長(cháng)江存儲程衛華:疫情和全球貿易局勢下,更應審時度勢加強内功修煉

長(cháng)江存儲程衛華:疫情和全球貿易局勢下,更應審時度勢加強内功修煉

“2020年注定是艱難的一年,經(jīng)曆了中美貿易緊張局勢不斷升級,疫情全球蔓延。對(duì)于身處疫情爆發(fā)最中心武漢的長(cháng)江存儲而言,種(zhǒng)種(zhǒng)磨難的感受尤爲深刻。幸運的是在公司全體員工和合作夥伴的攜手努力下,長(cháng)江存儲實現了疫情期間不停産、零感染的目标。”6月27日,在SEMICON CHINA 2020的開(kāi)幕主題演講中,長(cháng)江存儲聯席首席技術官程衛華表示,“在積極複工複産的同時,我們也在思考,如何審時度勢,加強企業自身的内功。”

雖然疫情對(duì)人們生活造成(chéng)了很大影響,但是對(duì)半導體産業,尤其是存儲産業而言,則帶來了一些新需求趨勢。程衛華指出,首先,疫情期間在家辦公、遠程會議成(chéng)爲常态化,使得各大企業需要升級服務器以确保遠程辦公的工作效率。其次,學(xué)校、培訓機構停課,與此同時優質的網課、在線教育平台如雨後(hòu)春筍不斷湧現,消費者更願意爲優質的服務買單。最後(hòu),線下的影院經(jīng)曆了前所未有的寒冬,而短視頻直播行業興起(qǐ);手機和電腦的消費出現了短期的放緩,但是手機遊戲、新互聯網應用和娛樂體感、健身、VR/AR等終端需求增長(cháng)。這(zhè)些都(dōu)說明科技的發(fā)展不會因爲疫情而停下腳步,新的生活方式和創新應用正在不斷的走進(jìn)我們的生活。

“一大批優秀的創新企業和新興業務不斷湧現,未來線上和線下的業務布局將(jiāng)得以重構,最終達到新的平衡。”他表示,“半導體技術存儲行業作爲全球科技産業鏈的必不可少的一環,將(jiāng)不斷創新來支持和滿足新的應用需求,通過(guò)産業鏈的協作,讓科技創造更美好(hǎo)的生活。”

在這(zhè)些新興應用的驅動下,對(duì)3D NAND閃存技術和市場的需求變化也非常明顯。首先是消費級市場的變化推動着閃存技術的需求,比如便攜式體感遊戲機對(duì)閃存市場的推動;索尼PS5將(jiāng)機械硬盤升級爲固态硬盤,使得NAND閃存需求瞬間飙升。其次雲業務對(duì)SSD的需求推動也非常明顯。在武漢疫情期間,紫光集團旗下的新華三爲雷神山、火神山醫院建設捐贈了數千套網路設備,并協助在第一時間完成(chéng)了測試調試,大數據技術和網絡通訊技術的爲遠程會診、遠程醫療創造必要的條件,爲兩(liǎng)個醫院搶救患者赢得了寶貴的時間。這(zhè)些應用就雲業務推動閃存需求一個很好(hǎo)的例子。

“在更多的雲業務和數據信息服務高速發(fā)展的推動下,企業級SSD市場雖然在今年下半年會有一個小幅的波動,但總體仍會一路保持上漲的态勢。”程衛華指出,“另一方面(miàn),随着QLC技術的成(chéng)熟及其成(chéng)本成(chéng)本優勢,大容量低成(chéng)本的SSD産品將(jiāng)被廣泛應用于海量數據服務。接下來,企業級SSD、個人電腦、智能(néng)手機將(jiāng)是未來NAND閃存市場的主要驅動力,預計到2024年,SSD需求將(jiāng)占整體閃存總量的57.7%,智能(néng)手機需求則占27%。”

長(cháng)江存儲3D NAND技術進(jìn)展

對(duì)長(cháng)江存儲而言,市場容量足夠大,機會也足夠多,而且還(hái)有很多高速率低延時的應用還(hái)沒(méi)有被充分開(kāi)發(fā)出來。“長(cháng)江存儲的加入,一方面(miàn)將(jiāng)通過(guò)技術創新爲市場帶來活力,另一方面(miàn)對(duì)應全球數據存儲需求的增長(cháng),貢獻一份中國(guó)的力量,促進(jìn)行業良性健康發(fā)展。”程衛華強調。

去年9月份,長(cháng)江存儲基于Xtacking技術的64層TLC閃存正式量産,成(chéng)功的走出了一條從研發(fā)、設計、制造的高端芯片IDM創新思路。目前長(cháng)江存儲正在建立系統解決方案,通過(guò)投入系統解決方案的研發(fā),提升對(duì)産能(néng)科技的理解,積累經(jīng)驗,將(jiāng)閃存産品的從研發(fā)到市場的需求各個環節一路大成(chéng)。使用長(cháng)江存儲64層TLC産品的方案將(jiāng)于下半年陸續推出,包括SATA SSD、PCIe SSD、eMMC、UFS等産品。

除了上述64層TLC閃存和系統解決方案,長(cháng)江存儲按照既定規劃,在今年4月份推出了128層TLC/QLC 3D NAND的兩(liǎng)款産品。X2-6070是業内首款128層QLC規格的3D NAND閃存,擁有業内已知型号産品中最高單位面(miàn)積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還(hái)有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片X2-9060,以滿足不同應用場景的需求。兩(liǎng)款産品均采用長(cháng)存自主研發(fā)的Xtacking堆棧架構的2.0版本。

目前與長(cháng)江存儲合作的企業當中,包括了國(guó)科微、江波龍、威剛、群聯、聯芸科技、慧榮等優質合作夥伴,共同推動長(cháng)江存儲64層 TLC産品應用。随着産業鏈的日趨成(chéng)熟、完善,各個品牌基于長(cháng)江之處閃存芯片的産品將(jiāng)不斷推出。

