5月28日，中國(guó)證監會第十八屆發(fā)審委2020年第81次會議審核結果顯示，無錫新潔能(néng)股份有限公司（以下簡稱“新潔能(néng)”）（首發(fā)）獲通過(guò)。
發(fā)審委會議上，發(fā)審委針對(duì)新潔能(néng)2019年扣非歸母淨利潤、綜合毛利率較上年同期降幅較大，采用直銷爲主、經(jīng)銷爲輔的銷售模式，前五大供應商采購占比較高，華虹宏力報告期内均爲發(fā)行人第一大供應商等相關問題提出詢問。
資料顯示，新潔能(néng)成(chéng)立于2013年，是國(guó)内主要半導體功率器件設計企業之一，主營業務爲MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發(fā)設計及銷售，目前初步完成(chéng)先進(jìn)封裝測試生産線的建設，將(jiāng)少部分芯片自主封裝成(chéng)功率器件後(hòu)對(duì)外銷售，公司銷售的産品按照是否封裝可以分爲芯片和功率器件。
數據顯示，2016年至2019年1-6月，新潔能(néng)的營業收入分别爲4.22億元、5.04億元、7.16億元和3.28億元，歸母淨利潤分别爲3603.85萬元、5189.11萬元、1.41億元、3743.16萬元，綜合毛利率分别爲18.89%、24.69%、31.63%和19.65%。
根據招股書，新潔能(néng)本次申請主闆上市拟公開(kāi)發(fā)行股票不超過(guò)2530萬股，不低于發(fā)行後(hòu)總股本的25%，拟募集資金10.21億元，扣除發(fā)行費用後(hòu)將(jiāng)用于投資以下項目：超低能(néng)耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及産業化、半導體功率器件封裝測試生産線建設、碳化矽寬禁帶半導體功率器件研發(fā)及産業化、研發(fā)中心建設、補充流動資金。
新潔能(néng)表示，未來公司將(jiāng)進(jìn)一步依托技術、品牌、渠道(dào)等綜合優勢，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT的研發(fā)與産業化，持續布局半導體功率器件最先進(jìn)的技術領域，并投入對(duì)SiC/GaN寬禁帶半導體的研發(fā)及産業化，提升公司核心産品競争力和國(guó)内外市場地位。