體將(jiāng)成(chéng)爲“中國(guó)芯”的最好(hǎo)突破口。爲此，民進(jìn)中央提出以下建議：
一、進(jìn)一步完善功率半導體産業發(fā)展政策，大力扶持矽材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持矽材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展，我國(guó)在矽材料 IGBT芯片技術方面(miàn)有一定的技術基礎和沉澱，可以將(jiāng)集中突破矽材料6代功率芯片産品設計及批量制造工藝技 術作爲發(fā)展重點，采取先易後(hòu)難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實現功率半導體芯片自主供給。
二、加大新材料科技攻關。大數據傳輸、雲計算、AI 技術、物聯網，包括下一步的能(néng)源傳輸，對(duì)網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從産業發(fā)展趨勢看，碳化矽、氮化镓等新材料應用于功率半導體優勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向(xiàng)。目前碳化矽、氮化镓市場處于起(qǐ)步階段，國(guó)内廠商與海外傳統巨頭之間差距較小，國(guó)内企業有望在本土市場應用中實現彎道(dào)超車。 一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國(guó)家計劃，全面(miàn)部署，竭力搶占戰略制高點。二是引導企業積極滿足未來的應用需求，進(jìn)行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業着力攻克一批産業發(fā)展關鍵技術、應用技術難題，在國(guó)際競争中搶占先機。三是要避免對(duì)新概念的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現潛力到産業化，需要建立起(qǐ)高效的産學(xué)研體系，打造更加開(kāi)放包容的投資環境。
三、謹慎支持收購國(guó)外功率半導體企業。通過(guò)收購很難實現完全學(xué)會和掌握國(guó)際先進(jìn)的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術，同時海外工廠制造的産品仍然存在着無法出口到中國(guó)的危險。