長(cháng)鑫存儲歸檔 - 北京中代科技有限公司

四強聯手長(cháng)三角支持長(cháng)鑫12英寸存儲器基地項目建設

2020年6月8日由中代科技評論關閉

6月6日，在長(cháng)三角一體化發(fā)展重大合作事(shì)項簽約儀式上，長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業務合作協議簽約。

Source：視頻截圖

據新民晚報報道(dào)，長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業務合作協議由長(cháng)鑫存儲技術有限公司、蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、甯波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約。

據官網介紹，長(cháng)鑫存儲于2016年5月在安徽合肥成(chéng)立，是一家一體化存儲器制造商，專業從事(shì)動态随機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生産和銷售，目前已建成(chéng)第一座12英寸晶圓廠并投産。DRAM産品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、人工智能(néng)、虛拟現實和物聯網等領域，市場需求巨大并持續增長(cháng)。

此次與長(cháng)鑫存儲簽約的公司，各自在集成(chéng)電路領域均有着舉足輕重的地位。

其中，蘇州瑞紅是國(guó)内知名的電子化學(xué)品公司，成(chéng)立于1993年，是國(guó)内著名的專業生産微電子化學(xué)品的工廠，公司主要生産光刻膠、配套試劑、高純化學(xué)試劑等黃光區濕化學(xué)品，應用于FPD(LCD、TP、OLED、CF)、LED、IC等相關電子行業，與國(guó)内大部分相關廠商保持業務聯系。

蘇州瑞紅先後(hòu)承擔過(guò)國(guó)家“85公關”項目、科技部創新基金項目、“863”重大專項，國(guó)家級重大專項02項目等，擁有數項國(guó)家發(fā)明專利和高新技術産品，是江蘇省高新技術企業。

甯波江豐電子是國(guó)内知名的電子靶材公司，成(chéng)立于2008年，主營業務爲高純濺射靶材的研發(fā)、生産和銷售，主要産品爲各種(zhǒng)高純濺射靶材，包括鋁靶、钛靶、钽靶、鎢钛靶等，公司産品主要應用于半導體(主要爲超大規模集成(chéng)電路領域)、平闆顯示器及太陽能(néng)電池等領域。

據悉，該公司産品已經(jīng)成(chéng)功地在中芯國(guó)際、台積電、英特爾、格芯、京東方、華星光電等世界主流的半導體、平闆顯示等電子信息産業中批量銷售，并在國(guó)際領先的半導體FinFET（FF+）7nm技術得到量産應用，打破了國(guó)外企業對(duì)靶材産業的長(cháng)期壟斷，結束了我國(guó)依賴進(jìn)口的曆史。

而上海新昇半導體則是重要的矽片供應商，成(chéng)立于2014年，注冊資本7.8億元，新昇半導體的成(chéng)立翻開(kāi)了中國(guó)大陸300mm半導體矽片産業化的新篇章，將(jiāng)徹底打破我國(guó)大尺寸矽材料基本依賴進(jìn)口的局面(miàn)，使我國(guó)基本形成(chéng)完整的半導體産業鏈。帶動全行業整體提升産品能(néng)級，同時也將(jiāng)帶動國(guó)内矽材料配套産業的發(fā)展。

根據官方介紹，新昇半導體第一期目标緻力于在我國(guó)研究、開(kāi)發(fā)适用于40-28nm節點的300mm矽單晶生長(cháng)、矽片加工、外延片制備、矽片分析檢測等矽片産業化成(chéng)套量産工藝；建設300毫米半導體矽片的生産基地，實現300毫米半導體矽片的國(guó)産化，充分滿足我國(guó)極大規模集成(chéng)電路産業對(duì)矽襯底基礎材料的迫切要求。

此次集成(chéng)電路産業4家企業簽約，支持長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設，可謂是強強聯手，無疑將(jiāng)進(jìn)一步提升長(cháng)三角地區集成(chéng)電路産業競争力。

光威弈PRO内存條5.14京東全球首發(fā) 長(cháng)鑫開(kāi)創國(guó)産芯片新局面(miàn)

