标簽：DRAM

5月20日，浙江嘉興南湖區舉行2020“南湖之春”第二屆國(guó)際經(jīng)貿洽談會，會上共有52個高質量項目簽約，總投資近340億元，涉及數字經(jīng)濟、高端智能(néng)裝備制造、生物醫藥等多個領域，其中包括總投資1億美元的半導體存儲項目。

據悉，該項目旨在打造對(duì)中國(guó)區DRAM存儲行業起(qǐ)領軍作用的芯片研發(fā)、設計、銷售基地和管理全球市場的總部公司。

近年來，南湖區重點培育集成(chéng)電路産業，制定了集成(chéng)電路産業發(fā)展規劃，2020年初，位于嘉興科技城的南湖微電子産業平台成(chéng)功入選浙江省六個“萬畝千億”新産業平台之一。

事(shì)實上，南湖區微電子産業鏈已初步形成(chéng)，目前嘉興科技城聚集了斯達半導體、芯動科技、禾潤電子、博創科技等一批集成(chéng)電路企業，其中斯達半導體填補了國(guó)内IGBT芯片和功率模塊技術空白，成(chéng)爲國(guó)内IGBT領域産銷最大、技術領先的專業研制和生産企業；芯動科技則專注于高端MEMS産品生産加工，具有全産業鏈、全自主知識産權，是中國(guó)最先進(jìn)的高端MEMS器件加工平台之一。

此外，今年4月，嘉興南湖微電子産業平台的第二個标志性項目浙江博方嘉芯集成(chéng)電路科技有限公司氮化镓射頻及功率器件項目也樁基開(kāi)工；恒拓電子年産30億隻專用集成(chéng)電路封測等項目在建。

據嘉興市人民政府消息指出，此次半導體存儲項目的引入將(jiāng)進(jìn)一步豐富南湖區微電子産業集群。

集邦咨詢：美擴大對(duì)華爲禁令，存儲器産業短期尚不緻受到實質沖擊

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，美國(guó)商務部工業和安全局(BIS)于5月15日公布針對(duì)華爲出口管制的新規範，未來使用美國(guó)半導體相關設備的外國(guó)芯片制造商必須要特别申請核準，才可對(duì)華爲、海思以及其他相關公司出貨。雖然相關法條仍存有進(jìn)一步解釋的空間，但目前觀察對(duì)于存儲器的采購（含DRAM與NAND Flash）影響有限，各原廠仍可繼續對(duì)華爲出貨。但值得注意的是，美國(guó)對(duì)于華爲或其他中國(guó)品牌的規範力道(dào)會持續增強，因此對(duì)于後(hòu)續存儲器的供給或需求面(miàn)的沖擊還(hái)需要持續觀察評估。

以存儲器的需求面(miàn)來說，主要觀察重點在于禁令是否會沖擊華爲的終端出貨表現（涵蓋智能(néng)手機、筆記本電腦、服務器相關以及網通産品）。集邦咨詢認爲，對(duì)于目前關鍵零部件庫存量相對(duì)足夠的智能(néng)手機、筆電與服務器等産品而言，短期内的出貨沖擊較低；主要影響可能(néng)是在5G基站、網通類别産品的後(hòu)續出貨動能(néng)。然而，考慮禁令仍有120天的緩沖期，加上華爲先前爲避免受禁制令影響，已預先拉高零部件庫存，因此集邦咨詢認爲，禁令對(duì)華爲終端出貨造成(chéng)具體沖擊的時間點最快會落在2020年第四季以後(hòu)。

集邦咨詢認爲，目前所有存儲器原廠生産之DRAM、NAND Flash以及其他相關解決方案的産品設計并未針對(duì)華爲、海思以及其相關公司特别研發(fā)，因此對(duì)華爲等公司的出貨不受此次禁令的限制。至于美國(guó)的存儲器供貨商（美光與英特爾）也因爲先前已取得特殊出貨許可，因此仍可照常對(duì)華爲出貨。