加強知識産權建設、緻力構建IDM模式

程衛華強調,目前長(cháng)江存儲取得的成(chéng)績,一方面(miàn)得益于全球産業鏈的協同和對(duì)知識産權體系的重視,另外一方面(miàn)得益于緻力成(chéng)爲國(guó)際化IDM企業。他指出,中國(guó)半導體産業的發(fā)展離不開(kāi)全球産業鏈的合作、協同,國(guó)際合作的大趨勢不可逆,沒(méi)有任何一個國(guó)家,任何一個企業能(néng)夠獨善其身。如果沒(méi)有當前這(zhè)種(zhǒng)全球規模的創新協作、協同,集成(chéng)電路産業絕對(duì)不會有今天大家所看到的蓬勃發(fā)展。在國(guó)際合作的背景下,長(cháng)江存儲也十分重視知識産權體系的建立和保護。“截至目前爲止,長(cháng)江存儲申請了超過(guò)2100個專利,同時也獲得了業内超過(guò)1600項交叉授權,良性的競争將(jiāng)帶動持續的創新和研發(fā)投入。”

此外,長(cháng)江存儲還(hái)在從技術創新、質量及可靠性、量産和成(chéng)本效益、全球化合作等方面(miàn)緻力構建IDM模式,形成(chéng)核心競争力。

“中國(guó)半導體産業的發(fā)展,IDM模式已經(jīng)被證明是存儲器企業發(fā)展的必由之路。因爲存儲器比較特殊,它的設計、工藝、測試和參數優化、系統解決方案都(dōu)是相互影響的。所以必須在這(zhè)個生态中進(jìn)行協作,才能(néng)做出一個最佳方案來。”

程衛華指出,爲了實現IDM這(zhè)個目标,長(cháng)江存儲將(jiāng)從以下幾個方面(miàn)來努力。首先要打造先進(jìn)的管理模式和智能(néng)制造體系,其中包括強化内部的制度流程建設,運用大數據分析和自動化提高研發(fā)效率,生産效率,供應鏈管理效益,以及客戶;其次,加強自身的人才梯隊建設,給團隊中的年輕人機會,信任他,磨練他們,引導他們,讓他們成(chéng)長(cháng)起(qǐ)來,形成(chéng)敢打硬仗、能(néng)打勝仗的核心隊伍;最後(hòu)重視産業鏈的上下遊合作和品牌建設,芯片制造企業扮演一個紐帶的角色,把設備制造商和零部件制造商團結起(qǐ)來,可以把對(duì)設備工藝性能(néng)的需求,在項目啓動階段就充分的與設備供應商溝通,讓他們做有針對(duì)性的研發(fā)和創新。“在形成(chéng)創新的合作的商業模式,形成(chéng)一套方法論之後(hòu),我們將(jiāng)它從注入到品牌内涵中,形成(chéng)自己的特色。”他強調。

宇瞻除息走穩 Q2業績動能(néng)緩

宇瞻除息走穩 Q2業績動能(néng)緩

台系存儲器模組廠宇瞻今日除息2.55元(新台币,下同),開(kāi)盤參考價44.05元,股價開(kāi)高0.15元爲44.2元。公司第一季獲利攀高,第二季受到全球疫情擴大、封城等影響,業績動能(néng)趨緩。

宇瞻第一季受惠低價庫存以及市場需求熱絡,第一季營收19.64億元,毛利率年增6.31個百分點至21.63%,每股獲利1.53元,創下單季新高。

但第二季以來,歐美疫情擴大、各地封城等阻礙銷售通路,緻業績趨緩。4月營收6.11億元,比3月高點月減15%,年減1.78%。5月營收降至5.06億元,月減17.11%且年減17.35%。使得前5月營收轉爲比去年同期下滑。1-5月營收30.82億元,較2019年同期減少3.03%。

展望下半年旺季效應是否展現,存儲器制造廠南亞科表示,受惠于遠端上班、視訊會議等帶動,今年上半年DRAM需求成(chéng)長(cháng),但下半年還(hái)得觀察疫情及全球經(jīng)濟情況。

整體來看,存儲器産業随着居家辦公、虛拟教學(xué)與在線購物等趨勢,帶動的資料中心、網通及筆電需求動能(néng),可望延續至第三季,合約價也有機會持續向(xiàng)上,不過(guò),下半年不确定性仍高,仍須觀察美中貿易戰、肺炎疫情對(duì)總體經(jīng)濟環境的影響。

滾動投資20億元 又一存儲器項目落戶重慶

滾動投資20億元 又一存儲器項目落戶重慶

重慶市政府網消息顯示,3月5日江津區舉行招商引資項目“雲簽約”活動,共簽約項目18個,協議投資額55.2億元,涉及半導體制造、新能(néng)源汽車、消費品工業等多個領域。其中,大數據存儲(中國(guó))控股有限公司(以下簡稱“大數據存儲公司”)將(jiāng)滾動投資20億元,在江津綜保區打造存儲器半導體制造基地項目。

據大數據存儲公司執行長(cháng)鄭翰鴻介紹,該公司由台灣精英電腦共同創始人許明仁先生及其團隊聯合發(fā)起(qǐ),現擁有存儲器領域各類發(fā)明專利100餘項,具備包括芯片設計、封裝測試、模塊設計集成(chéng)三方面(miàn)的核心能(néng)力,擁有自有存儲器品牌“芯智能(néng)”,重點關注物聯網、大數據、人工智能(néng)應用等相關的芯片研發(fā)與生産。

報道(dào)稱,大數據存儲公司將(jiāng)在江津綜保區打造的大數據存儲器半導體制造+研發(fā)設計項目,項目滾動總投資20億元,其中項目一期投資額不低于8億元,開(kāi)展内存顆粒、閃存顆粒、固态硬盤等存儲器半導體産業鏈生産以及智能(néng)終端産品制造。同時,拟建設“大數據存儲半導體”重慶總部和研發(fā)中心,落地各項專利不少于20個,研發(fā)并量産100%完全自主設計的固态硬盤主控芯片與智能(néng)終端産品。