2020年5月13日由中代科技評論關閉

一直以來，三大存儲巨頭長(cháng)期壟斷全球内存芯片市場，而由于缺乏核心技術，在國(guó)内内存條市場國(guó)外品牌也長(cháng)時間占據了主導地位。因此，近年國(guó)内對(duì)于内存芯片和内存條的國(guó)産化呼聲很高。

合肥長(cháng)鑫存儲擁有12英寸晶圓廠，和動态随機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生産能(néng)力，是國(guó)内首屈一指的一體化存儲器制造商，擔負着國(guó)内對(duì)内存芯片的希望。

在今年2月份，長(cháng)鑫發(fā)布了首顆國(guó)産的1X nm級别的DDR4内存芯片。長(cháng)鑫DDR4内存芯片，具有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能(néng)和更低的能(néng)耗，是匹配現有市場需求，能(néng)夠應用多個産品領域的國(guó)産内存芯片。

而在近日，嘉合勁威旗下光威推出了首款純國(guó)産内存條——光威弈PRO系列内存條。該内存條正是采用了國(guó)産真芯長(cháng)鑫DDR4内存芯片。

根據玩家測評顯示，光威弈PRO 8G DDR4，不僅兼容性好(hǎo)，而且可玩性高。目前已有一些玩家超頻4000MHZ以上且正在嘗試更高頻率，也有一些玩家嘗試在1.2V電壓的情況下超較高的頻率，等等玩法。這(zhè)些都(dōu)充分的表明長(cháng)鑫顆粒的體質非常好(hǎo)，已經(jīng)媲美三大廠的中高等級的内存顆粒。

國(guó)産真芯長(cháng)鑫内存顆粒性能(néng)到底如何?光威弈PRO系列純國(guó)産内存條到底是怎樣的國(guó)貨?産品的好(hǎo)與壞，交給市場去評判。5月14日，光威弈PRO内存條正式登陸京東，一見分曉。

最後(hòu)，國(guó)外三大巨頭在DRAM生産制程上已經(jīng)實現1Y，1Z工藝了，國(guó)外大廠商都(dōu)在研究DDR5了。相對(duì)于它們來說，長(cháng)鑫的1X工藝DDR4 DRAM，光威純國(guó)産DDR4，隻是後(hòu)浪。但是對(duì)于我們國(guó)内來說，國(guó)産内存如此巨大的技術進(jìn)步，是值得肯定的，振奮人心的。長(cháng)鑫内存芯片的出現，打破了三大巨頭壟斷内存芯片的局面(miàn)，是國(guó)産内存芯片從無到有的階段性勝利，開(kāi)創了國(guó)産内存的新局面(miàn)。我們相信在不久的將(jiāng)來，中國(guó)也將(jiāng)擁有1Znm DRAM技術，在國(guó)産内存芯片的推動下中國(guó)也將(jiāng)擁有一些像金士頓、海盜船那樣的全球一線品牌，中國(guó)也能(néng)趕上國(guó)際大廠的研發(fā)進(jìn)度造出自己的DDR5。

長(cháng)鑫存儲官網上線DDR4内存芯片産品

2020年2月26日由中代科技評論關閉

繼2019年9月宣布量産8Gb DDR4後(hòu)，長(cháng)鑫存儲DDR4内存芯片産品日前已在官方網站上線，包括DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模組等，并公布了具體産品資料。

據官網介紹，DDR4内存芯片是首顆國(guó)産DDR4内存芯片，是第四代雙倍速率同步動态随機存儲器。相較于上一代DDR3内存芯片，DDR4内存芯片擁有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能(néng)和更低的能(néng)耗。長(cháng)鑫存儲自主研發(fā)的DDR4内存芯片滿足市場主流需求，可應用于PC、筆記本電腦、服務器、消費電子類産品等領域。

産品資料顯示，長(cháng)鑫存儲DDR4内存芯片單顆容量8Gb，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C ，78 – ball FBGA與96 – ball FBGA兩(liǎng)種(zhǒng)封裝規格。長(cháng)鑫存儲稱該産品特點包括高速數據傳輸、多領域應用支持、多産品組合、可靠性保障等。