不過(guò)，未來美國(guó)對(duì)華爲及其相關公司甚至其他中國(guó)品牌的制裁力道(dào)可能(néng)會繼續增強，因此，就算存儲器的供給面(miàn)順暢無虞，但終端出貨的沖擊仍將(jiāng)難以避免。先前在新冠肺炎疫情持續擴散的考慮下，集邦咨詢已全面(miàn)下修2020年DRAM與NAND Flash均價的預估，而美國(guó)對(duì)其他中國(guó)品牌的相關制裁將(jiāng)使得後(hòu)續價格面(miàn)臨更大壓力。

另一方面(miàn)，近年來中國(guó)對(duì)半導體生産自主化的急迫性快速增加，其中最重要的環節就是存儲器相關産品。目前長(cháng)江存儲即將(jiāng)量産128層3D NAND産品，而長(cháng)鑫存儲已經(jīng)有19納米的DDR4産品小量問世，足以代表中國(guó)近三到五年來在内存自主研發(fā)上已得到初步成(chéng)果。在美國(guó)對(duì)中國(guó)制裁力道(dào)持續增強的态勢下，中國(guó)的存儲器發(fā)展勢必會更爲積極，以降低對(duì)其他國(guó)家的依賴程度。

DRAM自有品牌内存營收排名

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，第一季DRAM供應商庫存去化得宜，季末的庫存水位與年初相比已經(jīng)顯著下降，因此降價求售壓力不再，整體DRAM（内存）均價相較前一季上漲約0-5%。

然而，因應新冠肺炎疫情，各國(guó)祭出封城鎖國(guó)政策，導緻物流受阻，DRAM的位元出貨也受到影響。所以雖然均價小幅上漲，但第一季DRAM整體産值季衰退4.6%，達148億美元。

集邦咨詢指出，第一季受阻的出貨將(jiāng)遞延至第二季，因此在DRAM均價上漲幅度擴大且出貨量同時提升的情況下，集邦咨詢預測第二季DRAM整體産值將(jiāng)季增超過(guò)兩(liǎng)成(chéng)，原廠的營收與獲利能(néng)力將(jiāng)持續成(chéng)長(cháng)。

第一季因疫情導緻出貨受阻，「價漲量縮」的情況下，三大DRAM原廠第一季營收均呈現小跌，三星跌幅約3%、SK海力士約4%，美光則約11%（本次财報季區間爲2019年12月至2020年2月）。南亞科第一季出貨量雙位數成(chéng)長(cháng)，帶動營收較前一季增加近10%。華邦電第一季量價大緻持平，因此DRAM營收變化幅度不大；力晶科技第一季仍以影像傳感器需求較爲強勁，排擠DRAM産能(néng)，因此營收小幅下滑3%（營收計算主要爲力晶本身生産之标準型DRAM産品，不包含DRAM代工業務）。

台積電建5納米新廠

5月15日，台積電宣布，在與美國(guó)聯邦政府及亞利桑那州的共同理解和支持下，有意于美國(guó)興建且營運一座先進(jìn)晶圓廠。

據台積電方面(miàn)披露，這(zhè)座晶圓廠將(jiāng)設立于亞利桑那州，采用台積電的5納米制程技術生産半導體芯片，規劃月産能(néng)爲20000片晶圓，將(jiāng)直接創造超過(guò)1600個高科技專業工作機會，并間接創造半導體産業生态系統中上千個工作機會。該晶圓廠將(jiāng)于2021年動工，于2024年開(kāi)始量産。2021年至2029年，台積電于此項目上的支出（包括資本支出）約120億美元。

目前，台積電包含6寸、8寸及12寸共有12座晶圓廠，其中12寸産能(néng)約爲每月800K。而目前位于美國(guó)境内的僅有華盛頓州卡馬斯市的8寸晶圓廠，月産能(néng)爲40K，占整體産能(néng)僅1~2%。

集邦邦咨詢認爲，台積電可能(néng)將(jiāng)部分美國(guó)公司投片毛利較高的産品移往美國(guó)同步生産。然而，雖然台積電已有一座8寸廠位于美國(guó)，但12寸廠的供應鏈不同于8寸廠，因此除了台積電之外，其他半導體原物料廠商甚至周邊的零組件廠不排除將(jiāng)一同前進(jìn)美國(guó)。長(cháng)期而言，美國(guó)實現半導體産業本地化生産的可能(néng)性將(jiāng)提高。

