芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延遲内存套裝!

芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延遲内存套裝!

2020年06月12日 – 世界知名超頻内存及高端電競外設領導品牌,芝奇國(guó)際爲新一代Intel Z490平台推出多款高速低延遲内存套裝,規格最高達DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB (16GBx2)的極速規格,并已于多款Z490系列主闆完成(chéng)燒機測試,此一系列套裝皆采用嚴選的高效能(néng)三星 B-die顆粒所打造,兼具超高的傳輸頻率以及極低的延遲,是極限超頻玩家及高端用戶夢寐以求的強悍内存規格。

兼具高頻率低延遲  效能(néng)的完美展現

專注于極限超頻的強大效能(néng),芝奇研發(fā)團隊不斷挑戰高頻率與低延遲共存的全新高度,成(chéng)功于新一代Z490平台上推出一系列CL17低時序的豪華内存規格,達到了4400MHz高頻率的門坎,并推出業界首見的DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB(16GBx2)飙悍高規,提供極限超頻玩家能(néng)嶄新的高效能(néng)體驗。此規格已在最新的第10代Intel® Core™處理器和MSI MPG Z490 GAMING PLUS及ASROCK Z490 AQUA主闆上通過(guò)燒機測試,以下爲測試截圖:

除了16GBx2套裝外,芝奇也提供DDR4-4400MHz CL17-18-18-38 16GB(8GBx2)的高速規格,以下截圖爲此規格在最新第10代Intel? Core? i9-10900K處理器和ASUS ROG MAXIMUS XII FORMULA主闆上通過(guò)燒機測試:

上市信息 & 詳細規格

本次的頂級套裝預計于2020年第3季開(kāi)始販賣,消費者將(jiāng)可由芝奇授權的全球合作供貨商購買取得,完整規格請參照以下圖表:

支持 XMP 2.0 超頻功能(néng)

芝奇超頻DDR4内存全面(miàn)支持 Intel XMP 2.0 超頻功能(néng),玩家無需透過(guò)複雜的 BIOS 設置,僅需透過(guò)簡單步驟就能(néng)輕松體驗超頻所帶來的飙速快感。

關于芝奇國(guó)際

芝奇國(guó)際實業股份有限公司創立于1989年,總公司位于台北市,爲全球高端超頻、電競計算機内存領導品牌。在計算機科技産業長(cháng)達30年的經(jīng)驗,芝奇深信唯有不懈的創新及突破,才能(néng)建立永續的品牌價值。另外,芝奇往往率先同行開(kāi)發(fā)出高規格産品,其高端内存宛如計算機硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以競技争鋒的夢幻逸品。2015年,芝奇將(jiāng)對(duì)産品的苛刻創新精神,帶入電競外圍産品,其電競鍵盤及鼠标憑着精細的作工及獨到的設計,一經(jīng)上市即榮獲全球衆多專業媒體和極限用戶的好(hǎo)評及推薦。芝奇秉承堅持淬煉不凡的精神,將(jiāng)不斷爲用戶提供更高質量的産品。

國(guó)内首款中國(guó)芯DDR4内存條,在深圳坪山大規模量産

國(guó)内首款中國(guó)芯DDR4内存條,在深圳坪山大規模量産

近日,國(guó)内首款中國(guó)芯的DDR4内存條——光威弈PRO DDR4内存條,在深圳坪山大規模量産。光威弈PRO DDR4内存條采用自主國(guó)産的長(cháng)鑫内存芯片,由深圳市嘉合勁威電子科技公司生産制造。

光威弈Pro DDR4有台式機DDR4和筆記本DDR4兩(liǎng)款。光威弈Pro DDR4台式機内存條共有2個規格:8G容量的版本,頻率爲3000MHz,内存條的時序是16-18-18-38,電壓是1.35V;16G容量的版本,頻率爲2666MHZ,内存條的時序是19-19-19-43,電壓是1.2V。光威弈Pro DDR4筆記本内存條也有2個規格:8G容量的版本,頻率爲2666MHZ,内存條的時序是19-19-19-43,電壓是1.2V;16G容量的版本,頻率、時序、電壓與8G版本相同。

目前光威弈Pro DDR4兩(liǎng)款内存條均已上市,得到了國(guó)内政企用戶,普通玩家的大力支持。僅首日,銷量就超過(guò)了5000條,線上線下銷量火爆、好(hǎo)評如潮。

光威弈Pro DDR4是中國(guó)首款采用自主國(guó)産芯片,性能(néng)和品質能(néng)夠滿足消費市場需求的國(guó)産内存條。 它的出現填補了國(guó)内消費市場的空白,标志着國(guó)産存儲的成(chéng)功崛起(qǐ)。