LPDDR4X内存芯片爲第四代超低功耗雙倍速率同步動态随機存儲器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多項降低功耗的設計。在高速傳輸上，LPDDR4X内存芯片相較于第三代有着更優越出色的低耗表現，服務于性能(néng)更高、功耗更低的移動設備。參數方面(miàn)，長(cháng)鑫存儲LPDDR4X内存芯片有2GB和4GB兩(liǎng)種(zhǒng)容量，3733Mbps速率，工作電壓1.8V/1.1V/0.6V，工作溫度-30 °C ~ 85 °C，采用200ball FBGA封裝。

DDR4模組是第四代高速模組，相較于DDR3模組，性能(néng)和帶寬顯著提升，最高速率可達3200Mbps。長(cháng)鑫存儲表示，DDR4模組由其自主開(kāi)發(fā)設計、原廠内存顆粒，是目前内存市場主流産品，可服務于個人電腦和服務器等傳統市場，以及人工智能(néng)和物聯網等新興市場。參數方面(miàn)，DDR4模組容量8GB，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C，260-pin SODIMM、288-pin SODIMM兩(liǎng)種(zhǒng)封裝規格。

官網信息顯示，長(cháng)鑫存儲上述産品已接受技術咨詢和銷售咨詢。

2016年5月，總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目啓動建設，曆經(jīng)3年多時間，2019年9月長(cháng)鑫存儲正式宣布投産，與國(guó)際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計産能(néng)每月12萬片晶圓。

長(cháng)鑫存儲：獲得大量DRAM内存專利

2019年12月9日由中代科技評論關閉

近日，長(cháng)鑫存儲技術有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯合宣布，就原動态随機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達開(kāi)發(fā)的DRAM專利，長(cháng)鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成(chéng)專利許可協議和專利采購協議。

依據專利許可協議，長(cháng)鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術專利的實施許可。這(zhè)些專利來自Polaris于2015年6月從奇夢達母公司英飛淩購得的專利組合。

依據獨立的專利采購協議，長(cháng)鑫存儲從Polaris購得相當數量的DRAM專利。

此專利許可和專利采購協議中所包括的交易金額等商業秘密條款在此不予披露。

“長(cháng)鑫存儲將(jiāng)繼續通過(guò)自主研發(fā)以及與WiLAN等國(guó)際夥伴的合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值知識産權方面(miàn)的積累。”長(cháng)鑫存儲董事(shì)長(cháng)兼首席執行官朱一明表示。“兩(liǎng)份協議标志着，在完善知識産權組合、進(jìn)一步強化技術戰略和保障DRAM業務運營方面(miàn)，長(cháng)鑫存儲采取了新舉措。”

“長(cháng)鑫存儲是中國(guó)DRAM産業引領者。很高興看到長(cháng)鑫存儲認可Polaris所持DRAM專利的價值。這(zhè)兩(liǎng)份協議表明，長(cháng)鑫存儲高度重視知識産權，緻力于持續投入研發(fā)。我們相信，由此獲得的權益將(jiāng)使長(cháng)鑫存儲在業内擁有競争優勢，助力長(cháng)鑫存儲持續開(kāi)發(fā)DRAM關鍵技術。”WiLAN總裁兼首席執行官Michael Vladescu表示。“與長(cháng)鑫存儲的協議將(jiāng)推動WiLAN在中國(guó)等主要新興市場進(jìn)一步開(kāi)發(fā)業務機會，從而繼續爲母公司Quarterhill和投資者創造更多價值。”

DRAM合約價格八月止跌九月走勢如何？

2019年9月26日由中代科技評論關閉

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合約價與前月持平，DDR4 8GB均價來到25.5美元，而九月合約價格雖然仍在議定當中，但繼續持平的可能(néng)性高。

從市場面(miàn)來觀察，随着日本政府批準關鍵半導體原料出口，七月開(kāi)始的日韓貿易問題已正式落幕。但期間OEM客戶受不确定因素與預期心理影響，已紛紛拉高備貨庫存，使得DRAM原廠的高庫存水位逐步下降，并往正常水位邁進(jìn)。