全球前十大封測廠商營收排名

根據集邦咨詢旗下拓墣産業研究院最新調查，2020年第一季延續中美貿易摩擦和緩的态勢，在5G、AI芯片及手機等封裝需求引領下，全球封測産值持續向(xiàng)上；2020年第一季全球前十大封測業者營收爲59.03億美元，年增25.3%。然而，受到新冠肺炎疫情影響，終端需求急凍，可能(néng)導緻封測産業于下半年開(kāi)始出現衰退。

數據顯示，第一季度前十大封測業者除了天水華天外營收均實現了增長(cháng)。第一季度排名前三的依然爲日月光、安靠與江蘇長(cháng)電，通富微電與天水華天分别位列第六、第七，值得一提的是，面(miàn)闆驅動IC及存儲器封測大廠南茂，憑借此波存儲器、大型面(miàn)闆驅動IC (LDDI)及觸控面(miàn)闆感測芯片(TDDI)等需求升溫，已從2019年的第十一名上升至第九名。

中國(guó)大陸封測三雄江蘇長(cháng)電、通富微電及天水華天第一季營收表現主要受惠于中美關系的回穩，逐步帶動整體營收成(chéng)長(cháng)。然而，天水華天是前十大中唯一出現營收衰退的廠商，拓墣産業研究院認爲可能(néng)是因疫情爆發(fā)時，爲承接政府防疫相關的紅外線感測元件等封裝需求，因而排擠原先消費性電子等應用的生産進(jìn)度。

又有兩(liǎng)家半導體公司闖關科創闆

近日，科創闆再迎兩(liǎng)家半導體公司，GalaxyCore Inc.（以下簡稱“格科微”）和合肥芯碁微電子裝備股份有限公司（以下簡稱“芯碁微裝”）。

5月13日，上海證監會披露了中金公司關于格科微首次公開(kāi)發(fā)行股票或存托憑證并在科創闆上市輔導備案情況報告公示。輔導備案基本情況表顯示，格科微于5月8日在上海證監會進(jìn)行輔導備案登記。資料顯示，格科微的主營業務爲CMOS圖像傳感器和顯示驅動芯片的研發(fā)、設計和銷售。其産品廣泛應用于包括智能(néng)手機、平闆電腦、筆記本電腦、可穿戴設備、安防監控設備、汽車電子、移動支付等在内的消費電子和工業應用領域。

5月13日，上交所受理了芯碁微裝的科創闆上市申請，并披露了該公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創闆上市招股說明書（申報稿）。芯碁微裝主要從事(shì)以微納直寫光刻爲技術核心的直接成(chéng)像設備及直寫光刻設備的研發(fā)、制造、銷售以及相應的維保服務，主要産品及服務包括PCB直接成(chéng)像設備及自動線系統、泛半導體直寫光刻設備及自動線系統、其他激光直接成(chéng)像設備以及上述産品的售後(hòu)維保服務，産品功能(néng)涵蓋微米到納米的多領域光刻環節。

中芯國(guó)際14nm迎重大突破

據媒體報道(dào)，近日中芯國(guó)際上海公司以及業内人士拿到了一部華爲榮耀Play4T，該手機的特别之處在于其背面(miàn)印有中芯國(guó)際成(chéng)立20周年的專屬Logo“SMIC 20”，并标注有一行文字“Powered by SMIC FinFET”。媒體指出，這(zhè)意味着榮耀Play4T搭載的芯片是由中芯國(guó)際14納米FinFET制程代工。5月11日，中芯國(guó)際向(xiàng)媒體證實了上述消息。

據了解，榮耀Play4T是華爲榮耀于今年4月9日推出的一款智能(néng)手機，搭載華爲海思麒麟710A芯片。目前，海思半導體官網尚未出現麒麟710A的具體介紹信息。媒體指出，麒麟710A可看作是麒麟710的降頻版本，在性能(néng)等方面(miàn)上算不上先進(jìn)。