深圳坪山區近年積極布局集成(chéng)電路産業、高新技術産業的發(fā)展,率先搭建應用場景,爲企業新産品、新技術的應用提供平台。深圳嘉合勁威電子科技有限公司入駐坪山區以來,倚靠坪山高新區的地緣優勢和政策扶持,獲得了巨大的發(fā)展和提升。

此次光威弈PRO DDR4内存條,在深圳坪山區大規模量産,是深圳坪山集成(chéng)電路産業、高新技術産業的又一個成(chéng)果,中國(guó)智造再一次閃亮世界。

芝奇展示Intel Z490平台高速超頻DDR4内存

芝奇展示Intel Z490平台高速超頻DDR4内存

2020年5月20日,世界知名超頻内存及高端電競外圍領導品牌,芝奇國(guó)際于Intel新一代Z490平台上,展示多款高速的超頻内存規格,除了擁有DDR4-5000超高頻率的規格外,更包含了由單支32GB模組打造的超大容量高速套裝,已于多款不同主闆上完成(chéng)燒機測試,發(fā)揮新一代配備強悍的超頻實力。

創作無界 容量無際 – DDR4-4400  64GB(32GBx2)

近年來多媒體創作者對(duì)于内存容量的需求持續提升,單支32GB模組漸漸成(chéng)爲許多高端用戶選擇的内存方案,芝奇特别展示DDR4 32GB模塊在Intel Z490平台下優異的超頻性能(néng),分别搭載在最新第10代i9-10900K與ASUS ROG MAXIMUS XII APEX 以及Intel第10代i7-10700K 與 ASUS ROG Maximus XII Formula主闆上,達到DDR4-4400 CL19-26-26-46 64GB(32GBx2) 同時擁有高頻率及大容量的夢幻逸品。

低延遲的頂尖效能(néng) DDR4-4400 CL17 32GB(16GBx2) 

爲提供超頻玩家更高效能(néng)的内存選擇,芝奇研發(fā)團隊不斷挑戰更高頻率、更低延遲并存的可能(néng)性,成(chéng)功在DDR4-4400這(zhè)樣的高速領域下同時能(néng)擁有CL17的超低時序,達到DDR4-4400 CL17 32GB(16GBx2)的震撼規格。此規格已在最新Intel第10代Core i9-10900K處理器和ASUS ROG Maximus XII Extreme主闆上通過(guò)燒機測試,以下爲測試截圖

新世代5GHz飙速體驗 – DDR4-5000 16GB(8GBx2)

專注于極限超頻,芝奇從未停止追尋更高的速度,這(zhè)次在Intel Z490平台上,芝奇將(jiāng)内存頻率再次拉升,跨入5000MHz的高速領域,并成(chéng)功以DDR4-5000 CL19 16GB(8GBx2)的骠悍速度于多款不同主闆上完成(chéng)燒機測試。以下爲此規格搭配最新Intel第10代Core i9處理器,分别在ASUS ROG MAXIMUS XII APEX, ASRock Z490 AQUA 及MSI MEG Z490 GODLIKE主闆上通過(guò)燒機的截圖:

速度與容量的雙重極緻 – DDR4-5000 32GB(16GBx2)

爲使高端用戶擁有極緻的效能(néng)體驗,芝奇資深研發(fā)團隊不斷挑戰更強大的内存規格,成(chéng)功將(jiāng)規格推升至DDR4-5000 CL19 32GB(2x16GB) 的全新高度,此規格不但是同時擁有極速及超大容量的頂級配備,更是追求極限超頻玩家夢寐以求的珍品,并已搭配最新Intel第10代Core i9-10900K處理器,以下爲測試截圖:

關于芝奇國(guó)際

芝奇國(guó)際實業股份有限公司創立于1989年,總公司位于台北市,爲全球高端超頻、電競計算機内存領導品牌。在計算機科技産業長(cháng)達近30年的經(jīng)驗,芝奇深信唯有不懈的創新及突破,才能(néng)建立永續的品牌價值。另外,芝奇往往率先同行開(kāi)發(fā)出高規格産品,其高端内存宛如計算機硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以競技争鋒的夢幻逸品。2015年,芝奇將(jiāng)對(duì)産品的苛刻創新精神,帶入電競外圍産品,其電競鍵盤及鼠标憑着精細的作工及獨到的設計,一經(jīng)上市即榮獲全球衆多專業媒體和極限用戶的好(hǎo)評及推薦。芝奇秉承堅持淬煉不凡的精神,將(jiāng)不斷爲用戶提供更高質量的産品。