格芯22FDX平台首款eMRAM正式量産

格芯22FDX平台首款eMRAM正式量産

格芯(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁随機存取存儲器(eMRAM)已正式投入生産。同時格芯正與多家客戶共同合作,計劃于2020年實現多重下線生産。格芯樹立業界裡(lǐ)程碑,證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進(jìn)階制程節點上是經(jīng)濟有效的選擇。

格芯的eMRAM,讓設計師能(néng)夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構,以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢,并作爲大容量嵌入式NOR快閃存儲器的替代方案。

格芯的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發(fā)性存儲器(eNVM),已通過(guò)五項嚴格的實際回焊測試,在-40℃到125℃的溫度測試範圍,展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過(guò)AEC-Q100質量等級2之驗證标準。該解決方案的開(kāi)發(fā)正在進(jìn)行中,期望可以在明年通過(guò)符合AEC-Q100質量等級1解決方案之驗證标準。

格芯汽車與工業多市場部門資深副總暨總經(jīng)理Mike Hogan表示,格芯緻力于透過(guò)穩定、功能(néng)多元的解決方案讓FDX平台與衆不同,進(jìn)而讓客戶以高性能(néng)和低功耗之應用來開(kāi)發(fā)創新産品。格芯的差異化eMRAM,部署在業界最先進(jìn)的FDX平台上,爲易于整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能(néng)RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能(néng)夠提供新一代超高性能(néng)、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。

格芯與設計合作夥伴今起(qǐ)提供客制化設計套件,其中包含可插式套件、4到48兆位矽驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援内建測試功能(néng)。

eMRAM是一項可擴充的功能(néng),預計將(jiāng)在FinFET和未來的FDX平台上應用,是eNVM的進(jìn)階規劃。格芯位于德國(guó)德勒斯登Fab1的先進(jìn)12吋晶圓生産線,將(jiāng)會采用MRAM來支援22FDX的批量生産。

铠俠看淡3D XPoint前景 閃存仍將(jiāng)長(cháng)期主導

铠俠看淡3D XPoint前景 閃存仍將(jiāng)長(cháng)期主導

未來十年,存儲市場仍將(jiāng)繼續追求存儲的密度、速度和需求的平衡點。盡管各個廠家的技術側重點不盡相同,但铠俠(原東芝存儲器)對(duì) 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好(hǎo)。在今年的國(guó)際電子設備會議(IEDM)上,該公司宣布了 BiCS 閃存系列和即將(jiāng)推出的 XL-Flash 技術,并且附上了一份展現未來願景的幻燈片。

動态随機存儲器(DRAM)、閃存(Flash)和“存儲級内存”(SCM),是當前市面(miàn)上的三大發(fā)展方向(xiàng),铠俠也對(duì)英特爾和美光的 3D XPoint 長(cháng)期願景進(jìn)行了展望。

過(guò)去幾十年,閃存的浮栅和電荷陷阱技術,已經(jīng)曆多次變化。新開(kāi)發(fā)的存儲器,其狀态取決于單元中介質的電阻或自旋,而不是電壓。

傳統上很容易將(jiāng)每個單元視作不同值的“0”或“1”。但随着材料類型的發(fā)展,每個單元已能(néng)夠容納更多的狀态(SLC、MLC、TLC、QLC 等)。

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此舉能(néng)夠輕松獲得倍增的容量,但也對(duì)檢測電路的精準度提出了更高的要求,通常可增加單元大小、或降低總體密度來實現。

铠俠當前的 BiCS 閃存技術,依賴于在塔中堆疊多層浮栅單元,然後(hòu)在 xy 方向(xiàng)重複該設計以增加容量。目前,該公司已大量推出 TLC 和 QLC 産品,并希望打造面(miàn)向(xiàng)特殊應用的每單元 5 比特位産品。

BiCs 系列産品的設計層數也在不斷增加,從 32 層增加到 48 層,再到 64 層和 96 層,預計將(jiāng)來會增加 128 層以上。與其它方法相比,層數的添加,還(hái)是相對(duì)更加容易的。

此外,铠俠還(hái)在開(kāi)發(fā)一種(zhǒng)名叫(jiào) XL-Flash 的新型閃存。傳統閃存以“頁面(miàn)”和“塊”的方式工作,而存儲類内存以“比特位”的方式工作。

這(zhè)意味着,盡管 DRAM 可訪問每個比特位并對(duì)其進(jìn)行修改,但在閃存中,這(zhè)意味着任何寫操作都(dōu)需要一次寫入整個頁面(miàn),寫入的損耗也成(chéng)倍更大。

3D 堆疊式存儲單元的工作方式與閃存有所不同,以 3D XPoint 爲例,其使用相變材料來改變存儲單元的電阻,并可以通過(guò)電子選擇器開(kāi)關進(jìn)行訪問。

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通過(guò)交替改變字線和位線的方向(xiàng)來構建存儲器,以保留 SCM 的比特位可尋址特性。如需堆疊更多的層數,也隻需添加額外的字線和位線,以及其間的單元。

即便如此,铠俠仍不看好(hǎo) 3D XPoint 的前景。首先是相對(duì)于層數的每比特位成(chéng)本,層數的增加會帶來更高的複雜性,控制電路會損失一部分面(miàn)積,産能(néng)損失的影響也更大。

相比之下,3D NAND 技術要成(chéng)熟得多,市面(miàn)上已大量上市 90 多層的産品,且無人否認層數堆疊是一種(zhǒng)行之有效的方法,因其面(miàn)積上的損失幾乎爲零、産量的損失也極低。