然而，對(duì)于國(guó)内半導體産業而言，麒麟710A有着其特殊意義，代表着中芯國(guó)際14納米制程工藝真正實現了量産出貨及商業化，被媒體稱爲“國(guó)産化零的突破”、“國(guó)産半導體技術的破冰之舉”。在國(guó)際貿易摩擦背景下，這(zhè)對(duì)于加速半導體國(guó)産替代進(jìn)程亦有所助益。

英特爾再投資兩(liǎng)家中國(guó)半導體公司

當地時間5月12日，英特爾宣布，旗下風險投資機構英特爾資本(Intel Capital)向(xiàng)11家初創公司投資1.32億美元，其中包括概倫電子和博純材料兩(liǎng)家中國(guó)半導體公司。

資料顯示，概倫電子(ProPlus Electronics)成(chéng)立于2010年，注冊資本8684.97萬元，是一家設計自動化(EDA)軟件提供商，提供先進(jìn)的器件建模和快速電路仿真解決方案，該公司緻力于提升先進(jìn)半導體工藝下高端集成(chéng)電路設計的競争力，提供世界領先水平、創新的集成(chéng)電路設計解決方案。

博純材料（Spectrum Materials）成(chéng)立于2009年，注冊資本9640萬元，是一家爲半導體制造工廠提供高純度特種(zhǒng)氣體和材料的供應商，擁有坐落于福建泉州的最大的鍺烷生産基地之一，該基地生産和經(jīng)營的超高純電子特氣、各種(zhǒng)混合氣體及其它電子級材料，廣泛應用于集成(chéng)電路、液晶平闆、LED、太陽能(néng)電池及其相關電子制造行業。

據悉，除了最新投資的兩(liǎng)家企業之外，英特爾此前還(hái)投資了瀾起(qǐ)科技、樂鑫科技、泰淩微電子、以及地平線等多家中國(guó)半導體公司。

ASML光刻設備技術服務基地項目簽約

5月14日，江蘇無錫高新區與ASML(阿斯麥)簽署戰略合作協議，擴建升級光刻設備技術服務（無錫）基地。

無錫日報指出，光刻設備技術服務（無錫）基地涵蓋兩(liǎng)大業務闆塊：從事(shì)光刻機維護、升級等高技術、高增值服務的技術中心，以及爲客戶提供高效供應鏈服務，爲設備安裝、升級及生産運營等所需物料提供更高水準物流支持的半導體供應鏈服務中心。

近年來，随着華虹基地、SK海力士二工廠等一批重大産業項目建成(chéng)投産以及一批集成(chéng)電路企業的相繼入駐，無錫高新區也逐步成(chéng)爲了阿斯麥在中國(guó)規模最大的光刻設備技術服務基地之一。

無錫市副市長(cháng)、高新區黨工委書記、新吳區委書記蔣敏表示，阿斯麥公司此次升級光刻設備技術服務基地，將(jiāng)有助于進(jìn)一步推動該區集成(chéng)電路産業的強鏈、補鏈和延鏈，提升業内影響力。

一直以來，三大存儲巨頭長(cháng)期壟斷全球内存芯片市場，而由于缺乏核心技術，在國(guó)内内存條市場國(guó)外品牌也長(cháng)時間占據了主導地位。因此，近年國(guó)内對(duì)于内存芯片和内存條的國(guó)産化呼聲很高。

合肥長(cháng)鑫存儲擁有12英寸晶圓廠，和動态随機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生産能(néng)力，是國(guó)内首屈一指的一體化存儲器制造商，擔負着國(guó)内對(duì)内存芯片的希望。

在今年2月份，長(cháng)鑫發(fā)布了首顆國(guó)産的1X nm級别的DDR4内存芯片。長(cháng)鑫DDR4内存芯片，具有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能(néng)和更低的能(néng)耗，是匹配現有市場需求，能(néng)夠應用多個産品領域的國(guó)産内存芯片。