此外，第三季适逢傳統旺季，再加上美國(guó)將(jiāng)在12月初開(kāi)始對(duì)部分中國(guó)出口的電子産品課征關稅，也産生提前出貨的效應，需求力道(dào)超過(guò)預期，這(zhè)讓DRAM原廠在價格議定時态度更爲堅定，亦讓整體第三季價格扭轉原先的跌勢，轉爲持平。

原廠調整資本支出以穩固獲利，明年DRAM産出增幅創十年新低

展望2020年，由于三大DRAM原廠仍以獲利爲導向(xiàng)，資本支出預估將(jiāng)較今年減少至少10%，明年的産出年成(chéng)長(cháng)亦是近十年來新低，僅12.5%，爲價格反彈奠定一定的基礎。

集邦咨詢調查顯示，DRAM原廠的擴廠計劃轉趨保守，如三星的平澤二廠已經(jīng)接近完工，但最快要到2020年第二季才會進(jìn)入商轉，且新增的設備僅是支持未來1Znm制程的轉進(jìn)，整體投片量將(jiāng)與今年大緻相同。

SK海力士最新M16工廠最快明年下半年完工，産出增加最快要等到2021年，加上舊工廠M10逐步轉做代工，預估明年整體DRAM投片量將(jiāng)不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設的F棟工廠，也是爲了支援1Znm制程轉進(jìn)，整體廣島廠産能(néng)并無增加。而台灣美光内存目前正在興建的A3新廠，初期也是支援1Znm制程轉進(jìn)，短期增産機會并不大。但A3廠基地面(miàn)積不小，未來還(hái)是有新增産能(néng)的可能(néng)。

明年中國(guó)DRAM投片占全球不到3%，對(duì)産業長(cháng)期影響仍待觀察

中國(guó)目前有兩(liǎng)個DRAM生産基地，規模較大的合肥長(cháng)鑫存儲(CXMT)已經(jīng)初步投産，初期産品以DDR4 8Gb爲主，明年上半年將(jiāng)會有LPDDR4 8Gb的産品，持續往量産邁進(jìn)，但預計要到2021年，産能(néng)才有機會達到滿載的100K甚至以上。

福建晉華(JHICC)雖然受到美國(guó)禁令影響，美系設備無法有工程人員駐廠維護，但内部仍嘗試自行將(jiāng)參數調整至最佳化，預計明年投片有10K之内的水平。

因此集邦咨詢預估，2020年中國(guó)DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%，自主生産成(chéng)果仍有限。展望未來，中國(guó)内存産業仍需克服良率、機台建置以及IP相關限制等挑戰，對(duì)整體DRAM供給産生明顯沖擊的确切時間點，仍需持續觀察。

展望2020年，全球存儲市場産能(néng)、價格又將(jiāng)出現哪些變化？存儲産業又將(jiāng)迎來哪些新的機遇與挑戰？

爲了更快更好(hǎo)地推動存儲市場發(fā)展，增強業界對(duì)2020年存儲産業的深入了解，促進(jìn)産業上下遊交流與互動，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲産業趨勢峰會”將(jiāng)于2019年11月27日在深圳舉辦。

總投資超2200億合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路制造基地項目簽約

2019年9月23日由中代科技評論關閉

9月21日，在2019世界制造業大會上，合肥市政府與長(cháng)鑫存儲技術有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創科技集團股份有限公司等舉行了合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路制造基地項目簽約儀式，該項目主要圍繞長(cháng)鑫存儲項目布局上下遊産業鏈配套，提供生活服務設施，緻力于打造産城融合國(guó)家存儲産業基地、世界一流的存儲産業集群。

據了解，合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路制造基地項目總投資超過(guò)2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示範區，占地面(miàn)積月15.2平方公裡(lǐ)，由長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成(chéng)電路配套産業園和合肥空港國(guó)際小鎮三個片區組成(chéng)。

其中長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資1500億元，是安徽省單體投資最大的工業項目；空港集成(chéng)電路配套産業園總投資超過(guò)200億元，位于長(cháng)鑫存儲項目以西；合肥空港國(guó)際小鎮總投資約500億元，規劃面(miàn)積9.2平方公裡(lǐ)，總建築面(miàn)積420萬平方米，位于長(cháng)鑫存儲項目以北。

