标簽：美光Micron

作爲全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開(kāi)了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術的發(fā)展以及規劃。

據悉，美光的技術研發(fā)和Fab制造工廠遍布全球，其中核心技術研發(fā)主要集中在美國(guó)的愛達荷州（Idaho）基地。Fab工廠分布上，日本主要負責生産DRAM，新加坡主要生産NAND Flash，3D Xpoint工廠則設在美國(guó)的猶他州（Utah），中國(guó)台灣則負責封裝。

此外，爲了滿足汽車市場需求，美光還(hái)在美國(guó)弗吉尼亞州（Virginia）設立了工廠。

最值得關注的是，美光在此次投資者大會上公布了DRAM和NAND Flash的最新技術線路圖。

DRAM方面(miàn)，美光將(jiāng)持續推進(jìn)1Znm DRAM技術，并且還(hái)將(jiāng)基于該先進(jìn)技術推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技術之後(hòu)，美光還(hái)將(jiāng)發(fā)展1α、1β、1γ。

未來美光DRAM産品研發(fā)計劃采用EUV技術。美光表示，其擁有從1Znm至1ynm的成(chéng)熟的技術和成(chéng)本效益，而多重曝光微影技術是它的戰略性優勢。目前，DRAM的EUV光刻技術正在進(jìn)行評估中，準備在合适的時候實現對(duì)EUV技術的應用。

NAND Flash方面(miàn)，繼96層3D NAND之後(hòu)，美光計劃下一代研發(fā)128層3D NAND，采用64+64層的結構。

另外，爲了在芯片尺寸、連續寫入性能(néng)、寫入功耗方面(miàn)領先，美光研發(fā)128層3D NAND時，將(jiāng)實現從Floating Gate技術向(xiàng)Replacement Gate技術過(guò)渡的重大進(jìn)展，以及對(duì)CuA（CMOS under Array）技術的持續利用。

存儲器大廠美光在 21 日上午公布了截至 2019 年 2 月 28 日爲止的該年度第 2 季營收數字。根據數字顯示，其營收達到 58.35 億美元，相較 2018 年同期爲 73.51 億美元，以及第 1 季的爲 79.13 億美元都(dōu)有減少。而且在稅後(hòu)淨利部分，達到 16.19 億美元，與 2018 年同期的 33.09 億美元相比，下降 51%，與第 1 季的 32.93 億美元相比也是下滑。不過(guò)，因爲第 2 季的營收表現超乎華爾街分析師的預期，也拉擡了美光在 21 日美股盤後(hòu)股價大幅上漲逾 5%。

事(shì)實上，在美光公布 2019 年第 2 季财報之前，因爲全球半導體産業的供過(guò)于求，加上智能(néng)型手機需求的減緩，以及雲端運算供應商的采購模式參差不齊，市場原本估計，此市場不景氣的狀況也將(jiāng)對(duì)美光帶來嚴重的沖擊。因爲美光主要以供應手機及筆記型計算機所需要的 NAND Flash 快閃存儲器，以及服務器所使用的 DRAM 爲主要營收項目。不過(guò)，其公布财報的結果卻超乎市場預期。

在從産品面(miàn)來分析，在 DRAM 業務方面(miàn)，營收較 2018 年同期下降 28%，較第 1 季則是成(chéng)長(cháng) 30%，占總營收比重的 64%。至于 NAND Flash 快閃存儲器業務的營收，則是較 2018 年同期下滑 2%，較第 1 季下滑 18%，占總營收的 30%。另外，儲存業務部分的營收則爲 10 億美元，較 2018 年同期下降 19%，較第 1 季下降 11%。這(zhè)是因爲來自 SSD 銷售金額下降，導緻了成(chéng)長(cháng)下滑。

由于美光股價自 2018 年 12 月觸底以來，到目前反彈了近 40%，主要是受惠于市場預期存儲器産業的高庫存情況，有望在 2019 年下半年恢複到正常水平所帶動。盡管美光對(duì)第 3 季的預測低于華爾街預期，但美光表示，2019 年第 4 季市場需求可能(néng)會再次回溫。