移動解決方案的理想選擇 宏旺半導體LPDDR4X内存助力國(guó)産化替代

移動解決方案的理想選擇 宏旺半導體LPDDR4X内存助力國(guó)産化替代

2020年的智能(néng)手機市場,雖然受到了疫情的影響,但依然硝煙四起(qǐ)。今年一開(kāi)春,5G手機大戰便正式拉開(kāi)了序幕。有意思的是,除了密密麻麻的攝像頭、Wi-Fi6技術、屏下指紋識别,各大手機品牌還(hái)把焦點放在了存儲上——LPDDR5内存和UFS3.0存儲。

随着對(duì)智能(néng)手機配置需求的提升,手機内存也在不斷升級。億級像素、4K高清視頻、VR遊戲等各種(zhǒng)炫酷的應用,都(dōu)需要更大的容量、更快的速度和更可靠的性能(néng)來支持。對(duì)于普通用戶來說,LPDDR可能(néng)比較陌生,它實際上是一種(zhǒng)主要用于移動設備推出的低功耗、小體積内存,而LPDDR5則是它最新的标準,是新一代的“網紅”内存。

關于LPDDR5的争議也不小,有人說它是5G時代黑科技滿滿的手機“标配”,也有人說它 和LPDDR4X 差不多,兩(liǎng)者的感知差異并不強。真的如此嗎?兩(liǎng)者究竟有多大區别?

從實測的數據來看,LPDDR4x對(duì)實際的CPU性能(néng)影響确實要小,内存總分4105分,小米10 4129分,黑鲨34154分,LPDDR5在内存帶寬上大概領先8%,内存延遲上略有優勢,不過(guò)内存複制性能(néng)上反而K30PRO的LPDDR4x好(hǎo)些。

相比較于LPDDR4X來說,LPDDR5功耗和電壓都(dōu)更低,在讀寫性能(néng)上也更快,是一次全新的升級,但是也有業内人士爆料,LPDDR4X和LPDDR5在日常體驗中差異不明顯。OPPO副總裁沈義人也表示,新一代技術肯定比上代技術好(hǎo),但在實際使用過(guò)程中更應該看整機的實際表現,而并非隻看技術上的理論提升。其實,在電腦上和智能(néng)手機上,除了性能(néng)剛剛夠用的低端機,幾乎所有性能(néng)的極限差距都(dōu)是不容易在日常使用中被感知出來的。

此外,目前市面(miàn)上還(hái)有很多處理器還(hái)不能(néng)支持LPDDR5,不少主流旗艦手機内存使用的還(hái)是LPDDR4X。宏旺半導體ICMAX推出的LPDDR4X ,可匹配主流需求,兼備高速度與低功耗,可提供超高續航能(néng)力、超低功耗設計、穩定流暢體驗,規格方面(miàn)單顆容量2GB、4GB、8GB,頻率 3200MT/s,電壓爲0.6V等,工作溫度-25℃至85℃,采用VFBGA 200Ball等封裝。

更低功耗、更高能(néng)效

宏旺半導體的LPDDR4X 卓越的高能(néng)效解決方案,電壓低至0.6V,在性能(néng)方面(miàn)比 LPDDR4 更進(jìn)一步,功耗大約降低了10-20%,有效地延長(cháng)了電池壽命。

· 容量更大,最高達8GB

LPDDR4X 采用小型封裝,8GB的内存能(néng)滿足大多數超薄移動設備的容量空間要求,并具備高性能(néng)的多任務處理功能(néng)。

· 快速流暢,一觸即達

LPDDR4X 運行頻率在LPDDR4基礎上提高了33%的性能(néng),達到了 3200MT/s,可以更流暢、快速地應對(duì)龐大和複雜的工作環境。

· 移動解決方案的理想選擇

宏旺半導體的LPDDR4X支持PoP堆疊封裝和獨立封裝,從智能(néng)手機、平闆電腦,到車載電子、可穿戴設備等,LPDDR4X正在拓寬智能(néng)、移動設備的應用領域。

如今受疫情的影響,全球市場需求疲軟,海外市況依然較爲糟糕,供應受到嚴重影響。與此同時,疫情也給國(guó)産替代帶來了較大的增長(cháng)空間,在面(miàn)對(duì)市場日益增長(cháng)的需求和國(guó)外品牌難以提供穩定供貨情形下,以宏旺半導體ICMAX爲代表的國(guó)産存儲芯片品牌,能(néng)自主研發(fā)、生産、銷售,保證客戶所需的穩定供貨鏈。

同時,爲了進(jìn)一步滿足5G時代,移動終端對(duì)存儲的高性能(néng)、大容量需求,宏旺半導體LPDDR5也正在緊密鑼鼓地籌備中,預計最晚明年上市。