而在近日，嘉合勁威旗下光威推出了首款純國(guó)産内存條——光威弈PRO系列内存條。該内存條正是采用了國(guó)産真芯長(cháng)鑫DDR4内存芯片。             

根據玩家測評顯示，光威弈PRO 8G DDR4，不僅兼容性好(hǎo)，而且可玩性高。目前已有一些玩家超頻4000MHZ以上且正在嘗試更高頻率，也有一些玩家嘗試在1.2V電壓的情況下超較高的頻率，等等玩法。這(zhè)些都(dōu)充分的表明長(cháng)鑫顆粒的體質非常好(hǎo)，已經(jīng)媲美三大廠的中高等級的内存顆粒。           

國(guó)産真芯長(cháng)鑫内存顆粒性能(néng)到底如何?光威弈PRO系列純國(guó)産内存條到底是怎樣的國(guó)貨?産品的好(hǎo)與壞，交給市場去評判。5月14日，光威弈PRO内存條正式登陸京東，一見分曉。

最後(hòu)，國(guó)外三大巨頭在DRAM生産制程上已經(jīng)實現1Y，1Z工藝了，國(guó)外大廠商都(dōu)在研究DDR5了。相對(duì)于它們來說，長(cháng)鑫的1X工藝DDR4 DRAM，光威純國(guó)産DDR4，隻是後(hòu)浪。但是對(duì)于我們國(guó)内來說，國(guó)産内存如此巨大的技術進(jìn)步，是值得肯定的，振奮人心的。長(cháng)鑫内存芯片的出現，打破了三大巨頭壟斷内存芯片的局面(miàn)，是國(guó)産内存芯片從無到有的階段性勝利，開(kāi)創了國(guó)産内存的新局面(miàn)。我們相信在不久的將(jiāng)來，中國(guó)也將(jiāng)擁有1Znm DRAM技術，在國(guó)産内存芯片的推動下中國(guó)也將(jiāng)擁有一些像金士頓、海盜船那樣的全球一線品牌，中國(guó)也能(néng)趕上國(guó)際大廠的研發(fā)進(jìn)度造出自己的DDR5。

根據存儲器大廠南亞科的最新重大訊息公告指出，南亞科董事(shì)會于6日決議，將(jiāng)追加新台币65.6億元（約合人民币15.5億元）的資本支出預算，用以打造10納米級制程産線。

此前南亞科董事(shì)會決議，在年度資本支出的部分，南亞科2020年度資本支出預算以不超過(guò)新台币92億元爲上限，其中包含10納米級制程研發(fā)、試産及20納米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算，預計2020年度的資本支出預算交以不超過(guò)157.6億元爲上限。

事(shì)實上，南亞科總經(jīng)理李培瑛在上一季法說會上就已經(jīng)宣布，南亞科已完成(chéng)自主研發(fā)10納米級DRAM生産技術，并且將(jiāng)在2020年下半年試産。而南亞科新成(chéng)功開(kāi)發(fā)出的10納米級DRAM生産技術，預計將(jiāng)使DRAM産品可持續微縮至少3個世代。而第一代的10納米級産品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將(jiāng)建構在自主制程技術及産品技術平台上，并預計2020下半年進(jìn)入産品試産階段。

至于第二代10納米級制程技術，已開(kāi)始進(jìn)入研發(fā)階段，預計2022年前導入試産，之後(hòu)將(jiāng)會再開(kāi)發(fā)第三代的10納米制程技術。李培瑛強調，南亞科進(jìn)入10納米級制程之後(hòu)，會以自行研發(fā)的技術爲主，降低授權費用支出，以大幅提升效能(néng)。

目前以全球DRAM存儲器市場來說，其主要生産技術掌握在韓國(guó)三星、SK海力士、以及美商美光等3家企業的手中，而且3家廠商的合計市場占有率高達95%以上，其關鍵原因就在于3家企業的技術專利形成(chéng)了極高的門檻，使其他公司不容易有機會進(jìn)入市場。

而當前南亞科現在以20納米級的技術爲主力，技術來源爲過(guò)去的合作夥伴美光，而且每年也支付美光相關技術授權費用。而随着南亞科導入自主的10納米級制程技術之後(hòu)，則未來將(jiāng)不再大幅度仰賴美光授權，使得高昂授權費支付的情況也可以減少，有利于南亞科往後(hòu)的營運發(fā)展。