值得注意的是，據新華網報道(dào)，就在簽約的前一天（9月20日），長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目正式宣布投産，其與國(guó)際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計産能(néng)每月12萬片晶圓。而長(cháng)鑫存儲董事(shì)長(cháng)兼首席執行官朱一明也表示，投産的8Gb DDR4通過(guò)了多個國(guó)内外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗産品也即將(jiāng)投産。

合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路制造基地全部建成(chéng)後(hòu)，預計可形成(chéng)産值規模超2000億元，集聚上下遊龍頭企業超200家，吸引各類人才超20萬人。

安徽日報指出，長(cháng)鑫晶圓項目由合肥市産業投資(控股)集團有限公司和北京兆易創新科技股份有限公司合作投資，長(cháng)鑫存儲負責管理和運營，是中國(guó)大陸唯一擁有完整技術、工藝和生産運營團隊的DRAM項目。該項目建設3座12英寸DRAM存儲器晶圓工廠，打造研發(fā)、生産、銷售于一體的存儲器芯片國(guó)産化生産基地，預計三期滿産後(hòu)，産能(néng)達每月36萬片。

長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目投産

2019年9月20日由中代科技評論關閉

20日在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目宣布投産，其與國(guó)際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計産能(néng)每月12萬片晶圓。

該項目以打造設計和制造一體化的内存芯片國(guó)産化制造基地爲目标，2016年5月由合肥市政府旗下投資平台合肥産投與細分存儲器國(guó)産領軍企業兆易創新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業項目。目前，項目已通過(guò)層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國(guó)電子技術标準化研究院的量産良率檢測報告。

國(guó)家重大專項01專項專家組組長(cháng)、清華大學(xué)微電子所所長(cháng)魏少軍，國(guó)家重大專項01專項專家組專家、中國(guó)科學(xué)技術大學(xué)特聘教授陳軍甯等業内權威專家表示，這(zhè)标志我國(guó)在内存芯片領域實現量産技術突破，擁有了這(zhè)一關鍵戰略性元器件的自主産能(néng)。

DRAM即動态随機存取存儲器，是芯片産業中産值占比最大的單一品類。2018年，中國(guó)芯片進(jìn)口額超過(guò)3000億美元，這(zhè)個單一品類就占到了其中的兩(liǎng)成(chéng)以上。其作爲最常見的内存芯片，被喻爲連接中央處理器的“數據高速公路”，廣泛應用于高性能(néng)計算、工業設備、消費電子等電子産品之中。

據魏少軍等專家介紹，我國(guó)雖是該芯片的最大應用市場，此前卻始終未能(néng)出現實現量産的國(guó)産項目，沒(méi)有掌握自主産能(néng)。

長(cháng)鑫存儲投産的産品是現在全球市場上的主流産品。“投産的8Gb DDR4通過(guò)了多個國(guó)内外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗産品也即將(jiāng)投産。”大會現場，長(cháng)鑫存儲董事(shì)長(cháng)兼首席執行官朱一明手持一顆指甲蓋大小的芯片說。

長(cháng)鑫存儲首次公開(kāi)亮相談未來技術

2019年9月20日由中代科技評論關閉

昨日，長(cháng)鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術發(fā)展現狀和未來趨勢。作爲中國(guó)DRAM産業的領導者，長(cháng)鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向(xiàng)技術引領者轉變，用自主研發(fā)的DRAM技術和專利，引領中國(guó)實現DRAM零的突破。

DRAM技術的發(fā)展現狀

平爾萱博士表示，我們現在所處的數據社會是在IC的支撐下建立起(qǐ)來的，其中馮諾依曼架構則是這(zhè)些數據計算的基礎。這(zhè)個架構的一個特點是數據存儲在存儲器DRAM中，CPU以一定的規則獲取存儲器中的數據，并進(jìn)行運算，然後(hòu)將(jiāng)結果通過(guò)外圍設備，比如顯示器呈現出來。