自 2018 年第 4 季 DRAM 價格開(kāi)始呈現下跌态勢以來，目前 DRAM 的每季跌幅從之前的 25%，已經(jīng)擴大到 30% 上下，創下 2011 年最大的單季價格降幅，而且 DRAM 的庫存水平一直在攀升。爲了因應這(zhè)樣的市場變化，美光已開(kāi)始執行支出削減計劃，并表示成(chéng)本控制將(jiāng)有助于抵銷芯片價格下降造成(chéng)的影響，目前美光稱已暫停部分工廠産線，以協助保持利潤的回穩。

至于，針對(duì)預計 2019 年第 3 季營運表現，美光預估營收將(jiāng)收介于 46 億到 50 億美元之間，低于分析師預估的 53 億美元。另外，在資本支出上，預計將(jiāng)把 2019 年的資本支出削減至 90 億美元，低于之前預估的 90 億美元至 95 億美元之間。

美國(guó)存儲器大廠美光科技（Micron Technology Inc.）20 日美國(guó)股市盤後(hòu)公布 2019 會計年度第 2 季（截至 2019 年 2 月 28 日）财報：營收年減 20.6%、季減 26.3% 至 58.35 億美元；非一般公認會計原則（Non-GAAP）每股稀釋盈餘年減 39.4% 至 1.71美元。

美光财務長(cháng) Dave Zinsner 在财報電話會議表示，美光第 3 季營收、Non-GAAP 每股稀釋盈餘預估區間分别爲 46.0 億至 50.0 億美元，中間值爲 48.0 億美元；0.75~0.95 美元，中間值爲 0.85 美元。

根據 FactSet 統計，分析師預期美光第 3 季營收、Non-GAAP 每股稀釋盈餘各爲 52.9 億美元、1.18 美元。

美光執行長(cháng) Sanjay Mehrotra 在财報電話會議表示，基于客戶下修 DRAM 需求展望，美光 DRAM 晶圓投片量將(jiāng)縮減約 5%。

他說，此舉將(jiāng)使美光的生産水平接近 2019 年 DRAM 産業位元需求成(chéng)長(cháng)。美光將(jiāng)繼續監控市場并采取适當行動、以确保公司 2019 年的位元供應成(chéng)長(cháng)貼近需求。

Zinsner 20 日宣布將(jiāng) 2019 會計年度資本支出目标自 90 億至 95 億美元修正爲約 90 億美元。他指出，美光第 2 季資本支出排除第三方貢獻不計約 24 億美元，與前一季相當。

截至 2019 會計年度第 2 季底，美光庫存金額爲 44 億美元，較第 1 季底的 39 億美元增加 13%，庫存天數從第 1 季的 107 天升至 134天。Zinsner 表示，最新宣布的減産計劃及客戶需求好(hǎo)轉，將(jiāng)可開(kāi)始解決庫存較高的問題。

截至 2019 會計年度上半年，美光動用 25 億美元買回 6,300 萬股自家公司股票，動用上半年度 76% 的自由現金流量，第 2 季的股票回購金額爲 7.02 億美元。

Zinsner 表示，美光持續將(jiāng)股票回購視爲一種(zhǒng)具吸引力的資本使用方式，在當前 100 億美元授權額度下，公司仍計劃每年至少動用 50% 自由現金流在股票回購。

美光 2019 會計年度第 2 季 Non-GAAP 毛利率報 50.2%，低于第 1 季的 59.0% 及一年前的 58.4%，Zinsner 預估本季將(jiāng)介于 37%~40%。

美光 20 日發(fā)表的投影片資料顯示，2019 會計年度第 2 季旗下運算與網絡事(shì)業單位（NBU）營收年減 35%、季減 34% 至 23.8 億美元，行動事(shì)業單位（MBU）營收年增 3%、季減 27% 至 16.1 億美元，儲存事(shì)業單位（SBU）營收年減 19%、季減 11% 至 10.2 億美元，嵌入式産品事(shì)業單位(EBU）營收年減 4%、季減 14% 至 7.99 億美元。