近日，兆易創新發(fā)布最新财報，數據顯示，2020年第一季度，兆易創新共實現營收8.05億元，同比增長(cháng)76.51%；歸屬于上市公司股東的淨利潤1.68億元，同比增長(cháng)高達323.24%。兆易創新表示，2020年第一季度财報同比大漲，主要受消費類、物聯網市場同期需求增加，而2019年第一季度受中美貿易摩擦影響市場需求疲軟。

資料顯示，兆易創新主要産品爲閃存芯片産品、微控制器産品、以及2019年新增加的傳感器産品，其中閃存芯片産品主要爲NOR Flash和NAND Flash兩(liǎng)類。2020年第一季度，兆易創新研發(fā)支出1.06億元，同比增長(cháng)64.65%。

當前，兆易創新正在積極布局擴充其産品線，2019年，兆易創新依據業務經(jīng)營情況調整公司組織架構，組建完成(chéng)了存儲+MCU+傳感器爲核心的三大事(shì)業部架構，現有的業務布局分爲存儲、MCU和傳感器三大方向(xiàng)。

對(duì)于2020年的的發(fā)展戰略，兆易創新表示，2020年，公司將(jiāng)繼續圍繞發(fā)展戰略和方向(xiàng)，持續加大技術和産品研發(fā)投入，提高存量市場占有率，把握新興領域增量市場，在強化技術和産品的核心競争力的同時，還(hái)將(jiāng)大力推進(jìn)産品線和産能(néng)的布局。

其中，在NOR Flash産品方面(miàn)，2020年兆易創新將(jiāng)實現55nm工藝産品全面(miàn)量産，并提升産品容量，針對(duì)5G基站、AIOT、智慧城市、可穿戴式應用等領域持續推出具有競争力的多樣化産品。

在NAND Flash産品上，2020年兆易創新將(jiāng)實現24nm工藝平台産品量産，同時針對(duì)SLC NAND産品，提升産品容量，推出中高容量解決方案，以滿足移動終端、智能(néng)化産品及中高容量市場需求，在5G帶動的AIOT領域持續開(kāi)辟新增長(cháng)點。

在MCU産品方面(miàn)，兆易創新將(jiāng)不斷加強産品安全功能(néng)，爲客戶提供安全可靠，功能(néng)豐富的無線MCU。同時配合通用MCU産品，拓展電源管理和電機驅動控制産品，爲消費、工業和新能(néng)源技術提供低功耗高性能(néng)電源解決方案。

傳感器産品方面(miàn)，在光學(xué)方向(xiàng)上，思立微將(jiāng)在2020年進(jìn)一步完成(chéng)超小封裝透鏡式光學(xué)指紋産品、超薄光學(xué)指紋産品、大面(miàn)積TFT光學(xué)屏下指紋等創新産品的大規模産業化應用，并推出柔性大面(miàn)積光學(xué)指紋；在超聲方向(xiàng)上，將(jiāng)基于已研發(fā)成(chéng)功的超聲換能(néng)器結構及工藝，搭配邊緣端的信号處理系統，進(jìn)一步拓展其在人機交互、體征監測及汽車電子等方向(xiàng)的應用。

值得注意的是，作爲中國(guó)大陸閃存芯片設計企業，兆易創新也在積極整合産業資源，布局DRAM産品領域，進(jìn)一步拓展并豐富公司産品線，提升公司的核心競争力和行業影響力。

2019年9月，兆易創新發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行股票預案，拟募集資金總額不超過(guò)人民币43億元，用于DRAM芯片自主研發(fā)及産業化項目及補充流動資金。項目開(kāi)發(fā)目标爲研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

兆易創新表示，2020年將(jiāng)繼續推進(jìn)公司非公開(kāi)發(fā)行股票事(shì)項，拟募集資金不超過(guò)約43億元，用以研發(fā)1Xnm級工藝制程下的DRAM技術，進(jìn)一步擴大公司存儲器産品的種(zhǒng)類與規模。此外，公司將(jiāng)繼續推進(jìn)合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目合作，探讨在DRAM産品銷售、代工、以及工程端的多種(zhǒng)合作模式。