“随着數據量的增加，處理數據的能(néng)力要加強，因此需要強大的CPU，同時存儲器的數據容量也要增強，并且讀寫速度也要增加。因此近來對(duì)DRAM的要求也必須持續提高。DRAM的前景是十分看好(hǎo)”，平爾萱博士強調。IBS首席執行官 Handel Jones日前在上海出席一場技術論壇時也表示，DRAM將(jiāng)于2020年迎來複蘇，增長(cháng)9.87%，這(zhè)也從側面(miàn)印證了平博士的觀點。

平博士介紹，所謂DRAM，是基于電容存儲電荷爲原理的緊密鋪排的陣列。這(zhè)個陣列通過(guò)一系列外圍電路管理從而讀寫裡(lǐ)面(miàn)存儲的數據。自上世紀60年代發(fā)明以來，DRAM容量和尺寸獲得了飛速的發(fā)展。與過(guò)往相比，今天，一個面(miàn)積小于指甲蓋的DRAM裡(lǐ)可容納80億存儲單元，按照8個存儲單元存儲一個字母，那就意味着一個芯片可能(néng)存8億個字母。并且這(zhè)些數據可以以6Gb/sec 的速度，在幾秒内完成(chéng)讀寫。而在這(zhè)些改變背後(hòu)，是DRAM技術多次“進(jìn)化”的結果。

從平博士的介紹我們得知，DRAM技術在發(fā)明之後(hòu)的幾十年裡(lǐ)，經(jīng)曆了從早期簡單的平面(miàn)結構，變化成(chéng)爲了向(xiàng)空間争取表面(miàn)積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構。這(zhè)主要與容量的提升需求和制造方法的局限性有關。

平博士解釋道(dào)，早期的DRAM芯片，由于線寬比較大，因此有足夠的平面(miàn)面(miàn)積可制造出足夠的電容值。然而随着線寬的減少，表面(miàn)積逐漸減少，過(guò)往的技術不能(néng)滿足所需電容值，因此DRAM開(kāi)始走向(xiàng)空間結構，争取更多的表面(miàn)積，演變出向(xiàng)上和向(xiàng)下兩(liǎng)種(zhǒng)技術發(fā)展路線，并且共存了接近三十年。而最終以堆疊式架構勝出。

“造成(chéng)這(zhè)個結局的一個重要原因是溝槽式架構面(miàn)臨幾個技術難點：其一是溝槽式隻限于單面(miàn)表面(miàn)積，堆疊式可用雙面(miàn)表面(miàn)積，溝槽式架構很快就達到了刻蝕深寬比極限；其二是高介質材料的應用受到溝槽式中高溫制程的限制。傳統材料SiO ，Al2O3可以在高溫下有低漏電的特性，因此比較适合溝槽式架構，但像HfO，ZrO這(zhè)些高介解常數材料漏電在高于600℃的溫度下增加許多，不能(néng)用于溝槽式架構中需高溫處理的三極管制造中。”

平博士還(hái)提到，在DRAM技術的演進(jìn)過(guò)程中，曾經(jīng)的DRAM巨頭奇夢達提出的埋入式電栅三極管概念也給整個産業帶來巨大的貢獻。他表示，這(zhè)個技術同樣是利用空間，將(jiāng)三極管的性能(néng)提升，這(zhè)種(zhǒng)提升随着線寬的減少越來越被需要。而近代DRAM産品都(dōu)沿用這(zhè)個概念。

“回看堆疊式架構的發(fā)展曆史以及展望將(jiāng)來的發(fā)展趨勢就可以發(fā)現，現在DRAM沿用密集排布電容及埋入式字線三極管，乃至今後(hòu)3-5代DRAM”，平博士說。

DRAM未來的發(fā)展探索

在談到DRAM技術未來的發(fā)展時，平博士首先強調，DRAM是有它的極限的。我們通過(guò)改進(jìn)，可以將(jiāng)極限推遲。如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能(néng)，就是DRAM産業的一個選擇，這(zhè)在未來幾年將(jiāng)可以維持DRAM技術發(fā)展，滿足大數據時代的需求。