在我國(guó)芯片高度依賴進(jìn)口的嚴峻形勢下,民族企業在存儲領域的前瞻布局和突破成(chéng)果,無疑爲實現”芯片國(guó)産化替代“提供了重要支撐。未來,宏旺半導體將(jiāng)繼續對(duì)即時通訊、行業存儲、智能(néng)交通、物聯網等熱門領域展示存儲及産品方案,將(jiāng)産業科技紅利轉換成(chéng)效率提升,抓住如今的國(guó)産存儲芯片發(fā)展契機,建設存儲芯片全産業鏈科技園,引領存儲芯片國(guó)産化替代。

芝奇發(fā)表高速低延遲DDR4-3200 CL14 256GB套裝

芝奇發(fā)表高速低延遲DDR4-3200 CL14 256GB套裝

2019年12月23日– 世界知名超頻内存及高端電競外設領導品牌,芝奇國(guó)際推出由新一代單支32GB模組所組成(chéng)的DDR4-3200 CL14-18-18-38極速内存套裝,此規格將(jiāng)提供256GB (32GBx8)、128GB (32GBx4)、64GB (32GBx2) 三款豪華容量内存方案,并加入Trident Z Royal皇家戟、Trident Z Neo焰光戟、Trident Z RGB幻光戟三款RGB内存系列,滿足高端用戶對(duì)内存高頻率及大容量的需求。

Intel X299高端平台,極限效能(néng)再推升

爲使高端用戶擁有極緻的效能(néng)體驗,芝奇資深研發(fā)團隊以獨步業界的技術,爲Intel X299高端平台展現新的突破,將(jiāng)單支32GB DDR4模組組成(chéng)的内存套裝,成(chéng)功達到了DDR4-3200 CL14-18-18-38 256GB (32GBx8)的震撼規格,此規格不但是高端用戶極速、低延遲、超大容量的頂級重裝配備,更是追求頂尖效能(néng)玩家的不二首選。以下燒機測試截圖爲此規格成(chéng)功在Intel Core i9-10900X處理器和ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE主闆以及Intel Core i9-10940X 處理器與MSI Creator X299主闆上通過(guò)驗證:

AMD平台震撼性能(néng),全力釋放

廣受好(hǎo)評的焰光戟是許多AMD平台玩家的内存優先選擇,芝奇爲提供第三代AMD Ryzen Threadripper高端玩家擁有更快、更大容量的頂級規格,全新推出焰光戟 DDR4-3200 CL14-18-18-38 256GB (32GBx8) 豪華内存套裝,經(jīng)由嚴密的測試來确保其擁有強大的超頻潛力以及穩定的兼容性。下圖爲此規格在AMD Ryzen Threadripper 3960X 處理器及 ASUS ROG ZENITH II EXTREME 主闆上通過(guò)燒機測試的截圖畫面(miàn):

芝奇也特别推出了DDR4-3200 CL14-18-18-38 128GB (32GBx4) 高速大容量的慓悍規格,提供AMD X570平台玩家極速大容量的豪華内存方案,是追求極限效能(néng)玩家市場上不可錯過(guò)的稀世珍品。下圖爲此規格成(chéng)功在AMD Ryzen 5 3600 處理器及 ASUS PRIME X570-P 主闆上通過(guò)燒機測試的截圖:

上市信息 

本次的頂級套裝預計于2020年第一季開(kāi)始販賣,消費者將(jiāng)可由芝奇授權的全球合作供貨商購買取得。

支持XMP 2.0超頻功能(néng)

芝奇超頻DDR4内存全面(miàn)支持 Intel XMP 2.0 超頻功能(néng),玩家無需透過(guò)複雜的 BIOS 設置,僅需透過(guò)簡單步驟就能(néng)輕松體驗一鍵超頻功能(néng)所帶來的飙速快感。

2020年5G手機及資料中心需求提升 DRAM現貨價格觸底反彈

2020年5G手機及資料中心需求提升 DRAM現貨價格觸底反彈

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示,在當前各家廠商庫存數量下跌,加上資料中心需求持續強勁,以及2020年第1季5G手機市場對(duì)于DRAM需求擴大的情況下,近3個月連續走跌的DRAM價格已經(jīng)觸底反彈。

其中,DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的産品上漲了2.88%,而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的産品也上漲了1.04%,顯示了DRAM市場從下跌狀況走緩,甚至已經(jīng)開(kāi)始反彈回溫。

有報告顯示,2020年在5G智能(néng)手機、資料中心等需求的提升,使得業者開(kāi)始加大對(duì)于DRAM的采購力道(dào)。

其中,在5G智能(néng)手機方面(miàn),因爲旗艦機種(zhǒng)將(jiāng)搭載6G到12G的DRAM,相較4G高端旗艦款手機搭載3G到6G DRAM的規格而言,容量要增加許多,使得市場開(kāi)始對(duì)DRAM的需求增加。