在制造過(guò)程中,3D NAND 的某些蝕刻和填充步驟,可一次覆蓋很多層。相比之下,3D 堆疊 SCM 技術,仍未充分擴展到單層設備之外的市場。

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铠俠數據顯示,盡管其 BiCS 閃存在經(jīng)過(guò) 10 層時會降低到每比特成(chéng)本的漸近值,但與單層方案相比,3D 堆棧 SCM 最多隻能(néng)將(jiāng) 4-5 的成(chéng)本降低到每比特成(chéng)本的 60%(之後(hòu)就開(kāi)始飙升)。

原因是後(hòu)者未能(néng)受益于數十年改進(jìn)的複雜工藝,導緻每層的成(chéng)本增加、面(miàn)積的損失、以及産量的下跌。爲構建 3D 堆棧存儲器,這(zhè)是一個艱苦的過(guò)程。每多一步驟,良率也就更低。

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如上方公式所示:其中 n 爲層數,Cf 爲公共層的成(chéng)本,Cv 是每增加一層的成(chéng)本,A 是添加一層造成(chéng)的面(miàn)積損失,Y 是單層的産量損失。

有鑒于此,铠俠在會議上指出,在 3D SCM 的情況下,12 層左右的每比特位成(chéng)本還(hái)是相當的。但若層數增加到 NAND 閃存一樣多(以 64 層 SCM 爲例),單層每比特位成(chéng)本就暴增到 50 倍了。

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即便強力推動對(duì) 3D 堆疊式 SCM 的支持,當今 4 層以上的堆疊預測成(chéng)本也已經(jīng)過(guò)高,且未考慮到潛在發(fā)展的這(zhè)項技術在未來的變數。

綜上所述,SCM 确實可在内存領域提供超大的數據池,每 GB 成(chéng)本較 DRAM 低很多。但長(cháng)期看來,在未來很長(cháng)一段時間内,閃存仍將(jiāng)在行業内占主導地位。

【年度盤點】2019年半導體産業十大熱點事(shì)件

【年度盤點】2019年半導體産業十大熱點事(shì)件

2019年即將(jiāng)結束,在此辭舊迎新之際,我們將(jiāng)通過(guò)盤點熱點事(shì)件共同回顧2019年半導體産業發(fā)展局勢。受國(guó)際貿易環境影響,2019年上半年半導體産業仍處低迷,下半年逐漸呈現回暖複蘇态勢。縱觀全球,中國(guó)半導體産業仍表現活躍,國(guó)産化持續大力發(fā)展,并取得階段性成(chéng)績;國(guó)際方面(miàn),“貿易戰”、“并購整合”等成(chéng)爲關鍵詞……

圍繞2019年半導體産業發(fā)展情況,全球半導體觀察選出了十大重量級的代表性新聞事(shì)件,助業界人士回顧2019、展望2020——

日本加強對(duì)韓國(guó)半導體材料出口管制 

2019年,日本與韓國(guó)在貿易方面(miàn)關系惡化。7月1日,日本政府宣布加強高純度氟化氫、氟化聚酰亞胺、光刻膠這(zhè)三種(zhǒng)關鍵半導體材料對(duì)韓國(guó)的出口管制,要求日本企業向(xiàng)韓國(guó)客戶出口上述三種(zhǒng)半導體材料時需申請許可證

8月7日,日本再頒布政令,在簡化出口審批手續的貿易對(duì)象“白名單”中删除韓國(guó),該政令于8月28日起(qǐ)正式施行。韓國(guó)亦對(duì)于日本的做法作出回應,8月12日韓國(guó)政府決定將(jiāng)日本從本國(guó)“白名單”中剔除,9月生效。

雖然日本對(duì)韓國(guó)加強出口管制及兩(liǎng)國(guó)相互將(jiāng)對(duì)方從“白名單”中剔除,都(dōu)隻是讓相關廠商增加作業而并非禁止出口,但日本把持着全球過(guò)半的半導體材料市場,這(zhè)次貿易紛争仍讓韓國(guó)相關廠商十分擔憂,同時亦向(xiàng)韓國(guó)及全球各國(guó)半導體産業敲響了警鍾。

大基金二期成(chéng)立,重點投資裝備材料領域

大基金系爲促進(jìn)國(guó)家集成(chéng)電路産業發(fā)展而設立,投資領域覆蓋集成(chéng)電路設計、制造、封裝測試等全産業鏈。繼2014年成(chéng)立的首期基金投資完畢後(hòu),2019年迎來大基金二期。

國(guó)家企業信用信息公示系統顯示,國(guó)家集成(chéng)電路産業投資基金二期股份有限公司(大基金二期)于10月22日在北京市工商行政管理局正式注冊成(chéng)立。根據資料,大基金二期注冊資本2041.5億元人民币,樓宇光爲法定代表人、董事(shì)長(cháng),丁文武爲總經(jīng)理。

大基金二期共27位股東,包括中華人民共和國(guó)财政部、國(guó)開(kāi)金融有限責任公司、中國(guó)煙草總公司、上海國(guó)盛(集團)有限公司、浙江富浙集成(chéng)電路産業發(fā)展有限公司、武漢光谷金融控股集團有限公司、重慶戰略性新興産業股權投資基金合夥企業(有限合夥)、成(chéng)都(dōu)天府國(guó)集投資有限公司等。

作爲國(guó)家級戰略性産業投資基金,大基金對(duì)國(guó)内集成(chéng)電路發(fā)展起(qǐ)到重要促進(jìn)作用,在大基金的引導帶動下,國(guó)内集成(chéng)電路行業投融資環境明顯改善。如今大基金二期成(chéng)立,將(jiāng)有望進(jìn)一步推動國(guó)内集成(chéng)電路産業發(fā)展,據透露二期基金的投資布局重點在集成(chéng)電路裝備材料領域。

英飛淩斥資101億美元收購賽普拉斯

2019年6月3日,英飛淩官方宣布,英飛淩與賽普拉斯雙方已簽署最終協議,英飛淩將(jiāng)會以每股23.85美元現金收購賽普拉斯,總價值爲90億歐元(約101億美元)。該交易已獲賽普拉斯董事(shì)會和英飛淩監事(shì)會批準,預計將(jiāng)在2019年底或2020年初完成(chéng)。