首先在EUV方面(miàn)，平博士指出，EUV是繼193納米 Immersion Scanner後(hòu)又一個光刻機革命。它可滿足工藝精準度在持續微縮中不斷增加的要求。而DRAM又是一個十分密集堆疊的設計，且對(duì)信号要求十分嚴格，任何小的偏離都(dōu)會對(duì)信号造成(chéng)損失。那就意味着EUV技術的出現對(duì)DRAM技術的延展有很大的作用：如將(jiāng)線寬進(jìn)一步減少以增加存儲密度。

“EUV主要是針對(duì)陣列。但外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術發(fā)展的另一個機會”，平博士補充說。

他表示，在DRAM幾乎一半的外圍線路中，有一半是邏輯線路用的。在過(guò)往，這(zhè)部分的CMOS一直都(dōu)是用傳統的SiON/Poly Si Gate堆棧的。但這(zhè)個堆棧在32/28納米階段碰到了瓶頸：一方面(miàn)是SiON厚度已到極限，不能(néng)再薄了；另一方面(miàn)，Poly Si作爲半導體材料，導電率也不足了，出現了嚴重的元器件性能(néng)不足。如在高端的圖顯DDR中，芯片性能(néng)速度明顯不足，這(zhè)就需要引進(jìn)更先進(jìn)的HKMG CMOS提供更好(hǎo)性能(néng)。随着DDR5的到來，HKMG CMOS的使用會越來越現實。

“由于DRAM制程中有電容這(zhè)一段，因此HGMG制程的選擇需與電容制程匹配。所謂的Gate First制程就可被選擇爲DRAM邏輯線路CMOS制程”，平博士說。他進(jìn)一步表示，通過(guò)引入HKMG，不但可以推動存儲密度進(jìn)一步提高，接口速度也同步獲得了提升。

“爲了繼續發(fā)展DRAM技術，我們還(hái)需要在新材料、新架構上進(jìn)行更多探索，并與相關企業進(jìn)行合作”，平博士說。他最後(hòu)指出，回顧過(guò)去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這(zhè)正是長(cháng)鑫存儲從一開(kāi)始建立就堅持的。

從平博士的介紹中我們可以看到，基于授權所得的奇夢達相關技術和從全球招攬的極具豐富經(jīng)驗的人才，長(cháng)鑫存儲借助先進(jìn)的機台已經(jīng)把原本奇夢達的46納米 DRAM平穩推進(jìn)到了10納米級别。公司目前也已然開(kāi)始了在EUV、HKMG和GAA等目前還(hái)沒(méi)有在DRAM上實現的新技術探索。

正如前面(miàn)所述，這(zhè)些技術將(jiāng)會給DRAM帶來一個巨大的提升。這(zhè)也會讓長(cháng)鑫存儲有機會從一個技術追随者轉變爲一個技術并駕齊驅、甚至全球領先的中國(guó)DRAM玩家

中芯國(guó)際趙海軍後(hòu) 長(cháng)鑫存儲朱一明也加盟GSA董事(shì)會

2019年9月18日由中代科技評論關閉

全球半導體聯盟（Global Semiconductor Alliance）9月17日宣布，任命長(cháng)鑫存儲技術有限公司董事(shì)長(cháng)兼首席執行官朱一明爲聯盟董事(shì)會成(chéng)員。

全球半導體聯盟在全球擁有來自超過(guò)25個國(guó)家和地區的250多家企業會員，代表着産值4500億美元的半導體産業中70%的力量，涵蓋了從初創公司到行業巨頭的公共和私營企業，其中100家爲上市公司。

聯盟領導層由半導體及相關高科技行業的技術和商業領袖組成(chéng)，其董事(shì)會成(chéng)員包括來自英特爾、三星、超微半導體（AMD）、安謀科技（ARM）、高通、應用材料等全球半導體巨頭的高級負責人。此前，中芯國(guó)際聯席首席執行官趙海軍是董事(shì)會内唯一代表中國(guó)大陸半導體企業的成(chéng)員。