除了在需求面(miàn)的提升之外,外資報告還(hái)指出,韓國(guó)存儲器龍頭三星目前在DRAM生産方面(miàn)已經(jīng)開(kāi)始導入1z納米制程,三星期望可以透過(guò)制程微縮,提升單位生産數量。

此外,到第三代10納米級的1z納米制程後(hòu),由于未來微縮空間減少,使得成(chéng)本效益遞減,加上三星逐漸導入EUV生産DRAM,生産成(chéng)本随之提高,這(zhè)樣不僅形成(chéng)進(jìn)入産業的高門檻,也限制了未來擴産比例,導緻預期供貨將(jiāng)維持在一定數量,廠商難以大量收到貨源,形成(chéng)價格的預期上揚。而這(zhè)對(duì)于整體DRAM産業來說,也會是較爲健康的發(fā)展。

芝奇推出新一代高端平台高速大容量豪華内存套裝

芝奇推出新一代高端平台高速大容量豪華内存套裝

11月25日,世界知名超頻内存及高端電競外圍領導品牌,芝奇國(guó)際爲新一代高端平台 Intel X299 和 AMD TRX40推出高速、低延遲、大容量内存系列套裝規格,包含高速套裝DDR4-4000MHz CL15-16-16-36 64GB (8GBx8),以及大容量套裝 DDR4-3600MHz CL16-19-19-39 256GB (32GBx8)、DDR4-4000MHz 18-22-22-42 256GB(32GBx8)。此系列套裝滿足了高端工作站、影音編輯者以及專業科學(xué)運算對(duì)于大容量的需求,更是追求頂尖效能(néng)玩家們的好(hǎo)選擇。

釋放Intel  X299平台強悍性能(néng)

爲了高端平台Intel X299,芝奇資深研發(fā)團隊再次展現獨步業界的技術實力,挑戰高頻率及大容量并存的可能(néng)性,成(chéng)功將(jiāng)CL15超低延遲帶入4000MHz極限頻率的門坎,推出DDR4-4000MHz CL15-16-16-36 64GB (8GBx8)。此規格已在Intel Core i9-10900X處理器及 ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE與MSI Creator X299主闆上通過(guò)驗證,以下爲燒機測試截圖:

從首度推出單支32GB DDR4模塊套裝不過(guò)兩(liǎng)個月内,芝奇再次挑戰業界推出高速的256GB套裝模塊,具備DDR4-4000 CL18-22-22-42 256GB (32GBx8) 的極緻效能(néng)規格,并經(jīng)過(guò)多重嚴密測試後(hòu)已達到絕佳超頻潛力及産品兼容性。—以下燒機測試截圖爲此規格成(chéng)功在MSI Creator X299 和 ASUS PRIME X299-DELUXE II 主闆以及Intel Core i9-9920X 與i9-9820X processors處理器上通過(guò)驗證:

發(fā)揮AMD TRX40平台極緻效能(néng)

焰光戟自推出以來即廣受AMD 平台玩家們的喜愛,爲了提供第三代AMD Ryzen Threadripper的玩家好(hǎo)的效能(néng)體驗,芝奇再次突破極限推出擁有超低延遲的Trident Z Neo焰光戟DDR4-3600MHz CL14-15-15-35 64GB (8GBx8)。下圖爲此套規格在AMD Ryzen Threadripper 3960X 處理器及 ASUS ROG Zenith II Extreme 主闆上通過(guò)燒機測試的截圖畫面(miàn):

針對(duì)高端工作站、影音編輯者以及專業科學(xué)運算的大容量需求,芝奇更推出了單支32GB  DDR4模塊套裝,規格高達DDR4-3600 CL16-19-19-39 256GB (32GBx8),是追求極緻效能(néng)使用者的不二選擇。此規格已成(chéng)功在AMD Ryzen Threadripper 3960X處理器及 ASUS ROG Zenith II Extreme主闆上通過(guò)的燒機測試截圖:

上市信息 & 詳細規格

本次的頂級套裝預計于2019年第4季開(kāi)始販賣,消費者將(jiāng)可由芝奇授權的全球合作供貨商購買取得。

支持XMP 2.0超頻功能(néng)

芝奇超頻DDR4内存全面(miàn)支持 Intel XMP 2.0 超頻功能(néng),玩家無需透過(guò)複雜的 BIOS 設置,僅需透過(guò)簡單步驟就能(néng)輕松體驗一鍵超頻功能(néng)所帶來的飙速快感。