英飛淩前身爲西門子集團的半導體部門,1999年正式從西門子獨立,在汽車電子、功率半導體、安全芯片等領域均處于全球前列位置;賽普拉斯成(chéng)立于1982年,主要爲汽車、工業、電子消費品等提供嵌入式解決方案。

英飛淩指出,雙方在技術方面(miàn)優勢高度互補,這(zhè)將(jiāng)進(jìn)一步拓展其在汽車、工業和物聯網等高速增長(cháng)市場的市場潛力。“基于2018财年備考營收100億歐元,此交易將(jiāng)使英飛淩成(chéng)爲全球第八大芯片制造商。在原來已具全球領先地位的功率半導體和安全控制器的基礎上,英飛淩更將(jiāng)成(chéng)爲汽車電子市場首屈一指的芯片供應商。”

多年來半導體行業兼并整合不斷,英飛淩和賽普拉斯兩(liǎng)家老牌半導體企業的合并對(duì)行業的影響無疑是不小。業界認爲,兩(liǎng)者合并將(jiāng)影響汽車電子市場格局,催生新一家汽車電子巨頭。

三國(guó)殺結束!英特爾出售智能(néng)手機調制解調器業務

2019年,蘋果、高通、英特爾三者之間在調制解調器方面(miàn)的糾葛,最後(hòu)以蘋果收購英特爾大部分智能(néng)手機調制解調器業務告終。

4月17日,曆經(jīng)了長(cháng)達兩(liǎng)年專利大戰的蘋果與高通聯合宣布達成(chéng)協議,解除雙方在全球範圍内的所有訴訟。根據和解協議,蘋果將(jiāng)向(xiàng)高通支付一筆費用,雙方還(hái)達成(chéng)了一份爲期六年的全球專利許可協議,該全球專利許可協議已在2019年4月11日起(qǐ)生效,包括兩(liǎng)年的延期選擇權和多年芯片組供應協議。

與此同時,此前爲蘋果供應智能(néng)手機調制解調器的英特爾宣布,將(jiāng)退出5G智能(néng)手機調制解調器業務。“對(duì)于智能(néng)手機調制解調器業務而言,顯然已經(jīng)沒(méi)有明确的盈利和獲取回報的路徑。”英特爾公司首席執行官司睿博(Bob Swan)表示。

7月26日,蘋果和英特爾宣布已簽署協議,蘋果將(jiāng)收購英特爾的大部分智能(néng)手機調制解調器業務,該交易價值10億美元,預計于2019年第四季度完成(chéng)。根據協議,大約2200名英特爾員工將(jiāng)加入蘋果,包括知識産權、設備和租賃。英特爾則將(jiāng)保留爲非智能(néng)手機應用開(kāi)發(fā)調制解調器的能(néng)力,例如個人電腦、物聯網設備和自動駕駛汽車。

紫光集團宣布進(jìn)軍DRAM産業

2019年6月30日,紫光集團微信公衆号發(fā)布聲明,宣布決定組建紫光集團DRAM事(shì)業群,委任刁石京爲紫光集團DRAM事(shì)業群董事(shì)長(cháng),委任高啓全爲紫光集團DRAM事(shì)業群CEO。 

事(shì)業群組建完成(chéng)後(hòu),紫光集團開(kāi)始落地DRAM工廠建設。8月27日,紫光集團與重慶市政府簽署紫光存儲芯片産業基地項目合作協議,根據協議,紫光集團將(jiāng)在重慶兩(liǎng)江新區發(fā)起(qǐ)設立紫光國(guó)芯集成(chéng)電路股份有限公司和重慶紫光集成(chéng)電路産業基金,在重慶建設DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事(shì)業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造,該工廠計劃于2019年底開(kāi)工建設,預計2021年建成(chéng)投産。在芯片工廠建成(chéng)前,紫光集團先期在現有芯片工廠内設立産品中試生産線,進(jìn)行産品生産工藝技術研發(fā),待工藝成(chéng)熟後(hòu)在紫光重慶芯片工廠量産。

中國(guó)兩(liǎng)大存儲廠商取得階段性成(chéng)果

近年來國(guó)内正在大力實現存儲器國(guó)産化,2019年長(cháng)江存儲和長(cháng)鑫存儲均取得了階段性成(chéng)果,中國(guó)存儲器企業正式踏上全球市場競争舞台。

2019年9月2日,紫光集團旗下長(cháng)江存儲宣布,公司已開(kāi)始量産基于Xtacking®架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,作爲中國(guó)首款64層3DNAND閃存,該産品亮相IC China 2019。長(cháng)江存儲表示,其64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking®架構設計并實現量産的閃存産品,擁有同代産品中最高的存儲密度,計劃推出集成(chéng)64層3DNAND閃存的固态硬盤、UFS等産品,以滿足數據中心,以及企業級服務器、個人電腦和移動設備制造商的需求。

2019年9月20日,在2019世界制造業大會上,總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目宣布投産,其與國(guó)際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設計産能(néng)每月12萬片晶圓。長(cháng)鑫存儲董事(shì)長(cháng)兼首席執行官朱一明當時表示,長(cháng)鑫存儲投産的8Gb DDR4通過(guò)了多個國(guó)内外大客戶的驗證,今年底正式交付,另有一款供移動終端使用的低功耗産品也即將(jiāng)投産。

科創闆開(kāi)闆,大批集成(chéng)電路企業IPO

2018年11月5日,習近平總書記宣布設立科創闆并試點注冊制,集成(chéng)電路是其重點關注領域之一,吸引了大批集成(chéng)電路企業奔赴科創闆上市。

2019年7月22日,籌備8個月的科創闆正式開(kāi)闆,包括安集科技、中微公司、瀾起(qǐ)科技、華興源創、睿創微納、樂鑫科技等多家集成(chéng)電路企業成(chéng)爲首批科創闆挂牌上市企業。随後(hòu),晶晨股份、晶豐明源、芯源微、聚辰股份、華特氣體、華潤微電子、神工股份、矽産業、華峰測控等亦相繼申請科創闆上市并首發(fā)通過(guò)。這(zhè)些企業涵蓋了集成(chéng)電路設計、材料、設備、IDM等産業鏈環節。