朱一明在寫給全球半導體聯盟總裁Jodi Shelton女士的答謝函中表示，感謝行業和聯盟對(duì)長(cháng)鑫存儲的認可。公司成(chéng)立三年來，以國(guó)際合作爲基礎，開(kāi)展創新和自主研發(fā)，産品設計和制造等各項工作按照既定目标穩步前進(jìn)；未來將(jiāng)繼續務實發(fā)展，交付成(chéng)果，并在全球半導體生态圈努力促進(jìn)國(guó)際合作。

朱一明說：“加入全球半導體聯盟董事(shì)會將(jiāng)加強長(cháng)鑫存儲與全球半導體公司的合作。作爲中國(guó)存儲芯片行業的新興領導企業，長(cháng)鑫存儲全力支持聯盟的各項國(guó)際合作倡議，樂于提供我們的見解。”

全球半導體聯盟董事(shì)會主席、超微半導體首席執行官蘇姿豐博士表示：“董事(shì)會領導層的此次拓展有助于聯盟爲會員企業創造更多價值。半導體行業擁有複雜的生态系統，需要深入、持續的合作。董事(shì)會層面(miàn)的積極互動是推動行業進(jìn)步的關鍵，這(zhè)將(jiāng)讓我們共同取得成(chéng)功。”

全球半導體聯盟目前有30家會員企業的總部位于中國(guó)大陸。聯盟一直緻力于促進(jìn)跨國(guó)、跨地區合作，希望在中國(guó)大陸吸收更多會員。過(guò)去25年裡(lǐ)，聯盟始終代表着世界半導體行業的中立聲音。包括朱一明在内的新一輪任命凸顯了聯盟在拓展全球各地區代表性方面(miàn)的努力。

長(cháng)鑫存儲的事(shì)業開(kāi)始于2016年，專業從事(shì)動态随機存取存儲芯片（DRAM）的研發(fā)、生産和銷售，目前已建成(chéng)第一座12英寸晶圓廠。DRAM産品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、人工智能(néng)、虛拟現實和物聯網等領域。

安徽省政府披露長(cháng)鑫存儲最新進(jìn)展！

2019年6月6日由中代科技評論關閉

日前，安徽省人民政法辦公廳印發(fā)《2019年省級調度重大項目計劃》，其中透露了長(cháng)鑫12吋存儲晶圓制造基地項目等的最新進(jìn)展情況。

根據通知，安徽省2019年省級調度重大項目計劃安排項目115個，總投資11069.70億元，年度計劃投資1333.44億元。在這(zhè)115個項目中，筆者發(fā)現有12吋晶圓驅動芯片制造項目、長(cháng)鑫12吋存儲晶圓制造基地項目、顯示驅動芯片COF卷帶生産項目、OLED微型顯示器件項目等集成(chéng)電路/半導體相關項目在内。

安徽省《2019年省級調度重大項目計劃》顯示，長(cháng)鑫12吋存儲晶圓制造基地項目的項目單位爲合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路有限責任公司，項目總建築面(miàn)積44.6萬平方米，建設12吋晶圓研發(fā)生産線，購置光刻機台、蝕刻機台、CMP、CVD、PVD、離子植入、爐管、芯片清洗等設備若幹台（套），形成(chéng)年産150萬片業界先進(jìn)工藝制程的12英寸存儲器晶圓的生産能(néng)力。

該項目總投資534.00億元，截至2018年底完成(chéng)投資191.30億元，2019年計劃投資50.00億元，項目進(jìn)展情況爲一期研發(fā)階段所有單體已完成(chéng)，目前研發(fā)線晶圓片電性測試良好(hǎo)，成(chéng)品芯片功能(néng)通過(guò)；正在進(jìn)行良率提升以及量産準備工作；該項目2019年工作目标是部分完工，其中部分生産線投入使用。

資料顯示，合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路有限責任公司由合肥市産業投資控股（集團）有限公司和合肥産投新興戰略産業發(fā)展合夥企業（有限合夥）出資設立，兩(liǎng)者持股比例分别爲99.75%、0.25%。合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路有限責任公司100%控股睿力集成(chéng)電路有限公司，并持有長(cháng)鑫存儲技術有限公司19.9%股權。