關于芝奇國(guó)際

芝奇國(guó)際實業股份有限公司創立于1989年,總公司位于台北市,爲全球高端超頻、電競計算機内存領導品牌。在計算機科技産業長(cháng)達近30年的經(jīng)驗,芝奇深信唯有不懈的創新及突破,才能(néng)建立永續的品牌價值。另外,芝奇往往率先同行開(kāi)發(fā)出高規格産品,其高端内存宛如計算機硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以競技争鋒的夢幻逸品。2015年,芝奇將(jiāng)對(duì)産品的苛刻創新精神,帶入電競外圍産品,其電競鍵盤及鼠标憑着精細的作工及獨到的設計,一經(jīng)上市即榮獲全球衆多專業媒體和極限用戶的好(hǎo)評及推薦。芝奇秉承堅持淬煉不凡的精神,將(jiāng)不斷爲用戶提供更高質量的産品。

DDR5開(kāi)辟DRAM市場新天地

DDR5開(kāi)辟DRAM市場新天地

SK海力士所研發(fā)的行業内首個五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達到了電子工程設計發(fā)展聯合協會(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡稱JEDEC) 标準, 這(zhè)項技術正在DRAM市場開(kāi)拓一片新天地。

技術競争力將(jiāng)引領第四次工業革命

DDR5具備超高速、低功耗和大容量特性, 將(jiāng)成(chéng)爲大數據(Big Data), 人工智能(néng) (AI) 和機器 學(xué)習 (Machine Learning) 等新一代系統理想的 DRAM。

繼1Y納米工藝的8Gbit(Gb)DDR4之後(hòu), SK海力士于2018年11月面(miàn)向(xiàng)各大主要芯片組制造商, 推出與DDR4 采用相同微細 化工藝的16Gb DDR5 。新一代DDR5 DRAM支持5200Mbps的數據傳輸速率, 比上一代3200Mbps的數據傳輸速率快了 60左右。同樣在今年2月, 在美國(guó)舊金山舉行的2019國(guó)際固态電路會議 (the International Solid-State Circuits Conference 2019, 簡稱ISSCC) 上, SK海力士詳細介紹了16Gb DDR5, 表示該産品技術上支持的數據傳輸速率高達6400Mbps。

DDR5將(jiāng)性能(néng)效率最大化

與上一代産品DDR4相比, DDR5不僅在功耗上降低了30%, 數據傳輸速率還(hái)提升了60%。DDR5支持41.6GByte/秒的數據傳輸速率, 相當于一秒内能(néng)處理11部全高清 (Full-HD)電影的容量。

2018年11月, SK海力士成(chéng)功研發(fā)世界首個DDR5 DRAM。該産品采用與JEDEC一緻的DDR5标準, 儲庫(Bank)的數量從16翻番至32。突發(fā)長(cháng)度 (Burst Length, 即連續傳輸的周期數) 也從8翻番至16。與此同時, 這(zhè)款最新DRAM還(hái)包含錯誤糾正代碼 (Error Correcting Code, 簡稱ECC)算法, 從而將(jiāng)大大提升大容量系統的可靠性。

由于采用最新先進(jìn)技術實現超高速且可靠的動作性能(néng), 該産品的數據處理速度得到大幅提升, 進(jìn)一步鞏固了SK海力士的技術競争力和行業領先地位。

新一代DRAM將(jiāng)重振内存市場

有市場調查顯示, 對(duì)于DDR5内存需求將(jiāng)從 2020年開(kāi)始增長(cháng), 預計到2021年爲止將(jiāng)占DRAM總市場的25%。這(zhè)一市場份額將(jiāng)逐步提升, 并在2022年達到44%。SK海力士計劃從2020年開(kāi)始量産DDR5内存芯片,同時公司也將(jiāng)繼續研發(fā)DRAM技術, 希望引領新一代半導體技術的發(fā)展方向(xiàng)。

爲什麼(me)需要下一代DRAM?

爲什麼(me)需要下一代DRAM?

其中在半導體存儲部分,集邦咨詢表示,随着技術的發(fā)展,下一代DRAM(内存)DDR5/LPDDR5在2020年將(jiāng)進(jìn)行導入與樣本驗證,并逐步面(miàn)市。

内存是計算機和移動智能(néng)終端的重要組成(chéng)部分,經(jīng)曆了長(cháng)時間的競争更替和路線選擇之後(hòu),DRAM技術被穩定在以DDR技術爲基礎的發(fā)展路線上。從DDR到DDR2、DDR3,今天市面(miàn)上比較普及的DRAM技術規格是DDR4/LPDDR4。

資料顯示,相比現有産品,除了外形變化不大之外,DDR5帶來了更高的帶寬、更大的容量和更出色的安全性。

從原理上來看,DDR5是一種(zhǒng)高速動态随機存儲器,由于其DDR的性質,依舊可以在系統時鍾的上升沿和下降沿同時進(jìn)行數據傳輸。和DDR4一樣,DDR5在内部設計了Bank(數據塊)和Bank Group(數據組)。