除了上述提及的已挂牌上市及過(guò)會企業外,芯原微、敏芯微、力合微等企業的科創闆IPO申請已獲受理;複旦微、華卓精科、蘇州國(guó)芯、盛美半導體等企業亦拟申請科創闆上市,現已進(jìn)入上市輔導階段,預計2020年仍將(jiāng)有一批半導體企業集中登陸科創闆。

中芯國(guó)際成(chéng)功量産14nm制程工藝

作爲國(guó)内最大、最先進(jìn)的晶圓制造代工廠,中芯國(guó)際的先進(jìn)制程一直是業界關注焦點。經(jīng)攻堅,2019年中芯國(guó)際的14nm制程迎來突破性進(jìn)展。

2019年8月,中芯國(guó)際發(fā)布其第二季度業績報告,報告中宣布其FinFET工藝研發(fā)持續加速,14nm進(jìn)入客戶風險量産,預期在2019年底貢獻有意義的營收。随後(hòu),在中芯國(guó)際第三季度财報說明會上,中芯國(guó)際聯合首席執行官梁孟松表示,14nm制程已經(jīng)成(chéng)功量産,流片數量持續增加,客戶來自海内外。

梁孟松表示,2020年上半年14nm制程的需求很清晰,下半年則依據12nm制程和“N+1”的情況而定。中芯國(guó)際不會急于14nm制程産能(néng)爬坡,將(jiāng)按照既有計劃和客戶需求,初期月産能(néng)約在3000片,明年底前將(jiāng)擴大至15000片,謹慎經(jīng)營以避免出現28nm制程毛利率低的情況。

盡管目前月産能(néng)尚小,但對(duì)于國(guó)内集成(chéng)電路産業而言,中芯國(guó)際量産14nm制程具有重大意義,據悉中芯國(guó)際的12nm制程正在導入客戶。

松下宣布退出半導體業務

11月28日,涉足半導體領域數十年的松下公司宣布將(jiāng)退出半導體市場,同意將(jiāng)旗下半導體業務相關工廠、設施及股份出售給中國(guó)台灣新唐科技公司(Nuvoton Technology Corp.),交易總價合計約2.5億美元,預計于明年6月完成(chéng)。

此外,松下也計劃將(jiāng)其與以色列半導體企業高塔半導體合資的公司高塔松下半導體出售,包括富山縣和新潟縣的3家生産圖像傳感器等半導體産品的工廠。事(shì)實上,2019年4月松下已將(jiāng)其部分半導體業務出售給羅姆半導體。

據了解,松下于1952年與飛利浦成(chéng)立合資公司正式進(jìn)入半導體領域,1990年前後(hòu)其半導體業務銷售額上曾跻身世界前10強,但随着其他國(guó)家和地區半導體産業崛起(qǐ),松下半導體業務經(jīng)營業績持續惡化,多年來一直緻力于重組虧損業務。

業界認爲,此次松下出售半導體業務是一個标志性事(shì)件,意味着日本將(jiāng)終結上世紀末的芯片制造龍頭地位,轉型成(chéng)爲供應半導體設備和材料的供應商,主要服務于中國(guó)和韓國(guó)的半導體公司,随着松下的退出,日本半導體産業的結構調整將(jiāng)告一段落。

中國(guó)5G商用正式啓動

2019年被稱爲5G元年,全球5G部署進(jìn)入關鍵階段、商用建設加速。2019年6月6日,工信部正式向(xiàng)中國(guó)電信、中國(guó)移動、中國(guó)聯通、中國(guó)廣電發(fā)放5G商用牌照。緊接着,各運營商開(kāi)始密集推進(jìn)5G建設及測試;9月底,三大運營商開(kāi)啓5G套餐預約。

10月31日,在2019年中國(guó)國(guó)際信息通信展覽會開(kāi)幕式上,工信部宣布5G商用正式啓動。随後(hòu),工信部與三大運營商、中國(guó)鐵塔聯合舉行了5G商用啓動儀式,标志着中國(guó)正式進(jìn)入5G商用時代。11月1日,三大運營商正式上線5G商用套餐。

随着5G商用到來,全球智能(néng)手機或將(jiāng)迎5G換機潮,亦將(jiāng)促進(jìn)人工智能(néng)、物聯網、雲計算等新興應用快速落地,半導體産業將(jiāng)迎來新一輪景氣。作爲全球首批啓動5G商用國(guó)家之一,中國(guó)在這(zhè)場全球5G建設競逐賽中處于領跑地位并成(chéng)爲,半導體國(guó)産化進(jìn)程有望借此風口走上快車道(dào)。

瞄準AIoT商機,華邦電跨足HyperRAM

瞄準AIoT商機,華邦電跨足HyperRAM

存儲器大廠華邦電看好(hǎo)人工智能(néng)物聯網(AIoT)應用將(jiāng)随着5G商用而快速成(chéng)長(cháng),將(jiāng)跨足支援HyperBus界面(miàn)的HyperRAM市場。華邦電表示,傳統的SDRAM和pSRAM已發(fā)展成(chéng)熟,無法針對(duì)新興物聯網應用再做最佳化設計,華邦電HyperRAM采38奈米制程,將(jiāng)持續朝25奈米移轉。若考慮車用、工規應用的長(cháng)期供貨需求,華邦電HyperRAM的先進(jìn)制程可滿足客戶長(cháng)壽産品生命周期。

