根據國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將(jiāng)采用第3代10納米級制程(1Znm)來生産新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生産的DRAM將(jiāng)會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對(duì)此，市場預估，美光的該項新産品還(hái)會在2019年底前，在美光位于中國(guó)台灣台中的廠區内建立量産産線。
報導指出，美光指出，與第2代10納米級（1ynm）制程相比，美光的第3代10納米級制程(1Znm)DRAM制造技術將(jiāng)使該公司能(néng)夠提高其DRAM的位元密度，從而增強性能(néng)，并且降低功耗。此外，以第3代10納米級制程所生産新一代DRAM，與同樣爲16GB DDR4的産品來比較，功耗較第2代10納米級制程産品低40%。
另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面(miàn)，1Znm制程技術將(jiāng)較1Ynm制程技術的産品節省高達10%的功率。而且，由于1Znm制程技術提供的位元密度更高，這(zhè)使得美光可以降低生産成(chéng)本，未來使得存儲器更加便宜。
報導進(jìn)一步指出，美光本次并沒(méi)有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度爲何，但根據市場預計，美光的新一代1Znm制程DRAM存儲器將(jiāng)會符合JEDEC制定的官方标準規格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲器的設備將(jiāng)會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲器模組爲主。
至于，在行動存儲器方面(miàn)，根據美光公布的資料顯示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲器的傳輸速率最高可達4266 MT/s。此外，除了爲高端智能(néng)手機提供高達16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模組外，美光還(hái)將(jiāng)提供基于UFS規格的多存儲器模組（uMCP4），其中内含NAND Flash和DRAM。而美光針對(duì)主流手機的uMCP4系列産品將(jiāng)包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規格。
雖然美光沒(méi)有透露其采用1Znm技術的16GB DDR4和LPDDR4X存儲器將(jiāng)會在哪裡(lǐ)生産，不過(guò)市場分析師推測，美光其在日本廣島的工廠將(jiāng)會采用最新的制造技術開(kāi)始批量生産，而在此同時，也期待2019年底前在台灣台中附近的美光台灣晶圓廠將(jiāng)開(kāi)始營運1Znm制程技術的生産線。