和DDR4相比,DDR5在數據塊和數據組的配置上更爲寬裕。

在DDR4産品上,數據組的數量最高限制爲4組,一般采用2組配置。在DDR5上,數據組的數量可以選擇2組、4組到最高8組的設計,以适應不同用戶的不同需求,并且還(hái)可以保證Bank數據塊的數量不變。

這(zhè)意味着整個DDR5的Bank數量將(jiāng)是DDR4的至少2倍,這(zhè)將(jiāng)有助于減少内存控制器的順序讀寫性能(néng)下降的問題。

除了數據組翻倍外,在預取值、減少總線壓力、PDA模式、類雙通道(dào)等多方面(miàn)都(dōu)有不同程度的創新或重新設計,這(zhè)爲DDR5實現更高帶寬、更快速度和更好(hǎo)安全性打下基礎。

得益于最新的技術,DDR5有可能(néng)帶來單片32Gb的DDR5顆粒,這(zhè)樣單内存條支持的内存容量有可能(néng)提升至64~128GB。而規格上,目前DDR5的内存規格從DDR5 3200起(qǐ)跳,最高可到DDR5 6400。

各大廠商DDR5進(jìn)展

雖然JEDEC(固态技術協會)關于DDR5的最終規範還(hái)沒(méi)有完全确定,但這(zhè)也擋不住國(guó)際大廠的熱情。目前多家廠商都(dōu)公布了自己的DDR5産品路線圖和規劃。

根據路線圖來看,目前全球DRAM廠商中,包括三星、美光、SK海力士等廠商都(dōu)提出了DDR5産品規劃。其中三星、美光和SK海力士已經(jīng)展示了自家旗下的DDR5顆粒,并開(kāi)始小批量出貨。

下面(miàn)是各大廠商DDR5相關産品進(jìn)展:

· 美光:

2018年5月,美光就聯合Cadence展示了DDR5内存和内存控制器的樣品。Cadence是全球頂尖的EDA廠商,本次推出的DDR5相關IP産品也是配合JEDEC即將(jiāng)發(fā)布的DDR5内存而來。Cadence的DDR5内存控制器測試芯片采用了TSMC的7nm工藝制造,搭配的内存則是美光的DDR5 4400 8Gb顆粒。

 · 三星:

2018年7月,三星另辟蹊徑展示了LPDDR5顆粒。相比DDR5内存而言,LPDDR5的基本技術原理和其類似,但是面(miàn)向(xiàng)移動設備,在總線位寬、功能(néng)設計上做出了一些妥協,更注重高性能(néng)功耗比和低功耗、小尺寸。三星成(chéng)功拿下了首個展示LPDDR5技術的桂冠。

· SK海力士:

2018年11月,SK海力士推出了DDR5内存的樣品。這(zhè)款内存采用的芯片容量爲16Gb,SK海力士宣稱其完全按照JEDEC的DDR5規範開(kāi)發(fā)(雖然現在也沒(méi)公開(kāi))。

2019年2月,SK海力士又在國(guó)際固态電路會議上展示了旗下DDR5内存的相關開(kāi)發(fā)進(jìn)度。這(zhè)次SK海力士帶來的是最高端的DDR5 6400芯片的相關情況。SK海力士展示的是一款容量爲16Gb的DDR5顆粒,有32個Bank和8個Bank Group,其接口傳輸速率爲6400MT/s,電壓依舊是1.1V,制造工藝也是之前介紹過(guò)的1Ynm,其内部具有四個金屬層,芯片封裝尺寸爲76.22平方毫米。

爲什麼(me)需要DDR5内存

從原廠的角度來看,DDR5内存從技術上已經(jīng)做好(hǎo)了準備,一旦産業鏈配套的英特爾、AMD、高通等廠商做好(hǎo)準備,DDR5家族的産品就可以正式上市。

除了傳統的台式電腦領域需要DDR5之外,筆記本電腦和智能(néng)手機也將(jiāng)對(duì)DDR5形成(chéng)強大的需求。尤其在5G和AI等技術的快速普及下,快速傳輸和計算將(jiāng)成(chéng)爲龐大的剛需。

當然,未來降低功耗和提升性能(néng)一樣重要,存儲器制造商經(jīng)常面(miàn)對(duì)的挑戰是必須不斷地提供越來越高的性能(néng)水平,同時還(hái)得支援更高的電源效率,特别是在低功耗的DRAM領域。

這(zhè)也是爲什麼(me)三星會率先發(fā)布應用在智能(néng)手機和筆記本電腦上的LPDDR5的原因。

以速度和效能(néng)來看,三星12Gb LPDDR5比當今智能(néng)手機中所用的LPDDR4X行動存儲器更快約1.3倍;LPDDR4X的速度爲4.2Gbps。以12GB的容量來看,LPDDR5可以在1秒鍾内傳輸44GB的數據,相當于12部全高解析(full HD)的影片。