華邦電公告11月合并營收月減6.1%達40.57億元,較去年同期成(chéng)長(cháng)0.9%,前11個月合并營收446.97億元,年減率降至5.9%爲今年最低。由于DRAM及NAND Flash價格將(jiāng)在2020年上半年止跌回升,NOR Flash價格將(jiāng)因TWS需求大增而供不應求且價格看漲,法人看好(hǎo)華邦電2020年第一季業績表現淡季不淡,且優于2019年第一季。

随車用電子、工業4.0、智慧家庭等市場快速興起(qǐ),已爲IoT終端裝置與人機界面(miàn)裝置的尺寸、功耗與效能(néng)帶來新的功能(néng)需求。爲此,除微控制器(MCU)業者紛紛開(kāi)發(fā)新一代具高效能(néng)與低功耗特性産品以滿足市場需求外,與其搭配的存儲器也需要新的選項,才能(néng)從整體的系統設計考量提供比既有SDRAM和pSRAM更佳的優勢。

支援HyperBus界面(miàn)的HyperRAM便是鎖定此市場需求的新技術方案。華邦電DRAM存儲器産品技術經(jīng)理廖裕弘表示,低腳數、低功耗、易于應用設計是HyperRAM的最主要特性,使其能(néng)顯著提升終端裝置的效能(néng)。(新聞來源:工商時報─塗志豪/台北報導)

設立580億元基金!紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目加速

設立580億元基金!紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目加速

紫光集團官方消息顯示,9月27日,“成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業基金”設立啓動會在四川省成(chéng)都(dōu)市天府新區舉行。

活動上,西藏紫光投資基金董事(shì)長(cháng)鄭鉑代表紫光集團與成(chéng)都(dōu)空港興城投資集團、成(chéng)都(dōu)天府新區投資集團、成(chéng)都(dōu)産業投資集團先進(jìn)制造産業投資公司、成(chéng)都(dōu)交子金融控股集團簽署了《成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業股權投資基金(有限合夥)合夥協議》。

據介紹,成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業基金總規模580.02億元、一期規模280.02億元,采用“雙GP”模式實施管理,將(jiāng)主要投資紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目,用于支持芯片工廠一期的建設及運營,爲紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目發(fā)展按下“快進(jìn)鍵”。

根據基金合夥人之一成(chéng)都(dōu)空港興城投資集團官方發(fā)布的詳細信息,該基金的一期280.02億元,成(chéng)都(dōu)市(市、區兩(liǎng)級)出資230億元,紫光集團出資50億元;二期300億元由紫光集團于2020年啓動募集、2021年底前全部到位。

具體而言,成(chéng)都(dōu)天府新區投資集團有限公司與成(chéng)都(dōu)空港興城投資集團有限公司分别認繳出資額74.75萬元,成(chéng)都(dōu)交子金融控股集團有限公司與成(chéng)都(dōu)先進(jìn)制造産業投資公司分别認繳出資額40.25億元,西藏紫光新業投資有限公司認繳出資額50億元,西藏紫光投資基金有限責任公司與成(chéng)都(dōu)空港産業興城投資發(fā)展有限公司分别認繳出資額100萬元。

基金期限方面(miàn),合夥企業續存期限爲10年,其中投資期5年,退出期5年;“雙GP”管理模式即由成(chéng)都(dōu)空港産業興城投資發(fā)展有限公司擔任成(chéng)都(dōu)方GP,作爲執行事(shì)務合夥人。西藏紫光投資基金有限責任公司擔任紫光方GP,作爲普通合夥人。

該基金的核心投資标的——成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路基地項目于2018年10月正式開(kāi)工,該項目占地面(miàn)積約1200畝,總投資達240億美元,將(jiāng)建設12寸3D NAND存儲器晶圓生産線,并開(kāi)展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯産品的研發(fā)、制造和銷售,預計在2022年實現一期10萬片/月的達産目标。

據紫光集團聯席總裁王慧軒表示,紫光已在成(chéng)都(dōu)落地多個項目。紫光展銳已在成(chéng)都(dōu)投資建設其全球三大總部之一及全球研發(fā)基地;紫光旗下新華三集團在成(chéng)都(dōu)布局雲計算業務全國(guó)運營總部及研發(fā)中心;紫光芯雲中心也已在成(chéng)都(dōu)落地。

現在成(chéng)立的成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業基金,將(jiāng)進(jìn)一步支持紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目建設。

美光2020年會計年度Q1展望保守

美光2020年會計年度Q1展望保守

美國(guó)商務部將(jiāng)華爲列入禁止出口實體清單中,美光雖然將(jiāng)不受限制的産品對(duì)華爲出貨,但總體來看,華爲禁令已對(duì)美光營運造成(chéng)負面(miàn)影響,加上美光表示未來幾季對(duì)華爲的出貨恐持續下滑,也導緻美光對(duì)2020年會計年度第一季展望低于預期。在營運展望保守下,美光股價上周五大跌近7%,連帶影響南亞科、華邦電、威剛、群聯等存儲器族群股價紛紛走跌。

雖然近期DRAM及NAND Flash價格止跌,但市場庫存仍高,美光預期2020年會計年度第一季(9~11月)營收可望回升至50億美元,但毛利率將(jiāng)進(jìn)一步下滑,導緻獲利預估低于市場預期。再者,美光預期華爲若持續名列實體清單,美光又無法獲得商務部許可,會造成(chéng)對(duì)華爲的出貨逐季下滑,影響營運。

再者,美光對(duì)明年存儲器市場景氣看法,市場法人及分析師均趨于保守,所以才會明顯降低資本支出。尤其美光對(duì)NAND Flash市場展望保守,2020年的供給位元年成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)明顯低于産業平均水平,并將(jiāng)以現有庫存因應客戶需求,法人解讀美光恐持續減産,也暗示市場庫存水位仍居高不下。

不過(guò),美光無法順利出貨給華爲,反而給台灣地區存儲器廠有機會争取華爲訂單。法人指出,華爲在智能(néng)型手機、5G基地台、網絡設備及、WiFi路由器、筆電及服務器等市場具領導地位,所以對(duì)存儲器需求量龐大,美光現在隻能(néng)將(jiāng)部分不受限制的産品出貨給華爲。

