日前美光公司宣布量産了1Znm工藝的16Gb DDR4内存，這(zhè)是第第三代10nm級内存工藝，這(zhè)次量産也讓美光成(chéng)爲業界第一個量産1Znm工藝的公司，這(zhè)一次進(jìn)度比以往的标杆三星公司還(hái)要快。
在内存工藝進(jìn)入20nm之後(hòu)，由于制造難度越來越高，内存芯片公司對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成(chéng)了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級别、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級别。
根據美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之後(hòu)還(hái)會有1αnm、1βnm、1γnm，這(zhè)樣一來10nm級别就有六種(zhǒng)制造工藝了，現在正好(hǎo)演進(jìn)到到了第三代。
美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能(néng)及更低成(chéng)本，不過(guò)美光并沒(méi)有給出具體的數據，性能(néng)提升多少、成(chéng)本降低多少尚無确切數據，唯一比較确切的就是說1Znm 16Gb DDR4内存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這(zhè)個比較也太過(guò)寬泛。
此外，美光還(hái)宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，滿足了業界對(duì)低功耗及更小封裝的的要求。