從主要的功率消耗來看,即將(jiāng)全面(miàn)商用的5G網絡并不會消耗更多能(néng)量,但5G意味着將(jiāng)帶來更快速的管線,讓高端智能(néng)手機用戶能(néng)夠透過(guò)串流或檔案傳輸,在其手機之間傳輸更多的資料,包括高質量視頻等。

此外,智能(néng)手機上的AI技術也意味着設備將(jiāng)會進(jìn)行更多的計算,而且在要求應用程序執行某些操作(例如影像識别)時不容許延遲,這(zhè)將(jiāng)面(miàn)對(duì)更高的帶寬壓力。

事(shì)實上,今年年初,JEDEC爲最新的LPDDR标準進(jìn)行升級,使其I/O速率較前一代标準大幅提升,讓存儲器傳輸速度增加一倍,目的就在于爲智能(néng)手機、平闆電腦和輕薄型筆記本電腦等移動終端提高速度與效率,而這(zhè)也是未來的市場需求,也就需要下一代DRAM。

集邦咨詢:DRAM八月合約價格止跌,九月繼續持平可能(néng)性高

集邦咨詢:DRAM八月合約價格止跌,九月繼續持平可能(néng)性高

集邦咨詢:DRAM八月合約價格止跌,九月繼續持平可能(néng)性高

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,八月DRAM合約價與前月持平,DDR4 8GB均價來到25.5美元,而九月合約價格雖然仍在議定當中,但繼續持平的可能(néng)性高。

從市場面(miàn)來觀察,随着日本政府批準關鍵半導體原料出口,七月開(kāi)始的日韓貿易問題已正式落幕。但期間OEM客戶受不确定因素與預期心理影響,已紛紛拉高備貨庫存,使得DRAM原廠的高庫存水位逐步下降,并往正常水位邁進(jìn)。此外,第三季适逢傳統旺季,再加上美國(guó)將(jiāng)在12月初開(kāi)始對(duì)部分中國(guó)出口的電子産品課征關稅,也産生提前出貨的效應,需求力道(dào)超過(guò)預期,這(zhè)讓DRAM原廠在價格議定時态度更爲堅定,亦讓整體第三季價格扭轉原先的跌勢,轉爲持平。

原廠調整資本支出以穩固獲利,明年DRAM産出增幅創十年新低

展望2020年,由于三大DRAM原廠仍以獲利爲導向(xiàng),資本支出預估將(jiāng)較今年減少至少10%,明年的産出年成(chéng)長(cháng)亦是近十年來新低,僅12.5%,爲價格反彈奠定一定的基礎。

集邦咨詢調查顯示,DRAM原廠的擴廠計劃轉趨保守,如三星的平澤二廠已經(jīng)接近完工,但最快要到2020年第二季才會進(jìn)入商轉,且新增的設備僅是支持未來1Znm制程的轉進(jìn),整體投片量將(jiāng)與今年大緻相同。SK海力士最新M16工廠最快明年下半年完工,産出增加最快要等到2021年,加上舊工廠M10逐步轉做代工,預估明年整體DRAM投片量將(jiāng)不增反減。

美光今年在廣島廠旁增設的F棟工廠,也是爲了支援1Znm制程轉進(jìn),整體廣島廠産能(néng)并無增加。而台灣美光内存目前正在興建的A3新廠,初期也是支援1Znm制程轉進(jìn),短期增産機會并不大。但A3廠基地面(miàn)積不小,未來還(hái)是有新增産能(néng)的可能(néng)。

明年中國(guó)DRAM投片占全球不到3%,對(duì)産業長(cháng)期影響仍待觀察

中國(guó)目前有兩(liǎng)個DRAM生産基地,規模較大的合肥長(cháng)鑫存儲(CXMT)已經(jīng)初步投産,初期産品以DDR4 8Gb爲主,明年上半年將(jiāng)會有LPDDR4 8Gb的産品,持續往量産邁進(jìn),但預計要到2021年,産能(néng)才有機會達到滿載的100K甚至以上。福建晉華(JHICC)雖然受到美國(guó)禁令影響,美系設備無法有工程人員駐廠維護,但内部仍試圖自行將(jiāng)參數調整至最佳化,預計明年投片有10K之内的水平。

因此集邦咨詢預估,2020年中國(guó)DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%,自主生産成(chéng)果仍有限。展望未來,中國(guó)内存産業仍需克服良率、機台建置以及IP相關限制等挑戰,對(duì)整體DRAM供給産生明顯沖擊的确切時間點,仍需持續觀察。