法人表示,台灣存儲器廠如南亞科、華邦電等多數産品線,基本上都(dōu)可符合法令規定持續出貨給華爲,對(duì)下半年營運有明顯加分效果。

KLEVV科賦全新CRAS C700 RGB NVMe M.2 SSD 和電競内存條將(jiāng)于台北國(guó)際電腦展盛大展出

KLEVV科賦全新CRAS C700 RGB NVMe M.2 SSD 和電競内存條將(jiāng)于台北國(guó)際電腦展盛大展出

新興内存大廠艾思科 (Essencore),將(jiāng)于2019台北國(guó)際電腦展(Computex) 展出旗下品牌科賦( KLEVV)備受矚目的全系列旗艦産品,包含即將(jiāng)上市的RGB PCIeM.2 SSD固态硬盤和内存條。

繼去年成(chéng)功首度亮相之後(hòu),今年 5月 28 日至  6 月1 日,艾思科將(jiāng)再次于台北南港展覽館- M0619a展出旗下科賦的最新系列産品。

絢麗多彩CRAS C700 RGB NVMe M.2固态硬盤

KLEVV科賦于今年COMPUTEX將(jiāng)首次展出新品CRAS C700 RGB NVMe M.2固态硬盤,提供玩家在遊戲、平面(miàn)設計、視頻剪輯等各種(zhǒng)使用情境中,都(dōu)能(néng)感受無與倫比的效能(néng)和速度。CRAS C700 RGB的鋁合金材質的散熱片提供優異的熱傳導性能(néng),使産品在最短的時間内散熱以确保産品正常運行。此外,CRAS C700 RGB導光條采用不規則的寶石立體切割外型,能(néng)讓絢麗的RGB燈光效果多角度均勻散射,讓主闆的流光效果更加璀璨奪目。

CRAS C700 RGB采用市面(miàn)上常見的M.2 2280接口規範,并采用PCIe Gen3x4超高速界面(miàn),并支持NVMe 1.3标準,效能(néng)表現大幅超越非PCIe界面(miàn)的固态硬盤。CRAS C700 RGB的讀取與寫入速度最高可分别達1500MB/秒與1300MB/秒,并有120GB,240GB與480GB三種(zhǒng)容量。而針對(duì)想要體驗CRAS C700的極緻效能(néng)和速度但又不需要RGB燈效的用戶,KLEVV科賦也將(jiāng)提供無RGB配置CRAS C700标準版可供選購。

CRAS C700 RGB采用KLEVV科賦獨家研發(fā)的散熱片特殊設計,最高能(néng)降低27%的SSD核心溫度,提升産品壽命、耐用性及穩定性,并确保在長(cháng)時間使用的情況下效能(néng)依然穩定。CRAS C700 RGB也支持市面(miàn)上各大主流主闆品牌RGB燈效同步控制軟件,讓用戶得以輕松定制個性獨特的燈光效果。爲提供更精緻與多元的燈光組合,CRAS C700 RGB共使用8顆可以單獨控制的RGB LED燈,并采用10層PCB闆,以有效提升可靠度與資料完整度,帶給消費者最佳使用體驗。

屢獲國(guó)際大獎肯定的 CRAS X RGB DDR4 電競内存條及概念新品搶先曝光

科賦最具标志性的CRAS X RGB DDR4 電競内存條今年發(fā)布更高的速度頻率系列-包括 3600、4000 及 4266 MHz。科賦 CRAS X RGB DDR4 今年榮獲2019德國(guó)紅點設計獎産品設計類的獎項,足以彰顯科賦對(duì)産品細節的精益求精與堅持努力。

CRAS X RGB DDR4電競内存條是遊戲、電玩愛好(hǎo)者及超頻玩家的首選,高速表現、可控制的RGB燈光與性能(néng)卓越的散熱片都(dōu)是爲用戶量身打造。CRAS X RGB DDR4可兼容于英特爾 (Intel)和 AMD 處理器 (目前支持至 3600 MHz),同時也支持多家廠商的RGB燈效同步控制軟件,包含華碩 (ASUS),微星 (MSI),技嘉 (Gigabyte) 和華擎 (ASRock)。

除了即將(jiāng)上市的RGB M.2 SSD 和内存條之外,科賦也將(jiāng)于台北國(guó)際電腦展中搶先曝光兩(liǎng)款全新概念性産品:可通過(guò)藍牙控制特殊連接功能(néng)的U盤,可運用手機APP遠端上鎖的加密便攜式SSD。 敬請光臨艾思科/科賦展位,親身體驗品牌領先的技術水準與獨到精緻的産品設計。

欲了解更多關于艾思科及科賦全系列産品信息,請移至下方網站查詢 http://www.essencore.com/ 及 http://www.klevv.com

關于艾思科 (Essencore)
艾思科彙聚了來自半導體與内存行業的精英,其目标是成(chéng)爲全球領先的 DRAM 内存條及NAND Flash 閃存産品供應商。公司的核心目标旨在“改變世界,成(chéng)爲半導體界的領導者”。艾思科的經(jīng)營策略是采用最先進(jìn)的技術、結合核心專業人才,提供給客戶以最專業、優異與多樣化的内存産品。更多詳情,請訪問官網 www.essencore.com

關于科賦 (KLEVV)
科賦 (KLEVV) 是艾思科旗下的高端消費品牌,主打 DRAM内存條及 NAND Flash 閃存産品。科賦提供的産品包含電競内存條、micro SD存儲卡、U盤及SSD固态硬盤等。科賦緻力于提供世界一流品質的産品,所有産品均在韓國(guó)設計。科賦的内存條産品先後(hòu)榮獲2015年及2019年德國(guó)紅點設計大獎的肯定。更多詳情,請訪問www.klevv.com